JPH01312510A - 中空光導波路 - Google Patents
中空光導波路Info
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- JPH01312510A JPH01312510A JP63143569A JP14356988A JPH01312510A JP H01312510 A JPH01312510 A JP H01312510A JP 63143569 A JP63143569 A JP 63143569A JP 14356988 A JP14356988 A JP 14356988A JP H01312510 A JPH01312510 A JP H01312510A
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は吸収の小さい誘電体薄膜を内装した金属中空導
波路に係るもので、特に、石英系光ファイバが使用でき
ない赤外波長帯のレーザ光を伝搬させるのに好適な中空
光導波路に関するものである。
波路に係るもので、特に、石英系光ファイバが使用でき
ない赤外波長帯のレーザ光を伝搬させるのに好適な中空
光導波路に関するものである。
［従来の技術］
炭酸ガスレーザは、発振効率が高く、大出力を得ること
ができるため、医療用のレーザメスや溶接、切断等の工
業加工用として広く利用されるようになった。
ができるため、医療用のレーザメスや溶接、切断等の工
業加工用として広く利用されるようになった。
しかし、その発振波長が１０．６μｍという赤外領域に
あるため、従来の石英系光ファイバでは損失が大きく、
これを導波路として用いることはできない。
あるため、従来の石英系光ファイバでは損失が大きく、
これを導波路として用いることはできない。
そこで第１図に示すような、誘電体内装金属中空導波路
が考案された。これは、複素屈折率の大きさが大きい金
属チューブ１の内壁に、伝送するレーザ光の波長帯にお
いて吸収の小さい誘電体薄膜２を内装することにより、
内壁の反射率を高め、中空領域３にエネルギーを閉じ込
めてレーザ光を伝搬させるものである。このような誘電
体内装金属中空導波路の伝送損失は内装する誘電体の膜
厚に依存する。
が考案された。これは、複素屈折率の大きさが大きい金
属チューブ１の内壁に、伝送するレーザ光の波長帯にお
いて吸収の小さい誘電体薄膜２を内装することにより、
内壁の反射率を高め、中空領域３にエネルギーを閉じ込
めてレーザ光を伝搬させるものである。このような誘電
体内装金属中空導波路の伝送損失は内装する誘電体の膜
厚に依存する。
第２図にゲルマニウムを内装したニッケル中空導波路に
炭酸ガスレーザ光を通したときのゲルマニウムの膜厚に
対するＨＥ／／モードの伝送損失の実測値及び理論値を
示す。
炭酸ガスレーザ光を通したときのゲルマニウムの膜厚に
対するＨＥ／／モードの伝送損失の実測値及び理論値を
示す。
ここで、導波路系はφ１ 、５ｍｌ長さは１ｍである。
このように、伝送損失は内装する誘電体の膜厚によって
周期的に変化する。
周期的に変化する。
ＡＰＰＬ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、４３，４３０（１９８
３）によれば、内装する誘電体の膜厚ｔが、 七“２π（ａ２ ｉ）ｌ／ｌ Ｘ を満足するとき、伝送損失は極小となる。但し、ここで
λはレーザ光の波長、ａは内装する誘電体の屈折率、ｑ
は零または自然数である０例えば、内装する誘電体がゲ
ルマニウムの場合、ｔ＝０．４９μｍのとき伝送損失は
極小となり、実測値はほぼ理論の妥当性を示している。
３）によれば、内装する誘電体の膜厚ｔが、 七“２π（ａ２ ｉ）ｌ／ｌ Ｘ を満足するとき、伝送損失は極小となる。但し、ここで
λはレーザ光の波長、ａは内装する誘電体の屈折率、ｑ
は零または自然数である０例えば、内装する誘電体がゲ
ルマニウムの場合、ｔ＝０．４９μｍのとき伝送損失は
極小となり、実測値はほぼ理論の妥当性を示している。
第２図に見られるもののうちで代表的な中空導波路の曲
げ特性の測定結果を第３図〜第５図に示す、第３図はニ
ッケル中空導波路、第４図は式■を満足して、伝送損失
が極小となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路、第
５図は伝送損失が極大となるゲルマニウム内装ニッケル
中空導波路である。
げ特性の測定結果を第３図〜第５図に示す、第３図はニ
ッケル中空導波路、第４図は式■を満足して、伝送損失
が極小となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路、第
５図は伝送損失が極大となるゲルマニウム内装ニッケル
中空導波路である。
ここで、導波路系φ１．５１ｎ 、長さ１１１で、導波
路の入射端２０ｃｌを真っすぐに固定し、それから残り
８０ｃｍを曲げ半径Ｒで一様に曲げである。
路の入射端２０ｃｌを真っすぐに固定し、それから残り
８０ｃｍを曲げ半径Ｒで一様に曲げである。
また図中Ｏ印は第６図（ａ）に示すように、曲げ平面に
対し、電界が垂直となる直線偏光Ｅ、を入射した場合、
Ｘ印は第６図（ｂ）に示すように曲げ平面に対し、電界
が平行となる直線偏光Ｅ／を入射した場合の測定結果で
、ともに直線状態の導波路の透過率を基準にして相対的
な透過率を示しである。
対し、電界が垂直となる直線偏光Ｅ、を入射した場合、
Ｘ印は第６図（ｂ）に示すように曲げ平面に対し、電界
が平行となる直線偏光Ｅ／を入射した場合の測定結果で
、ともに直線状態の導波路の透過率を基準にして相対的
な透過率を示しである。
第３図のニッケル中空導波路の場合や第５図の伝送損失
が極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の場
合では、わずかな曲がりでも伝送損失は大きく増加する
。これに対し第４図の伝送損失が極小となるゲルマニウ
ム内装ニッケル中空導波路の場合では曲げに対して比較
的強い結果が出ている。
が極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の場
合では、わずかな曲がりでも伝送損失は大きく増加する
。これに対し第４図の伝送損失が極小となるゲルマニウ
ム内装ニッケル中空導波路の場合では曲げに対して比較
的強い結果が出ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、第３図〜第５図はいずれも直線偏光Ｅ、
とＥ／を入射させたときの曲がりに対する損失の増加は
異なり、曲げ損失に入射レーザ光の偏光依存性が顕れる
。そのため、偏光をもったレーザ光を入射して任意の方
向に曲げる場合にはいずれの中空導波路も適さない、す
なわち、最小損失条件式■を満足する誘電体内装金属中
空導波路は直線状態で用いる場合は低損失であるが、偏
光をもったレーザ光を入射し、任意の方向に曲げる場合
には安定な出力を制御するのは難しい、したがって、本
発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、任意の
方向に曲げても曲げ特性が変らない新規な中空光導波路
を提供することにある。
とＥ／を入射させたときの曲がりに対する損失の増加は
異なり、曲げ損失に入射レーザ光の偏光依存性が顕れる
。そのため、偏光をもったレーザ光を入射して任意の方
向に曲げる場合にはいずれの中空導波路も適さない、す
なわち、最小損失条件式■を満足する誘電体内装金属中
空導波路は直線状態で用いる場合は低損失であるが、偏
光をもったレーザ光を入射し、任意の方向に曲げる場合
には安定な出力を制御するのは難しい、したがって、本
発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、任意の
方向に曲げても曲げ特性が変らない新規な中空光導波路
を提供することにある。
［課題を解決するたための手段］
本発明の中空光導波路は、金属チューブに誘電体が内装
され、偏光をもったレーザ光を伝送させる中空光導波路
において、誘電体の膜厚ｔがほぼ、・・・・・・・・・
■ を満足するように構成したものである。但し、ここでλ
はレーザ光の波長、ａは誘電体の屈折率。
され、偏光をもったレーザ光を伝送させる中空光導波路
において、誘電体の膜厚ｔがほぼ、・・・・・・・・・
■ を満足するように構成したものである。但し、ここでλ
はレーザ光の波長、ａは誘電体の屈折率。
ｎは金属の複素屈折率の実数部、には金属の複素屈折率
の虚数部、ｑは零または自然数である。
の虚数部、ｑは零または自然数である。
そして、上記金属チューブをニッケルで形成する場合に
は、誘電体の膜厚ｔが、 ０．４９μｍ＜ｔ＜０．５７μｍ を満足することが好ましい。
は、誘電体の膜厚ｔが、 ０．４９μｍ＜ｔ＜０．５７μｍ を満足することが好ましい。
また、上記金属チューブを銀で形成する場合であって、
誘電体がゲルマニウムのときは、その膜厚ｔが、 ０．４９μｍ＜ｔ＜０．５９μｍ であり、誘電体がセレン化亜鉛のときは、その膜厚ｔが
、 ０．７９μｍ＜ｔ＜１．０２μｍ であり、誘電体が硫化亜鉛のときは、その膜厚ｔが、 ０．８２μｍ＜ｔ＜１．０７μｍ であり、誘電体がフッ化カルシウムのときは、その膜厚
ｔが、 １．６４μｍ＜ｔ＜２．２１μｍ であることが好ましい。
誘電体がゲルマニウムのときは、その膜厚ｔが、 ０．４９μｍ＜ｔ＜０．５９μｍ であり、誘電体がセレン化亜鉛のときは、その膜厚ｔが
、 ０．７９μｍ＜ｔ＜１．０２μｍ であり、誘電体が硫化亜鉛のときは、その膜厚ｔが、 ０．８２μｍ＜ｔ＜１．０７μｍ であり、誘電体がフッ化カルシウムのときは、その膜厚
ｔが、 １．６４μｍ＜ｔ＜２．２１μｍ であることが好ましい。
［作用］
第３図〜第５図かられがるように第５図の伝送損失が極
大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路では、第
４図のニッケル中空導波路や第５図の伝送損失が極小と
なるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路と異なり、曲
げ平面に対し、電界が垂直となる直線偏光Ｅ土を入射し
た場合と、曲げ平面に対し電界が平行となる直線開光Ｅ
／を入射した場合の透過率の大小関係が逆転する。すな
わち、最小損失条件式〇を満足した第４図の中空導波路
よりも、ゲルマニウムの膜厚をさらに厚くしたところに
Ｅ上を入射させても、Ｅ／を入射させても同じ曲げ特性
が得られるところが存在すると考えられる。
大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路では、第
４図のニッケル中空導波路や第５図の伝送損失が極小と
なるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路と異なり、曲
げ平面に対し、電界が垂直となる直線偏光Ｅ土を入射し
た場合と、曲げ平面に対し電界が平行となる直線開光Ｅ
／を入射した場合の透過率の大小関係が逆転する。すな
わち、最小損失条件式〇を満足した第４図の中空導波路
よりも、ゲルマニウムの膜厚をさらに厚くしたところに
Ｅ上を入射させても、Ｅ／を入射させても同じ曲げ特性
が得られるところが存在すると考えられる。
入射ビームの偏光に対して曲げ特性が変らないようにす
るには、第７図のスラブモデルにおいて、導波路境界面
におけるＴＥ波の反射率とＴＭ波の反射率とが一致する
ように誘電体の膜厚を決定すればよい。誘電体を内装し
た金属中空導波路のＴＥ波とＴＭ波の反射率はＩＥＥＥ
Ｊ、ＱｕａｎｔｕｍＥ Ｉｅｃｔｒｏｎ、 、 ＱＥ
−１９，１３６，（１９８３）に示されている。
るには、第７図のスラブモデルにおいて、導波路境界面
におけるＴＥ波の反射率とＴＭ波の反射率とが一致する
ように誘電体の膜厚を決定すればよい。誘電体を内装し
た金属中空導波路のＴＥ波とＴＭ波の反射率はＩＥＥＥ
Ｊ、ＱｕａｎｔｕｍＥ Ｉｅｃｔｒｏｎ、 、 ＱＥ
−１９，１３６，（１９８３）に示されている。
一般に赤外領域において、金属の複素屈折率の絶対値は
、誘電体の屈折率よりも十分大きいので、この関係を用
いれば、内装する誘電体の膜厚ｔが、はぼ上記式〇を満
足するとき、ＴＥ波とＴＭ波の反射率はほぼ一致する。
、誘電体の屈折率よりも十分大きいので、この関係を用
いれば、内装する誘電体の膜厚ｔが、はぼ上記式〇を満
足するとき、ＴＥ波とＴＭ波の反射率はほぼ一致する。
、［実施例］
以下本発明の実施例について述べる。
炭酸ガスレーザ光伝送を目的としたゲルマニウム内装ニ
ッケル中空導波路の場合では、弐〇を満足するゲルマニ
ウム膜の最小の膜厚はｏ、５３μｌである。伝送損失が
最小損失条件式■を満足したときの最小伝送損失より２
倍は増加しないためのゲルマニウムの膜厚を膜厚許容範
囲と定めれば膜厚許容範囲は、０．２２μｍから０．５
７μｌである。従って、式■を満足するゲルマニウムの
膜厚は、この許容範囲内であり、式■を満足しなくとも
伝送損失はあまり変らない、すなわち、ゲルマニウム内
装ニッケル中空導波路ではゲルマニウムの膜厚ｔを０．
４９μａ（ｔ ＜０．５７μｍにすれば、伝送損失は小
さくしかも曲げ損失のレーザ光偏光依存性も小さい導波
路が得られる。特に、ゲルマニウムの膜厚が０．５３μ
ｍのときは曲げ損失のレーザ光偏光依存性はほとんど無
視し得る。
ッケル中空導波路の場合では、弐〇を満足するゲルマニ
ウム膜の最小の膜厚はｏ、５３μｌである。伝送損失が
最小損失条件式■を満足したときの最小伝送損失より２
倍は増加しないためのゲルマニウムの膜厚を膜厚許容範
囲と定めれば膜厚許容範囲は、０．２２μｍから０．５
７μｌである。従って、式■を満足するゲルマニウムの
膜厚は、この許容範囲内であり、式■を満足しなくとも
伝送損失はあまり変らない、すなわち、ゲルマニウム内
装ニッケル中空導波路ではゲルマニウムの膜厚ｔを０．
４９μａ（ｔ ＜０．５７μｍにすれば、伝送損失は小
さくしかも曲げ損失のレーザ光偏光依存性も小さい導波
路が得られる。特に、ゲルマニウムの膜厚が０．５３μ
ｍのときは曲げ損失のレーザ光偏光依存性はほとんど無
視し得る。
以上はゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の場合を示
したが、金属チューブ及び誘電体として他の材料を用い
た場合も同様である。低損失でしかも曲げ損失のレーザ
光偏光依存性を小さくするには、例えばゲルマニウム内
装銀中空導波路では、ゲルマニウムの膜厚ｔを０．４９
μｒｒ ＜ ｔ ＜０．５９μｍにすればよい、またセ
レン化亜鉛内装銀中空導波路では、セレン化亜鉛の膜厚
ｔを０．７９μｒｍ ＜ｔ＜１．０２μｍ、硫化亜鉛内
装銀中空導波路では、硫化亜鉛の膜厚ｔを０．８２μＩ
Ｉ ＜ ｔ ＜１．０７μｍ、フッ化カルシウム内装銀
中空導波路では、フッ化カルシウムの膜厚ｔを１．６４
μｌ ＜ ｔ ＜２．２１μＩにすればよい。
したが、金属チューブ及び誘電体として他の材料を用い
た場合も同様である。低損失でしかも曲げ損失のレーザ
光偏光依存性を小さくするには、例えばゲルマニウム内
装銀中空導波路では、ゲルマニウムの膜厚ｔを０．４９
μｒｒ ＜ ｔ ＜０．５９μｍにすればよい、またセ
レン化亜鉛内装銀中空導波路では、セレン化亜鉛の膜厚
ｔを０．７９μｒｍ ＜ｔ＜１．０２μｍ、硫化亜鉛内
装銀中空導波路では、硫化亜鉛の膜厚ｔを０．８２μＩ
Ｉ ＜ ｔ ＜１．０７μｍ、フッ化カルシウム内装銀
中空導波路では、フッ化カルシウムの膜厚ｔを１．６４
μｌ ＜ ｔ ＜２．２１μＩにすればよい。
弐〇を満足する最小の誘電体の膜厚ｔは、ゲルマニウム
内装銀中空導波路ではｔ＝ｏ、５６μｌ、セレン化亜鉛
内装銀中空導波路ではｔ＝０．９１μｍ、硫化亜鉛内装
銀中空導波路ではｔ＝０．９５μｌ、フッ化カルシウム
内装銀中空導波路ではｔ＝１．８８μｌであり、いずれ
も上記膜厚の範囲内にある。
内装銀中空導波路ではｔ＝ｏ、５６μｌ、セレン化亜鉛
内装銀中空導波路ではｔ＝０．９１μｍ、硫化亜鉛内装
銀中空導波路ではｔ＝０．９５μｌ、フッ化カルシウム
内装銀中空導波路ではｔ＝１．８８μｌであり、いずれ
も上記膜厚の範囲内にある。
このような膜厚の範囲外で誘電体が内装された場合は、
曲げ損失のレーザ光偏光依存性が大きくなり、任意の方
向に曲げるような導波路には適さない。
曲げ損失のレーザ光偏光依存性が大きくなり、任意の方
向に曲げるような導波路には適さない。
なお、前記した数値検討において、ゲルマニウム、セレ
ン化亜鉛、硫化亜鉛、フッ化カルシウムの屈折率をそれ
ぞれ４．２，４．２．３．１．４とし、また、ニッケル
、銀の複素屈折率をそれぞれ９．１−ｊ３４．４゜１３
．５−ｊ７ｓ、３としている。
ン化亜鉛、硫化亜鉛、フッ化カルシウムの屈折率をそれ
ぞれ４．２，４．２．３．１．４とし、また、ニッケル
、銀の複素屈折率をそれぞれ９．１−ｊ３４．４゜１３
．５−ｊ７ｓ、３としている。
［発明の効果〕
以上説明したように、本発明による金属チューブに誘電
体を内装した中空光導波路は、導波路境界面におけるＴ
Ｅ波の反射率とＴＭ波の反射率とが一致するように誘電
体の膜厚が決められるので、低損失で、しかもどのよう
な偏波のレーザ光を入射しても、曲げ方向によって曲げ
特性はほとんど変化せず、したがって安定した出力光を
得るための制御が極めて容易となる。
体を内装した中空光導波路は、導波路境界面におけるＴ
Ｅ波の反射率とＴＭ波の反射率とが一致するように誘電
体の膜厚が決められるので、低損失で、しかもどのよう
な偏波のレーザ光を入射しても、曲げ方向によって曲げ
特性はほとんど変化せず、したがって安定した出力光を
得るための制御が極めて容易となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は誘電体内装金属中空導波路の横断面図、第２図
はゲルマニウム内装ニッケル中空導波路のゲルマニウム
の膜厚に対する伝送損失の実測値及び理論値特性図、第
３図はニッケル中空導波路の曲がりに対する相対透過率
特性図、第４図は伝送損失が極小となるゲルマニウム内
装ニッケル中空導波路の同特性図、第５図は伝送損失が
極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の同特
性図、第６図は曲がりに対するレーザ光の偏光方向を示
す模式図、第７図はスラブモデルにおけるＴＥモードと
７Ｍモードの偏光方向を示す模式図である。 図中、１は金属チューブ、２は誘電体、３は中空領域で
ある。
はゲルマニウム内装ニッケル中空導波路のゲルマニウム
の膜厚に対する伝送損失の実測値及び理論値特性図、第
３図はニッケル中空導波路の曲がりに対する相対透過率
特性図、第４図は伝送損失が極小となるゲルマニウム内
装ニッケル中空導波路の同特性図、第５図は伝送損失が
極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の同特
性図、第６図は曲がりに対するレーザ光の偏光方向を示
す模式図、第７図はスラブモデルにおけるＴＥモードと
７Ｍモードの偏光方向を示す模式図である。 図中、１は金属チューブ、２は誘電体、３は中空領域で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属チューブに誘電体が内装され、偏光をもったレ
ーザ光を伝送させる中空光導波路において、誘電体の膜
厚ｔがほぼ ▲数式、化学式、表等があります▼ を満足することを特徴とする中空光導波路。 但し、λはレーザ光の波長、ａは誘電体の屈折率、ｎは
金属の複素屈折率の実数部、κは金属の複素屈折率の虚
数部、ｑは零または自然数である。 ２、上記金属チューブがニッケルで形成され、上記誘電
体が、 ０．４９μｍ＜ｔ＜０．５７μｍ の膜厚ｔを満足するゲルマニウムである請求項１記載の
中空光導波路。 ３、上記金属チューブが銀で形成され、上記誘電体が、 ０．４９μｍ＜ｔ＜０．５９μｍ の膜厚ｔを満足するゲルマニウムである請求項１記載の
中空光導波路。 ４、上記金属チューブが銀で形成され、上記誘電体が、 ０．７９μｍ＜ｔ＜１．０２μｍ の膜厚ｔを満足するセレン化亜鉛である請求項１記載の
中空光導波路。 ５、上記金属チューブが銀で形成され、上記誘電体が、 ０．８２μｍ＜ｔ＜１．０７μｍ の膜厚ｔを満足する硫化亜鉛である請求項１記載の中空
光導波路。 ６、上記金属チューブが銀で形成され、上記誘電体が、 １．６４μｍ＜ｔ＜２．２１μｍ の膜厚ｔを満足するフッ化カルシウムである請求項１記
載の中空光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143569A JP2643315B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 中空光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143569A JP2643315B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 中空光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312510A true JPH01312510A (ja) | 1989-12-18 |
| JP2643315B2 JP2643315B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=15341803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143569A Expired - Lifetime JP2643315B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 中空光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643315B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03184003A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-12 | Hitachi Cable Ltd | 誘電体内装金属中空光導波路を用いたレーザ加工装置 |
| JPH0519124A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザプローブ |
| WO2005112014A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Fujitsu Limited | 光照射ヘッド、情報記憶装置、光照射ヘッド設計装置、および光照射ヘッド設計プログラム |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63143569A patent/JP2643315B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03184003A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-12 | Hitachi Cable Ltd | 誘電体内装金属中空光導波路を用いたレーザ加工装置 |
| JPH0519124A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザプローブ |
| WO2005112014A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Fujitsu Limited | 光照射ヘッド、情報記憶装置、光照射ヘッド設計装置、および光照射ヘッド設計プログラム |
| US7304916B2 (en) | 2004-05-14 | 2007-12-04 | Fujitsu Limited | Optical head, information storage apparatus, optical head design apparatus, and optical head design program storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2643315B2 (ja) | 1997-08-20 |
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