JPH01312835A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH01312835A JPH01312835A JP14301588A JP14301588A JPH01312835A JP H01312835 A JPH01312835 A JP H01312835A JP 14301588 A JP14301588 A JP 14301588A JP 14301588 A JP14301588 A JP 14301588A JP H01312835 A JPH01312835 A JP H01312835A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- wafers
- disk
- plasma cvd
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- Pending
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 21
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板を回転させながら気相成長を行うプラズマ
ＣＶＤ装置に関する。
ＣＶＤ装置に関する。
従来、この種のプラズマＣＶＤ装置は回転するサセプタ
ー上の内側及び外側にウェハーを乗せ、その上部又は下
部よりヒーターで間接的にウェハーを熱し気相成長を行
っていた。
ー上の内側及び外側にウェハーを乗せ、その上部又は下
部よりヒーターで間接的にウェハーを熱し気相成長を行
っていた。
上述した従来のプラズマＣＶＤ装置は、サセプターの内
側と外側にウェハーを配しており、サセプターの内側と
外側では、反応室開放時の熱放散の違いやヒーターの熱
伝導の違いにより温度差を生じ、この為気相成長時のウ
ェハーにおいても、サセプターの内側と外側では、気相
成長膜の膜質が異なるという欠点がある。
側と外側にウェハーを配しており、サセプターの内側と
外側では、反応室開放時の熱放散の違いやヒーターの熱
伝導の違いにより温度差を生じ、この為気相成長時のウ
ェハーにおいても、サセプターの内側と外側では、気相
成長膜の膜質が異なるという欠点がある。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、回転する円形状の円板
の内側と外側に複数の半導体基板を乗せ、ヒーターで間
接的にウェハーを熱しプラズマにより気相成長を行うプ
ラズマＣＶＤ装置において、内側と外側のウェハーの位
置が自動的に交互に入れ替りながら気相成長をする事を
特徴とする。
の内側と外側に複数の半導体基板を乗せ、ヒーターで間
接的にウェハーを熱しプラズマにより気相成長を行うプ
ラズマＣＶＤ装置において、内側と外側のウェハーの位
置が自動的に交互に入れ替りながら気相成長をする事を
特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は第１図
のサセプタ一部の上面図である。回転するサセプター１
の中で、内側と外側のウェハー各１枚づつを１組とし、
サセプターに対し自由に回転できる円板３にウェハー４
を乗せ、ヒーター５にて加熱する。ここで、円板３は、
サセプター回転軸の内側に回転しない固定軸２にて、ギ
アがかみ合っている。この為、サセプターが回転するに
伴ない円板３は自転し、外側及び内側のウェハーの相対
的位置は交互に入れ替る。
のサセプタ一部の上面図である。回転するサセプター１
の中で、内側と外側のウェハー各１枚づつを１組とし、
サセプターに対し自由に回転できる円板３にウェハー４
を乗せ、ヒーター５にて加熱する。ここで、円板３は、
サセプター回転軸の内側に回転しない固定軸２にて、ギ
アがかみ合っている。この為、サセプターが回転するに
伴ない円板３は自転し、外側及び内側のウェハーの相対
的位置は交互に入れ替る。
以上説明したように本発明は、回転するサセプターの内
側と外側に配したウェハーの位置を交互に入れ替ること
により、気相成長時の温度差で生じる膜質の違いを無く
す事ができ、均一な膜が得られるという効果がある。
側と外側に配したウェハーの位置を交互に入れ替ること
により、気相成長時の温度差で生じる膜質の違いを無く
す事ができ、均一な膜が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の縦断
面図、第２図は第１図のサセプタ一部の上面図である。 １・・・・・・サセプター、２・・・・・・固定軸、３
・・・・・・自転円板、４・・・・・・ウェハー、５・
・・・・・ヒーター。 代理人 弁理士 内 原 音
面図、第２図は第１図のサセプタ一部の上面図である。 １・・・・・・サセプター、２・・・・・・固定軸、３
・・・・・・自転円板、４・・・・・・ウェハー、５・
・・・・・ヒーター。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 回転する円形状の円板（以下サセプターと称す）の内
側と外側に複数の半導体基板（以下ウェハーと称す）を
乗せ、ヒーターで間接的にウェハーを熱し、プラズマに
より気相成長を行うプラズマＣＶＤ装置において、内側
と外側のウェハーの位置が自動的に交互に入れ替りなが
ら気相成長をする事を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14301588A JPH01312835A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14301588A JPH01312835A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312835A true JPH01312835A (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=15328958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14301588A Pending JPH01312835A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312835A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100755637B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | ＩｎＧａＮ 성장 방법 및 ＩｎＧａＮ 성장을 위한ＭＯＣＶＤ 장치 |
| WO2009033067A3 (en) * | 2007-09-05 | 2010-07-29 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial process system |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP14301588A patent/JPH01312835A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100755637B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | ＩｎＧａＮ 성장 방법 및 ＩｎＧａＮ 성장을 위한ＭＯＣＶＤ 장치 |
| WO2009033067A3 (en) * | 2007-09-05 | 2010-07-29 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial process system |
| US8449678B2 (en) | 2007-09-05 | 2013-05-28 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial process system |
| US8771483B2 (en) | 2007-09-05 | 2014-07-08 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial process system |
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