JPH01313892A - 画像表示装置及びその製造方法 - Google Patents

画像表示装置及びその製造方法

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JPH01313892A
JPH01313892A JP63145146A JP14514688A JPH01313892A JP H01313892 A JPH01313892 A JP H01313892A JP 63145146 A JP63145146 A JP 63145146A JP 14514688 A JP14514688 A JP 14514688A JP H01313892 A JPH01313892 A JP H01313892A
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layer
image display
light
manufacturing
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JP63145146A
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English (en)
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Michio Okajima
道生 岡嶋
Akio Takimoto
昭雄 滝本
Masanori Watanabe
正則 渡辺
Eiichiro Tanaka
栄一郎 田中
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、 薄型デイスプレィなどの画像表示装置等に
関わるものである。
従来の技術 近年、有機化合物を構成材料として用いた電界発光素子
の試みが報告された。例えば、ジャパニーズ・ジャーナ
ルΦオブ・アプライド・フィジックス(Japanes
e  Jounal  of  AppHed  Ph
1slas)27 (2)(1988)L289ページ
に記載されている有機蛍光体層および電荷輸送層を積層
した構造の電界発光素子等がある。第5図にその断面図
を示す。ガラス基板50上に半透明のAU製の下部電極
51をもうけ、その上に、膜厚2ooo′AのN、  
N”−ジフェニル−N、  N″−(3−メチルフェニ
ル)−1,1’ −ビフェニル−4,4′−ジアミン(
以後、TPDと略称する。)よりなる正孔輸送層52、
そしていずれも膜厚1000Aの、を機蛍光体層53及
びペリレンテトラカルボキシル基誘導体よりなる電子輸
送層54が構成されている。上部電極55は、Mg薄膜
より成る− 有機蛍光体層53の材料としてフタロペリ
ノン誘導体を用い、図のような静電界を印加することで
明るい電界発光が観測されている(第35回応用物理学
全巻期講演会)。有機蛍光体層53の材料を選択するこ
とで、発光、波長を変化させることができる。
発明が解決しようとする課題 しかし、上記従来例では、発光の劣化が速いという問題
点があった。上記従来例における発光半減時間は、印加
電圧50Vの時、約5時間しかなく、デイスプレィとし
て使用するには問題があうた。
課題を解決するための手段 少なくとも一方が透明な、一対の気密質の基板の間隙部
に、少なくとも有機化合物を構成材料の全部もしくは一
部として含む、発光層、電極等から構成される発光部が
、両基板に挟まれて封着された構造をとる画像表示装置
を作成する。
作用 上記の有機電界発光層等の有機化合物層は、対侍する2
枚の絶縁性基板に挟まれ密封される。従って、大きな劣
化原因である外部雰囲気、特に酸素もしくは水分の吸着
に伴う前記有機化合物層への悪影響がなくなる。その結
果、素子の寿命が飛躍的に延びる。
実施1例 本発明の一実施例を、第1図、第2図に示す。
第1図は本願発明の画像表示装置における一実施例の斜
視図である。これは、有機蛍光体材料の電界発光素子を
用いた画像表示装置である。背面基板1と、透明なガラ
ス基板2の間に、有機蛍光体材料等からなる電界発光部
3がはさまれている。
背面基板1及びガラス基板2の電界発光部3に面した側
には、ストライプ状の背面電極4と透明電極5が、それ
ぞれが、お互いにほぼ直交するような方向に形成されて
いる。お互いの電極が交差した領域がおのおのの絵素と
なる。、第2図は本実施例の画像表示装置の絵素の部分
の断面図である。
本実施例では電界発光部3は、第2図のように、各々の
膜厚が500〜200OA程度の、有機電界発光層6(
以後、有機EL層と略称する。)、電荷発生層7及び電
荷輸送層8の3層よりなる積層構造をとる。
背面電極4と透明電極5の間には、図に示すような、数
10v程度の直流もしくはパルス吠のバイアス電圧Vt
を印加する。
電界発光部3に印加された電界により、透明電極5から
電子が、背面電極4から正孔がそれぞれ有機EL層6に
注入され、そこでふく射再結合す次に、構成と、それぞ
れの材料について述べる。
背面基板1は、表面が平滑な、気密性の絶縁物もしくは
表面を絶縁物で被覆した金属板で、熱伝導性の良い材料
が好ましい。本実施例では裏面にA1反射膜を形成した
、厚さ1mmのガラス板を用いた。背面電極4には、幅
180μm1  ピッチ200μmでストライプ状に形
成したAI薄膜を用いた。これはCr+  A u、 
 N IN  W等でも良い。
電荷発生層7にはP型のアモルファスSj+−xCx:
H合金を用いた。膜厚は1000〜3000Aが適当で
ある。材料は、有機EL層の発光波長に対して光感度を
有する感光体材料であれば良い。
他には、P型のアモルファスSi1 アモルファスC1
Se系合金などの無機感光体材料や、ポリビニルカルバ
ゾール化合物、フタロシアニン顔料、アゾ系顔料、アズ
レニウム塩化合物などの有機感光体材料でも良い。これ
は、暗抵抗の大きな感光体材料であることが望ましい。
電荷発生層7に接して形成された電荷輸送層8は、正孔
移動度が大きく、電荷発生層7から電荷輸送層8への、
及び電荷輸送層8・から有機EL層6への正孔の注入効
率のよい正孔輸送材料であることが望ましい。本実施例
では、以下に示す化学構造のN、N’−ジフェニル−N
、N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニ
ル−4,4”−ジアミン、 (以後、TPDと略称する
。)を用いた。
これは膜500〜200OAの平滑なアモルファス薄膜
である。
有機EL層6には、発光波長に応じて適当な有機蛍光体
材料が選択される。本実施例では、3”原色に対°応し
て、それぞれの絵素の部分にペリレン(オレンジ色)、
コロネン(緑)、アントラセン(青)を用いた。これは
、例えばフタロベニロン誘導体、ロダミンB1  クマ
リン誘導体や、蛍光金属キレート化合物等の蛍光色素で
も良い。膜厚は、500〜200OAである。
透明電極5は、本実施例では、In−8n−0薄膜(I
TO)を用いた。他に、ZnO等でも良い。これも背面
電極4と同様に、幅180μm1ピッチ200μmでス
トライプ状に形成する。
第3図は、電極及び電界発光部3の構成を示した図であ
る。 (1)は、前記第1′の実施例の構成を示した図
である。構成において、他の実施例を(2)から(5)
に示す。 (2)は、 (1)同様5層構造であるが、
電界の方向が逆の場合である。
この場合、背面電極4(以後、BEと略称する。)は 
MgAg合金を用い、電荷発生層7(以後、CGLと略
称する。)には、N型のアモルファスS i+−x C
x: H合金やアモルファスSi:H1Se系、Cd5
1 ZnO、アモルファスCzSe系合金などの無機感
光体材料や、ポリビニルカルバゾール化合物、フタロシ
アニン顔料、アゾ系顔料、アズレニウム塩化合物などの
有機感光体材料を用いる。電荷輸送層8(以後、CTL
と略称する。)の材料としては、たとえば以下に示す、
ペリレンテトラカルボキシル基誘導体(以後、Pvと略
称する。)等の電子輸送層を用いる。
まi、(3)の実施例の様に、有機EL層6(以後1.
ELと略称する。)を、CTLとCGLではさんだ構成
にしてやってもよい。本実施例では、CTLにはTPD
を、CGLには、N型のアモルファスSi+−xCx:
H合金を用いている。 (4)の実施例は、 (1)の
実施例において、CTLと透明電極5(以後、TEと略
称する。)の間に、Pvより成るCTLの層を設けたも
のである。
(5)の実施例は、N型のCGLとELをTEとBEで
挟んだ構成である。
本発明の画像表示装置における電界発光素子は、Vt>
約45Vで発光が急激に強くなる。これは、つぎの様に
考えることができる。電界発光部3に印加される電界が
、各層の界面において電荷の注入に十分な強さに達し、
発光し始める。ひとたび光り始めれば、電荷発生層7の
抵抗値が急激に下がり、他の層や界面にかかる電界はま
すます強くなる。発光強度はその電界での注入できる電
流量で決まる。こんどは逆に印加電圧を小さくしてやっ
ても光り続け、vtく約40Vで急激に消光する。これ
は、再び電荷発生層7の抵抗が急激に大きくなることに
よる。
本発明の画像表示装置の実際の駆動は、互いに直交する
ストライプ状の背面電極4と透明電極5を用いて線順次
駆動させる。その際、前述のヒステリシス特性を利用し
て、画像の書き込み、保持、書き換えをおこなっている
。即ち、まず、背面電極4には約42VのDCサスティ
ン電圧を印加しておく。書き込み時には、背面電極4に
線順次に点灯電圧を畳重してやる(全電圧50V)。−
旦点灯した絵素は、前記サスティン電圧により、1フレ
ームの期間中点灯状態が保持°される。1周期後の書換
え時には、負の消去電圧を畳重してから(全電圧35v
)再度新規に書き込んでやる。
次に、本願発明の画像表示装置の製造方法について前記
第1実施例に基づいて説明する。
裏面にA1反射膜を蒸着法などで形成したガラス製の背
面基板1上に、AI薄膜を蒸着した後で、フォトリソグ
ラフィー法等により、幅180μm1ピッチ200μm
のストライブ状の背面電極4を形成する。この上にP型
のアモルファスSi+−xCx:H合金膜を、スパッタ
法等により、1000〜3000A程度堆積する。TP
D製の電荷輸送層8は、この上に、真空蒸着法等、で、
500〜2000A程度のアモルファス薄膜として形成
する。
一方今塵は、ガラス基板2に、まずITO製の透明電極
5を、背面電極1同様に、スパッタ法とフォトリソグラ
フィー法により形成し、その上に、有機EL層6を真空
蒸着法等により形成する。これらの工程において、有機
EL層θ、電荷発生層7及び電荷輸送層8はパターンニ
ングする必要はない。
次に、膜を形成した背面基板工とガラス基板2を、それ
ぞれ膜を設けた面どうしを向かい合わせて、周囲をエポ
キシ樹脂等で接着し、背面基板1側の電荷輸送層8と、
ガラス基板側の有機EL層6を密着させる。なお接着面
は1.電荷輸送層8と有機EL層の間である必要はなく
、他の膜どうしであっても良い。密着させる際、以下の
3方法のいずれかをとる。即ち、(a)内部を真空排気
して密着させる方法と、(b)有機EL層6と電荷輸送
層8の軟化点及び融点を比較して、それらのうち、低い
ほうの軟化点以上、低いほうの融点以下の温度で加熱し
て圧着してやる方法と、(C)それら二つの方法を併用
する方法である。
まず、(a)の製造方法について、第4図で説明する。
(1)に示すように、膜を形成した背面基板1とガラス
基板2を、それぞれ膜を設けた面どうしを向かい合わせ
て、周囲をエポキシ樹脂等の接着剤10で接着する。次
に、(II)に示すように、端部に設けた排気孔11か
ら真空排気し、封止する。
電荷軸、送層8と、何機EL層6は大気圧により密着す
る。本方法により、接着面に、気胞等を残さずに密着さ
せることができる。(b)は、接着する面の有機膜を軟
化させた状態で圧着することで、膜の密着をよくするも
のである。これは、表面に小さな凹凸がある場合でも、
全面を完全に密着させることができる利点がある。電荷
輸送層8にTPDを、有機EL層6にアントラセ・ンを
用いた本実施例の場合、120°C〜180°Cに加熱
した状態で接着した。(c)は、(a)工程で、両基板
を接着した後、もしくは真空排気の最中に、接着面の有
機膜を軟化させ、全面を完全に密着させる方法である。
これは、(a)、(b)の利点を兼ね備えている。
以上の、本願発明の画像表示装置は、発光輝度50fL
時の半減寿命において、約500〜1000時間を達成
することができた。また、エネルギー変換効率は、0.
5〜0.8%であった。
本発明により、長寿命の、低電圧で安定に駆動する、高
輝度マルチカラーデイスプレィを実現することができた
。特に、以下の大きな効果が得られることが、本発明の
要点である。
(1)まず、発光強度において、その寿命が、従来5時
程度度であったものが、本発明により約500〜100
0時間と、飛曜的、にのびた。これは、以下のように考
えられる。即ち、有機膜層を、対侍する2枚のガラス基
板の間に挟み込んで、外気から遮断したことにより、有
機膜界面へのH20や02等の気体分子の吸着が減少し
た。また膜内へのこれらの分子の侵入が減少した。それ
により、非ふく射再結合中心となる、界面準位や膜内の
捕捉中心の量が減少した。もしくは、電流もしくはそれ
による発熱によっておこると考えられる、非ふく射再結
合中心の増加も抑えることができた。
(2)次に、各層の膜厚を薄くしても高電圧をかけるこ
とができるようになり、発光効率の向上、駆動電圧の低
電圧化が実現できた。例えば第1のOAに゛しても、6
0〜70Vの電圧を安定に印加できた。前述のように、
パネルの駆動も、20Vpp程度の駆動電源で十分であ
る。従って、大電圧の駆動電源を必要としていた従来の
無機系EL素子にくらべて、大幅なコストダウンが実現
できる。これは、次のような作用によると考えられる。
即ち、従来の各層を順番に積層してゆく方法では、下層
にピンホールがあった場合、その上に導電層を蒸着する
とピンホールの内部にまでその導電層が充填されるので
、積層膜に電圧を印加した場合、そのピンホールの部分
の耐圧が低くなるが、本願発明の製造方法では、たとえ
下層°にピンホールがあっても、上の導電層はピンホー
ル内に侵入しないため耐圧は低下しない。
発明の効果 本発明によれば、気密性の基板で有機材料よりなる発光
部を挟む構成とすることにより、長寿命の、低電圧で安
定に駆動する、高輝度マルチカラーデイスプレィを実現
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の画像表示装置の一実施例の構成を示
す斜視図、第2図は、同実施例の断面図、第3図は、本
発明の電界発光部の構成の他の実施例を示す断面図、第
4図は本発明の画像表示装置の製造方法の一実施例を示
す断面図、第5図は、従来の有機電界発光素子の例を示
した断面図である。 1・・・背面基板、2・・・ガラス基板、3・・・電界
発光部、4・・・背面電極、5・・・透明電極、6・・
・有機EL層、7・・・電荷発生層、8・・・電荷輸送
層、10・・・接着剤、11・・・排気孔。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図 4貨面を誓 第2区 l背面基板 第3図 (lン

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 少なくとも一方が透明な、一対の気密質の基板
    の間隙部に、少なくとも有機化合物を構成材料の全部も
    しくは一部として含む、発光層、電極等から構成される
    発光部が、両基板に挟まれて封着された構造であること
    を特徴とする画像表示装置。
  2. (2) ガラス基板表面に複数のストライプ状の透明電
    極と有機電界発光層を積層したフェースプレート電極板
    と、絶縁性基板表面に複数のストライプ状の電極を設け
    た背面電極板とを前記両電極板に設けたストライプ状電
    極がほぼ直交する様に対向させ、周辺部をシールするか
    、または真空中で周辺部を封合し、内部を真空排気して
    相互に接触させたことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載の画像表示装置。
  3. (3) 特許請求の範囲第1項に記載の画像表示装置を
    製造する方法であって、発光部を構成する発光層、電極
    等から成る積層膜のうち、少なくとも最下層、もしくは
    少なくとも積層膜全層ではない所定の層数を下層から順
    番に下部基板に、一方残りの層は上層から順番に上部基
    板にあらかじめ形成した後両基板の膜が形成された面ど
    うしを対侍させ密着させることにより前記発光部を形成
    することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
  4. (4) 発光部を構成する発光層、電極等から成る積層
    膜のうち、少なくとも最下層、もしくは少なくとも積層
    膜全層ではない所定の層数を下層から順番に下部基板に
    、一方残りの層は上層から順番に上部基板にあらかじめ
    形成した後、まず両基板の膜が形成された面どうしの周
    囲を封合した後に間隙部を真空排気するか、または真空
    中で周辺部を封合して、両基板面に分かれて形成されて
    いた膜どうしを圧着し、発光部の積層膜を完成すること
    を特徴とする特許請求の範囲第3項に記載の画像表示装
    置の製造方法。
  5. (5) 特許請求の範囲第1項に記載の画像表示装置を
    製造する方法であって、発光層、電極等から成る積層膜
    を作成する際に、加熱する工程を含むことを特徴とする
    画像表示装置の製造方法。
  6. (6) 真空排気中または真空排気後に加熱する工程を
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第4項または第5
    項に記載の画像表示装置の製造方法。
  7. (7) 加熱温度が発光部を構成する有機化合物の軟化
    点以上、融点以下であることを特徴とする特許請求の範
    囲第5項または第6項に記載の画像表示装置の製造方法
    。
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