JPH01313986A - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
- Publication number
- JPH01313986A JPH01313986A JP63147169A JP14716988A JPH01313986A JP H01313986 A JPH01313986 A JP H01313986A JP 63147169 A JP63147169 A JP 63147169A JP 14716988 A JP14716988 A JP 14716988A JP H01313986 A JPH01313986 A JP H01313986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiving element
- light receiving
- signal reading
- chip
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、レーザーチップ、モニター用受光素子及び信
号読み取り用受光素子をｌパッケージに内蔵した半導体
レーザー装置に係り、特にそのパッケージ構造に関する
ものである。
号読み取り用受光素子をｌパッケージに内蔵した半導体
レーザー装置に係り、特にそのパッケージ構造に関する
ものである。
〈従来の技術〉
最近、光分割素子としてビームスプリッタの代わりにホ
ログラム素子を用い、１つのパッケージに、レーザーチ
ップ、モニター用受光素子及び信号読み取り用受光素子
を内蔵することが提案されている。
ログラム素子を用い、１つのパッケージに、レーザーチ
ップ、モニター用受光素子及び信号読み取り用受光素子
を内蔵することが提案されている。
ぢ
第３図にその構成例を示す。■はステム、２はレーザー
チップ、３はモニター用受光素子、４は信号読み取り用
受光素子、５はキャップ（パッケージ）、６はキャップ
５上に接着剤等により直接取り付けられたホログラム素
子である。このレーザーチップｌ−Ａは、同図に示すよ
うに、コリメートレンズ７、対物レンズ８及び図示しな
い対物レンズの駆動用アクチュエータと組み合わせるだ
けで光ピツクアップ装置を構成できる。
チップ、３はモニター用受光素子、４は信号読み取り用
受光素子、５はキャップ（パッケージ）、６はキャップ
５上に接着剤等により直接取り付けられたホログラム素
子である。このレーザーチップｌ−Ａは、同図に示すよ
うに、コリメートレンズ７、対物レンズ８及び図示しな
い対物レンズの駆動用アクチュエータと組み合わせるだ
けで光ピツクアップ装置を構成できる。
すなわち、レーザーユニットＡのレーザーチップ２から
出射したビームはホログラム素子６を通過し、その０次
光がコリメートレンズ７、対物レンズ８を通過し、記録
坦体であるディスク９に入射する。そして、このディス
ク９の記録情報で変凋を受けた反射ビームは、再び対物
レンズ８、コリメートレンズ７を通過し、ホログラム素
子６に入射する。ホログラム素子７ではその出射ビーム
のうち１次光を４分割、５分割タイプ等の信号読み取り
用受光素子４に入射させる。この信号読み取り用受光素
子４からの出力信号により、ＲＦ倍信号やサーボ信号用
の誤差信号が得られる。このように、従来のビームスプ
リッタを用いた光ピツクアップ装置より、はるかにコン
パクトに容易に光ピツクアップ装置を構成できる。
出射したビームはホログラム素子６を通過し、その０次
光がコリメートレンズ７、対物レンズ８を通過し、記録
坦体であるディスク９に入射する。そして、このディス
ク９の記録情報で変凋を受けた反射ビームは、再び対物
レンズ８、コリメートレンズ７を通過し、ホログラム素
子６に入射する。ホログラム素子７ではその出射ビーム
のうち１次光を４分割、５分割タイプ等の信号読み取り
用受光素子４に入射させる。この信号読み取り用受光素
子４からの出力信号により、ＲＦ倍信号やサーボ信号用
の誤差信号が得られる。このように、従来のビームスプ
リッタを用いた光ピツクアップ装置より、はるかにコン
パクトに容易に光ピツクアップ装置を構成できる。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、信号読み取り用受光素子４を１パッケージに
内蔵する場合、該素子４は通常１ ｍ ｍ Ｘｌ、５ｍ
ｍ程度と比較的大きなものであり、かつこれら素子の内
蔵により外部へのリードピンも８〜１０本程度と多くな
り、信号読み取り用受光素子４の取付に工夫が必要であ
る。信号読み取り用受光素子４の内蔵で、パッケージが
複雑になりコストアップとなり、さらに外形が大型化す
ることで は実用上好ましいことにはない。
内蔵する場合、該素子４は通常１ ｍ ｍ Ｘｌ、５ｍ
ｍ程度と比較的大きなものであり、かつこれら素子の内
蔵により外部へのリードピンも８〜１０本程度と多くな
り、信号読み取り用受光素子４の取付に工夫が必要であ
る。信号読み取り用受光素子４の内蔵で、パッケージが
複雑になりコストアップとなり、さらに外形が大型化す
ることで は実用上好ましいことにはない。
本発明は上述のような点に鑑みなされたもので、小型で
容易に信号読み取り用受光素子を内蔵し得る半導体レー
ダー装置のパッケージ構造を提供することを目的とする
。
容易に信号読み取り用受光素子を内蔵し得る半導体レー
ダー装置のパッケージ構造を提供することを目的とする
。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、レーザーチップ、モニター用受光素子及び信
号読み取り用受光素子を１パッケージに内蔵するものに
おいて、レーザーチップの取付台におけるチップダイボ
ンド面から前方に曲げて、このチップダイボンド面の左
右少なくとも一方向に延びる延設部を設け、この延設部
を含む取付台の上面を信号読み取り用受光素子を取り付
けるためのダイボンド面とするものである。
号読み取り用受光素子を１パッケージに内蔵するものに
おいて、レーザーチップの取付台におけるチップダイボ
ンド面から前方に曲げて、このチップダイボンド面の左
右少なくとも一方向に延びる延設部を設け、この延設部
を含む取付台の上面を信号読み取り用受光素子を取り付
けるためのダイボンド面とするものである。
〈作用〉
この種の半導体レーダー装置は、光学的システム上レー
ザーチップをパッケージの中心部に配置することが必要
である。上記構成により、レーザーチップはパッケージ
の中心部に配置することが容易で、かつ、延設部を含む
取付台は多数のり−ドピンを避けて広い面積か得られ、
小型にして、ホログラム素子の設置状態に従い、取付台
上面の任意位置に信号読み取り用受光素子を取り付ける
ことが可能となる。
ザーチップをパッケージの中心部に配置することが必要
である。上記構成により、レーザーチップはパッケージ
の中心部に配置することが容易で、かつ、延設部を含む
取付台は多数のり−ドピンを避けて広い面積か得られ、
小型にして、ホログラム素子の設置状態に従い、取付台
上面の任意位置に信号読み取り用受光素子を取り付ける
ことが可能となる。
〈実施例〉
以下図面に従って本発明の一実施例を説明する。
第１図（Ａ）（Ｂ）、第２図は一実施例を示す要部斜視
図である。１はステム、２はレーザーチップで、取付台
１１側面の垂直な１面１１ａをこのチップ２のダイボン
ド面としている。また、取付台１１はチップ２のダイボ
ンド面１１ａから前方に曲げて、ダイボンド面１１ａの
左右少なくとも一方向に延びる延設部ＩＩ’が設けられ
る。この延設部１１’を含む取付台１１の上面１１ｂが
、信号読み取り用受光素子４を取り付けるためのダイボ
ンド面となる。
図である。１はステム、２はレーザーチップで、取付台
１１側面の垂直な１面１１ａをこのチップ２のダイボン
ド面としている。また、取付台１１はチップ２のダイボ
ンド面１１ａから前方に曲げて、ダイボンド面１１ａの
左右少なくとも一方向に延びる延設部ＩＩ’が設けられ
る。この延設部１１’を含む取付台１１の上面１１ｂが
、信号読み取り用受光素子４を取り付けるためのダイボ
ンド面となる。
本例によれば図示のように、取付台１１の上面１１ｂは
、パッケージを大きくすることなしにリードピン１２を
避けてその面積を大きく取ることができ、ホログラム素
子６（後述する）の設置状態に従い、第整図（Ａ）又は
同図（Ｂ）、さらには図示しないがチップ２のダイボン
ド面後方部上面等、それぞれの場合に適した任意位置に
信号読み取り用受光素子４をダイボンドすることができ
る。
、パッケージを大きくすることなしにリードピン１２を
避けてその面積を大きく取ることができ、ホログラム素
子６（後述する）の設置状態に従い、第整図（Ａ）又は
同図（Ｂ）、さらには図示しないがチップ２のダイボン
ド面後方部上面等、それぞれの場合に適した任意位置に
信号読み取り用受光素子４をダイボンドすることができ
る。
また、レーザーチップ２のダイボンド面１１ａに対応し
てその前方に配置されるリードピン１２′の高さは、他
のらの上りを低く形成されている。
てその前方に配置されるリードピン１２′の高さは、他
のらの上りを低く形成されている。
一般にリードピン１２は、取付台１１の信号読み取り用
受光素子４の高さに合わせて形成されるのが普通である
。しかし、リードピン１２′ し池のものと同様の高さ
であれば、レーザーチップ２をダイボンドするときコレ
ットがリードピン！２’（こ当たり作業性を悪くする。
受光素子４の高さに合わせて形成されるのが普通である
。しかし、リードピン１２′ し池のものと同様の高さ
であれば、レーザーチップ２をダイボンドするときコレ
ットがリードピン！２’（こ当たり作業性を悪くする。
上記はこれを改善するものであり、レーザーチップ２の
ダイボンドが同等支障なく行える。
ダイボンドが同等支障なく行える。
第３図は各チップ又は素子をダイボンドしこれらにワイ
ヤー配線を行った後の状態、第４図はさらにキャップに
よるパッケージを施した後の状態をそれぞれ示す斜視図
である。！３はレーザーチップ２．モニター用受光素子
３．信号読み取り用受光素子４と各リードピン１２（１
２’ も含む）の配線を行うワイヤー線、また、５は
各チップ又は素子を内蔵するキャップで、従前のレーザ
ーチップとモニター用受光素子を内蔵する半導体パッケ
ージと同様にステムｌに取り付けられるものである。６
はキャップ５は上に接着剤等により直接取り付けられた
ホログラム素子である。
ヤー配線を行った後の状態、第４図はさらにキャップに
よるパッケージを施した後の状態をそれぞれ示す斜視図
である。！３はレーザーチップ２．モニター用受光素子
３．信号読み取り用受光素子４と各リードピン１２（１
２’ も含む）の配線を行うワイヤー線、また、５は
各チップ又は素子を内蔵するキャップで、従前のレーザ
ーチップとモニター用受光素子を内蔵する半導体パッケ
ージと同様にステムｌに取り付けられるものである。６
はキャップ５は上に接着剤等により直接取り付けられた
ホログラム素子である。
なお、ここではホログラム素子６をキャップ５に一体化
して取り付けているが、この一体化は必ずしも必要でな
い。
して取り付けているが、この一体化は必ずしも必要でな
い。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、信号読み取り用受光素を
も内蔵する半導体レーザー装置において、小型でかつ信
号読み取り用受光素子を任意位置に配置できる等の利点
があり、ホログラム素子とともに光学的ンステムを構成
する場合などにおいて非常に有用な半導体レーザー装置
が提供できる。
も内蔵する半導体レーザー装置において、小型でかつ信
号読み取り用受光素子を任意位置に配置できる等の利点
があり、ホログラム素子とともに光学的ンステムを構成
する場合などにおいて非常に有用な半導体レーザー装置
が提供できる。
第１図（ａ）（ｂ）及び第２図は本発明の一実施例を示
す要部斜視図、第３図は第１図のダイボンド、ワイヤー
配線後の状態を示す斜視図、第４図はパッケージ後の状
態を示す斜視図、第５図はピックアップとしての構成例
を示す断面図である。 ２１８．レーザーチップ、３０１．モニター用受、取付
台、１ド、１．延設部、ｌｌａ、、、レーザーチップダ
イボンド面、ｔ ｔｂ、、、信号読み取り用受光素子ダ
イボンド面。 代理人 弁理士 杉山殻至 （外２名）第３図 藁４図 第５図
す要部斜視図、第３図は第１図のダイボンド、ワイヤー
配線後の状態を示す斜視図、第４図はパッケージ後の状
態を示す斜視図、第５図はピックアップとしての構成例
を示す断面図である。 ２１８．レーザーチップ、３０１．モニター用受、取付
台、１ド、１．延設部、ｌｌａ、、、レーザーチップダ
イボンド面、ｔ ｔｂ、、、信号読み取り用受光素子ダ
イボンド面。 代理人 弁理士 杉山殻至 （外２名）第３図 藁４図 第５図
Claims (1)
- １、レーザーチップ、モニター用受光素子及び信号読み
取り用受光素子を１パッケージに内蔵した半導体レーザ
ー装置において、前記レーザーチップの取付台における
チップダイボンド面から前方に曲げて、該チップダイボ
ンド面の左右少なくとも一方向に延びる延設部を設け、
前記延設部を含む取付台の上面を前記信号読み取り用受
光素子を取り付けるためのダイボンド面としてなること
を特徴とする半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147169A JPH07109921B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147169A JPH07109921B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体レーザー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313986A true JPH01313986A (ja) | 1989-12-19 |
| JPH07109921B2 JPH07109921B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15424145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63147169A Expired - Fee Related JPH07109921B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109921B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120857U (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-28 | ||
| WO2017010026A1 (ja) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170091A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS60106039A (ja) * | 1984-09-28 | 1985-06-11 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| JPS6324132A (ja) * | 1986-05-01 | 1988-02-01 | ウエイ ホン リ− | 光放射・検出装置 |
| JPS6384184A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63178372A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Nec Corp | 多面体形状作成装置 |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63147169A patent/JPH07109921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170091A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS60106039A (ja) * | 1984-09-28 | 1985-06-11 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| JPS6324132A (ja) * | 1986-05-01 | 1988-02-01 | ウエイ ホン リ− | 光放射・検出装置 |
| JPS6384184A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63178372A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Nec Corp | 多面体形状作成装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120857U (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-28 | ||
| WO2017010026A1 (ja) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109921B2 (ja) | 1995-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002175642A (ja) | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 | |
| US7184453B2 (en) | Semiconductor laser device containing laser driver and electronic equipment having the same | |
| EP0949611B1 (en) | Laser/detector hybrid with integrated mirror and diffracted returned beam | |
| JP2002117566A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH07109921B2 (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| JPS6115756U (ja) | 感光性半導体装置 | |
| JP2788695B2 (ja) | ホログラムレーザユニット | |
| JPH01313987A (ja) | 集積型レーザーユニット | |
| JP3361335B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0376035A (ja) | ホログラム方式光ピックアップ | |
| JP3483807B2 (ja) | 発光装置及びこれを用いた回折素子集積型発光ユニット | |
| JPH06290476A (ja) | 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド | |
| JP2000151006A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3464917B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| US7808863B2 (en) | Laser/detector device for optical recording with adjustable detector position | |
| EP0390445A3 (en) | Optical pickup head | |
| JP2746504B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH1069674A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| JPH01303638A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH04206046A (ja) | 光学ヘッド | |
| JPH0489638A (ja) | 光学ヘッド | |
| JPS60140224U (ja) | 光ヘツド装置 | |
| JP4639679B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| JP2002314185A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH0680538B2 (ja) | 半導体レ−ザ光源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |