JPH01314403A - マイクロ波・ミリ波モジュール - Google Patents
マイクロ波・ミリ波モジュールInfo
- Publication number
- JPH01314403A JPH01314403A JP63147269A JP14726988A JPH01314403A JP H01314403 A JPH01314403 A JP H01314403A JP 63147269 A JP63147269 A JP 63147269A JP 14726988 A JP14726988 A JP 14726988A JP H01314403 A JPH01314403 A JP H01314403A
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- JP
- Japan
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- millimeter wave
- terminal
- microwave
- strip line
- dielectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔l」次〕
4a要
産業上の利用分野
従来の技術(第5図〜第7図)
発明が解決しようとする課題
課題を解決するだめの手段(第1図)
作用
実施例(第2図〜第4図)
発明の効果
〔概要〕
マイクロ波・ミリ波モジュールに関し、マイクロ波・ミ
リ波回路へ信号を人出力する高周波入出力端子の反射損
失、挿入損失を低減させることを目的とし、 金属基台と、この金属基台の底部に実装されるマイクロ
波・ミリ波回路基板と、このマイクロ波・ミリ波回路基
板のマイクロ波・ミリ波線路を外部に導くための前記金
属基台の側壁を貫く信号人出力用の端子を備えたマイク
ロ波・ミリ波モジュールにおいて、この端子に、平衡型
マイクロストリップラインと、不平衡型マイクロストリ
・ンプラインと、 さらにこの両者の接続部分にテーパ形状の誘電体部分を
具備したものである。
リ波回路へ信号を人出力する高周波入出力端子の反射損
失、挿入損失を低減させることを目的とし、 金属基台と、この金属基台の底部に実装されるマイクロ
波・ミリ波回路基板と、このマイクロ波・ミリ波回路基
板のマイクロ波・ミリ波線路を外部に導くための前記金
属基台の側壁を貫く信号人出力用の端子を備えたマイク
ロ波・ミリ波モジュールにおいて、この端子に、平衡型
マイクロストリップラインと、不平衡型マイクロストリ
・ンプラインと、 さらにこの両者の接続部分にテーパ形状の誘電体部分を
具備したものである。
本発明は、マイクロ波・ミリ波回路基板を金属基台底部
に実装したマイクロ波・ミリ波モジ、X−ルに係り、特
にマイクロ波・ミリ波回路への高周波信号入出力端子に
関する。
に実装したマイクロ波・ミリ波モジ、X−ルに係り、特
にマイクロ波・ミリ波回路への高周波信号入出力端子に
関する。
誘電体)5板上に半導体部品を始め、回路部品を面実装
し、マイクロストリップ線路や他の伝送路及び回路素子
をパターン作成して結線すると共に、11q記誘電体基
板の他面を接地面として金属型の筐体に固定収容して構
成するマイクロ波・ミリ波集積回路は、いまや、マイク
ロ波・ミリ波無線装置の構成には欠かせないものとなっ
ている。
し、マイクロストリップ線路や他の伝送路及び回路素子
をパターン作成して結線すると共に、11q記誘電体基
板の他面を接地面として金属型の筐体に固定収容して構
成するマイクロ波・ミリ波集積回路は、いまや、マイク
ロ波・ミリ波無線装置の構成には欠かせないものとなっ
ている。
周波数も高周波になるにしたがって装置も小型となり、
回路機能毎にモジュール構造化して、汎用化と規格化を
図り、これらのモジュールを組み合わせ集合させて、所
定の総合機能を発揮させることが、多機能化と低コスト
化に必須となってきている。
回路機能毎にモジュール構造化して、汎用化と規格化を
図り、これらのモジュールを組み合わせ集合させて、所
定の総合機能を発揮させることが、多機能化と低コスト
化に必須となってきている。
第5図は、マイクロ波・ミリ波モジュールの従来例であ
り、第5図(a)は平面図、第5図(b)は側面図であ
る。
り、第5図(a)は平面図、第5図(b)は側面図であ
る。
図において、Iはその」二面にマイクロ波回路、半導体
素子等が形成されたマイクロ波・ミリ波回路基板であり
、これは導電性の金属基台10kに固定されている。こ
の金属基台10は図示の通りその周辺部に側壁10′を
有しており、この側壁部分にバイアス電源供給用等の気
密端子20、外部リード21が設けられ、さらにリード
4を有する信号人出内用の同軸水平端子15が設けられ
ている。6は蓋であり、この例の場合内部を密閉する気
密構造となっているが、気密の必要がないときは、苫が
なくとも良いことはいうまでもない。
素子等が形成されたマイクロ波・ミリ波回路基板であり
、これは導電性の金属基台10kに固定されている。こ
の金属基台10は図示の通りその周辺部に側壁10′を
有しており、この側壁部分にバイアス電源供給用等の気
密端子20、外部リード21が設けられ、さらにリード
4を有する信号人出内用の同軸水平端子15が設けられ
ている。6は蓋であり、この例の場合内部を密閉する気
密構造となっているが、気密の必要がないときは、苫が
なくとも良いことはいうまでもない。
ごの請6は例えば金属で構成されている。
第6図は、この従来のマイクロ波・ミリ波モジュールの
信号人出内用の同軸水平端子15の詳細を示す図であり
、第6図(a)は平面図、第6図(b)は側面図、第6
図(c)は第6図(a)のc −c ’線に沿った断面
図である。
信号人出内用の同軸水平端子15の詳細を示す図であり
、第6図(a)は平面図、第6図(b)は側面図、第6
図(c)は第6図(a)のc −c ’線に沿った断面
図である。
図に示すとおり、同軸水平端子15は、信号ラインとな
るリード4と、誘電体2′、3を介して部分8でリード
4の周囲を囲むように設けられ、部分9.9′でリード
4の側面及び底面を遮蔽するように設けられた導電性の
金属膜7によって構成されている。この金属膜7のシー
ルド機能は、金属基台101蓋6によって構成してもよ
い0図からも明らかであるが、誘電体2′と誘電体3は
部分8のところでは、リード4の周りを囲んでおり、し
たがってこの部分で連続している。
るリード4と、誘電体2′、3を介して部分8でリード
4の周囲を囲むように設けられ、部分9.9′でリード
4の側面及び底面を遮蔽するように設けられた導電性の
金属膜7によって構成されている。この金属膜7のシー
ルド機能は、金属基台101蓋6によって構成してもよ
い0図からも明らかであるが、誘電体2′と誘電体3は
部分8のところでは、リード4の周りを囲んでおり、し
たがってこの部分で連続している。
これにより、部分8では、リード4、誘電体2′、:3
、金属膜7によって1ド衡型ストリンプ線路が形成され
ることになり、部分9.9′では、リード4、誘電体3
、金属膜7によって不平衡型スリップ線路が構成される
ことになる。
、金属膜7によって1ド衡型ストリンプ線路が形成され
ることになり、部分9.9′では、リード4、誘電体3
、金属膜7によって不平衡型スリップ線路が構成される
ことになる。
この従来のマイクロ波・ミリ波モジュールでは、高周波
信号を人出力する高周波端子が、不平衡型マイクロスト
リップラインと平衡型のマイクロストリップライン(ト
リプレート線路)を組み合わせた水平同軸端子で構成さ
れることになり、しかも、第6図に示すとおり、この不
平衡型マイクロストリップラインと平衡型のマイクロス
トリップラインは、直接接続されることになる。このた
め、この接続部分は高周波の信号にとって不連続となり
、この不連続部分で信号の反射が起こり易く、広帯域に
わたって反射損失の少ない構造とすることは困難である
という課題を有している。
信号を人出力する高周波端子が、不平衡型マイクロスト
リップラインと平衡型のマイクロストリップライン(ト
リプレート線路)を組み合わせた水平同軸端子で構成さ
れることになり、しかも、第6図に示すとおり、この不
平衡型マイクロストリップラインと平衡型のマイクロス
トリップラインは、直接接続されることになる。このた
め、この接続部分は高周波の信号にとって不連続となり
、この不連続部分で信号の反射が起こり易く、広帯域に
わたって反射損失の少ない構造とすることは困難である
という課題を有している。
即ら、第7図(a)に示す平衡型ストリップラインの伝
送姿態から、第7図(b)に示す不平衡型ストリップラ
インの伝送姿態へと直接移行することになり、この接続
点での反射が避けられない。
送姿態から、第7図(b)に示す不平衡型ストリップラ
インの伝送姿態へと直接移行することになり、この接続
点での反射が避けられない。
また、この形状の不連続は、不平衡型マイクロストリッ
プライン部の[1失の放射損失を増加させてしまうとい
う課題を有している。
プライン部の[1失の放射損失を増加させてしまうとい
う課題を有している。
これら反射損失、放射損失の増大は、当然端子の挿入損
失を増加させる結果となり、広帯域にわたり良好な特性
を持つマイクロ波・ミリ波モジュールを提供することが
困難となるという課題を有する。
失を増加させる結果となり、広帯域にわたり良好な特性
を持つマイクロ波・ミリ波モジュールを提供することが
困難となるという課題を有する。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、
マイクロ波・ミリ波モジュールの高周波入出力端子での
反射tti失、挿入を1失を広帯域にわたり改善した、
良好な特性を持つマイクロ波・ミリ波モジュールを提供
することを目的とする。
マイクロ波・ミリ波モジュールの高周波入出力端子での
反射tti失、挿入を1失を広帯域にわたり改善した、
良好な特性を持つマイクロ波・ミリ波モジュールを提供
することを目的とする。
第1図は、本発明の原理を示す図である。
第1図において、■はその表面にマイクロストリップラ
イン5等が形成されているマイクロ波・ミリ波回路基板
であり、導電性の金属基台IOの表面に接着固定されて
いる。2.3は誘電体、4はマイクロ波・ミリ波回路へ
信号を入出力する高周波人出力用のリード、6は例えば
導電性の金属等より成る蓋であり、誘電体2.3は、リ
ード4を囲んで連続している。また、部分8では、リー
ド4は、この誘電体2.3を介して金属基台101盈6
による導体によって取り囲まれており、また、誘電体2
はその部分8に隣接した部分30でテーパ状とされてい
る。これらによりマイクロ波・ミリ波モジエールへの高
周波入出力端子は、中央部分8の平衡型ストリップライ
ンと、その両端部分9の不平衡型ストリップラインと、
これらの二つの部分を接続する変換部30とにより構成
される同軸水平端子15として形成されている。
イン5等が形成されているマイクロ波・ミリ波回路基板
であり、導電性の金属基台IOの表面に接着固定されて
いる。2.3は誘電体、4はマイクロ波・ミリ波回路へ
信号を入出力する高周波人出力用のリード、6は例えば
導電性の金属等より成る蓋であり、誘電体2.3は、リ
ード4を囲んで連続している。また、部分8では、リー
ド4は、この誘電体2.3を介して金属基台101盈6
による導体によって取り囲まれており、また、誘電体2
はその部分8に隣接した部分30でテーパ状とされてい
る。これらによりマイクロ波・ミリ波モジエールへの高
周波入出力端子は、中央部分8の平衡型ストリップライ
ンと、その両端部分9の不平衡型ストリップラインと、
これらの二つの部分を接続する変換部30とにより構成
される同軸水平端子15として形成されている。
以上に述べたとおり、本発明では、不平衡型マイクロス
トリップラインと平衡型マイクロストリップラインとの
接続部において、テーパ状の誘電体部分を設け、不平衡
型マイクロストリップラインと平衡型マイクロストリッ
プラインの変換部を構成しているので、不平衡型マイク
ロストリップラインの伝送姿態から徐々に平衡型マイク
ロストリップラインの伝送姿態に変換されるために、直
接接続した場合に比較して、この接続部分での反射が減
少し、接続部分での反射損失、平衡型マイクロストリッ
プライン部での放射損失が減少する。
トリップラインと平衡型マイクロストリップラインとの
接続部において、テーパ状の誘電体部分を設け、不平衡
型マイクロストリップラインと平衡型マイクロストリッ
プラインの変換部を構成しているので、不平衡型マイク
ロストリップラインの伝送姿態から徐々に平衡型マイク
ロストリップラインの伝送姿態に変換されるために、直
接接続した場合に比較して、この接続部分での反射が減
少し、接続部分での反射損失、平衡型マイクロストリッ
プライン部での放射損失が減少する。
第2図は本発明の第1の実施例を示す図であり、第3図
はこの第1の実施例の端子部の詳細を示す図である。
はこの第1の実施例の端子部の詳細を示す図である。
第2図において、(a)はこの発明の第1の実施例のマ
イクロ波・ミリ波モジュールの平面図、(b)は同じく
側面図である0図において、■はその上面にマイクロ波
回路、半導体素子等が形成されたマイクロ波・ミリ波回
路基板であり、これは導電性の金属基台10上に固定さ
れている。この基台10は図示のとおりその周辺部に側
壁10′を有しており、この側壁部分にバイアス用の気
密端子20、外部リード21が設けられている。
イクロ波・ミリ波モジュールの平面図、(b)は同じく
側面図である0図において、■はその上面にマイクロ波
回路、半導体素子等が形成されたマイクロ波・ミリ波回
路基板であり、これは導電性の金属基台10上に固定さ
れている。この基台10は図示のとおりその周辺部に側
壁10′を有しており、この側壁部分にバイアス用の気
密端子20、外部リード21が設けられている。
6は蓋であり、以上の構成は、第5図で説明した従来例
と同様な構成である。
と同様な構成である。
この発明にしたがって、リード4を有する高周波信号人
出内用の端子15が設けられている。
出内用の端子15が設けられている。
第3図は、この発明にしたがった端子15の構造の詳細
を示す図であり、第3図(a)は端子部分の平面図、第
3図(b)は端子部分の側面図、第3図(c)は第3図
(a)のc−c’線に沿った断面図、第3図(d)は端
子15の斜視図である。
を示す図であり、第3図(a)は端子部分の平面図、第
3図(b)は端子部分の側面図、第3図(c)は第3図
(a)のc−c’線に沿った断面図、第3図(d)は端
子15の斜視図である。
図において、2.3は誘電体であり、誘電体3の表面に
はり−14が形成されている。
はり−14が形成されている。
誘電体2は平坦な中央部分8と、この発明によって設け
られたテーパ状部分30.30′を有しており、図から
も明らかなように、この誘電体2と誘電体3はリード4
を挟んで連続している。7は誘電体3の底面及び側面、
誘電体2の平坦部の表面に形成された導電性の金属膜で
ある。実際のモジュールを作るときには、金属基台10
と金属製の苫6の導電性を利用してシールドすることが
できるので、端子部の上下面および側面に形成した金属
膜7は必ずしも必要ではない。
られたテーパ状部分30.30′を有しており、図から
も明らかなように、この誘電体2と誘電体3はリード4
を挟んで連続している。7は誘電体3の底面及び側面、
誘電体2の平坦部の表面に形成された導電性の金属膜で
ある。実際のモジュールを作るときには、金属基台10
と金属製の苫6の導電性を利用してシールドすることが
できるので、端子部の上下面および側面に形成した金属
膜7は必ずしも必要ではない。
以にのとおり、この発明による端子15は、リード4の
L面において、誘電体2が平坦な部分8と、誘電体2が
テーパ状をなず部分30.30′と誘電体2の無い部分
9.9′により構成されることになる。
L面において、誘電体2が平坦な部分8と、誘電体2が
テーパ状をなず部分30.30′と誘電体2の無い部分
9.9′により構成されることになる。
部分8はり一部4と、それを取り囲む誘電体2.3と、
誘電体2.3の周囲に設けられた金属膜7とによって構
成されており、この部分は平衡型ストリップラインとな
る。また、部分9.9′は誘電体3とその表面に形成さ
れたり−ド4とによって構成されており、不平衡型スト
リンプラインが構成されている。
誘電体2.3の周囲に設けられた金属膜7とによって構
成されており、この部分は平衡型ストリップラインとな
る。また、部分9.9′は誘電体3とその表面に形成さ
れたり−ド4とによって構成されており、不平衡型スト
リンプラインが構成されている。
この発明に従って設けられたテーパ状の誘電体2を有す
る部分30.30′は、前述の平衡型ストリップライン
8と不平衡型ストリップライン9.9′の変換部であり
、不平衡型ストリップラインの伝送姿態から徐々に平衡
型ストリンプラインの伝送姿態に変換する、或いはその
逆に変換する働きをする。
る部分30.30′は、前述の平衡型ストリップライン
8と不平衡型ストリップライン9.9′の変換部であり
、不平衡型ストリップラインの伝送姿態から徐々に平衡
型ストリンプラインの伝送姿態に変換する、或いはその
逆に変換する働きをする。
したがって、リード4に供給される高周波信月は、不平
衡型ストリップライン部分での第7図(b)に示す伝送
姿態から、徐々に平衡型ストリンプライン部分での第7
図(a)に示す伝送姿態に変換されることになり(或い
は、この逆に変換されることになり)、この接続点での
反射損失を低減させることができる。
衡型ストリップライン部分での第7図(b)に示す伝送
姿態から、徐々に平衡型ストリンプライン部分での第7
図(a)に示す伝送姿態に変換されることになり(或い
は、この逆に変換されることになり)、この接続点での
反射損失を低減させることができる。
第4図は、この発明の第2の実施例を示す図であり、第
4図(a)は斜視図、第4図(b)は断面図、第4図(
C)は端子部の拡大断面図である。
4図(a)は斜視図、第4図(b)は断面図、第4図(
C)は端子部の拡大断面図である。
第4図において、第2図、第3図に示した部材と同じ部
材には、同一の番号を付E5.しているので、ごれらの
部材についての詳細な説明は省略する。
材には、同一の番号を付E5.しているので、ごれらの
部材についての詳細な説明は省略する。
ごの実施例では、バイアス供給用の気密端子16を金属
)、(台10の底面に垂直方向に設けており、また、信
号を人出力する一A周波端子15を4箇所設けている。
)、(台10の底面に垂直方向に設けており、また、信
号を人出力する一A周波端子15を4箇所設けている。
また、この実施例による端子15は、第4図(C)の拡
大図に示すように、変換部30を金属基台IOの外側の
みに設け、しかも変換部;30のり一部4のF面には誘
電体を設けていない。
大図に示すように、変換部30を金属基台IOの外側の
みに設け、しかも変換部;30のり一部4のF面には誘
電体を設けていない。
変換部30を金属基台10の外側のみにしたのは、金属
基台10の内部の体積を小さくし、マイクロ波・ミリ波
モジュールをより小型化するためであり、変換部30の
リード4の下面の誘電体を除いたのは、この部分に他の
回路側の誘電体を位置させることによりそのリード4の
露出部分で他の回路との接続を可能とするためである。
基台10の内部の体積を小さくし、マイクロ波・ミリ波
モジュールをより小型化するためであり、変換部30の
リード4の下面の誘電体を除いたのは、この部分に他の
回路側の誘電体を位置させることによりそのリード4の
露出部分で他の回路との接続を可能とするためである。
この実施例によっても、端子部分での反射損失を減らず
ごとができることは明らかである。
ごとができることは明らかである。
以上述べたとおり、本発明によれば、マイクlコ波・ミ
リ波モジュールの高周波入出力端子の反射[11失、挿
入損失を広帯域にわたり改存することができ、広帯域に
わたり良好な特性をもつマイクロ波・ミリ波千ジ1−ル
を提供することができる。
リ波モジュールの高周波入出力端子の反射[11失、挿
入損失を広帯域にわたり改存することができ、広帯域に
わたり良好な特性をもつマイクロ波・ミリ波千ジ1−ル
を提供することができる。
第1図は本発明の原理を示す図
第2図は本発明の第1の実施例を示す図第3図は本発明
の第1の実施例の端子部の詳細を示す図 第4図は本発明の第2の実施例を示す図第5図は従来例
を示す図 第6図は従来例の端子部の詳細を示す図第7図は伝送路
の電磁界分布図である。 ■−マイクロ波・ミリ波回路基板 2.3−誘電体 4−高周波信号人出力用リード 5−ストリンプライン −M 7−導電性の金属膜 8−平衡型ストリップライン 9.9′−不平衡ストリップライン 10−金属基台 20−気密端子 21−外部リード ;30.30′ −変換部 オJぞ5月の、原理図 第1図 (d)単元閏 (b) $1面図 さキ朗のi/戻肩百列 第2図 (b)層(面図 (c)断面図端仔剖
詳細図 第3因 ((1) (C)大ルー4本!!5期の黍
2奥馳例 第4図
の第1の実施例の端子部の詳細を示す図 第4図は本発明の第2の実施例を示す図第5図は従来例
を示す図 第6図は従来例の端子部の詳細を示す図第7図は伝送路
の電磁界分布図である。 ■−マイクロ波・ミリ波回路基板 2.3−誘電体 4−高周波信号人出力用リード 5−ストリンプライン −M 7−導電性の金属膜 8−平衡型ストリップライン 9.9′−不平衡ストリップライン 10−金属基台 20−気密端子 21−外部リード ;30.30′ −変換部 オJぞ5月の、原理図 第1図 (d)単元閏 (b) $1面図 さキ朗のi/戻肩百列 第2図 (b)層(面図 (c)断面図端仔剖
詳細図 第3因 ((1) (C)大ルー4本!!5期の黍
2奥馳例 第4図
Claims (1)
- (1)金属基台(10)と、この金属基台(10)の底
部に実装されるマイクロ波・ミリ波回路基板(1)と、
このマイクロ波・ミリ波回路基板(1)のマイクロ波・
ミリ波線路を外部に導くための前記金属基台(10)の
側壁を貫く信号入出力用の端子(15)を備えたマイク
ロ波・ミリ波モジュールにおいて、 この端子(15)に、 平衡型マイクロストリップライン(8)と、不平衡型マ
イクロストリップライン(9)と、さらにこの両者の接
続部分にテーパ形状の誘電体部分(2)を具備したこと
を特徴とするマイクロ波・ミリ波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147269A JPH01314403A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | マイクロ波・ミリ波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147269A JPH01314403A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | マイクロ波・ミリ波モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01314403A true JPH01314403A (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15426398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63147269A Pending JPH01314403A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | マイクロ波・ミリ波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01314403A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04363901A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-12-16 | Mitsubishi Materials Corp | 高周波、マイクロ波用混成集積回路及びその製造方法 |
| US5493263A (en) * | 1991-07-19 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Microstrip which is able to supply DC bias current |
| US6441697B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-08-27 | Kyocera America, Inc. | Ultra-low-loss feedthrough for microwave circuit package |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63147269A patent/JPH01314403A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04363901A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-12-16 | Mitsubishi Materials Corp | 高周波、マイクロ波用混成集積回路及びその製造方法 |
| US5493263A (en) * | 1991-07-19 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Microstrip which is able to supply DC bias current |
| US6441697B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-08-27 | Kyocera America, Inc. | Ultra-low-loss feedthrough for microwave circuit package |
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