JPH01318079A - エッチング剤 - Google Patents
エッチング剤Info
- Publication number
- JPH01318079A JPH01318079A JP63149783A JP14978388A JPH01318079A JP H01318079 A JPH01318079 A JP H01318079A JP 63149783 A JP63149783 A JP 63149783A JP 14978388 A JP14978388 A JP 14978388A JP H01318079 A JPH01318079 A JP H01318079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- temperature
- film
- agent
- diphosphonic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
- H10N60/0688—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/728—Etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り栗上度机１分更
本発明は、Ｂａ−Ｃｕ−○系高温超伝導体材料を基体と
する素子作成において、該材料を湿式エツチング加工す
るのに使用されるエツチング剤に関する。
する素子作成において、該材料を湿式エツチング加工す
るのに使用されるエツチング剤に関する。
来の技術 び 日が しようとする
ベッドノルツ（Ｂ ｅｄｎｏｒｚ）とミュラー（ＭｉＪ
ｌｌｅｒ）によるＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の高温超伝導
体の発見以来、９０に以上の数多くの高温超伝導体の発
見がなされつつあり、かかるＢ ａ −Ｃｕ−○系高温
超伝導体材料の各種用途への展開が期待されている。
ｌｌｅｒ）によるＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の高温超伝導
体の発見以来、９０に以上の数多くの高温超伝導体の発
見がなされつつあり、かかるＢ ａ −Ｃｕ−○系高温
超伝導体材料の各種用途への展開が期待されている。
一方、このような高温超伝導体の加工技術として、その
成膜化の検討がスパッタリング、電子ビーム沈着等の各
種ドライメツキ方法によりなされつつある。それと同時
に、これらの高温超伝導体薄膜の素子化に不可欠な微細
加工技術も検討されつつある。
成膜化の検討がスパッタリング、電子ビーム沈着等の各
種ドライメツキ方法によりなされつつある。それと同時
に、これらの高温超伝導体薄膜の素子化に不可欠な微細
加工技術も検討されつつある。
微細加工の方法は、通常ファインパターンをレジストに
設けるリソグラフィー技術と、そのレジストパターンを
下地の材料に転写してエツチングする技術とからなり、
このうち前者については、すでに半導体分野で確立され
た技術がそのまま応用可能であるが、後者のエツチング
技術は、対象となる材料によって個別に対応しなければ
ならず。
設けるリソグラフィー技術と、そのレジストパターンを
下地の材料に転写してエツチングする技術とからなり、
このうち前者については、すでに半導体分野で確立され
た技術がそのまま応用可能であるが、後者のエツチング
技術は、対象となる材料によって個別に対応しなければ
ならず。
高温超伝導体が発見されてからまだ日が浅いことから、
効果的な方法は見い出されていない。
効果的な方法は見い出されていない。
この場合、ドライエツチング技術はＢａ−Ｃｕ−○系高
温超伝導体の超伝導臨界温度（以下Ｔｃと略す）の劣化
を生じさせる問題がある。一方、湿式エツチング法とし
て、本発明者らは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の膜に対して
リン酸水溶液をエツチング剤として使用したファインパ
ターン化の方法を既に発表しているが、この湿式エツチ
ング方法は、高温超伝導体のＴｃの劣化を生じさせない
ものの、エツチング後のリンス工程で多量の水を用いて
洗浄を行なう必要があり、この際に、例えばＹ ＩＢ
ａ２Ｃｕ、 Ｏ，−、系は水により容易にＣｕＯ１Ｂａ
（ＯＨ）２、Ｙ２ＢａＣｕＯ，に加水分解するという問
題があり、実用上難点がある。
温超伝導体の超伝導臨界温度（以下Ｔｃと略す）の劣化
を生じさせる問題がある。一方、湿式エツチング法とし
て、本発明者らは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の膜に対して
リン酸水溶液をエツチング剤として使用したファインパ
ターン化の方法を既に発表しているが、この湿式エツチ
ング方法は、高温超伝導体のＴｃの劣化を生じさせない
ものの、エツチング後のリンス工程で多量の水を用いて
洗浄を行なう必要があり、この際に、例えばＹ ＩＢ
ａ２Ｃｕ、 Ｏ，−、系は水により容易にＣｕＯ１Ｂａ
（ＯＨ）２、Ｙ２ＢａＣｕＯ，に加水分解するという問
題があり、実用上難点がある。
このため、Ｂａ−Ｃｕ−０系高温超伝導体のＴｃを実用
上劣化させることなく、しかもこれらＢａ−Ｃｕ−０系
高温超伝導体を加水分解させることなく、湿式エツチン
グ加工する方法の開発が望まれる。
上劣化させることなく、しかもこれらＢａ−Ｃｕ−０系
高温超伝導体を加水分解させることなく、湿式エツチン
グ加工する方法の開発が望まれる。
を解゛するための手 び４
本発明者らは、上記要望に応えるべく鋭意検討を重ねた
結果、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系やＥｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
といったＢａ−Ｃｕ−０系高温超伝導体の湿式エツチン
グ法による素子化において、下記式 で示される１−ヒドロキシ−エタン−１，１−ジホスホ
ン酸を含むエツチング剤がＢ ａ −Ｃｕ −０系高温
超伝導体薄膜の湿式ケミカルエツチング加工に好適であ
ることを見い出した。
結果、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系やＥｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
といったＢａ−Ｃｕ−０系高温超伝導体の湿式エツチン
グ法による素子化において、下記式 で示される１−ヒドロキシ−エタン−１，１−ジホスホ
ン酸を含むエツチング剤がＢ ａ −Ｃｕ −０系高温
超伝導体薄膜の湿式ケミカルエツチング加工に好適であ
ることを見い出した。
即ち、湿式エツチング加工において、エツチング剤の条
件としては、 （１）エツチング速度を適切に選び得ること。
件としては、 （１）エツチング速度を適切に選び得ること。
（２）エツチングプロセスが高温超伝導特性、特にＴｃ
の劣化を生じさせないこと。
の劣化を生じさせないこと。
（３） レジスト膜がエツチングプロセス中に安定に
維持されること、 といった条件が必要であるが、１−ヒドロキシ−エタン
−１，１−ジホスホン酸を使用したエツチング剤は、後
述する実施例に示したように、撹拌下にエツチングを行
なうことにより、エツチング速度が時間に比例すると共
に、エツチング速度がエツチング温度の関数として表わ
され、しかもエツチング速度も適当で、エツチング時間
やエツチング温度を適宜選定することにより、Ｂａ−Ｃ
ｕ−Ｑ系高温超伝導体薄膜を所望のエツチング速度で効
果的にエツチングすることができ、かかるエツチング操
作によってもＴｃが実用上問題になる劣化を示さず、ま
た通常のレジスト膜を変質させることもなく、しかもこ
のエツチング剤は水の使用を減らして或いは水を使用す
ることなくエタノール等の有機溶媒で洗浄することがで
きるので、洗浄工程においてＢａ−Ｃｕ−○系高温超伝
導体の加水分解を避けることができることを知見し１本
発明をなすに至ったものである。
維持されること、 といった条件が必要であるが、１−ヒドロキシ−エタン
−１，１−ジホスホン酸を使用したエツチング剤は、後
述する実施例に示したように、撹拌下にエツチングを行
なうことにより、エツチング速度が時間に比例すると共
に、エツチング速度がエツチング温度の関数として表わ
され、しかもエツチング速度も適当で、エツチング時間
やエツチング温度を適宜選定することにより、Ｂａ−Ｃ
ｕ−Ｑ系高温超伝導体薄膜を所望のエツチング速度で効
果的にエツチングすることができ、かかるエツチング操
作によってもＴｃが実用上問題になる劣化を示さず、ま
た通常のレジスト膜を変質させることもなく、しかもこ
のエツチング剤は水の使用を減らして或いは水を使用す
ることなくエタノール等の有機溶媒で洗浄することがで
きるので、洗浄工程においてＢａ−Ｃｕ−○系高温超伝
導体の加水分解を避けることができることを知見し１本
発明をなすに至ったものである。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のエツチング剤は、上述したように、下記式
で示される１−ヒドロキシ−エタン−１，１−ジホスホ
ン酸を含有してなるものである。
ン酸を含有してなるものである。
ここで１本発明のエツチング剤は、上記１−ヒドロキシ
−エタン−１，１−ジホスホン酸を１０〜８０％（重量
％、以下同じ）、より好ましくは３５〜６５％含有する
水或いは含水低級アルコール溶液としてエツチング工程
に提供することが好ましく、従って本発明に係るエツチ
ング剤は１−ヒドａキシ−エタン−１，１−ジホスホン
酸そのものにて構成し、これを使用時に上記濃度のエツ
チング液として形成するようにしてもよく、又は上記溶
媒に予め溶解した状態として構成するようにしてもよい
。なお、低級アルコールとしてはメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール等が挙げられる。
−エタン−１，１−ジホスホン酸を１０〜８０％（重量
％、以下同じ）、より好ましくは３５〜６５％含有する
水或いは含水低級アルコール溶液としてエツチング工程
に提供することが好ましく、従って本発明に係るエツチ
ング剤は１−ヒドａキシ−エタン−１，１−ジホスホン
酸そのものにて構成し、これを使用時に上記濃度のエツ
チング液として形成するようにしてもよく、又は上記溶
媒に予め溶解した状態として構成するようにしてもよい
。なお、低級アルコールとしてはメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール等が挙げられる。
本発明のエツチング剤は、ＹＢａ−Ｃｕ−０或いはＥｒ
−Ｂａ−Ｃｕ−〇といったＢａ−Ｃｕ−０系高温超伝導
体の湿式ケミカルエツチングに使用するもので、該エツ
チングは常法に従って行なうことができる。即ちＢ ａ
−Ｃｕ −０系高温超伝導体薄膜上にフォトレジスト
をスピン・オン法等によりコートし、通常のフォトリソ
グラフィー工程を経て、エツチング工程に移行するもの
であるが、この場合本発明のエツチング剤を用いたエッ
チング方法は、エツチング温度を０〜６０℃、特に１０
〜４０℃とすることが好ましく、またエツチングはエツ
チング液を撹拌した状態で行なうことが好適である。エ
ツチング終了後は、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール等の低級アルコールなどの有機溶媒、特
に好ましくはエタノールで洗浄してエツチング液を洗い
流し、エツチングを停止させ、その後乾燥することが好
ましく、これによりエツチング後のリンス工程で水を使
用しないので、Ｂ ａ −Ｃｕ−〇系高温超伝導体の加
水分解による劣化を防止することができるものである。
−Ｂａ−Ｃｕ−〇といったＢａ−Ｃｕ−０系高温超伝導
体の湿式ケミカルエツチングに使用するもので、該エツ
チングは常法に従って行なうことができる。即ちＢ ａ
−Ｃｕ −０系高温超伝導体薄膜上にフォトレジスト
をスピン・オン法等によりコートし、通常のフォトリソ
グラフィー工程を経て、エツチング工程に移行するもの
であるが、この場合本発明のエツチング剤を用いたエッ
チング方法は、エツチング温度を０〜６０℃、特に１０
〜４０℃とすることが好ましく、またエツチングはエツ
チング液を撹拌した状態で行なうことが好適である。エ
ツチング終了後は、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール等の低級アルコールなどの有機溶媒、特
に好ましくはエタノールで洗浄してエツチング液を洗い
流し、エツチングを停止させ、その後乾燥することが好
ましく、これによりエツチング後のリンス工程で水を使
用しないので、Ｂ ａ −Ｃｕ−〇系高温超伝導体の加
水分解による劣化を防止することができるものである。
ｍυ娼釆
本発明によるエツチング剤は、適切なエツチング速度の
選択を容易にでき、微細パターン化のためのレジストに
損傷を与えることなく、しかもＢａ−Ｃｕ−○系高温超
伝導体の特性に劣化を生じさせずにエツチングを行なう
ことができ、Ｂａ−Ｃｕ−０系高温超伝導薄膜の素子化
を可能とするもので、種々の組成比でなる高温超伝導層
形多層膜の微細加工、高温超伝導トランジスタの作成、
高温超伝導○ＥＩＣ（光・電子集積回路）の作成など、
種々の用途に使用することができる。
選択を容易にでき、微細パターン化のためのレジストに
損傷を与えることなく、しかもＢａ−Ｃｕ−○系高温超
伝導体の特性に劣化を生じさせずにエツチングを行なう
ことができ、Ｂａ−Ｃｕ−０系高温超伝導薄膜の素子化
を可能とするもので、種々の組成比でなる高温超伝導層
形多層膜の微細加工、高温超伝導トランジスタの作成、
高温超伝導○ＥＩＣ（光・電子集積回路）の作成など、
種々の用途に使用することができる。
次に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発
明は下記の実施例に制限されるものではない。
明は下記の実施例に制限されるものではない。
〔実施例１〕
イツトリウム安定化ジルコニア（Ｙ Ｓ Ｚ）基板上に
ＲＦダイオードスパッタリング法により５岬の厚さにＹ
ＢａＣｕ○を成膜した。この成膜されたＹＢａＣｕ○の
Ｔｃは７３〜８５にであった。
ＲＦダイオードスパッタリング法により５岬の厚さにＹ
ＢａＣｕ○を成膜した。この成膜されたＹＢａＣｕ○の
Ｔｃは７３〜８５にであった。
次に、このＹＢａＣｕＯ膜上にポジティブタイプのフォ
トレジスト（ＡＺ−１３５０にシラプレー社製）をスピ
ンコードした後、６５℃のプリベータを行なった。つい
で、このレジスト膜に直径５０、ｎの貫通孔をフォトリ
ソグラフィーで多数設けた。
トレジスト（ＡＺ−１３５０にシラプレー社製）をスピ
ンコードした後、６５℃のプリベータを行なった。つい
で、このレジスト膜に直径５０、ｎの貫通孔をフォトリ
ソグラフィーで多数設けた。
このようにして作製したＹＢａＣｕＯ試料を１−ヒドロ
キシ−エタン−１，１−ジホスホン酸の６０％水溶液（
商品名フェリオックスー１１５゜ライオン社製）からな
るエツチング剤中に種々の温度で所定時間浸漬した。こ
の場合、浸漬は撹拌下又は無撹拌下で行なった。所定時
間エツチングした後、試料を取り出して直ちにエタノー
ルで洗浄し、エツチングを停止させ、その後アセトンに
て洗浄し、上記レジスト膜を除去した。このＹＢａＣｕ
Ｏ試料をｗＡ察したところ、上記レジスト膜の貫通孔に
相当する部分のみが孔食状にエツチングされており、他
の部分は成膜時の外観を保持していた。なお、上記レジ
スト膜の除去前にその外観をＩ！察したが、レジスト膜
に変質は認められなかった。
キシ−エタン−１，１−ジホスホン酸の６０％水溶液（
商品名フェリオックスー１１５゜ライオン社製）からな
るエツチング剤中に種々の温度で所定時間浸漬した。こ
の場合、浸漬は撹拌下又は無撹拌下で行なった。所定時
間エツチングした後、試料を取り出して直ちにエタノー
ルで洗浄し、エツチングを停止させ、その後アセトンに
て洗浄し、上記レジスト膜を除去した。このＹＢａＣｕ
Ｏ試料をｗＡ察したところ、上記レジスト膜の貫通孔に
相当する部分のみが孔食状にエツチングされており、他
の部分は成膜時の外観を保持していた。なお、上記レジ
スト膜の除去前にその外観をＩ！察したが、レジスト膜
に変質は認められなかった。
次に、上記エツチング後のＹＢａＣｕ○試料Ｃｕ形凹状
エツチング部の段差を干渉顕微鏡で測定することにより
、エツチング速度を求めた。結果を第１図に示す。なお
、第１図はエツチング温度２０℃におけるエツチング時
間とエツチング深さとの関係を示し、Ｏ印は撹拌、Δ印
は無撹拌におけるエツチングである。
エツチング部の段差を干渉顕微鏡で測定することにより
、エツチング速度を求めた。結果を第１図に示す。なお
、第１図はエツチング温度２０℃におけるエツチング時
間とエツチング深さとの関係を示し、Ｏ印は撹拌、Δ印
は無撹拌におけるエツチングである。
第１図の結果より、エツチングの進行中に液を絶えず撹
拌することにより、エツチング深さはエツチング時間に
比例するようになり、そのエツチング速度は０．５戸／
分となることが認められた。
拌することにより、エツチング深さはエツチング時間に
比例するようになり、そのエツチング速度は０．５戸／
分となることが認められた。
このエツチング速度は実際の微細加工において好適な値
である。
である。
〔実施例２〕
エツチング剤の温度Ｔ （Ｋ）を変える以外は実施例１
と同様にしてエツチングを行ない、エツチング速度Ｒ（
ｕ／分）とエツチング温度Ｔとの関係を調べた。この結
果を第２図に示す。なお、エツチングは撹拌下で行なっ
た。
と同様にしてエツチングを行ない、エツチング速度Ｒ（
ｕ／分）とエツチング温度Ｔとの関係を調べた。この結
果を第２図に示す。なお、エツチングは撹拌下で行なっ
た。
第２図の結果より、Ｒの対数値と１／Ｔが比例関係にあ
ることがわかり、この結果から反応の活性化エネルギー
は０．３２ｅＶと計算された。従って、本発明のエツチ
ング剤を用いたエツチング方法は、エツチング温度を変
えることにより適当なエツチング速度を設定できること
が認められた。
ることがわかり、この結果から反応の活性化エネルギー
は０．３２ｅＶと計算された。従って、本発明のエツチ
ング剤を用いたエツチング方法は、エツチング温度を変
えることにより適当なエツチング速度を設定できること
が認められた。
〔実施例３〕
Ｅ ｒ Ｂ ａ Ｃｕ○膜を実施例１と同様の条件で成
膜し、実施例１と同様にして撹拌下における２０℃での
エツチング速度を求めた。結果を第３図に示す。なお第
３図にはＹＢａＣｕＯの結果を併記する。
膜し、実施例１と同様にして撹拌下における２０℃での
エツチング速度を求めた。結果を第３図に示す。なお第
３図にはＹＢａＣｕＯの結果を併記する。
この図から、ＥｒＢａＣｕＯ膜はＹＢａＣｕＯ膜の約２
倍のエツチング速度であることがわかる。
倍のエツチング速度であることがわかる。
なお、同様に成膜したＥ ｒ Ｂ ａ Ｃｕ○のエツチ
ング工程前後におけるＴｃを測定した結果、エツチング
によりＴｃが最大４にほど低下したことが認められたが
、この程度のＴｃ低下は実用上問題となることがなく、
従って本発明のエツチング剤を用いたエツチング方法は
Ｔｃを実質上低下させることがないことが認められた。
ング工程前後におけるＴｃを測定した結果、エツチング
によりＴｃが最大４にほど低下したことが認められたが
、この程度のＴｃ低下は実用上問題となることがなく、
従って本発明のエツチング剤を用いたエツチング方法は
Ｔｃを実質上低下させることがないことが認められた。
また、同様の条件で成膜したＥｒＢａＣｕＯの６ｐ厚さ
の膜の表面から２声の深さまで同様に選択的にエツチン
グし、メサ形（台形）の２声のラインを加工した場合の
ＥｒＢａＣｕＯ膜のフォトミクログラフを参考写真に示
す。この参考写真の結果からも、本発明のエツチング剤
を用いたエツチング方法は実用上の高いものであること
がわかる。
の膜の表面から２声の深さまで同様に選択的にエツチン
グし、メサ形（台形）の２声のラインを加工した場合の
ＥｒＢａＣｕＯ膜のフォトミクログラフを参考写真に示
す。この参考写真の結果からも、本発明のエツチング剤
を用いたエツチング方法は実用上の高いものであること
がわかる。
第１図はＹＢａＣｕＯのエツチング深さと時間との関係
を示すグラフ、第２図はＹＢａＣｕＯのエツチング速度
と温度の依存性とを示すグラフ、第３図はＹＢａＣｕＯ
とＥｒＢａＣｕＯとのエツチング速度を示すグラフであ
る。 出願人 ラ イ オ ン 株式会社 代理人 弁理士 小 島 隆 司 ′９弄 γ’！ ４分） ＠１図 第２図
を示すグラフ、第２図はＹＢａＣｕＯのエツチング速度
と温度の依存性とを示すグラフ、第３図はＹＢａＣｕＯ
とＥｒＢａＣｕＯとのエツチング速度を示すグラフであ
る。 出願人 ラ イ オ ン 株式会社 代理人 弁理士 小 島 隆 司 ′９弄 γ’！ ４分） ＠１図 第２図
Claims (1)
- １，１−ヒドロキシ−エタン−１，１−ジホスホン酸を
含有することを特徴とするＢａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超伝導
体用のエッチング剤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149783A JPH01318079A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | エッチング剤 |
| US07/284,662 US4996191A (en) | 1988-06-17 | 1988-12-15 | Method for etching superconductor materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149783A JPH01318079A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | エッチング剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318079A true JPH01318079A (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15482622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63149783A Pending JPH01318079A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | エッチング剤 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4996191A (ja) |
| JP (1) | JPH01318079A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646095A (en) * | 1991-06-18 | 1997-07-08 | International Business Machines Corporation | Selective insulation etching for fabricating superconductor microcircuits |
| US6339047B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-01-15 | American Semiconductor Corp. | Composites having high wettability |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3415363A1 (de) * | 1984-04-25 | 1985-10-31 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur elektrochemischen aufrauhung von aluminium fuer druckplattentraeger in einem waessrigen mischelektrolyten |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP63149783A patent/JPH01318079A/ja active Pending
- 1988-12-15 US US07/284,662 patent/US4996191A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4996191A (en) | 1991-02-26 |
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