JPH01319236A - 電界放射電子銃 - Google Patents

電界放射電子銃

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JPH01319236A
JPH01319236A JP63148105A JP14810588A JPH01319236A JP H01319236 A JPH01319236 A JP H01319236A JP 63148105 A JP63148105 A JP 63148105A JP 14810588 A JP14810588 A JP 14810588A JP H01319236 A JPH01319236 A JP H01319236A
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    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources

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  • Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子顕微鏡、電子線描画装置等の電子銃、特に
高輝度、大電流を得るのに好適な電界放射電子銃に係わ
る。
[従来の技術] 従来、電界放射電子銃において、静電レンズによる収束
作用だけでなく、磁界型レンズを電子源の近傍に設は磁
気収束作用も利用して、大電流を得ようとする試みは、
イギリス特許第129122号や特開昭59−4274
8号に記載の装置がある。
[発明が解決しようとする課題] 電子銃を透過型および走査型電子顕微鏡や電子線描画装
置に使用する際にはコンデンサレンズと組み合わせて所
望のプローブを形成することが一般的である。前記従来
技術は単段加速式で、加速電圧が低いところで使用する
ため多段加速式に比べ絶縁距離が短く静電レンズ作用も
小さい。そのためコンデンサレンズの縮小率が小さくそ
の収差も小さいので前記従来技術の電子銃の構成で問題
なかった。多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃で特開
昭59−42748号に記載のように磁界型レンズによ
り電界放電子源の実像を電子ビームの進行方向に結ぶよ
うな条件を用いたとする。すると静電レンズ作用が強い
ため電子源の実像が強縮小され、コンデンサレンズに入
射する電子線の入射角が大きくなる。多段加速式磁界重
畳型電界放射電子銃ではコンデンサレンズまでの距離が
長いためここでも電子源の実像が強縮小される。コンデ
ンサレンズの球面収差は経験的に次の式で表されること
が知られている。
で表される。
ただしαはコンデンサ娑ンズに入射する電子線の角度、
Mはコンデンサレンズの倍率、aはコンデンサレンズ主
面と物面との距離、Dはコンデンサレンズのギャップ長
、Sはコンデンサレンズの孔径。これでもわかるように
球面収差は入射角の3乗に比例しコンデンサレンズ主面
と物面との距離aの3乗に比例して急激に大きくなる。
その結果電子銃の収差よりコンデンサレンズの収差が大
きくなり高輝度、大電流は得られない。そこで多段加速
式磁界重畳型電界放射電子銃をコンデンサレンズと組み
合わせたときに高輝度、大電流が得られるように磁界型
レンズ及び静電レンズの最適な使用条件を選ぶ必要があ
る。
第2図は前記多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃にお
いて、■□を変化させたときの電子源のスポット位置を
計算した一例である。縦軸は電子源からスポットまでの
距離で、電子の進行方向を正にとったもの。横軸はV工
である。(I=360mA、 N =1500. V2
=25KV)図中Aで示した区間が電子銃、コンデンサ
レンズとも収差が小さい条件で使用できる領域がある。
この領域でvlだけを100V変えると、スポット位置
は300mmもの範囲で変わる。照射条件を一定に保つ
ためには、■は0.1mA、V2は10V単位の微調整
を同時におこなうことが必要で、しかもその補正量はv
iの値によって変わる。このためこれを手動操作で行な
うのでは実用上きわめて不便で、操作性は著しく低い。
前記従来技術では引き出し電圧や加速電圧など電子銃の
稼働条件を変えたとき電子ビームのスポット位置や開き
角などの照射条件を不変に保つ配慮がなされていない。
多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃には高電圧を印加
するので放電の危険性が大きくなる。電子銃や電源が放
電を起こした場合にも被害を受けにくい電源構成にする
必要がある。引き出し電源と、第一加速電極に電圧を印
加するための電源と、二段目以降最終段までの加速電極
に電圧を印加するための電源を従来使用されていた。よ
うな構成にすると、放電により各電源の出力が短絡され
た場合、放電電流が複数の電源間を流れることがおおく
保護対策がとりにくい。
本発明の目的は電子銃の稼働条件を変えたときでも照射
条件を不変に保てる操作性、電子銃や電源が放電を起こ
した場合にも被害を受けにくい電源構成を有し、コンデ
ンサレンズと組み合わせても高輝度、大電流が得られる
多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃を実現することに
ある。
[課題を解決するための手段] 上記目的は 1)上記磁界型レンズで電界放射電子源の4〜10倍の
虚像をつくり、静電レンズでその虚像の0.3〜3倍の
実像をむすぶ。
2)V、4:対し、IN/flで7 ≦I N/f7.
≦12の範囲で所定の値になるようIを連動させ、同時
にv z / v xが5≦V2/V□≦10の範囲で
所定の値になるよう■2を連動させる。
3)引き出し電源と、第一加速電極に電圧を印加するた
めの電源と、二段目以降最終段までの加速電極に電圧を
印加するための電源を直列に接続することにより達せら
れる。
[作用] 1)長さLの範囲で電位がΦ。からΦ、まで変化すると
きその部分の静電レンズ作用は、レンズの像面側焦点距
離をflとして で表される。これかられかるように電位Φが小さく、そ
の変化率Φ′が大きいところで静電レンズ作用は大きく
なる。つまり引き出し電極と第一加速電極との間に静電
レンズ作用が集中する。そこでV 2 / V□を一定
にすれば、Φ。/Φ、が一定かつΦ′/Φも一定になる
。つまりv2/V、の値によりレンズ作用が制御できる
。
第3図は多段加速式電界放射電子銃において静電レンズ
の動作条件と静電レンズおよびコンデンサレンズの収差
の関係をプロットした一例である。横軸はV2/V1の
値、縦軸は各レンズの球面収差9色収差によるボケと無
収差スポット径の比(以下相対的収差量という)である
。
この例ではL/V1=11〜14の範囲で使用しないと
コンデンサレンズの収差のため輝度やビーム電流が充分
得られない。しかしこの条件ではv2が60〜80KV
に達し、放電の危険性や電源の構成を考慮すると実現困
難である。
またv2/v工の値が小さくなりすぎると二段目の加速
領域の静電レンズ作用が強くなるため、静電レンズ作用
の制御が困難になる。V 2 / V L=5〜10が
容易に実現できる範囲である。そこで本発明ではv2を
低く抑え電子源近傍に設けた磁界型レンズをもちいて静
電レンズ作用をおぎない、かつ制御する。磁界型レンズ
のレンズ作用は焦点距離をfとして という経験式が成り立つことが知られている。
ここで、レンズ孔径S、ギャップ長り、コイルの巻き数
N、コイル電流工、加速電圧■である。
I Nz’vVの値によりレンズ作用が制御できる9第
4図は多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃において磁
界型レンズの動作条件と、磁界型レンズ、静電レンズお
よびコンデンサレンズの収差の関係をプロットした一例
である。横軸は磁界型!ノンズによってできる虚像の倍
率であるが、同時にそのときの磁界型レンズの焦点距離
とI N/r−の値も示した。また縦軸は各レンズの球
面収差2色収差による相対的収差量である。この例では
虚像の倍率=6付近が最も収差の影響が少ないことがわ
かる。前述のコンデンサレンズの収差を考慮すると、磁
界型レンズで電子源の4〜10倍の虚像をつくり、V 
Z /V□=5〜10の静電レンズで前記虚像の0.3
〜3倍の実像を加速管中央からコンデンサレンズの間に
つくるのが各レンズにたいし入射角や倍率の関係から見
ても最も有利である。このとき電子銃とコンデンサレン
ズを組み合わせた相対的収差量を回折収差以下に抑える
ことができ最高輝度、最大電流を得ることができる。
2)本多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃では、前記
従来技術と異なり電子源の虚像をつくるので磁界型レン
ズに前記従来技術のような強磁場は必要ない、その形状
については、孔径り、が4mmから10mmでよい。4
mrnより小さいと、電子源と磁界型レンズの軸を50
μm以下の精度で合わせないと軸外収差のために高輝度
が得られない、しかしこれは困難である。またL Om
 mより大きくしても磁界か弱すぎて、コイルの大型化
やレンズail!の大容量化をまねき困難がともなう、
まだギャップ長しについては必要な磁場の強さと漏洩磁
場の大きさを勘案してD1≦■、≦D2が適当である。
磁界型レンズの収差を少なくするため焦点距離を数mm
以下にする必要がある。孔径やギャップが小さすぎない
範囲で焦点距離を短くするには孔径D2を孔径Dユより
大きくしてレンズ主面を上げた方が有利である。また静
電レンズによる縮小を極力抑えかつ収差も小さくするに
は、静電レンズ主面と磁界型レンズによってできる電子
源の虚像との距離を小さくすることが必要である。その
ために電子源と磁界型レンズの下側の磁極もしくは、引
き出し電極の第一加速電極と対向する面に設けられた電
子線通過孔との距離を20mm以下に抑える。このよう
に磁界型レンズの動作条件と形状が定まったので(3)
式によりIN/f爪乙−の値は7〜12の範囲になる。
引き出し電圧が変化しても照射系を不変に保つには電子
線に対する収束作用を不変にすればよい。前述より明ら
かなように、V、/VいxN/f灯を所定の値に保つよ
うV、、IをV工に連動させれば静電収束作用、磁気収
束作用ともに変わらず不変な照射系ができる。
3)第1図に電源を直列に接続した例を示す、この構成
にすれば放電により各電源の出力が短絡された場合でも
、放電電流はひとつの電源だけを通って閉じる可能性が
高くなり、保護対策が容易になる。さらにこの構成にす
ると引き出し電源と第一加速電極に電圧を印加するため
の電源と、レンズ電源の基準電位を一ケ所でとれ各電源
を容易に連動させることができる。
[実施例] 以下本発明の一実施例を第1図により説明する。
フランジ1.ヨーク2.コイル3よりなる磁界型レンズ
が多段加速管30の上部に取付けられている。この多段
加速管30は外周に保護電極50〜54を取付け、放電
防止のため六ふっ化硫黄等高絶縁ガス雰囲気中に置かれ
る。ヨーク2は飽和磁束密度の大きい金属でつくられた
上磁極6と下磁極7、非磁性金属8とで構成され、上磁
極6と下磁極7は非磁性金属8により磁気的に分離され
ている。フランジ1にはM縁ガイシ4と電界放射電子源
5が取付けられる。この電界放射電子源5の先端は上磁
極6の近傍に位置している。電界放射電子源5と磁界型
レンズの間に、引き出し電源22により引き出し電圧v
1が印加される。本実施例では上磁極6が引き出し電極
を兼ねる。コイル3にはレンズ電源21により電流工が
供給される。電界放射電子源5はフラッシング電111
20に接続され通電加熱可能である。下磁極7に対面し
て第一加速電極10が設けられる。第一加速電極10に
はv2電源23により電界放射電子源5からみた電位が
v2になるように電圧が印加される。
レンズ電源21、■2電源23は制御回路24を通じて
引き出し電源22の出力に連動させIN/v”Vτ(N
はコイル3の巻数)、V、/V工を所定の値に保つ。本
実施例ではこの値はIN/fi=5〜10.v2/■、
=7〜12の範囲で任意に設定できるように構成されて
いる。第一加速電極10より下には3段の加速電極11
〜13を設け、v0電源25により電界放射電子源5か
らみた最終段の電位がV。になるように分割抵抗31(
〜IGΩ)で分割して電圧を印加する。多段加速管30
の下方には電子銃室部32.中間室部33゜コンデンサ
レンズ部34とからなる照射系が構成される。電子銃室
部32はイオンポンプ35により10−@Paに排気さ
れている。電子銃室部32と中間室部33の間には差動
排気絞り37を設け、中間室部33とコンデンサレンズ
部34の間には真空仕切りのためのバルブ38を設ける
。以上の構成において引き出し電圧V工により電界放射
電子源5から引き出された電子は、上磁極6と下磁極7
の孔を通り第一加速電極10.加速電極11〜13によ
り所定のエネルギーまで加速される。
その後電子は電子銃室部32.偏向コイル36゜差動排
気絞り37.中間室部33.コンデンサ絞り39.コン
デンサレンズ40を通り試料を照射する。
[発明の効果] 本発明によれば電子銃使用時に引き出し電圧v1を変え
ても(ビーム電流を多くしたい場合、フラッシングをや
りなおした場合等)ビームの開き角、スポット位置など
の照射条件が変わらない。
電子顕微鏡などに使用した場合焦点の再調整などをしな
くてすむの操作性がよい。また放電をおこしても電源が
被害がうけにくい。さらに従来の電界放射電子銃に比べ
輝度は2倍ビーム電流は20倍はど多くえられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の軸方向断面図と電源等の接
続を示した図である。 第2図は多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃において
、V工を変化させたときの電子源のスポット位置を計算
した一例である。 第3図は多段加速式電界放射電子銃において静電レンズ
の動作条件と静電レンズおよびコンデンサレンズの収差
の関係をプロットした一例である。 第4図は多段加速式磁界重畳型電界放射電子銃に゛おい
て磁界型レンズの動作条件と磁界型レンズ。 静電レンズ、コンデンサレンズの収差の関係をプロット
した一例である。 符号の説明 1・・・フランジ、2・・・ヨーク、3・・・コイル、
4・・・絶縁ガイシ、5・・・電界放射電子源、6・・
・上磁極、7・・・下磁極、8・・・非磁性金属、10
・・・第一加速電極、11〜13・・・加速電極、20
・・・フラッシング電源、21・・・レンズ電源、22
・・・引き出し電源。 23・・・v2電源、24・・・制御回路、25・・パ
v、電源、30・・・多段加速管、31・・・分割抵抗
、32・・・電子銃室部、33・・・中間室部、34・
・・コンデンサレンズ部、35・・・イオンポンプ、3
6・・・偏向コイル、37・・・差動排気絞り、38・
・・バルブ、39・・・コンデンサ絞り、40・・・コ
ンデンサレンズ、50〜54・・・保護電極。 第1国 弓13ニしIL刀ヒvr

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電界放射電子源と、電子を引き出すための引き出し
    電極と、その電子源と引き出し電極の間に磁界ギャップ
    を有する磁界型レンズもしくはその磁極が引き出し電極
    を兼ねる磁界型レンズと、電子を加速するための少なく
    とも2つ以上の加速電極を有する多段加速式電界放射電
    子銃において、上記電子源と引き出し電極間に印加され
    る電圧V_1、上記電子源と第一加速電極間に印加され
    る電圧V_2、磁界型レンズの巻き数N、磁界型レンズ
    の励磁電流をIとするとき、V_1に対しIN/√V_
    1が所定の値になるようIを連動させる電流連動手段と
    、V_2/V_1が所定の値になるようV_2を連動さ
    せる電圧連動手段を有することを特徴とする電界放射電
    子銃。 2、請求項1に記載のものにおいて、前記磁界型レンズ
    の電子線入射側磁極の孔径をD_1、電子線出口側磁極
    の孔径をD_2、両磁極間の電子線通路部における間隙
    (ギャップ長)をL、としたとき 4mm≦D_1≦10mm D_1≦D_2≦20mm D_1≦L≦D_2 であることを特徴とする電界放射電子銃。 3、請求項1に記載のものにおいて、前記IN/√V_
    1、V_2/V_1の値が 7≦IN/√V_1≦12 5≦V_2/V_1≦10 の範囲であることを特徴とする電界放射電子銃4、請求
    項1に記載のものにおいて、前記電界放射電子源と、前
    記磁界型レンズの下側の磁極もしくは引き出し電極の前
    記第一加速電極と対向する面に設けられた電子線通過孔
    との距離が20mm以下であることを特徴とする電界放
    射電子銃。 5、請求項1に記載のものにおいて、前記電子源と前記
    引き出し電極の間に電圧を印加するための引き出し電源
    と、前記第1加速電極に電圧を印加するための電源と、
    二段目以降最終段までの加速電極に電圧を印加するため
    の電源が直列に接続され、前記磁界型レンズに電流を供
    給するレンズ電源が、引き出し電極と同電位にフローテ
    ィングしている電源構成を有することを特徴とする電界
    放射電子銃。 6、電界放射電子源と、電子を引き出すための引き出し
    電極と、その電子源と引き出し電極の間に磁界ギャップ
    を有する磁界型レンズもしくはその磁極が引き出し電極
    を兼ねる磁界型レンズと、電子を加速するための少なく
    とも2つ以上の加速電極を有する多段加速式電界放射電
    子銃において、上記磁界型レンズで上記電子源の4〜1
    0倍の虚像をつくり、静電レンズでその虚像の0.3〜
    3倍の実像をむすぶとき電子光学系を有することを特徴
    とする電界放射電子銃。
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NL8901517A NL193512C (nl) 1988-06-17 1989-06-15 Elektronenkanonsysteem met veldemissie.
DE3919829A DE3919829C2 (de) 1988-06-17 1989-06-16 Elektronenkanonen-System mit Feldemission

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5059859A (en) * 1989-04-14 1991-10-22 Hitachi, Ltd. Charged particle beam generating apparatus of multi-stage acceleration type
DE69131869T2 (de) * 1990-08-10 2000-11-02 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Ladungsträgerstrahl-Vorrichtung
JP3325982B2 (ja) * 1993-12-27 2002-09-17 株式会社東芝 磁界界浸型電子銃
SG74599A1 (en) * 1997-09-27 2000-08-22 Inst Of Material Res & Enginee Portable high resolution scanning electron microscope column using permanent magnet electron lenses
US6392333B1 (en) * 1999-03-05 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Electron gun having magnetic collimator
US6797953B2 (en) * 2001-02-23 2004-09-28 Fei Company Electron beam system using multiple electron beams
US6828996B2 (en) 2001-06-22 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Electron beam patterning with a heated electron source
JP5364462B2 (ja) * 2009-06-19 2013-12-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US8664622B2 (en) 2012-04-11 2014-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method of ion beam source for semiconductor ion implantation
JP5959326B2 (ja) * 2012-06-11 2016-08-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム発生装置、荷電粒子線装置、高電圧発生装置、および高電位装置
JP6647961B2 (ja) * 2016-05-11 2020-02-14 日本電子株式会社 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法
JP7008598B2 (ja) * 2017-09-07 2022-01-25 日本電子株式会社 電子銃および電子線装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5429075A (en) * 1977-08-09 1979-03-03 Fujitsu Ltd Reed switch

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1291221A (en) * 1968-07-07 1972-10-04 Smith Kenneth C A Electron probe forming system
GB1594465A (en) * 1977-03-23 1981-07-30 Nat Res Dev Electron beam apparatus
FR2527383A1 (fr) * 1982-05-24 1983-11-25 Univ Reims Champagne Ardenne Canon a electrons avec cathode a emission de champ et lentille magnetique
FR2550681B1 (fr) * 1983-08-12 1985-12-06 Centre Nat Rech Scient Source d'ions a au moins deux chambres d'ionisation, en particulier pour la formation de faisceaux d'ions chimiquement reactifs
DE3345573A1 (de) * 1983-12-16 1985-06-27 Wollnik, Hermann, Prof. Dr., 6301 Fernwald Einrichtung zur reduzierung des divergenzwinkels einer ionen- oder elektronenquelle
US4725736A (en) * 1986-08-11 1988-02-16 Electron Beam Memories Electrostatic electron gun with integrated electron beam deflection and/or stigmating system
JPS6381743A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Jeol Ltd 電界放射型電子銃

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5429075A (en) * 1977-08-09 1979-03-03 Fujitsu Ltd Reed switch

Also Published As

Publication number Publication date
NL193512B (nl) 1999-08-02
NL8901517A (nl) 1990-01-16
DE3919829A1 (de) 1989-12-21
DE3919829C2 (de) 1994-11-03
NL193512C (nl) 1999-12-03
US4945247A (en) 1990-07-31
JP2796305B2 (ja) 1998-09-10

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