JPH0134102Y2 - - Google Patents
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- JPH0134102Y2 JPH0134102Y2 JP20401483U JP20401483U JPH0134102Y2 JP H0134102 Y2 JPH0134102 Y2 JP H0134102Y2 JP 20401483 U JP20401483 U JP 20401483U JP 20401483 U JP20401483 U JP 20401483U JP H0134102 Y2 JPH0134102 Y2 JP H0134102Y2
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- JP
- Japan
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- series circuit
- resistor
- capacitor
- connection point
- thermistor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 73
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、例えば火災感知器などに利用され
るサーミスタを用いた温度検出装置に関するもの
である。
るサーミスタを用いた温度検出装置に関するもの
である。
従来の温度検出装置は、熱応答時定数の異なる
２個のサーミスタを用いて温度上昇率を検出して
いた。その一例を第１図に示す。Ｅは、抵抗R0、
コンデンサC0、ツエナーダイオードDZ、トラン
ジスタTr0からなる定電圧回路である。Ｂは、抵
抗R1，R2、サーミスタTH1，TH2からなるブリ
ツジ回路、PUTは中点ａ，ｇ間に接続した開放
電圧比を調整可能なユニジヤンクシヨントランジ
スタUJTに相当するシリコンユニラテラルスイ
ツチ（SUS），Tr1はトランジスタ、R3，R4は抵
抗、C1はコンデンサ、SCRはサイリスタ、Ｌ，
Ｃは受信機への出力端子である。
２個のサーミスタを用いて温度上昇率を検出して
いた。その一例を第１図に示す。Ｅは、抵抗R0、
コンデンサC0、ツエナーダイオードDZ、トラン
ジスタTr0からなる定電圧回路である。Ｂは、抵
抗R1，R2、サーミスタTH1，TH2からなるブリ
ツジ回路、PUTは中点ａ，ｇ間に接続した開放
電圧比を調整可能なユニジヤンクシヨントランジ
スタUJTに相当するシリコンユニラテラルスイ
ツチ（SUS），Tr1はトランジスタ、R3，R4は抵
抗、C1はコンデンサ、SCRはサイリスタ、Ｌ，
Ｃは受信機への出力端子である。
サーミスタTH1とサーミスタTH2とはサーミ
スタ定数(B)すわなち抵抗温度係数は同じである
が、温度変化に伴う抵抗値変化の熱応答の遅れを
示す熱応答時定数が両者で異なり、スイツチ
PUTのゲートに接続したサーミスタTH1の方が
スイツチPUTのアノードに接続したサーミスタ
TH2よりも小さい。この場合、サーミスタTH1
は、数十秒間程度以内に急激に温度上昇をするの
を検出することから、その抵抗値変化の熱応答時
定数は十分に小さく設定してある。また、サーミ
スタTH2は、数十秒程度では抵抗値を変化せず、
数分ないし数十分程度の時間の緩やかな温度上昇
には追従するように熱時定数を十分に大きく設定
している。
スタ定数(B)すわなち抵抗温度係数は同じである
が、温度変化に伴う抵抗値変化の熱応答の遅れを
示す熱応答時定数が両者で異なり、スイツチ
PUTのゲートに接続したサーミスタTH1の方が
スイツチPUTのアノードに接続したサーミスタ
TH2よりも小さい。この場合、サーミスタTH1
は、数十秒間程度以内に急激に温度上昇をするの
を検出することから、その抵抗値変化の熱応答時
定数は十分に小さく設定してある。また、サーミ
スタTH2は、数十秒程度では抵抗値を変化せず、
数分ないし数十分程度の時間の緩やかな温度上昇
には追従するように熱時定数を十分に大きく設定
している。
ブリツジ回路Ｂは、定常時は平衡状態にあり、
スイツチPUTのアノード電圧Vaはゲート電圧
Vgよりも低く、スイツチPUTはオフである。温
度が上昇すると、両サーミスタTH1，TH2の抵
抗値が減少するが、温度上昇率が低いと両サーミ
スタTH1，TH2の抵抗比は一定に保たれるので、 Va＜Vg の条件は変わらず、スイツチPUTはオフを保つ。
しかし、温度上昇率が高いと、熱応答時定数の小
さい方のサーミスタTH1は、温度上昇に対する
抵抗値変化の追従が早く、抵抗値を速く低下させ
る。ところが、熱応答時定数の大きい方のサーミ
スタTH2は、温度上昇に対する抵抗値変化の追
従が遅く、抵抗値の低下が遅れる。したがつて、
抵抗R1およびサーミスタTH1の接続点の電位Vg
が抵抗R2およびサーミスタTH2の接続点の電位
Vaよりも速く低下する。この結果、 Va＞Vg となつてスイツチPUTがオンとなる。これによ
り、トランジスタTr1がオンとなり、サイリスタ
SCRをオンにする。
スイツチPUTのアノード電圧Vaはゲート電圧
Vgよりも低く、スイツチPUTはオフである。温
度が上昇すると、両サーミスタTH1，TH2の抵
抗値が減少するが、温度上昇率が低いと両サーミ
スタTH1，TH2の抵抗比は一定に保たれるので、 Va＜Vg の条件は変わらず、スイツチPUTはオフを保つ。
しかし、温度上昇率が高いと、熱応答時定数の小
さい方のサーミスタTH1は、温度上昇に対する
抵抗値変化の追従が早く、抵抗値を速く低下させ
る。ところが、熱応答時定数の大きい方のサーミ
スタTH2は、温度上昇に対する抵抗値変化の追
従が遅く、抵抗値の低下が遅れる。したがつて、
抵抗R1およびサーミスタTH1の接続点の電位Vg
が抵抗R2およびサーミスタTH2の接続点の電位
Vaよりも速く低下する。この結果、 Va＞Vg となつてスイツチPUTがオンとなる。これによ
り、トランジスタTr1がオンとなり、サイリスタ
SCRをオンにする。
しかしながら、両サーミスタTH1，TH2の抵
抗値、熱応答時定数、サーミスタ定数(B)などの誤
差、ばらつきを考慮に入れて調整しなければなら
ず、その調整が困難であつた。また、サーミスタ
TH2の熱応答時定数は、電気的な時定数と違つ
て最適なものが得にくいという難点があつた。以
上のために温度上昇率の検出精度が低いものとな
つていた。
抗値、熱応答時定数、サーミスタ定数(B)などの誤
差、ばらつきを考慮に入れて調整しなければなら
ず、その調整が困難であつた。また、サーミスタ
TH2の熱応答時定数は、電気的な時定数と違つ
て最適なものが得にくいという難点があつた。以
上のために温度上昇率の検出精度が低いものとな
つていた。
その上、温度上昇率が一定値を超えたときの一
度限りの検出しかできず、これがいきなり非常事
態の警報になるといつた具合に、きめの細かさに
欠ける不都合があつた。
度限りの検出しかできず、これがいきなり非常事
態の警報になるといつた具合に、きめの細かさに
欠ける不都合があつた。
この考案の目的は、調整が容易で、温度上昇率
の検出精度が高く、その上、警報とは別に警報前
に予報を出すことが可能なきめ細かな検出が行え
る温度検出装置を提供することである。
の検出精度が高く、その上、警報とは別に警報前
に予報を出すことが可能なきめ細かな検出が行え
る温度検出装置を提供することである。
この考案の温度検出装置は、定電圧回路の出力
端に接続したサーミスタと抵抗とからなる第１の
直列回路と、この第１の直列回路に並列接続した
抵抗とコンデンサとからなり前記サーミスタの熱
応答時定数よりも充電時定数の大きな第２の直列
回路と、前記第１の直列回路におけるサーミスタ
と抵抗との接続点にベースを接続し前記第２の直
列回路における抵抗とコンデンサとの接続点をエ
ミツタ側としコレクタ側に第１の放電用抵抗を介
して前記第２の直列回路におけるコンデンサに並
列接続し通常はオンで温度上昇とともにオフとな
る第１のトランジスタと、前記第１の直列回路に
おけるサーミスタと抵抗との接続点にアノードを
接続し前記第２の直列回路における抵抗とコンデ
ンサとの接続点にゲートを接続した第１の制御用
スイツチ素子と、この第１の制御用スイツチ素子
の動作に基づいて動作する第１の検出用スイツチ
素子と、前記第１の直列回路に並列接続した抵抗
とコンデンサとからなり前記第２の直列回路の充
電時定数よりも充電時定数の大きな第３の直列回
路と、前記第１の直列回路におけるサーミスタと
抵抗との接続点にベースを接続し前記第３の直列
回路における抵抗とコンデンサとの接続点をエミ
ツタ側としコレクタ側に第２の放電用抵抗を介し
て前記第３の直列回路におけるコンデンサに並列
接続し通常はオンで温度上昇とともにオフとなる
第２のトランジスタと、前記第１の直列回路にお
けるサーミスタと抵抗との接続点にアノードを接
続し前記第３の直列回路における抵抗とコンデン
サとの接続点にゲートを接続した第２の制御用ス
イツチ素子と、この第２の制御用スイツチ素子の
動作に基づいて動作する検出用スイツチ素子とを
備えた構成にしている。
端に接続したサーミスタと抵抗とからなる第１の
直列回路と、この第１の直列回路に並列接続した
抵抗とコンデンサとからなり前記サーミスタの熱
応答時定数よりも充電時定数の大きな第２の直列
回路と、前記第１の直列回路におけるサーミスタ
と抵抗との接続点にベースを接続し前記第２の直
列回路における抵抗とコンデンサとの接続点をエ
ミツタ側としコレクタ側に第１の放電用抵抗を介
して前記第２の直列回路におけるコンデンサに並
列接続し通常はオンで温度上昇とともにオフとな
る第１のトランジスタと、前記第１の直列回路に
おけるサーミスタと抵抗との接続点にアノードを
接続し前記第２の直列回路における抵抗とコンデ
ンサとの接続点にゲートを接続した第１の制御用
スイツチ素子と、この第１の制御用スイツチ素子
の動作に基づいて動作する第１の検出用スイツチ
素子と、前記第１の直列回路に並列接続した抵抗
とコンデンサとからなり前記第２の直列回路の充
電時定数よりも充電時定数の大きな第３の直列回
路と、前記第１の直列回路におけるサーミスタと
抵抗との接続点にベースを接続し前記第３の直列
回路における抵抗とコンデンサとの接続点をエミ
ツタ側としコレクタ側に第２の放電用抵抗を介し
て前記第３の直列回路におけるコンデンサに並列
接続し通常はオンで温度上昇とともにオフとなる
第２のトランジスタと、前記第１の直列回路にお
けるサーミスタと抵抗との接続点にアノードを接
続し前記第３の直列回路における抵抗とコンデン
サとの接続点にゲートを接続した第２の制御用ス
イツチ素子と、この第２の制御用スイツチ素子の
動作に基づいて動作する検出用スイツチ素子とを
備えた構成にしている。
この温度検出装置では、サーミスタを１個減ら
し、その代わりに抵抗とコンデンサとによる２個
の時定数回路（第２および第３の直列回路）を設
け、コンデンサが抵抗を通して充電されることに
よる第２および第３の直列回路における抵抗およ
びコンデンサの接続点の電圧の上昇速度よりも、
温度上昇に伴うサーミスタの抵抗値の減少による
サーミスタおよび抵抗の接続点の電圧の上昇速度
の方が速くなるように、第１の直列回路のサーミ
スタの熱応答時定数よりも第２および第３の直列
回路における抵抗およびコンデンサの充電時定数
の方を大きく設定している。さらに、第３の直列
回路における抵抗およびコンデンサの接続点の電
圧の上昇速度よりも第２の直列回路における抵抗
およびコンデンサの接続点の電圧の上昇速度の方
が速くなるように、第２の直列回路における抵抗
およびコンデンサの充電時定数よりも、第３の直
列回路における抵抗およびコンデンサの充電時定
数の方を大きく設定している。
し、その代わりに抵抗とコンデンサとによる２個
の時定数回路（第２および第３の直列回路）を設
け、コンデンサが抵抗を通して充電されることに
よる第２および第３の直列回路における抵抗およ
びコンデンサの接続点の電圧の上昇速度よりも、
温度上昇に伴うサーミスタの抵抗値の減少による
サーミスタおよび抵抗の接続点の電圧の上昇速度
の方が速くなるように、第１の直列回路のサーミ
スタの熱応答時定数よりも第２および第３の直列
回路における抵抗およびコンデンサの充電時定数
の方を大きく設定している。さらに、第３の直列
回路における抵抗およびコンデンサの接続点の電
圧の上昇速度よりも第２の直列回路における抵抗
およびコンデンサの接続点の電圧の上昇速度の方
が速くなるように、第２の直列回路における抵抗
およびコンデンサの充電時定数よりも、第３の直
列回路における抵抗およびコンデンサの充電時定
数の方を大きく設定している。
そして、温度が安定している状態においては、
第１および第２のトランジスタのスイツチング作
用によつて第１の直列回路のサーミスタおよび抵
抗の接続点の電圧よりも第２および第３の直列回
路の抵抗およびコンデンサの接続点の電圧が第１
および第２のトランジスタのベース・エミツタ間
電圧だけ高い状態で安定する。
第１および第２のトランジスタのスイツチング作
用によつて第１の直列回路のサーミスタおよび抵
抗の接続点の電圧よりも第２および第３の直列回
路の抵抗およびコンデンサの接続点の電圧が第１
および第２のトランジスタのベース・エミツタ間
電圧だけ高い状態で安定する。
温度が上昇すると、第１の直列回路のサーミス
タの抵抗値が減少し、第１の直列回路のサーミス
タおよび抵抗の接続点の電圧が上昇する。この結
果、この第１の直列回路のサーミスタおよび抵抗
の接続点の電圧の上昇でもつて第１および第２の
トランジスタに逆バイアスが加わつて第１および
第２のトランジスタが遮断し、第２および第３の
直列回路においてそれぞれ抵抗を通してコンデン
サが充電されることで、第２および第３の直列回
路の抵抗およびコンデンサの接続点の電圧がそれ
ぞれ上昇し、その電圧値が第１の直列回路のサー
ミスタおよび抵抗の接続点の電圧よりも第１およ
び第２のトランジスタのベース・エミツタ間電圧
だけ高い状態で安定する。
タの抵抗値が減少し、第１の直列回路のサーミス
タおよび抵抗の接続点の電圧が上昇する。この結
果、この第１の直列回路のサーミスタおよび抵抗
の接続点の電圧の上昇でもつて第１および第２の
トランジスタに逆バイアスが加わつて第１および
第２のトランジスタが遮断し、第２および第３の
直列回路においてそれぞれ抵抗を通してコンデン
サが充電されることで、第２および第３の直列回
路の抵抗およびコンデンサの接続点の電圧がそれ
ぞれ上昇し、その電圧値が第１の直列回路のサー
ミスタおよび抵抗の接続点の電圧よりも第１およ
び第２のトランジスタのベース・エミツタ間電圧
だけ高い状態で安定する。
温度の上昇率が小さいと、第１の直列回路のサ
ーミスタおよび抵抗の接続点の電圧の上昇にほぼ
追従して第２および第３の直列回路の抵抗および
コンデンサの接続点の電圧がそれぞれ上昇し、第
１の直列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点の
電圧が第２および第３の直列回路の抵抗およびコ
ンデンサの接続点の電圧より高くならない。
ーミスタおよび抵抗の接続点の電圧の上昇にほぼ
追従して第２および第３の直列回路の抵抗および
コンデンサの接続点の電圧がそれぞれ上昇し、第
１の直列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点の
電圧が第２および第３の直列回路の抵抗およびコ
ンデンサの接続点の電圧より高くならない。
ところが、温度の上昇率が大きくなると、第１
の直列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点の電
圧の上昇に第２の直列回路の抵抗およびコンデン
サの接続点の電圧は略追従して上昇するが、第３
の直列回路の抵抗およびコンデンサの接続点の電
圧はもはや追従できなくなり、第１の直列回路の
サーミスタおよび抵抗の接続点の電圧が第３の直
列回路の抵抗およびコンデンサの接続点の電圧を
超えることになり、第２の制御用スイツチ素子が
導通し、したがつて第２の検出用スイツチ素子が
導通することになり、予報が発せられる。
の直列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点の電
圧の上昇に第２の直列回路の抵抗およびコンデン
サの接続点の電圧は略追従して上昇するが、第３
の直列回路の抵抗およびコンデンサの接続点の電
圧はもはや追従できなくなり、第１の直列回路の
サーミスタおよび抵抗の接続点の電圧が第３の直
列回路の抵抗およびコンデンサの接続点の電圧を
超えることになり、第２の制御用スイツチ素子が
導通し、したがつて第２の検出用スイツチ素子が
導通することになり、予報が発せられる。
温度の上昇率がさらに大きくなると、第１の直
列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点の電圧の
上昇に第２の直列回路の抵抗およびコンデンサの
接続点の電圧までも、もはや追従できなくなり、
第１の直列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点
の電圧が第２の直列回路の抵抗およびコンデンサ
の接続点の電圧をも超えることになり、第１の制
御用スイツチ素子が導通し、したがつて第１の検
出用スイツチ素子が導通することになり警報が発
せられる。
列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点の電圧の
上昇に第２の直列回路の抵抗およびコンデンサの
接続点の電圧までも、もはや追従できなくなり、
第１の直列回路のサーミスタおよび抵抗の接続点
の電圧が第２の直列回路の抵抗およびコンデンサ
の接続点の電圧をも超えることになり、第１の制
御用スイツチ素子が導通し、したがつて第１の検
出用スイツチ素子が導通することになり警報が発
せられる。
この考案の一実施例を第２図に基づいて説明す
る。Ｅは定電圧回路、S1は定電圧回路Ｅの出力端
に接続したサーミスタTHと抵抗R5とからなる第
１の直列回路、S2は第１の直列回路S1に並列接続
した抵抗R6とコンデンサC2とからなる第２の直
列回路、S3は第１の直列回路S1に並列接続した抵
抗R6′とコンデンサC2′とからなる第３の直列回路
である。抵抗R6，R6′はそれぞれ可変抵抗であ
る。
る。Ｅは定電圧回路、S1は定電圧回路Ｅの出力端
に接続したサーミスタTHと抵抗R5とからなる第
１の直列回路、S2は第１の直列回路S1に並列接続
した抵抗R6とコンデンサC2とからなる第２の直
列回路、S3は第１の直列回路S1に並列接続した抵
抗R6′とコンデンサC2′とからなる第３の直列回路
である。抵抗R6，R6′はそれぞれ可変抵抗であ
る。
第２の直列回路S2は、コンデンサC2が抵抗R6
を通して充電されることによる抵抗R6およびコ
ンデンサC2の接続点の電圧VGの上昇速度よりも、
温度上昇に伴うサーミスタTHの抵抗値の減少に
よるサーミスタTHおよび抵抗R5の接続点の電圧
VAの上昇速度の方が速くなるように、第１の直
列回路S1のサーミスタTHの温度変化に伴う抵抗
値変化の熱応答の遅れを示す熱応答時定数よりも
第２の直列回路S2における抵抗R6およびコンデ
ンサC2の充電時定数の方を大きく設定している。
を通して充電されることによる抵抗R6およびコ
ンデンサC2の接続点の電圧VGの上昇速度よりも、
温度上昇に伴うサーミスタTHの抵抗値の減少に
よるサーミスタTHおよび抵抗R5の接続点の電圧
VAの上昇速度の方が速くなるように、第１の直
列回路S1のサーミスタTHの温度変化に伴う抵抗
値変化の熱応答の遅れを示す熱応答時定数よりも
第２の直列回路S2における抵抗R6およびコンデ
ンサC2の充電時定数の方を大きく設定している。
また、第３の直列回路S3は、コンデンサC2′が
抵抗R6′を通して充電されることによる抵抗R6′お
よびコンデンサC2′の接続点の電圧VG′の上昇速
度よりも、コンデンサC2が抵抗R6を通して充電
されることによる抵抗R6およびコンデンサC2の
接続点の電圧VGの上昇速度の方が速くなるよう
に、第２の直列回路S2の抵抗R6およびコンデン
サC2の充電時定数よりも第３の直列回路S3にお
ける抵抗R6′およびコンデンサC2′の充電時定数の
方を大きく設定している。
抵抗R6′を通して充電されることによる抵抗R6′お
よびコンデンサC2′の接続点の電圧VG′の上昇速
度よりも、コンデンサC2が抵抗R6を通して充電
されることによる抵抗R6およびコンデンサC2の
接続点の電圧VGの上昇速度の方が速くなるよう
に、第２の直列回路S2の抵抗R6およびコンデン
サC2の充電時定数よりも第３の直列回路S3にお
ける抵抗R6′およびコンデンサC2′の充電時定数の
方を大きく設定している。
この場合、サーミスタTHは、従来例のサーミ
スタTH1と同様に、数十秒間程度以内に急激に
温度上昇をするのを検出することから、その抵抗
値変化の熱応答時定数は十分に小さく設定してあ
る。また、第２の直列回路S2の抵抗R6およびコ
ンデンサC2は、従来例のサーミスタTH2に代わ
るものであり、その充電時定数は、数十秒程度で
は抵抗R6およびコンデンサC2の接続点の電圧を
変化せず、数分程度の時間の経過に伴つて抵抗
R6およびコンデンサC2の接続点の電圧を緩やか
に変化させるように、充電時定数を大きく設定し
ている。さらに、第３の直列回路S3の抵抗R6′お
よびコンデンサC2′は、従来例のサーミスタTH2
に代わるものであり、その充電時定数は、数十秒
程度では抵抗R6およびコンデンサC2の接続点の
電圧を変化せず、十分程度以上の時間の経過に伴
つて抵抗R6′およびコンデンサC2′の接続点の電圧
を緩やかに変化させるように、充電時定数を第２
の直列回路S2の充電時定数よりもさらに大きく設
定している。
スタTH1と同様に、数十秒間程度以内に急激に
温度上昇をするのを検出することから、その抵抗
値変化の熱応答時定数は十分に小さく設定してあ
る。また、第２の直列回路S2の抵抗R6およびコ
ンデンサC2は、従来例のサーミスタTH2に代わ
るものであり、その充電時定数は、数十秒程度で
は抵抗R6およびコンデンサC2の接続点の電圧を
変化せず、数分程度の時間の経過に伴つて抵抗
R6およびコンデンサC2の接続点の電圧を緩やか
に変化させるように、充電時定数を大きく設定し
ている。さらに、第３の直列回路S3の抵抗R6′お
よびコンデンサC2′は、従来例のサーミスタTH2
に代わるものであり、その充電時定数は、数十秒
程度では抵抗R6およびコンデンサC2の接続点の
電圧を変化せず、十分程度以上の時間の経過に伴
つて抵抗R6′およびコンデンサC2′の接続点の電圧
を緩やかに変化させるように、充電時定数を第２
の直列回路S2の充電時定数よりもさらに大きく設
定している。
第１および第２の各制御用スイツチ素子として
のスイツチPUT1，PUT2は、開放電圧比を調整
可能なユニジヤンクシヨントランジスタUJTに
相当するシリコンユニラテラルスイツチ（SUS）
で、そのアノードはサーミスタTHと抵抗R5との
接続点Ａに、そのゲートは抵抗R6，R6′とコンデ
ンサC2，C2′と接続点Ｇ，G′に、そのカソードは
トランジスタTr1，Tr1′のベースにそれぞれ接続
されている。
のスイツチPUT1，PUT2は、開放電圧比を調整
可能なユニジヤンクシヨントランジスタUJTに
相当するシリコンユニラテラルスイツチ（SUS）
で、そのアノードはサーミスタTHと抵抗R5との
接続点Ａに、そのゲートは抵抗R6，R6′とコンデ
ンサC2，C2′と接続点Ｇ，G′に、そのカソードは
トランジスタTr1，Tr1′のベースにそれぞれ接続
されている。
Tr2，Tr2′はPNP型のトランジスタで、そのエ
ミツタはコンデンサC2，C2′の正端子に、コレク
タは抵抗R7，R7′を介してコンデンサC2，C2′の負
端子に、ベースは接続点Ａにそれぞれ接続されて
いる。コンデンサC2，C2′、抵抗R5、定電圧回路
Ｅの負端子は受信機への負の出力端子Ｃに接続さ
れ、サーミスタTH、抵抗R6，R6′の正端子は定
電圧回路Ｅの正端子に接続されている。
ミツタはコンデンサC2，C2′の正端子に、コレク
タは抵抗R7，R7′を介してコンデンサC2，C2′の負
端子に、ベースは接続点Ａにそれぞれ接続されて
いる。コンデンサC2，C2′、抵抗R5、定電圧回路
Ｅの負端子は受信機への負の出力端子Ｃに接続さ
れ、サーミスタTH、抵抗R6，R6′の正端子は定
電圧回路Ｅの正端子に接続されている。
トランジスタTr1，Tr1′のコレクタは抵抗R3，
R3′を介して定電圧回路Ｅの正端子に、またエミ
ツタは第１および第２の検出用スイツチ素子とし
てのサイリスタSCR1，SCR2のゲートにそれぞれ
接続されるとともに、抵抗R4，R4′を介して負の
出力端子Ｃに接続されている。サイリスタSCR1，
SCR2のアノードは、受信機への正の出力端子L1，
L2に、カソードは負の出力端子Ｃに接続されて
いる。
R3′を介して定電圧回路Ｅの正端子に、またエミ
ツタは第１および第２の検出用スイツチ素子とし
てのサイリスタSCR1，SCR2のゲートにそれぞれ
接続されるとともに、抵抗R4，R4′を介して負の
出力端子Ｃに接続されている。サイリスタSCR1，
SCR2のアノードは、受信機への正の出力端子L1，
L2に、カソードは負の出力端子Ｃに接続されて
いる。
Tr3，Tr3′はPNP型のトランジスタで、そのエ
ミツタは抵抗R6，R6′の正端子に、そのコレクタ
は接続点Ｇ，G′に接続されている。抵抗R8，
R8′とコンデンサC3，C3′との直列回路は、抵抗
R8，R8′を正側とする状態で定電圧回路Ｅの端子
間に接続され、抵抗R8，R8′とコンデンサC3，
C3′との接続点Ｆ，F′がトランジスタTr3，Tr3′の
ベースに接続されている。また、トランジスタ
Tr3，Tr3′のベース・エミツタ間には逆バイアス
のダイオードＤ，D′が介挿されている。
ミツタは抵抗R6，R6′の正端子に、そのコレクタ
は接続点Ｇ，G′に接続されている。抵抗R8，
R8′とコンデンサC3，C3′との直列回路は、抵抗
R8，R8′を正側とする状態で定電圧回路Ｅの端子
間に接続され、抵抗R8，R8′とコンデンサC3，
C3′との接続点Ｆ，F′がトランジスタTr3，Tr3′の
ベースに接続されている。また、トランジスタ
Tr3，Tr3′のベース・エミツタ間には逆バイアス
のダイオードＤ，D′が介挿されている。
つぎに、動作を説明する。
サーミスタTHと抵抗R5とにより端子間電圧Ｖ
を分圧してスイツチPUT1，PUT2のアノードに
電圧VAを印加している。コンデンサC2，C2′は抵
抗R6，R6′を介して充電され、接続点Ｇ，G′は電
圧VG，VG′となつている。トランジスタTr2，
Tr2′は定常時は導通しており、そのベース・エミ
ツタ間電圧をVBE，VBE′とすると、 VG＝VA＋VBE VG′＝VA＋VBE′ であり、 VG＞VA VG′＞VA となつているので、スイツチPUT1，PUT2はオ
フの状態になる。
を分圧してスイツチPUT1，PUT2のアノードに
電圧VAを印加している。コンデンサC2，C2′は抵
抗R6，R6′を介して充電され、接続点Ｇ，G′は電
圧VG，VG′となつている。トランジスタTr2，
Tr2′は定常時は導通しており、そのベース・エミ
ツタ間電圧をVBE，VBE′とすると、 VG＝VA＋VBE VG′＝VA＋VBE′ であり、 VG＞VA VG′＞VA となつているので、スイツチPUT1，PUT2はオ
フの状態になる。
温度が上昇すると、サーミスタTHの抵抗値が
低下するが、温度上昇が緩やかなときは、抵抗値
減少も緩やかである。この抵抗値減少により電圧
VAが上昇し、トランジスタTr2，Tr2′のベース・
エミツタ間が逆バイアスされてトランジスタ
Tr2，Tr2′がオフとなる。この結果、コンデンサ
C2，C2′はさらに充電され、電圧VG，VG′が上昇
する。そして、 VG＝VA＋VBE VG′＝VA＋VBE′ の条件は保たれ、 VG＞VA VG′＞VA であるため、スイツチPUT1，PUT2はオフ状態
を維持する。
低下するが、温度上昇が緩やかなときは、抵抗値
減少も緩やかである。この抵抗値減少により電圧
VAが上昇し、トランジスタTr2，Tr2′のベース・
エミツタ間が逆バイアスされてトランジスタ
Tr2，Tr2′がオフとなる。この結果、コンデンサ
C2，C2′はさらに充電され、電圧VG，VG′が上昇
する。そして、 VG＝VA＋VBE VG′＝VA＋VBE′ の条件は保たれ、 VG＞VA VG′＞VA であるため、スイツチPUT1，PUT2はオフ状態
を維持する。
しかし、温度上昇が急速に行われ、サーミスタ
THの抵抗値が急速に減少し、第１の直列回路S1
のサーミスタTHおよび抵抗R5の接続点の電圧
VAが急激に上昇し、この電圧の上昇に対し第３
の直列回路S3におけるコンデンサC2′の充電が追
いつかず、抵抗R6′およびコンデンサC2′の接続点
の電圧VG′の上昇が遅れる場合には、スイツチ
PUT2がオンとなる。すなわち、電圧VAの上昇率
が高いのに対し、電圧VG′の上昇率が低いために VA＞VG′ となつてスイツチPUT2がオンとなる。これによ
りトランジスタTr1′がオンとなり、サイリスタ
SCR2のゲートに電圧が印加され、サイリスタ
SCR2がオンとなる。これが出力端子L2，Ｃを介
して受信機に検出され、温度上昇が第１レベルを
超えて急速に行われたことが検知される（予報）。
なお、この場合、 VG＞VA＞VG′ であるため、スイツチPUT1はオフのままであ
る。
THの抵抗値が急速に減少し、第１の直列回路S1
のサーミスタTHおよび抵抗R5の接続点の電圧
VAが急激に上昇し、この電圧の上昇に対し第３
の直列回路S3におけるコンデンサC2′の充電が追
いつかず、抵抗R6′およびコンデンサC2′の接続点
の電圧VG′の上昇が遅れる場合には、スイツチ
PUT2がオンとなる。すなわち、電圧VAの上昇率
が高いのに対し、電圧VG′の上昇率が低いために VA＞VG′ となつてスイツチPUT2がオンとなる。これによ
りトランジスタTr1′がオンとなり、サイリスタ
SCR2のゲートに電圧が印加され、サイリスタ
SCR2がオンとなる。これが出力端子L2，Ｃを介
して受信機に検出され、温度上昇が第１レベルを
超えて急速に行われたことが検知される（予報）。
なお、この場合、 VG＞VA＞VG′ であるため、スイツチPUT1はオフのままであ
る。
温度上昇がさらに急激になると、サーミスタ
THの抵抗値がさらに急激に減少し、第１の直列
回路S1のサーミスタTHおよび抵抗R5の接続点の
電圧VAがさらに急激に上昇し、この電圧の上昇
に対し第２の直列回路S2におけるコンデンサC2
の充電も追いつかなくなり、抵抗R6およびコン
デンサC2の接続点の電圧VGの上昇が遅れ、スイ
ツチPUT1もオンとなる。すなわち、 VA＞VG となるためである。これによりトランジスタTr1
がオンとなり、サイリスタSCR1がオンとなる。
これが出力端子L1，Ｃを介して受信機に検出さ
れ、温度上昇が第２レベルを超えて急激に行われ
たことが検知される（警報）。
THの抵抗値がさらに急激に減少し、第１の直列
回路S1のサーミスタTHおよび抵抗R5の接続点の
電圧VAがさらに急激に上昇し、この電圧の上昇
に対し第２の直列回路S2におけるコンデンサC2
の充電も追いつかなくなり、抵抗R6およびコン
デンサC2の接続点の電圧VGの上昇が遅れ、スイ
ツチPUT1もオンとなる。すなわち、 VA＞VG となるためである。これによりトランジスタTr1
がオンとなり、サイリスタSCR1がオンとなる。
これが出力端子L1，Ｃを介して受信機に検出さ
れ、温度上昇が第２レベルを超えて急激に行われ
たことが検知される（警報）。
VG′＞VA
VG＞VA
から
VA＞VG′
VA＞VG
に変化する時点は、同一温度変化率に対して、第
３および第２の直列回路S3，S2における抵抗R6′，
R6とコンデンサC2′，C2とによる充電時定数によ
つて決定される。この充電時定数の調整はサーミ
スタTHの熱応答時定数の調整より遥かに容易で
ある。このことは、抵抗R6，R6′を固定抵抗とす
る場合でも同様に当てはまる。この実施例では、
抵抗R6，R6′を可変抵抗としているので、その調
整が一層容易であるばかりでなく、充電時定数の
設定が任意にできるので、一種、二種といつた具
合に感度調整も自由に行えるという利点がある。
３および第２の直列回路S3，S2における抵抗R6′，
R6とコンデンサC2′，C2とによる充電時定数によ
つて決定される。この充電時定数の調整はサーミ
スタTHの熱応答時定数の調整より遥かに容易で
ある。このことは、抵抗R6，R6′を固定抵抗とす
る場合でも同様に当てはまる。この実施例では、
抵抗R6，R6′を可変抵抗としているので、その調
整が一層容易であるばかりでなく、充電時定数の
設定が任意にできるので、一種、二種といつた具
合に感度調整も自由に行えるという利点がある。
トランジスタTr3，Tr3′、抵抗R8，R8′、コン
デンサC3，C3′の回路は、電源投入時のコンデン
サC2，C2′の急速充電回路であり、電源投入時に、 VA＞VG VA＞VG′ となるのを防止するものである。ダイオードＤ，
D′は復帰時のコンデンサC2，C2′の放電用のもの
で、前記急速充電回路の復帰の際に役目を果た
す。
デンサC3，C3′の回路は、電源投入時のコンデン
サC2，C2′の急速充電回路であり、電源投入時に、 VA＞VG VA＞VG′ となるのを防止するものである。ダイオードＤ，
D′は復帰時のコンデンサC2，C2′の放電用のもの
で、前記急速充電回路の復帰の際に役目を果た
す。
この考案の温度検出装置によれば、つぎの効果
がある。
がある。
(a) 従来例に比べて、サーミスタを１個減らし、
その代わりに、第２および第３の直列回路を設
け、サーミスタ低抗値変化が第２の直列回路の
コンデンサ充電速度よりも大きく、かつ第３の
直列回路のコンデンサ充電速度よりも大きい場
合に、第１の制御用スイツチ素子を動作し、第
２の検出用スイツチ素子を動作して予報を発す
るように構成してあるとともに、サーミスタ抵
抗値変化が第２の直列回路のコンデンサ充電速
度よりも大きい場合に、第１の制御用スイツチ
素子を動作し、第１の検出用スイツチ素子を動
作して警報を発するように構成してあるため、
所定の温度上昇率の検出を行えるのはもちろん
であるが、ことに、各々抵抗とコンデンサから
なる第２および第３の直列回路の充電時定数の
調整をサーミスタの熱応答時定数の調整よりも
遥かに容易に行うことができるという利点があ
る。
その代わりに、第２および第３の直列回路を設
け、サーミスタ低抗値変化が第２の直列回路の
コンデンサ充電速度よりも大きく、かつ第３の
直列回路のコンデンサ充電速度よりも大きい場
合に、第１の制御用スイツチ素子を動作し、第
２の検出用スイツチ素子を動作して予報を発す
るように構成してあるとともに、サーミスタ抵
抗値変化が第２の直列回路のコンデンサ充電速
度よりも大きい場合に、第１の制御用スイツチ
素子を動作し、第１の検出用スイツチ素子を動
作して警報を発するように構成してあるため、
所定の温度上昇率の検出を行えるのはもちろん
であるが、ことに、各々抵抗とコンデンサから
なる第２および第３の直列回路の充電時定数の
調整をサーミスタの熱応答時定数の調整よりも
遥かに容易に行うことができるという利点があ
る。
(b) また、上記のように、充電時定数の調整を容
易に行うことができ、したがつて、正確に行う
ことができるため、温度上昇率の検出精度も２
個のサーミスタの熱応答時定数を調整していた
従来例に比べて向上させることができる。
易に行うことができ、したがつて、正確に行う
ことができるため、温度上昇率の検出精度も２
個のサーミスタの熱応答時定数を調整していた
従来例に比べて向上させることができる。
(c) とりわけ、前記のように、予報と警報といつ
た二段構えの検出を行うため、きめの細かな温
度上昇率の検出を行うことができ、この点にこ
の考案の大きな特徴がある。
た二段構えの検出を行うため、きめの細かな温
度上昇率の検出を行うことができ、この点にこ
の考案の大きな特徴がある。
第１図は従来例の電気回路図、第２図はこの考
案の一実施例の電気回路図である。 Ｅ……定電圧回路、TH……サーミスタ、R5…
…抵抗、S1……第１の直列回路、R6，R6′……抵
抗（可変抵抗）、C2，C2′……コンデンサ、S2……
第２の直列回路、S3……第３の直列回路、Ａ，
Ｇ，G′……接続点、PUT1……第１のスイツチ
（第１の制御用スイツチ素子）、PUT2……第２の
スイツチ（第２の制御用スイツチ素子）、SCR1…
…第１のサイリスタ（第１の検出用スイツチ素
子）SCR2……第２のサイリスタ（第２の検出用
スイツチ素子）。
案の一実施例の電気回路図である。 Ｅ……定電圧回路、TH……サーミスタ、R5…
…抵抗、S1……第１の直列回路、R6，R6′……抵
抗（可変抵抗）、C2，C2′……コンデンサ、S2……
第２の直列回路、S3……第３の直列回路、Ａ，
Ｇ，G′……接続点、PUT1……第１のスイツチ
（第１の制御用スイツチ素子）、PUT2……第２の
スイツチ（第２の制御用スイツチ素子）、SCR1…
…第１のサイリスタ（第１の検出用スイツチ素
子）SCR2……第２のサイリスタ（第２の検出用
スイツチ素子）。
Claims (1)
- 定電圧回路の出力端に接続したサーミスタと抵
抗とからなる第１の直列回路と、この第１の直列
回路に並列接続した抵抗とコンデンサとからなり
前記サーミスタの熱応答時定数よりも充電時定数
の大きな第２の直列回路と、前記第１の直列回路
におけるサーミスタと抵抗との接続点にベースを
接続し前記第２の直列回路における抵抗とコンデ
ンサとの接続点をエミツタ側としコレクタ側に第
１の放電用抵抗を介して前記第２の直列回路にお
けるコンデンサに並列接続し通常はオンで温度上
昇とともにオフとなる第１のトランジスタと、前
記第１の直列回路におけるサーミスタと抵抗との
接続点にアノードを接続し前記第２の直列回路に
おける抵抗とコンデンサとの接続点にゲートを接
続した第１の制御用スイツチ素子と、この第１の
制御用スイツチ素子の動作に基づいて動作する第
１の検出用スイツチ素子と、前記第１の直列回路
に並列接続した抵抗とコンデンサとからなり前記
第２の直列回路の充電時定数よりも充電時定数の
大きな第３の直列回路と、前記第１の直列回路に
おけるサーミスタと抵抗との接続点にベースを接
続し前記第３の直列回路における抵抗とコンデン
サとの接続点をエミツタ側としコレクタ側に第２
の放電用抵抗を介して前記第３の直列回路におけ
るコンデンサに並列接続し通常はオンで温度上昇
とともにオフとなる第２のトランジスタと、前記
第１の直列回路におけるサーミスタと抵抗との接
続点にアノードを接続し前記第３の直列回路にお
ける抵抗とコンデンサとの接続点にゲートを接続
した第２の制御用スイツチ素子と、この第２の制
御用スイツチ素子の動作に基づいて動作する検出
用スイツチ素子とを備えた温度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20401483U JPS60106137U (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 温度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20401483U JPS60106137U (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 温度検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106137U JPS60106137U (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0134102Y2 true JPH0134102Y2 (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=30766420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20401483U Granted JPS60106137U (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 温度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106137U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05159176A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-06-25 | Nikko Kyodo Co Ltd | 火災検知方法 |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP20401483U patent/JPS60106137U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05159176A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-06-25 | Nikko Kyodo Co Ltd | 火災検知方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60106137U (ja) | 1985-07-19 |
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