JPH0136372Y2 - - Google Patents
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- JPH0136372Y2 JPH0136372Y2 JP1982105075U JP10507582U JPH0136372Y2 JP H0136372 Y2 JPH0136372 Y2 JP H0136372Y2 JP 1982105075 U JP1982105075 U JP 1982105075U JP 10507582 U JP10507582 U JP 10507582U JP H0136372 Y2 JPH0136372 Y2 JP H0136372Y2
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- Japan
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- light emitting
- voltage
- light
- emitting semiconductor
- led
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は発光半導体の順方向閾値電圧を打消す
るように順方向に電源を接続して使用する波形検
出装置に関する。
るように順方向に電源を接続して使用する波形検
出装置に関する。
発光半導体を使用して、電圧又は電流を光の強
弱に変換して伝送する波形検出装置について、第
１図にその従来例を示す。第１図において交流信
号源１に対し逆並列に発光半導体２，３を配置
し、発生した光４，５を各別々の光伝導物質たと
えばライトガイド６，７に導き各々の他端に受光
体たとえば太陽電池８，９に接近させる。このよ
うな構成により発光半導体２，３を逆並列に接続
したことおよび受光体の出力側を逆並列に接続し
たことにより出力端１０，１１には光の半波の和
に等しい電圧波形を得ることができる。その動作
波形を第２図に示す。ａは入力交流信号の電圧波
形、ｂ，ｃは逆並列の発光半導体２，３におのお
の流れる電流波形、ｄ，ｅは同上による転換した
光の波形、ｆ，ｇは太陽電池８，９により転換し
た出力電圧の波形、ｈはｆとｇとの合成により得
られる出力波形である。
弱に変換して伝送する波形検出装置について、第
１図にその従来例を示す。第１図において交流信
号源１に対し逆並列に発光半導体２，３を配置
し、発生した光４，５を各別々の光伝導物質たと
えばライトガイド６，７に導き各々の他端に受光
体たとえば太陽電池８，９に接近させる。このよ
うな構成により発光半導体２，３を逆並列に接続
したことおよび受光体の出力側を逆並列に接続し
たことにより出力端１０，１１には光の半波の和
に等しい電圧波形を得ることができる。その動作
波形を第２図に示す。ａは入力交流信号の電圧波
形、ｂ，ｃは逆並列の発光半導体２，３におのお
の流れる電流波形、ｄ，ｅは同上による転換した
光の波形、ｆ，ｇは太陽電池８，９により転換し
た出力電圧の波形、ｈはｆとｇとの合成により得
られる出力波形である。
一般的に、第３図に示すように発光半導体
（LED）の電流対光出力特性は、比較的に広い範
囲にわたつて直線的関係を有することが知られて
いる。しかしながら第４図に示すように電圧対光
出力特性は、1.0〜1.5Vの閾値電圧以上でのみ動
作する不連続な特性となつている。従つて第５図
に示すように、正負の極性にまたがつて変化する
ような一般的な波形は勿論のこと、単一極性の波
形でも電圧が小さければ検出されないという問題
点を有している。
（LED）の電流対光出力特性は、比較的に広い範
囲にわたつて直線的関係を有することが知られて
いる。しかしながら第４図に示すように電圧対光
出力特性は、1.0〜1.5Vの閾値電圧以上でのみ動
作する不連続な特性となつている。従つて第５図
に示すように、正負の極性にまたがつて変化する
ような一般的な波形は勿論のこと、単一極性の波
形でも電圧が小さければ検出されないという問題
点を有している。
また、発光半導体は製品の特性にバラツキがあ
り、特に発光半導体の接合部閾値電圧による順方
向立上り特性が各製品によつて異なり、それぞれ
に対応した駆動を採らなければならないと言う難
点がある。
り、特に発光半導体の接合部閾値電圧による順方
向立上り特性が各製品によつて異なり、それぞれ
に対応した駆動を採らなければならないと言う難
点がある。
本考案の目的は、発光半導体の接合部閾値電圧
による順方向立上り特性の各製品によるバラツキ
の影響を受けないで微小交流波形の検出ができる
波形検出装置を提供することにある。
による順方向立上り特性の各製品によるバラツキ
の影響を受けないで微小交流波形の検出ができる
波形検出装置を提供することにある。
かかる目的を達成するため、本考案の波形検出
装置は、交流信号源に対し逆並列に接続された第
１、第２の発光半導体と、前記第１、第２の発光
半導体にそれぞれ順方向に接続され該発光半導体
の閾値以上の電圧を印加する電源と、該発光半導
体および前記電源の間に接続され前記電源の電圧
を前記第１、第２の発光半導体の接合部閾値電圧
に対応した電圧にそれぞれ降圧するダンパ用抵抗
器と、前記第１、第２の発光半導体から発生した
光をそれぞれ導く光伝導物質と、前記光伝導物質
にそれぞれ接近させた受光体とを備えている。
装置は、交流信号源に対し逆並列に接続された第
１、第２の発光半導体と、前記第１、第２の発光
半導体にそれぞれ順方向に接続され該発光半導体
の閾値以上の電圧を印加する電源と、該発光半導
体および前記電源の間に接続され前記電源の電圧
を前記第１、第２の発光半導体の接合部閾値電圧
に対応した電圧にそれぞれ降圧するダンパ用抵抗
器と、前記第１、第２の発光半導体から発生した
光をそれぞれ導く光伝導物質と、前記光伝導物質
にそれぞれ接近させた受光体とを備えている。
先ず、第７図に示すように、本考案の波形検出
装置は、第１、第２の発光半導体LED1，LED2が
交流信号源１に対し逆並列に接続されている。電
源BAT1，BAT2が第１、第２の発光半導体
LED1，LED2にそれぞれ順方向に接続されてい
る。
装置は、第１、第２の発光半導体LED1，LED2が
交流信号源１に対し逆並列に接続されている。電
源BAT1，BAT2が第１、第２の発光半導体
LED1，LED2にそれぞれ順方向に接続されてい
る。
また本考案の波形検出装置は、第１図に示すよ
うに、第１、第２の発光半導体から発生した光
４，５をそれぞれ導く光伝導物質例えばライトガ
イド６，７と、光伝導物質にそれぞれ接近させた
受光体例えば太陽電池８，９とを備えている。
うに、第１、第２の発光半導体から発生した光
４，５をそれぞれ導く光伝導物質例えばライトガ
イド６，７と、光伝導物質にそれぞれ接近させた
受光体例えば太陽電池８，９とを備えている。
第７図において、電源BAT1，BAT2が発光半
導体LED1，LED2の閾値以下の電圧を印加する場
合、交流信号源１から正負両方向に励振する交流
信号を抵抗R1を介して印加すると、第１の発光
半導体LED1には、順方向に閾値以下の電圧を発
生する電源BAT1により、入力信号がOVから負
方向に励振するときに電流が流れる。その結果、
第１の発光半導体LED1が発光してライトガイド
６，７と、ライトガイドにそれぞれ接近させた太
陽電池８，９により波形検出が行われる。また、
第２の発光半導体LED2には、順方向に閾値以下
の電圧を発生する電源BAT2により、入力信号が
OVから正方向に励振するときに電流が流れる。
その結果、第２の発光半導体LED2が発光してラ
イトガイド６，７と太陽電池８，９により波形検
出が行われる。このように正負両方向に励振する
交流信号の波形検出ができるが発光半導体は製品
の特性にバラツキがあり、特に発光半導体の接合
部閾値電圧による順方向立上り特性が各製品によ
つて異なり、それぞれに対応した駆動を採らなけ
ればならないと言う難点がある。
導体LED1，LED2の閾値以下の電圧を印加する場
合、交流信号源１から正負両方向に励振する交流
信号を抵抗R1を介して印加すると、第１の発光
半導体LED1には、順方向に閾値以下の電圧を発
生する電源BAT1により、入力信号がOVから負
方向に励振するときに電流が流れる。その結果、
第１の発光半導体LED1が発光してライトガイド
６，７と、ライトガイドにそれぞれ接近させた太
陽電池８，９により波形検出が行われる。また、
第２の発光半導体LED2には、順方向に閾値以下
の電圧を発生する電源BAT2により、入力信号が
OVから正方向に励振するときに電流が流れる。
その結果、第２の発光半導体LED2が発光してラ
イトガイド６，７と太陽電池８，９により波形検
出が行われる。このように正負両方向に励振する
交流信号の波形検出ができるが発光半導体は製品
の特性にバラツキがあり、特に発光半導体の接合
部閾値電圧による順方向立上り特性が各製品によ
つて異なり、それぞれに対応した駆動を採らなけ
ればならないと言う難点がある。
このため本考案の波形検出装置は、第８図に示
すように、電源BAT3は発光半導体LED3にそれ
ぞれ順方向に接続され該発光半導体の閾値以上の
電圧を印加するものである。さらに発光半導体
LED3および電源BAT3の間に接続され電源
BAT3の電圧を発光半導体の接合部閾値電圧に対
応した電圧にそれぞれ降圧するダンパ用抵抗器
R3が備えられている。
すように、電源BAT3は発光半導体LED3にそれ
ぞれ順方向に接続され該発光半導体の閾値以上の
電圧を印加するものである。さらに発光半導体
LED3および電源BAT3の間に接続され電源
BAT3の電圧を発光半導体の接合部閾値電圧に対
応した電圧にそれぞれ降圧するダンパ用抵抗器
R3が備えられている。
電源BAT3の（−）側はダンパ用抵抗器R3を介
して発光半導体LED3のカソードに接続され、発
光半導体LED3のアノードは抵抗R2の一端に接続
されている。また発光半導体LED3とダンパ用抵
抗器R3の接続点に一方が基準電位点に接続され
たコンデンサＣの他端が接続されている。このコ
ンデンサＣは雷などの衝撃電流のパイパスとして
用いられる。交流信号源１から正負両方向に励振
する交流信号は抵抗R2を介して発光半導体LED3
に印加される。交流信号が印加されると、発光半
導体LED3には、順方向に閾値以上の電圧を発生
する電源BAT3とダンパ用抵抗器R3により、入力
信号がOVから正方向に励振するときに電流が流
れる。その結果、発光半導体LED3が発光してラ
イトガイド６，７と太陽電池８，９により波形検
出が行われる。ダンパ用抵抗器R3を可変させて
発光半導体LED3の閾値以上の電圧を印加する電
源BAT3の電圧を接合部閾値電圧に対応した電圧
に降圧すれば、第５図に示す（＋）側波形は第６
図に示す（＋）側波形のように入力電圧に対する
光出力が０点より直ちに立上がるので雷などの衝
撃電流によるケーブル上の微小な交流入力電圧で
あつても光出力が得られる。
して発光半導体LED3のカソードに接続され、発
光半導体LED3のアノードは抵抗R2の一端に接続
されている。また発光半導体LED3とダンパ用抵
抗器R3の接続点に一方が基準電位点に接続され
たコンデンサＣの他端が接続されている。このコ
ンデンサＣは雷などの衝撃電流のパイパスとして
用いられる。交流信号源１から正負両方向に励振
する交流信号は抵抗R2を介して発光半導体LED3
に印加される。交流信号が印加されると、発光半
導体LED3には、順方向に閾値以上の電圧を発生
する電源BAT3とダンパ用抵抗器R3により、入力
信号がOVから正方向に励振するときに電流が流
れる。その結果、発光半導体LED3が発光してラ
イトガイド６，７と太陽電池８，９により波形検
出が行われる。ダンパ用抵抗器R3を可変させて
発光半導体LED3の閾値以上の電圧を印加する電
源BAT3の電圧を接合部閾値電圧に対応した電圧
に降圧すれば、第５図に示す（＋）側波形は第６
図に示す（＋）側波形のように入力電圧に対する
光出力が０点より直ちに立上がるので雷などの衝
撃電流によるケーブル上の微小な交流入力電圧で
あつても光出力が得られる。
交流信号について（−）側波形に対する発光半
導体を備えることにより、第５図に示す特性直線
を第６図に示す特性直線にするため第７図に示す
第１、第２の発光半導体LED1，LED2を形成す
る。第７図における抵抗R1は第８図における抵
抗R2に相当し、交流信号源１′からの交流信号は
抵抗R1を介して入力される。第１、第２の発光
半導体は交流信号源１′に対し逆並列に接続され
ているので、抵抗R1を介して入力された交流信
号は第６図に示すように（＋），（−）側波形が共
に検出できる。第１、第２の発光半導体で発光し
た光はライトガイド６，７と太陽電池８，９を介
して波形検出が行われる。このように本考案の波
形検出装置によれば、発光半導体の接合部閾値電
圧による順方向立上り特性の各製品によるバラツ
キの影響を受けないで雷などの衝撃電流によるケ
ーブル上の微小な交流波形を検出できる。
導体を備えることにより、第５図に示す特性直線
を第６図に示す特性直線にするため第７図に示す
第１、第２の発光半導体LED1，LED2を形成す
る。第７図における抵抗R1は第８図における抵
抗R2に相当し、交流信号源１′からの交流信号は
抵抗R1を介して入力される。第１、第２の発光
半導体は交流信号源１′に対し逆並列に接続され
ているので、抵抗R1を介して入力された交流信
号は第６図に示すように（＋），（−）側波形が共
に検出できる。第１、第２の発光半導体で発光し
た光はライトガイド６，７と太陽電池８，９を介
して波形検出が行われる。このように本考案の波
形検出装置によれば、発光半導体の接合部閾値電
圧による順方向立上り特性の各製品によるバラツ
キの影響を受けないで雷などの衝撃電流によるケ
ーブル上の微小な交流波形を検出できる。
なお、ダンパ用抵抗器R3を可変させて発光半
導体LED3の閾値以上の電圧を印加する電源
BAT3の電圧を発光半導体の接合部閾値電圧に対
応した電圧に降圧したので入力電圧に対する光出
力が０点より直ちに立上がることにより、発光半
導体は製品の特性のバラツキ、特に発光半導体の
接合部閾値電圧による順方向立上り特性の各製品
による相違に対し対処できる。
導体LED3の閾値以上の電圧を印加する電源
BAT3の電圧を発光半導体の接合部閾値電圧に対
応した電圧に降圧したので入力電圧に対する光出
力が０点より直ちに立上がることにより、発光半
導体は製品の特性のバラツキ、特に発光半導体の
接合部閾値電圧による順方向立上り特性の各製品
による相違に対し対処できる。
また、本考案の波形検出装置は、第１、第２の
発光半導体から発生した光４，５をそれぞれ導く
光伝導物質例えばライトガイド６，７と、光伝導
物質にそれぞれ接近させた受光体例えば太陽電池
８，９とにより波形検出を行うので、波形検出さ
れるべき雷などの衝撃電流の交流信号源１から太
陽電池８，９の波形検出部をライトガイド６，７
で絶縁することができ装置を安全にシステム構成
できる。
発光半導体から発生した光４，５をそれぞれ導く
光伝導物質例えばライトガイド６，７と、光伝導
物質にそれぞれ接近させた受光体例えば太陽電池
８，９とにより波形検出を行うので、波形検出さ
れるべき雷などの衝撃電流の交流信号源１から太
陽電池８，９の波形検出部をライトガイド６，７
で絶縁することができ装置を安全にシステム構成
できる。
以上の実施例からも明らかなように、本考案の
波形検出装置によれば、交流信号源に対し逆並列
に接続された第１、第２の発光半導体と、前記第
１、第２の発光半導体にそれぞれ順方向に接続さ
れ該発光半導体の閾値以上の電圧を印加する電源
と、該発光半導体および前記電源の間に接続され
前記電源の電圧を前記第１、第２の発光半導体の
接合部閾値電圧に対応した電圧にそれぞれ降圧す
るダンパ用抵抗器と、前記第１、第２の発光半導
体から発生した光をそれぞれ導く光伝導物質と、
前記光伝導物質にそれぞれ接近させた受光体とを
備えたことにより、発光半導体は製品の特性のバ
ラツキ、特に発光半導体の接合部閾値電圧による
順方向立上り特性の各製品による相違に対し、発
光半導体の閾値以上の電圧を印加する電源の電圧
の閾値以下の電圧に降圧することによつて調整で
き、かつ波形検出されるべき雷などの衝撃電流の
交流信号源から受光端末部をライトガイドで絶縁
することにより装置を安全にシステム構成でき、
雷の衝撃電流などによる微小な交流波形を検出が
できる。
波形検出装置によれば、交流信号源に対し逆並列
に接続された第１、第２の発光半導体と、前記第
１、第２の発光半導体にそれぞれ順方向に接続さ
れ該発光半導体の閾値以上の電圧を印加する電源
と、該発光半導体および前記電源の間に接続され
前記電源の電圧を前記第１、第２の発光半導体の
接合部閾値電圧に対応した電圧にそれぞれ降圧す
るダンパ用抵抗器と、前記第１、第２の発光半導
体から発生した光をそれぞれ導く光伝導物質と、
前記光伝導物質にそれぞれ接近させた受光体とを
備えたことにより、発光半導体は製品の特性のバ
ラツキ、特に発光半導体の接合部閾値電圧による
順方向立上り特性の各製品による相違に対し、発
光半導体の閾値以上の電圧を印加する電源の電圧
の閾値以下の電圧に降圧することによつて調整で
き、かつ波形検出されるべき雷などの衝撃電流の
交流信号源から受光端末部をライトガイドで絶縁
することにより装置を安全にシステム構成でき、
雷の衝撃電流などによる微小な交流波形を検出が
できる。
第１図は従来の波形検出装置、第２図は従来の
波形検出装置の動作波形図、第３図は発光半導体
（LED）の電流対光出力特性を示す図、第４図は
発光半導体（LED）の電圧対光出力特性を示す
図、第５図は従来の波形検出装置を用いた場合の
入力電圧対光出力特性を示す図、第６図は本考案
の波形検出装置を用いた場合の入力電圧対光出力
特性を示す図、第７図は電池電圧が発光半導体閾
値電圧より小さい場合の波形検出装置を示す図、
第８図は電池電圧が発光半導体閾値電圧より大き
い場合の波形検出装置を示す図である。 １，１′……信号源、２，３，LED1，LED2，
LED3……発光半導体（LED）、４，５……発光
した光、６，７……ライトガイド（光フアイバ）、
８，９……受光体（太陽電池）、１０，１１……
出力端、R1，R2，R3……抵抗、Ｃ……コンデン
サ、BAT1，BAT2，BAT3……電池。
波形検出装置の動作波形図、第３図は発光半導体
（LED）の電流対光出力特性を示す図、第４図は
発光半導体（LED）の電圧対光出力特性を示す
図、第５図は従来の波形検出装置を用いた場合の
入力電圧対光出力特性を示す図、第６図は本考案
の波形検出装置を用いた場合の入力電圧対光出力
特性を示す図、第７図は電池電圧が発光半導体閾
値電圧より小さい場合の波形検出装置を示す図、
第８図は電池電圧が発光半導体閾値電圧より大き
い場合の波形検出装置を示す図である。 １，１′……信号源、２，３，LED1，LED2，
LED3……発光半導体（LED）、４，５……発光
した光、６，７……ライトガイド（光フアイバ）、
８，９……受光体（太陽電池）、１０，１１……
出力端、R1，R2，R3……抵抗、Ｃ……コンデン
サ、BAT1，BAT2，BAT3……電池。
Claims (1)
- 交流信号源に対し逆並列に接続された第１、第
２の発光半導体と、前記第１、第２の発光半導体
にそれぞれ順方向に接続され該発光半導体の閾値
以上の電圧を印加する電源と、該発光半導体およ
び前記電源の間に接続され前記電源の電圧を前記
第１、第２の発光半導体の接合部閾値電圧に対応
した電圧にそれぞれ降圧するダンパ用抵抗器と、
前記第１、第２の発光半導体から発生した光をそ
れぞれ導く光伝導物質と、前記光伝導物質にそれ
ぞれ接近させた受光体とを備えたことを特徴とす
る波形検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982105075U JPS599663U (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 波形検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982105075U JPS599663U (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 波形検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599663U JPS599663U (ja) | 1984-01-21 |
| JPH0136372Y2 true JPH0136372Y2 (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=30246455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982105075U Granted JPS599663U (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 波形検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599663U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE8908187U1 (de) * | 1989-07-05 | 1989-08-31 | Peter, Herbert, 8500 Nürnberg | Miniaturisiertes Tennisspielgerät |
| JP3115220B2 (ja) * | 1996-01-29 | 2000-12-04 | 有限会社ウイングローリージャパン | 卓球台 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5531635A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-06 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Ship position retaining system |
| JPS57106247A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-02 | Hitachi Ltd | Analogue optical communication device |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP1982105075U patent/JPS599663U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS599663U (ja) | 1984-01-21 |
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