JPH0137251Y2 - - Google Patents
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- JPH0137251Y2 JPH0137251Y2 JP19777785U JP19777785U JPH0137251Y2 JP H0137251 Y2 JPH0137251 Y2 JP H0137251Y2 JP 19777785 U JP19777785 U JP 19777785U JP 19777785 U JP19777785 U JP 19777785U JP H0137251 Y2 JPH0137251 Y2 JP H0137251Y2
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- welded
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- 238000003466 welding Methods 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
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- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)
- Butt Welding And Welding Of Specific Article (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、例えば流体の圧力側定などに用いる
圧力変換器のように、圧力が加わる状態で使用さ
れる圧力容器に関し、特にその構成部材間の接合
技術に関するものである。
圧力変換器のように、圧力が加わる状態で使用さ
れる圧力容器に関し、特にその構成部材間の接合
技術に関するものである。
従来より、筒状の第1部材の外周面を覆うよう
に筒状の第2部材を配置し、これらをその一端部
で接合しようとする場合に、第7図に示したよう
に第1部材1と第2部材2とを溶接部3で溶接す
る方法が用いられる。4は溶接ビードを示す。
に筒状の第2部材を配置し、これらをその一端部
で接合しようとする場合に、第7図に示したよう
に第1部材1と第2部材2とを溶接部3で溶接す
る方法が用いられる。4は溶接ビードを示す。
ところが、第1部材が例えば圧力/電気変換部
本体を収容したセンサヘツダであり、第2部材が
このヘツダ外周面に配置されてその間に圧力導入
路を形成するようなカバーであつたりすると、こ
の圧力変換器が使用される環境によつて、第1お
よび第2部材間の間隙5に数100Kg/cm2から1000
Kg/cm2もの静圧がかかる場合がある。この圧力に
より、例えば第2部材2は図中に破線で示したよ
うに変位し、溶接部3の下端に引きはがし応力の
著しい集中が起こり、この部分から溶接部に割れ
が生じることがある。
本体を収容したセンサヘツダであり、第2部材が
このヘツダ外周面に配置されてその間に圧力導入
路を形成するようなカバーであつたりすると、こ
の圧力変換器が使用される環境によつて、第1お
よび第2部材間の間隙5に数100Kg/cm2から1000
Kg/cm2もの静圧がかかる場合がある。この圧力に
より、例えば第2部材2は図中に破線で示したよ
うに変位し、溶接部3の下端に引きはがし応力の
著しい集中が起こり、この部分から溶接部に割れ
が生じることがある。
本考案は、第1および第2部材の接合部の少な
くとも一方に凸部を設け、当該凸部の全面を溶接
するとともに、当該溶接部近傍の第1および第2
部材の少なくとも一方の端面に、上記溶接部に沿
つて溝を設けたものである。
くとも一方に凸部を設け、当該凸部の全面を溶接
するとともに、当該溶接部近傍の第1および第2
部材の少なくとも一方の端面に、上記溶接部に沿
つて溝を設けたものである。
引きはがし応力が単なる引張り応力となり応力
の集中が避けられるとともに、溝を切つたことで
接合部付近が柔構造化し変位を吸収する。
の集中が避けられるとともに、溝を切つたことで
接合部付近が柔構造化し変位を吸収する。
第2図は本考案を圧力変換器に適用した場合の
一実施例を示す断面図である。同図において、セ
ンサヘツダ11はステンレス製の円筒状部材で、
内部構造の詳細は省略したが、内部にシリコンダ
イヤフラムからなる感圧半導体素子を収容してい
る。12はその感圧半導体素子に電源電圧および
各種信号を供給したりあるいはその出力を外部に
取り出したりするためのリードピンで、それぞれ
ボンデイングワイヤを介して感圧半導体素子の各
部に接続されている。このリードピンはヘツダ1
1の底部を貫通して設けられガラスシール部11
1で気密に固定されている。
一実施例を示す断面図である。同図において、セ
ンサヘツダ11はステンレス製の円筒状部材で、
内部構造の詳細は省略したが、内部にシリコンダ
イヤフラムからなる感圧半導体素子を収容してい
る。12はその感圧半導体素子に電源電圧および
各種信号を供給したりあるいはその出力を外部に
取り出したりするためのリードピンで、それぞれ
ボンデイングワイヤを介して感圧半導体素子の各
部に接続されている。このリードピンはヘツダ1
1の底部を貫通して設けられガラスシール部11
1で気密に固定されている。
ヘツダ11は、その1端の全周にわたり、変換
器本体のボデイ13に溶接部14において溶接さ
れるとともに、他端には同じくその全周にわたつ
てカバー15が溶接部16において溶接されてい
る。カバー15は円筒状で、ヘツダ11の外周面
を覆うように配置され、他端はボデイ13に溶接
部17において溶接されている。
器本体のボデイ13に溶接部14において溶接さ
れるとともに、他端には同じくその全周にわたつ
てカバー15が溶接部16において溶接されてい
る。カバー15は円筒状で、ヘツダ11の外周面
を覆うように配置され、他端はボデイ13に溶接
部17において溶接されている。
ボデイ13は、ヘツダ11内のシリコンダイヤ
フラムの一方の主面側に第1の圧力を導く第1の
圧力導入路131を有するとともに、ヘツダ11
の外周面とカバー15の内周面との間の間隙18
およびびヘツダ11に設けた圧力導入路112を
介してシリコンダイヤフラムの他方の主面に第2
の圧力を導く第2の圧力導入路132を有してい
る。第1および第2の圧力をともに複測定系のプ
ロセスから導入する場合には差圧測定となり、一
方(通常はシリコンダイヤフラムの凹側、つまり
電気回路を形成しない側)を真空に封止するか大
気に連通させた場合にはそれらを基準圧力とした
他方の圧力の測定が行なえる。
フラムの一方の主面側に第1の圧力を導く第1の
圧力導入路131を有するとともに、ヘツダ11
の外周面とカバー15の内周面との間の間隙18
およびびヘツダ11に設けた圧力導入路112を
介してシリコンダイヤフラムの他方の主面に第2
の圧力を導く第2の圧力導入路132を有してい
る。第1および第2の圧力をともに複測定系のプ
ロセスから導入する場合には差圧測定となり、一
方(通常はシリコンダイヤフラムの凹側、つまり
電気回路を形成しない側)を真空に封止するか大
気に連通させた場合にはそれらを基準圧力とした
他方の圧力の測定が行なえる。
ここで、ヘツダ11とカバー15との溶接部1
を拡大して第1図に示す。同図から明らかなよう
に、カバー15の端部には凸部151を設け、こ
の凸部151の全面において、つまり凸部151
とヘツダ11との接触面の途中に留まることなく
その全面にわたつて、換言すれば、溶接ビード1
61が間隙18まで達するように、溶接を行なつ
ている。
を拡大して第1図に示す。同図から明らかなよう
に、カバー15の端部には凸部151を設け、こ
の凸部151の全面において、つまり凸部151
とヘツダ11との接触面の途中に留まることなく
その全面にわたつて、換言すれば、溶接ビード1
61が間隙18まで達するように、溶接を行なつ
ている。
この結果、間隙18に大きな圧力が加わり、カ
バー15を変位させようとしても、その際溶接部
16に生ずる応力は第7図の従来構造における場
合のような引きはがし応力ではなく単なる引張り
応力となり、応力の著しい集中を避けることがで
きる。
バー15を変位させようとしても、その際溶接部
16に生ずる応力は第7図の従来構造における場
合のような引きはがし応力ではなく単なる引張り
応力となり、応力の著しい集中を避けることがで
きる。
のみならず、本実施例では溶接部16の近傍の
ヘツダ11およびカバー15の端面にそれぞれ全
周にわたつて溝19および20を設けてある。こ
れにより、間隙18と溝19,20とが近接する
AおよびBの部分が柔構造体となり、カバー15
の変位そのものを吸収するように作用する。
ヘツダ11およびカバー15の端面にそれぞれ全
周にわたつて溝19および20を設けてある。こ
れにより、間隙18と溝19,20とが近接する
AおよびBの部分が柔構造体となり、カバー15
の変位そのものを吸収するように作用する。
また、この柔構造体は、変換器の使用時に印加
する静圧による変位を吸収するのみならず、溶接
部16の溶接そのものの熱によつて生ずる歪も吸
収し、ガラスシール部111の破壊を防止すると
ともにより安定な溶接構造を実現する。
する静圧による変位を吸収するのみならず、溶接
部16の溶接そのものの熱によつて生ずる歪も吸
収し、ガラスシール部111の破壊を防止すると
ともにより安定な溶接構造を実現する。
一例として、外径18mmのヘツダ11に内径18.4
mm、外径28.5mmのカバー15を溶接する場合にお
いて、カバー15に幅W=0.6mmの凸部151を
設け、電子ビーム溶接を行なつたものについて、
420Kg/cm2の静圧を繰り返し印加してリークの発
生を調べたところ、第7図の従来例では1000〜
10000回でリークが発生したのに対し、上記凸部
151の全幅にわたつて溶接を行ない、かつW1
=0.5mmの幅をおいて深さd1=1.0mmの溝19およ
びW2=0.8mmの幅をおいて深さd2=1.1mmの溝2
0を設けた本実施例では、1000000回までリーク
が発生しなかつた。
mm、外径28.5mmのカバー15を溶接する場合にお
いて、カバー15に幅W=0.6mmの凸部151を
設け、電子ビーム溶接を行なつたものについて、
420Kg/cm2の静圧を繰り返し印加してリークの発
生を調べたところ、第7図の従来例では1000〜
10000回でリークが発生したのに対し、上記凸部
151の全幅にわたつて溶接を行ない、かつW1
=0.5mmの幅をおいて深さd1=1.0mmの溝19およ
びW2=0.8mmの幅をおいて深さd2=1.1mmの溝2
0を設けた本実施例では、1000000回までリーク
が発生しなかつた。
また、ヘツダ11の端面に設けた溝19を、O
リング溝として用いることにより、次に示すよう
な利点がある。
リング溝として用いることにより、次に示すよう
な利点がある。
すなわち、従来よりセンサアセンブリを単体で
圧力印加試験する際、試験装置にセツトしたセン
サアセンブリに対し、何らかの手段で差圧および
静圧を印加して行なわなければならないが、数
100Kg/cm2から1000Kg/cm2もの静圧を印加させる
ことは必ずしも容易ではなかつた。つまり、試験
装置のボデイにOリングを介してセンサアセンブ
リをセツトし、やはりOリングを装着したカバー
で押えるが、十分な気密性および機械的強度を得
るためにはOリング用溝に隣接する部分のカバー
肉厚を大きくする必要があるし、また組み付け時
に下向きとなる上記溝からOリングが抜け落ちや
すいなどの問題点があつた。
圧力印加試験する際、試験装置にセツトしたセン
サアセンブリに対し、何らかの手段で差圧および
静圧を印加して行なわなければならないが、数
100Kg/cm2から1000Kg/cm2もの静圧を印加させる
ことは必ずしも容易ではなかつた。つまり、試験
装置のボデイにOリングを介してセンサアセンブ
リをセツトし、やはりOリングを装着したカバー
で押えるが、十分な気密性および機械的強度を得
るためにはOリング用溝に隣接する部分のカバー
肉厚を大きくする必要があるし、また組み付け時
に下向きとなる上記溝からOリングが抜け落ちや
すいなどの問題点があつた。
これに対し、本実施例のヘツダ11を用いた場
合は、第3図に示すように溝19にOリングを装
着することでこのような問題を解決することがで
きる。同図において、31は試験装置のボデイ
で、第1および第2の圧力導入路311,312
を有している。このボデイ31の凹部底面にセン
サヘツダ11をセツトし、カバー32で押える。
ヘツダ11の開放端端面はOリング33を介して
ボデイ31に接触し、他方、底部外面は上記溝1
9の内部に挿入したOリング34を介してカバー
32に接触する。35はコネクタである。なお、
溝19の周辺部にはOリングシールを確実に行な
うために十分な幅の平面部113,114を設け
る必要がある(特に底圧となる側には必要)。
合は、第3図に示すように溝19にOリングを装
着することでこのような問題を解決することがで
きる。同図において、31は試験装置のボデイ
で、第1および第2の圧力導入路311,312
を有している。このボデイ31の凹部底面にセン
サヘツダ11をセツトし、カバー32で押える。
ヘツダ11の開放端端面はOリング33を介して
ボデイ31に接触し、他方、底部外面は上記溝1
9の内部に挿入したOリング34を介してカバー
32に接触する。35はコネクタである。なお、
溝19の周辺部にはOリングシールを確実に行な
うために十分な幅の平面部113,114を設け
る必要がある(特に底圧となる側には必要)。
このような構成にすることにより、十分な圧力
耐性が得られると同時に、組み付け、組み外しが
容易となり、センサアツセンブリ単体での圧力印
加試験が容易にできる。
耐性が得られると同時に、組み付け、組み外しが
容易となり、センサアツセンブリ単体での圧力印
加試験が容易にできる。
なお、溶接する凸部の具体的な形態は第1図に
示した例に限らず、例えば第4図ないし第6図の
各図に示したような種々の形態であつてよい。図
において、151A〜151Cはカバー15に設
けた凸部、115A,115Bはヘツダ11に設
けた凸部、18A〜18Cはヘツダ11とカバー
15との間の間隙を示す。
示した例に限らず、例えば第4図ないし第6図の
各図に示したような種々の形態であつてよい。図
において、151A〜151Cはカバー15に設
けた凸部、115A,115Bはヘツダ11に設
けた凸部、18A〜18Cはヘツダ11とカバー
15との間の間隙を示す。
以上、圧力変換器を例に説明したが、本考案は
これに限定されるものではなく、筒状の第1部材
およびその外周面を覆うように配置された筒状の
第2部材とを1端で溶接し、その間隙に圧力を受
ける構造を有する圧力容器には同様に適用でき
る。
これに限定されるものではなく、筒状の第1部材
およびその外周面を覆うように配置された筒状の
第2部材とを1端で溶接し、その間隙に圧力を受
ける構造を有する圧力容器には同様に適用でき
る。
〔考案の効果〕
以上説明したように、本考案によれば第1およ
び第2部材の接合部の少なくとも一方に凸部を設
け、その凸部の全面を溶接するとともに、当該溶
接部近傍の第1および第2部材の少なくとも一方
の端面に、上記溶接部に沿つて溝を設けたことに
より、繰り返し耐圧特性が向上し信頼性が高まる
とともに小形化が可能となる。
び第2部材の接合部の少なくとも一方に凸部を設
け、その凸部の全面を溶接するとともに、当該溶
接部近傍の第1および第2部材の少なくとも一方
の端面に、上記溶接部に沿つて溝を設けたことに
より、繰り返し耐圧特性が向上し信頼性が高まる
とともに小形化が可能となる。
第1図ないし第3図は本考案の一実施例を示す
図で、第1図は溶接部の断面図、第2図は圧力変
換器の断面図、第3図はセンサアツセンブリの圧
力印加試験装置にセツトした状態を示す断面図、
第4図ないし第6図はそれぞれ本考案の他の実施
例を示す断面図、第7図は従来例を示す断面図で
ある。 11……ヘツダ(第1部材)、15……カバー
(第2部材)、16……溶接部、18,18A〜1
8C……間隙、19,20……溝、115A,1
15B,151,151A〜151C……凸部、
161……溶接ビード。
図で、第1図は溶接部の断面図、第2図は圧力変
換器の断面図、第3図はセンサアツセンブリの圧
力印加試験装置にセツトした状態を示す断面図、
第4図ないし第6図はそれぞれ本考案の他の実施
例を示す断面図、第7図は従来例を示す断面図で
ある。 11……ヘツダ(第1部材)、15……カバー
(第2部材)、16……溶接部、18,18A〜1
8C……間隙、19,20……溝、115A,1
15B,151,151A〜151C……凸部、
161……溶接ビード。
Claims (1)
- 筒状の第1部材と、この第1部材の外周面を覆
うように配置され1端部で内周面が第1部材の外
周面に接合された筒状の第2部材とを有し、第1
および第2部材間の間隙に圧力が印加される圧力
容器において、第1および第2部材の接合部の少
なくとも一方に凸部を設け、当該凸部の全面を溶
接するとともに、当該溶接部近傍の第1および第
2部材の少なくとも一方の端面に上記溶接部に沿
つて溝を設けたことを特徴とする圧力容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19777785U JPH0137251Y2 (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19777785U JPH0137251Y2 (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62106063U JPS62106063U (ja) | 1987-07-07 |
| JPH0137251Y2 true JPH0137251Y2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=31157850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19777785U Expired JPH0137251Y2 (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0137251Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9897188B2 (en) | 2014-12-03 | 2018-02-20 | Musashi Seimitsu Industry Co., Ltd. | Differential device |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP19777785U patent/JPH0137251Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9897188B2 (en) | 2014-12-03 | 2018-02-20 | Musashi Seimitsu Industry Co., Ltd. | Differential device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62106063U (ja) | 1987-07-07 |
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