JPH0138076B2 - - Google Patents
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- JPH0138076B2 JPH0138076B2 JP59110974A JP11097484A JPH0138076B2 JP H0138076 B2 JPH0138076 B2 JP H0138076B2 JP 59110974 A JP59110974 A JP 59110974A JP 11097484 A JP11097484 A JP 11097484A JP H0138076 B2 JPH0138076 B2 JP H0138076B2
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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Description
［産業上の利用分野］
本発明は、特に電子工業用部品に適し、その他
耐熱工業部品、食器、厨房部品、装飾品などに用
いられる低温焼成セラミツクスの製造方法並びに
製造装置に関する。 ［従来の技術］ コンピユータや民生機器用の電子デバイスの小
型化指向に伴ない、電子回路の高密度集積化のニ
ーズは増々強くなつている。この場合、基板に要
求される特性或いは条件は、イ安価であること、
ロ軽いこと、ハ機械的強度が大きいこと、ニ部品
からの放熱を良くするため高熱伝導性であるこ
と、ホ２次元的な配線密度を高めるため、導体巾
150μｍ以下の配線が可能なこと、ヘ３次元的に
配線密度を高めることができるよう多層化が可能
なこと、トインダクター、抵抗、キヤパシター等
の受動部品が多層化の際、基板内部に内蔵できる
こと、チ信号の応答速度を早めるために配線間の
静電容量を小さくする必要から、絶縁層の誘電率
ができるだけ小さいこと、リそのため、Ag、Ag
−Pd、Cu、Au等の低抵抗導体材料が使用できる
こと、ヌ半導体チツプが基板表面にダイレクトに
実装できるために、絶縁層の膨脹係数が小さいこ
と（Siの3.5×10-6／℃に近いこと）、ル配線間の
絶縁抵抗が高いこと、オ温度、湿度など環境に対
して強いこと等である。 従来、かかる目的のために有機多層基板やアル
ミナセラミツク多層基板が使われてきたが、特定
の特性は優れているが、他の特性が劣るなど、何
れの基板にも、バランスのとれた特性を期待する
ことが困難であつた。 すなわち、有機多層基板は、両者に銅貼りをし
たフエノールあるいはエポキシ基板に回路を形成
し、エポキシ樹脂で貼り合せて多層化し、導体間
のスルーホールは機械的な穴あけ加工によつて形
成してつくられるが、つぎのような問題点があ
る。すなわちイハンダ付けやハンダデイツプ等が
繰返されると耐熱性が十分でないこと、強度が小
さいこと、熱膨脹が大きいこと（50×10-6／℃程
度）、のために基板にそりが正じたり、クラツク
が生じたりし、また高温で絶縁劣化を起し易い、
ロ熱伝導性が悪いため、発熱量の大きい抵抗や半
導体ICチツプを実装する場合、素子が許容温度
以上ならないよう、素子床面積を大きくしたり、
放熱板をつけるなど、種々の設計上の工夫が必要
である、ハ多層化する場合、150μｍ以下の細い
導体を形成させたり、200μｍより小さいスルー
ホールを多数形成させることは非常に困難であ
る、ニ熱あるいは湿度に対する信頼性が劣る、な
どである。 また、アルミナセラミツク多層基板について
は、イ1600〜1700℃の水素中、高温で焼成するた
め、有機多層基板に比し非常に高価である、ロ導
体にＷまたはMpを使うため導通抵抗が大きい、
ハ比重が有機基板（2.0ｇ／cm3）よりもかなり重
い（3.8〜3.9ｇ／cm3）、ニ誘電率が有機基板（３
〜５、1M）よりもかなり高い（９〜10、1M）、
ホ熱膨脹が有機基板よりもかなり小さいが、Siの
それに較べるとなお7.0×10-6／℃（室温〜250
℃）とかなり大きい、などの問題点をもつてい
る。 そこで、低温焼成可能なガラス−セラミツク体
についての提案もいくつかなされている。 その一つに結晶化ガラスを用いた低温焼成セラ
ミツクの報告がある。例えば、MgＯ−Al2O3−
SiO2にB2O3と核形成物質を加え、900〜1000℃で
焼成し、コージライト結晶を析出させ、高強度化
を計つた低温焼成セラミツクやLi2O−Al2O3−
SiO2にB2O3と核形成物質を加え、スポジユメン
を析出させ、同じく高強度化を計つた低温焼成セ
ラミツクが発表されている。一般的にはセラミツ
クを低温で焼成するためにはガラス層を多く含ま
せる必要があるが、その場合1800Kg／cm2以上の高
強度化を計ることが非常に困難である。MgO−
Al2O3−SiO2或いはLi2O−Al2O3−SiO2の場合に
は、高強度な結晶を熱処理することによつて析出
させ、高強度な低温焼成セラミツクを得ている。
然し900℃以上でしか結晶が析出せず、500〜800
℃付近ではガラス層の状態であるため、たとえば
フアインな導体パターンをグリーンテープに印刷
し、同時焼成する場合、パターンが流動し、高精
度な回路形成が困難であるという問題がある。ま
たもう一つの問題は、有機バインダーを多量に含
むグリーンテープを焼成し、脱バインダーを行な
う場合、ガラス中にバインダーがカーボンとして
残存しないようにするためにはガラスを軟化させ
ず、かつ脱ガスを容易にするため多孔性を維持し
ながら焼成する必要があるため、１分間２℃程度
の昇温速度で焼成しなければならず、第１図に示
すように950℃に昇温するに約８時間を要した。 また、非晶質ガラスと絶縁性又は耐火性酸化物
の混合糸を用いた低温焼成セラミツクスの報告が
ある。例えば硼珪酸ガラス（B2O3−SiO2）に耐
火材料（カイアナイト、アノーサイト等）を加え
たもの、或いは硼珪酸鉛ガラス（B2O3−SiO2−
Al2O3−PbO）に絶縁性酸化物（フオルテスライ
ト、ZrO2等）を混合したものである。この場合
にも結晶化ガラスを用いた低温焼成セラミツクス
の場合と同様、パターンが流動し易いために高精
度な回路形成が困難であること、並びに第１図に
示すように１分間１℃程度のゆつくりした昇温速
度で焼成しなければならないため、900℃まで12
〜18時間と非常に長時間を要するという問題があ
つた。非晶質ガラスの場合にはこれだけで強度を
出すことが困難であるため、耐火材料を加え、複
合形態にして高強度化を計る訳であるが、非結晶
ガラスの部分は800〜1000℃の最終焼成段階にお
いても、結晶化はせず、従つて焼成過程で軟化
し、パターンずれの原因となる。またガラスが軟
化するということは脱ガスが困難ということにな
り、軟化温度以前において長時間ゆつくりと脱バ
インダーする必要があることを意味している。第
２図は各種低温焼成セラミツクスの焼成時の収縮
率カーブで、図から分かるように結晶化ガラスも
非晶質ガラスに耐火材料を加えた場合も、200〜
700℃においてガラス（非晶質ガラス又は結晶化
していないガラス）の軟化による収縮が見られ
る。以上のように、有機多層基板は信頼性などの
特性上の欠点を有しているし、アルミナセラミツ
ク多層基板は、高温で焼成するため、高価であ
る。特性的にも不満足な点が多い。また従来報告
されている低温焼成基板についても、特性的には
狙いに近い所に来ているが、低価格に製造すると
いう点については、なお問題を有している。脱バ
インダーを含めた焼成に非常に長時間を要するな
ど従来のセラミツクスをもつ本質的な欠陥につい
ては、依然として、改善がなされていない。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、従来発表されている低温焼成セラミ
ツクスよりも大型サイズ（20cm口以上）の単層又
は多層基板を短い焼成時間で得て、しかもその低
温焼成セラミツクスは耐熱性並びに機械的強度が
高く、熱膨脹係数が小さく、誘電率の低いもので
あることを目的としている。 ［課題を解決するための手段］ 本発明の第１発明は、800〜1000℃で焼成可能
なセラミツク原料を、通常のセラミツク製法にし
たがい成形後のセラミツクスグリーンシートの焼
成に当り、10〜200℃／分の速度で急速昇温する
とともに、バインダーの構成単位の分子量×バイ
ンダーの混合分解ガスの爆発限界×空気吹込量／
単位時間当りのグリーンテープ送り込み量×バイ
ンダー重量割合×22.4の式で導かれる空気吹込み
倍率Ｂを昇温速度Ｔ＝10〜50℃／minのときＢ≧
1.5、Ｔ＝50〜200℃／minのときＢ≧1.5＋1/50
（Ｔ−50）となるように焼成炉内脱バインダーゾ
ーンに空気を吹込むことを特徴とする低温焼成セ
ラミツクの製造方法である。 上記本発明における800〜1000℃で焼成可能な
セラミツクス原料の組成は、重量基準で10％まで
の不純物を含むことあるCaO10〜55％、SiO245
〜70％、Al2O30〜30％よりなる組成のガラス粉
末50〜65％と、10％までの不純物を含むことある
Al2O3粉末50〜35％からなる混合物、さらに、上
記ガラス組成にB2O3を外掛で20％以下含んで構
成したものが適当である。 本組成の低温焼成セラミツクスは前記従来の低
温焼成セラミツクスとは焼結挙動が根本的に異な
つている。即ちCaO−Al2O3−SiO2（−B2O3）系
の非晶質ガラスにアルミナを加えることにより焼
成過程においてアノーサイトもしくは、アノーサ
イト＋珪酸カルシウム（ウオラステナイト）の部
分結晶化を起こさせることにより、800〜1000℃
の低温焼成を可能にするだけでなく、焼成過程に
おける微細パターンのずれをなくし、また高速焼
成を可能とするものである。 第３図はこの様子をＸ線的に示すもので、CaO
−Al2O3−SiO2（−B2O3）系のガラスは自身熱処
理をしてもイに示すようにMgO−Al2O3−SiO2
系やLi2O−Al2O3−SiO2系のように結晶化が全く
起らないがAl2O3を混合することによつて、ロハ
に示すように焼成過程において、Al2O3とガラス
の界面にアノーサイトの結晶が析出することが分
る。900℃ではアノーサイトの結晶が多量に生成
していることが分る。またニに示すように組成に
よつては珪酸カルシウムの結晶が析出することも
ある。このように本発明で用いる低温焼成セラミ
ツクスは焼成前には非晶質ガラスとアルミナとの
混合物であるが、焼成体は非晶質ガラスとアルミ
ナと結晶化ガラスの部分結晶化セラミツクスであ
ると言える。従来の結晶化ガラス方式による低温
焼成セラミツクスの場合には、TiO2、ZrO2等の
核形成物質が必要であつたが、CaO−Al2O3−
SiO2（−B2O3）系のガラスの場合には、Al2O3粉
末が核形成物質になり、自らも若干ガラス層に溶
け込みアノーサイトの結晶を形成するものと考え
られる。 かかるセラミツクスは非晶質ガラスの軟化点が
高いため、第２図に示すように10〜200℃／分と
いう早いスピードで昇温しても730〜850℃までガ
ラス層が全く軟化をせず、収縮もしない多孔質体
であるため、クラツクが入つたり、カーボンをガ
ラス層に包み込むことなくバインダーが容易に除
去出来、800〜1000℃の焼成温度で急速に収縮焼
結するため、大型（20cm角以上）の緻密なセラミ
ツクス基板を短時間に得ることが出来る。このよ
うな高速焼結性は、本低温焼成セラミツクの部分
結晶化挙動と、730〜850℃まで全て焼成収縮が起
こらないために可能となるものと考えられる。バ
インダーは加熱により殆どがモノマーに分解する
が、僅かにカーボンを生成する。モノマーガスは
多孔質のセラミツク体から抜けて行く。然し、カ
ーボンは完全燃焼温度がかなり高いので、セラミ
ツクス体がこの温度まで多孔質に保たれないこ
と、Ｃ＋O2→CO2として飛散することができず、
軟化したガラス層の中に包み込まれることにな
る。急速昇温時には相対的にカーボン燃焼の上限
温度が高くなるため、高温迄多孔質体であること
が望まれるのである。 すなわち、バインダーが熱分解する際発生する
分解ガスが、１部燃焼し、発生する不完全燃焼ガ
スを速やかに系外に逃すことである。さもないと
分解ガス又は不完全燃焼ガスが引火をし、セラミ
ツクスグリーンシートがローカルに加熱され、割
れを発生する原因となる。たとえばベルト式の連
続焼成炉でバインダーにアクリル樹脂を用いて焼
成する場合、通常昇温の２℃／分で昇温する時に
は200〜400℃でバインダーが分解するが、60℃／
分の急速昇温時にはバインダーの分解温度が200
〜600℃と相対的に高くなるため分解ガス温度が
着火点以上となり、燃焼を始めるため、セラミツ
クスシートにクラツクが発生する。分解ガスの大
半はメチルメタアクリレートモノマーで発火点の
421.1℃で燃焼を始める。第２図にこの様子を示
した。 然し、アクリールモノマーガスの爆発限界は
2.1〜12.5vol％であるので、昇温過程に於いて、
被燃焼物より発生したアクリールモノマーガス濃
度が2.1vol％以下に維持されれば、被焼成物もし
くは雰囲気温度が発火点以上の温度に達しても着
火しない。従つて焼成炉内へ多量の空気を吹込
み、被焼成物より発生したアクリールモノマーガ
スを被焼成物近傍より、速かに除外すれば、大型
のグリーンテープを着火することなく急速に昇温
できる。ベルト式連続炉での試験の結果を第４図
に示した。急速昇温時（10〜200℃／分）には送
入空気吹込み倍率Ｂは、下記式で示す理論必要空
気量Ａの約1.5以上で線Ｘより上であることを必
要とすることが分つた。線Ｘより上ということ
は、昇温速度Ｔが10〜50℃のときには、第４図に
おいて試料No.1、７、８、３、４、27が示すよ
うにＢ≧1.5であり、昇温速度T50〜200℃／分の
間は図から明らかなようにほぼ下記式によつて表
わされる。 Ｂ≧1.5＋1/50（Ｔ−50） したがつて、特許請求の範囲には空気吹込み倍
率を第４図Ｘ線よりも上にある主旨の限定を付し
た。なお普通Ｂは50倍以上は適当でない。（）
式は理論必要空気量、（）式は、送入空気量の
理論必要空気量に対する倍率、（）式は、脱バ
インダーゾーンに於ける風速である。 Ａ（N1／min）（理論必要空気量） ＝（単位時間当りのグリーンテープ送込み量（ｇ
／min）×（バインダー重量割合×22.4N1／（樹脂の構
成単位の分子量）×（樹脂の混合分解ガスの爆発限界率
） …（） Ｄ（空気吹込倍率）＝空気吹込量（N1／min）／Ａ
…（） Ｂ（ｍ／min）（風速）＝573（バインダー分解部分
平均温度K゜）×Ｂ×Ａ／273×マツフル断面積（m2）×
103…（） なお、上記組成の低温焼成セラミツクスは、ガ
ラス粉末としてCaO、SiO2、Al2O3を骨格組成と
して用いているため、Cuを導体としてN2中雰囲
気で焼成する場合も、全く還元されることなく使
用できる。すなわち、本組成は酸化、還元、不活
性のいずれの雰囲気でも適用しうる材料である。 また、730〜850℃まで全て焼成収縮が起こらな
いこと、また焼成の最終段階では部分結晶化が起
き、ガラスの流動化が妨げられるため、微細パタ
ーンのずれを生ずることがなく、フアインパター
ンの形成が容易である。すなわち、同時焼成の
際、内部に層状に形成された導体や、抵抗や、コ
ンデンサー等がフアインに、かつ精度良く形成で
きる。また同時焼成済の基板の表面に通常の厚膜
法でRu系抵抗や、Cu系の導体を再焼成により、
形成する場合にもパターンずれがない。その理由
は同時焼成済の基板は、部分結晶化しているた
め、再び750〜950℃で再焼成をしても変形するこ
とがないためである。 また、本発明で用いられる低温焼成セラミツク
スの組成は前述の組成範囲が望ましいが、焼結機
構が基本的に本低温焼成セラミツクスのそれに類
似しているものであれば、他の組成範囲の低温焼
成セラミツクスに対しても本発明の急速焼成製法
は適用し得る。 本発明の第２発明は、低温焼成用セラミツクス
グリーンシートの連続ベルト焼成炉において、該
焼成炉の脱バインダーゾーンの入口側に連続ベル
トスピードに対応して吹込み空気量を調整可能と
した機構を備えた空気吹込み口と、該ゾーンの出
口側に分解ガス除去機を備えた排気部を備えたこ
とを特徴とする低温焼成セラミツクスの製造装置
である。 すなわち、本発明に係る装置においては、800
〜1000℃で焼成可能なセラミツクス原料を急速昇
温するため、該原料を載置する連続ベルトを高速
走行するように設計する必要がある。そして、該
連続ベルトのスピードに対応して、すなわち連続
ベルトのスピードが上がれば空気量を増大させる
ことができる空気吹込み口を脱バインダーゾーン
の前に設け、また脱バインダーゾーンの後には排
気部を設けて、これに分解ガス除去機を備える。
分解ガス除去機は、アフターバーナーで焼成して
除去する形式のものか、有効成分を回収する形式
のものがよい。又、当然のことながら、吹込空気
はグリーンテープ上に均一に触れ、かつ流れるよ
う空気吹込み口の位置や吹込み方法および排気部
を設計する必要がある。 ［実施例］ 第５図は第２発明の一実施例である。すなわ
ち、焼成マツフル炉内にメツシユよりなる連続ベ
ルト１を駆動部２より駆動するようにされてい
る。炉８の前後部には入口エアーカーテン３と出
口エアーカーテン７を設け、又炉の中間部には加
熱部９が設けられている。加熱部９の前半は所謂
脱バインダーゾーンＺで、その前部には空気吹込
み口４が設けられている。この空気吹込み口４は
連続ベルト１のスピードに対応して吹込み空気量
を変化するようにされている。脱バインダーゾー
ンＺの端部には排気部５を備え、その排気部５の
中途には分解ガス除去機１０を備えている。分解
ガス除去機１０は分解ガス燃焼機または分解ガス
回収機よりなつている。また、加熱部９の後部に
は燃焼用の空気吹込部６を設けてある。 かかる装置に用いて第１発明の実施をした。以
下それらについて述べる。なお％はいずれも重量
％である。 実施例 １ CaO20％、SiO260％、Al2O320％にB2O3を外
掛で10％加えてなるガラス組成2400ｇと平均一次
粒径1.2μｍのアルミナ1600ｇ（後記表の組成No.
に相当）を、アルミナスポツトをアルミナボー
ルを使用し、24時間湿式粉砕混合した。乾燥後、
乾粉1000ｇにメタアクリル系バインダー100ｇと
可塑剤（DOA）50ｇ、溶剤（トルエン）280ｇを
加え。アルミナスポツトとアルミナボールを使用
してよく混合した。得られたスリツプを通常のド
クターブレード法によるテープ製造装置により厚
さ1.0mmのグリーンシートに成形した。 このグリーンシートを金型を使用して25cm口に
切断し、連続ベルトの速度を速めて昇温速度60
℃／分で900℃に加熱し、同温度で15分保持した。
その間、空気吹込み口４よりの空気吹込み倍率Ｂ
＝２として連続式ベルト炉により連続焼成した。 得られた、基板は20cm口以上で緻密なソリのな
いものであつた。 実施例 ２ 実施例１と同じグリーンシートを昇温速度200
℃／分900℃で15分間保持、空気吹込み倍率Ｂ＝
５の条件で連続式ベルト炉により連続焼成した。 得られた基板は、20cm口以上で緻密なソリのな
いものであつた。 実施例 ３ CaO23％、SiO262％、Al2O315％からなるガラ
ス組成2600ｇと平均一次粒径1.2μｍのアルミナ
1400ｇ（表の組成No.に相当）をアルミナスポ
ツトとアルミナボールを使用し、24時間湿式粉砕
混合した。 乾燥後、乾粉1500ｇにメタアクリル系バインダ
ー100ｇと可塑剤（DOA）50ｇ、溶剤（トルエ
ン）280ｇを加え、アルミナスポツトとアルミナ
ボールを使用してよく混合した。得られたスリツ
プを通常のドクターブレード法によるテープ製造
装置により、厚さ0.5mmのグリーンシートに成形
した。 このグリーンシートを熱間プレス機により、
100℃の条件で熱間圧着し、厚さ1.0mmのラミネー
トグリーンシートに成形した。 金型を使用し、25cm口に切断したグリーンシー
トを昇温速度120℃／分、1000℃に15分間保持、
空気吹込み倍率Ｂ＝３の条件で、連続式ベルト炉
により連続焼成した。 得られた基板は20cm口以上で緻密なソリのない
ものであつた。 実施例 ４ CaO35％、SiO245％、Al2O320％にB2O3を外
掛けで10％加えてなるガラス組成2400ｇと平均一
次粒径1.2μｍのアルミナ1600ｇ（第１表の組成
No.に相当）をアルミナスポツトをアルミナボ
ールを使用し、24時間湿式粉砕混合した。 乾燥後、乾粉1000ｇにメタアクリル系バインダ
ー100ｇと可塑剤（DOA）50ｇ、溶剤（トルエ
ン）280ｇを加え、アルミナスポツトとアルミナ
ボールを使用してよく混合した。得られたスリツ
プを通常のドクターブレード法によるテープ製造
装置により、厚さ0.3mmのグリーンシートに成形
した。 このグリーンシートを熱間プレス機により、
100℃に条件で３枚熱間圧着し、厚さ0.9mmのラミ
ネートグリーンシートに成形した。 金型を使用し、25cm口に切断したグリーンシー
トを昇温速度200℃／分、950℃に15分間保持、空
気吹込み倍率Ｂ＝５の条件で、連続式ベルト炉に
より連続焼成した。 得られた基板は20cm口以上で緻密なソリのない
ものであつた。 次に上記実施例１〜４を含めた実施例と、その
製品の試験結果をまとめて表に示す。
耐熱工業部品、食器、厨房部品、装飾品などに用
いられる低温焼成セラミツクスの製造方法並びに
製造装置に関する。 ［従来の技術］ コンピユータや民生機器用の電子デバイスの小
型化指向に伴ない、電子回路の高密度集積化のニ
ーズは増々強くなつている。この場合、基板に要
求される特性或いは条件は、イ安価であること、
ロ軽いこと、ハ機械的強度が大きいこと、ニ部品
からの放熱を良くするため高熱伝導性であるこ
と、ホ２次元的な配線密度を高めるため、導体巾
150μｍ以下の配線が可能なこと、ヘ３次元的に
配線密度を高めることができるよう多層化が可能
なこと、トインダクター、抵抗、キヤパシター等
の受動部品が多層化の際、基板内部に内蔵できる
こと、チ信号の応答速度を早めるために配線間の
静電容量を小さくする必要から、絶縁層の誘電率
ができるだけ小さいこと、リそのため、Ag、Ag
−Pd、Cu、Au等の低抵抗導体材料が使用できる
こと、ヌ半導体チツプが基板表面にダイレクトに
実装できるために、絶縁層の膨脹係数が小さいこ
と（Siの3.5×10-6／℃に近いこと）、ル配線間の
絶縁抵抗が高いこと、オ温度、湿度など環境に対
して強いこと等である。 従来、かかる目的のために有機多層基板やアル
ミナセラミツク多層基板が使われてきたが、特定
の特性は優れているが、他の特性が劣るなど、何
れの基板にも、バランスのとれた特性を期待する
ことが困難であつた。 すなわち、有機多層基板は、両者に銅貼りをし
たフエノールあるいはエポキシ基板に回路を形成
し、エポキシ樹脂で貼り合せて多層化し、導体間
のスルーホールは機械的な穴あけ加工によつて形
成してつくられるが、つぎのような問題点があ
る。すなわちイハンダ付けやハンダデイツプ等が
繰返されると耐熱性が十分でないこと、強度が小
さいこと、熱膨脹が大きいこと（50×10-6／℃程
度）、のために基板にそりが正じたり、クラツク
が生じたりし、また高温で絶縁劣化を起し易い、
ロ熱伝導性が悪いため、発熱量の大きい抵抗や半
導体ICチツプを実装する場合、素子が許容温度
以上ならないよう、素子床面積を大きくしたり、
放熱板をつけるなど、種々の設計上の工夫が必要
である、ハ多層化する場合、150μｍ以下の細い
導体を形成させたり、200μｍより小さいスルー
ホールを多数形成させることは非常に困難であ
る、ニ熱あるいは湿度に対する信頼性が劣る、な
どである。 また、アルミナセラミツク多層基板について
は、イ1600〜1700℃の水素中、高温で焼成するた
め、有機多層基板に比し非常に高価である、ロ導
体にＷまたはMpを使うため導通抵抗が大きい、
ハ比重が有機基板（2.0ｇ／cm3）よりもかなり重
い（3.8〜3.9ｇ／cm3）、ニ誘電率が有機基板（３
〜５、1M）よりもかなり高い（９〜10、1M）、
ホ熱膨脹が有機基板よりもかなり小さいが、Siの
それに較べるとなお7.0×10-6／℃（室温〜250
℃）とかなり大きい、などの問題点をもつてい
る。 そこで、低温焼成可能なガラス−セラミツク体
についての提案もいくつかなされている。 その一つに結晶化ガラスを用いた低温焼成セラ
ミツクの報告がある。例えば、MgＯ−Al2O3−
SiO2にB2O3と核形成物質を加え、900〜1000℃で
焼成し、コージライト結晶を析出させ、高強度化
を計つた低温焼成セラミツクやLi2O−Al2O3−
SiO2にB2O3と核形成物質を加え、スポジユメン
を析出させ、同じく高強度化を計つた低温焼成セ
ラミツクが発表されている。一般的にはセラミツ
クを低温で焼成するためにはガラス層を多く含ま
せる必要があるが、その場合1800Kg／cm2以上の高
強度化を計ることが非常に困難である。MgO−
Al2O3−SiO2或いはLi2O−Al2O3−SiO2の場合に
は、高強度な結晶を熱処理することによつて析出
させ、高強度な低温焼成セラミツクを得ている。
然し900℃以上でしか結晶が析出せず、500〜800
℃付近ではガラス層の状態であるため、たとえば
フアインな導体パターンをグリーンテープに印刷
し、同時焼成する場合、パターンが流動し、高精
度な回路形成が困難であるという問題がある。ま
たもう一つの問題は、有機バインダーを多量に含
むグリーンテープを焼成し、脱バインダーを行な
う場合、ガラス中にバインダーがカーボンとして
残存しないようにするためにはガラスを軟化させ
ず、かつ脱ガスを容易にするため多孔性を維持し
ながら焼成する必要があるため、１分間２℃程度
の昇温速度で焼成しなければならず、第１図に示
すように950℃に昇温するに約８時間を要した。 また、非晶質ガラスと絶縁性又は耐火性酸化物
の混合糸を用いた低温焼成セラミツクスの報告が
ある。例えば硼珪酸ガラス（B2O3−SiO2）に耐
火材料（カイアナイト、アノーサイト等）を加え
たもの、或いは硼珪酸鉛ガラス（B2O3−SiO2−
Al2O3−PbO）に絶縁性酸化物（フオルテスライ
ト、ZrO2等）を混合したものである。この場合
にも結晶化ガラスを用いた低温焼成セラミツクス
の場合と同様、パターンが流動し易いために高精
度な回路形成が困難であること、並びに第１図に
示すように１分間１℃程度のゆつくりした昇温速
度で焼成しなければならないため、900℃まで12
〜18時間と非常に長時間を要するという問題があ
つた。非晶質ガラスの場合にはこれだけで強度を
出すことが困難であるため、耐火材料を加え、複
合形態にして高強度化を計る訳であるが、非結晶
ガラスの部分は800〜1000℃の最終焼成段階にお
いても、結晶化はせず、従つて焼成過程で軟化
し、パターンずれの原因となる。またガラスが軟
化するということは脱ガスが困難ということにな
り、軟化温度以前において長時間ゆつくりと脱バ
インダーする必要があることを意味している。第
２図は各種低温焼成セラミツクスの焼成時の収縮
率カーブで、図から分かるように結晶化ガラスも
非晶質ガラスに耐火材料を加えた場合も、200〜
700℃においてガラス（非晶質ガラス又は結晶化
していないガラス）の軟化による収縮が見られ
る。以上のように、有機多層基板は信頼性などの
特性上の欠点を有しているし、アルミナセラミツ
ク多層基板は、高温で焼成するため、高価であ
る。特性的にも不満足な点が多い。また従来報告
されている低温焼成基板についても、特性的には
狙いに近い所に来ているが、低価格に製造すると
いう点については、なお問題を有している。脱バ
インダーを含めた焼成に非常に長時間を要するな
ど従来のセラミツクスをもつ本質的な欠陥につい
ては、依然として、改善がなされていない。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、従来発表されている低温焼成セラミ
ツクスよりも大型サイズ（20cm口以上）の単層又
は多層基板を短い焼成時間で得て、しかもその低
温焼成セラミツクスは耐熱性並びに機械的強度が
高く、熱膨脹係数が小さく、誘電率の低いもので
あることを目的としている。 ［課題を解決するための手段］ 本発明の第１発明は、800〜1000℃で焼成可能
なセラミツク原料を、通常のセラミツク製法にし
たがい成形後のセラミツクスグリーンシートの焼
成に当り、10〜200℃／分の速度で急速昇温する
とともに、バインダーの構成単位の分子量×バイ
ンダーの混合分解ガスの爆発限界×空気吹込量／
単位時間当りのグリーンテープ送り込み量×バイ
ンダー重量割合×22.4の式で導かれる空気吹込み
倍率Ｂを昇温速度Ｔ＝10〜50℃／minのときＢ≧
1.5、Ｔ＝50〜200℃／minのときＢ≧1.5＋1/50
（Ｔ−50）となるように焼成炉内脱バインダーゾ
ーンに空気を吹込むことを特徴とする低温焼成セ
ラミツクの製造方法である。 上記本発明における800〜1000℃で焼成可能な
セラミツクス原料の組成は、重量基準で10％まで
の不純物を含むことあるCaO10〜55％、SiO245
〜70％、Al2O30〜30％よりなる組成のガラス粉
末50〜65％と、10％までの不純物を含むことある
Al2O3粉末50〜35％からなる混合物、さらに、上
記ガラス組成にB2O3を外掛で20％以下含んで構
成したものが適当である。 本組成の低温焼成セラミツクスは前記従来の低
温焼成セラミツクスとは焼結挙動が根本的に異な
つている。即ちCaO−Al2O3−SiO2（−B2O3）系
の非晶質ガラスにアルミナを加えることにより焼
成過程においてアノーサイトもしくは、アノーサ
イト＋珪酸カルシウム（ウオラステナイト）の部
分結晶化を起こさせることにより、800〜1000℃
の低温焼成を可能にするだけでなく、焼成過程に
おける微細パターンのずれをなくし、また高速焼
成を可能とするものである。 第３図はこの様子をＸ線的に示すもので、CaO
−Al2O3−SiO2（−B2O3）系のガラスは自身熱処
理をしてもイに示すようにMgO−Al2O3−SiO2
系やLi2O−Al2O3−SiO2系のように結晶化が全く
起らないがAl2O3を混合することによつて、ロハ
に示すように焼成過程において、Al2O3とガラス
の界面にアノーサイトの結晶が析出することが分
る。900℃ではアノーサイトの結晶が多量に生成
していることが分る。またニに示すように組成に
よつては珪酸カルシウムの結晶が析出することも
ある。このように本発明で用いる低温焼成セラミ
ツクスは焼成前には非晶質ガラスとアルミナとの
混合物であるが、焼成体は非晶質ガラスとアルミ
ナと結晶化ガラスの部分結晶化セラミツクスであ
ると言える。従来の結晶化ガラス方式による低温
焼成セラミツクスの場合には、TiO2、ZrO2等の
核形成物質が必要であつたが、CaO−Al2O3−
SiO2（−B2O3）系のガラスの場合には、Al2O3粉
末が核形成物質になり、自らも若干ガラス層に溶
け込みアノーサイトの結晶を形成するものと考え
られる。 かかるセラミツクスは非晶質ガラスの軟化点が
高いため、第２図に示すように10〜200℃／分と
いう早いスピードで昇温しても730〜850℃までガ
ラス層が全く軟化をせず、収縮もしない多孔質体
であるため、クラツクが入つたり、カーボンをガ
ラス層に包み込むことなくバインダーが容易に除
去出来、800〜1000℃の焼成温度で急速に収縮焼
結するため、大型（20cm角以上）の緻密なセラミ
ツクス基板を短時間に得ることが出来る。このよ
うな高速焼結性は、本低温焼成セラミツクの部分
結晶化挙動と、730〜850℃まで全て焼成収縮が起
こらないために可能となるものと考えられる。バ
インダーは加熱により殆どがモノマーに分解する
が、僅かにカーボンを生成する。モノマーガスは
多孔質のセラミツク体から抜けて行く。然し、カ
ーボンは完全燃焼温度がかなり高いので、セラミ
ツクス体がこの温度まで多孔質に保たれないこ
と、Ｃ＋O2→CO2として飛散することができず、
軟化したガラス層の中に包み込まれることにな
る。急速昇温時には相対的にカーボン燃焼の上限
温度が高くなるため、高温迄多孔質体であること
が望まれるのである。 すなわち、バインダーが熱分解する際発生する
分解ガスが、１部燃焼し、発生する不完全燃焼ガ
スを速やかに系外に逃すことである。さもないと
分解ガス又は不完全燃焼ガスが引火をし、セラミ
ツクスグリーンシートがローカルに加熱され、割
れを発生する原因となる。たとえばベルト式の連
続焼成炉でバインダーにアクリル樹脂を用いて焼
成する場合、通常昇温の２℃／分で昇温する時に
は200〜400℃でバインダーが分解するが、60℃／
分の急速昇温時にはバインダーの分解温度が200
〜600℃と相対的に高くなるため分解ガス温度が
着火点以上となり、燃焼を始めるため、セラミツ
クスシートにクラツクが発生する。分解ガスの大
半はメチルメタアクリレートモノマーで発火点の
421.1℃で燃焼を始める。第２図にこの様子を示
した。 然し、アクリールモノマーガスの爆発限界は
2.1〜12.5vol％であるので、昇温過程に於いて、
被燃焼物より発生したアクリールモノマーガス濃
度が2.1vol％以下に維持されれば、被焼成物もし
くは雰囲気温度が発火点以上の温度に達しても着
火しない。従つて焼成炉内へ多量の空気を吹込
み、被焼成物より発生したアクリールモノマーガ
スを被焼成物近傍より、速かに除外すれば、大型
のグリーンテープを着火することなく急速に昇温
できる。ベルト式連続炉での試験の結果を第４図
に示した。急速昇温時（10〜200℃／分）には送
入空気吹込み倍率Ｂは、下記式で示す理論必要空
気量Ａの約1.5以上で線Ｘより上であることを必
要とすることが分つた。線Ｘより上ということ
は、昇温速度Ｔが10〜50℃のときには、第４図に
おいて試料No.1、７、８、３、４、27が示すよ
うにＢ≧1.5であり、昇温速度T50〜200℃／分の
間は図から明らかなようにほぼ下記式によつて表
わされる。 Ｂ≧1.5＋1/50（Ｔ−50） したがつて、特許請求の範囲には空気吹込み倍
率を第４図Ｘ線よりも上にある主旨の限定を付し
た。なお普通Ｂは50倍以上は適当でない。（）
式は理論必要空気量、（）式は、送入空気量の
理論必要空気量に対する倍率、（）式は、脱バ
インダーゾーンに於ける風速である。 Ａ（N1／min）（理論必要空気量） ＝（単位時間当りのグリーンテープ送込み量（ｇ
／min）×（バインダー重量割合×22.4N1／（樹脂の構
成単位の分子量）×（樹脂の混合分解ガスの爆発限界率
） …（） Ｄ（空気吹込倍率）＝空気吹込量（N1／min）／Ａ
…（） Ｂ（ｍ／min）（風速）＝573（バインダー分解部分
平均温度K゜）×Ｂ×Ａ／273×マツフル断面積（m2）×
103…（） なお、上記組成の低温焼成セラミツクスは、ガ
ラス粉末としてCaO、SiO2、Al2O3を骨格組成と
して用いているため、Cuを導体としてN2中雰囲
気で焼成する場合も、全く還元されることなく使
用できる。すなわち、本組成は酸化、還元、不活
性のいずれの雰囲気でも適用しうる材料である。 また、730〜850℃まで全て焼成収縮が起こらな
いこと、また焼成の最終段階では部分結晶化が起
き、ガラスの流動化が妨げられるため、微細パタ
ーンのずれを生ずることがなく、フアインパター
ンの形成が容易である。すなわち、同時焼成の
際、内部に層状に形成された導体や、抵抗や、コ
ンデンサー等がフアインに、かつ精度良く形成で
きる。また同時焼成済の基板の表面に通常の厚膜
法でRu系抵抗や、Cu系の導体を再焼成により、
形成する場合にもパターンずれがない。その理由
は同時焼成済の基板は、部分結晶化しているた
め、再び750〜950℃で再焼成をしても変形するこ
とがないためである。 また、本発明で用いられる低温焼成セラミツク
スの組成は前述の組成範囲が望ましいが、焼結機
構が基本的に本低温焼成セラミツクスのそれに類
似しているものであれば、他の組成範囲の低温焼
成セラミツクスに対しても本発明の急速焼成製法
は適用し得る。 本発明の第２発明は、低温焼成用セラミツクス
グリーンシートの連続ベルト焼成炉において、該
焼成炉の脱バインダーゾーンの入口側に連続ベル
トスピードに対応して吹込み空気量を調整可能と
した機構を備えた空気吹込み口と、該ゾーンの出
口側に分解ガス除去機を備えた排気部を備えたこ
とを特徴とする低温焼成セラミツクスの製造装置
である。 すなわち、本発明に係る装置においては、800
〜1000℃で焼成可能なセラミツクス原料を急速昇
温するため、該原料を載置する連続ベルトを高速
走行するように設計する必要がある。そして、該
連続ベルトのスピードに対応して、すなわち連続
ベルトのスピードが上がれば空気量を増大させる
ことができる空気吹込み口を脱バインダーゾーン
の前に設け、また脱バインダーゾーンの後には排
気部を設けて、これに分解ガス除去機を備える。
分解ガス除去機は、アフターバーナーで焼成して
除去する形式のものか、有効成分を回収する形式
のものがよい。又、当然のことながら、吹込空気
はグリーンテープ上に均一に触れ、かつ流れるよ
う空気吹込み口の位置や吹込み方法および排気部
を設計する必要がある。 ［実施例］ 第５図は第２発明の一実施例である。すなわ
ち、焼成マツフル炉内にメツシユよりなる連続ベ
ルト１を駆動部２より駆動するようにされてい
る。炉８の前後部には入口エアーカーテン３と出
口エアーカーテン７を設け、又炉の中間部には加
熱部９が設けられている。加熱部９の前半は所謂
脱バインダーゾーンＺで、その前部には空気吹込
み口４が設けられている。この空気吹込み口４は
連続ベルト１のスピードに対応して吹込み空気量
を変化するようにされている。脱バインダーゾー
ンＺの端部には排気部５を備え、その排気部５の
中途には分解ガス除去機１０を備えている。分解
ガス除去機１０は分解ガス燃焼機または分解ガス
回収機よりなつている。また、加熱部９の後部に
は燃焼用の空気吹込部６を設けてある。 かかる装置に用いて第１発明の実施をした。以
下それらについて述べる。なお％はいずれも重量
％である。 実施例 １ CaO20％、SiO260％、Al2O320％にB2O3を外
掛で10％加えてなるガラス組成2400ｇと平均一次
粒径1.2μｍのアルミナ1600ｇ（後記表の組成No.
に相当）を、アルミナスポツトをアルミナボー
ルを使用し、24時間湿式粉砕混合した。乾燥後、
乾粉1000ｇにメタアクリル系バインダー100ｇと
可塑剤（DOA）50ｇ、溶剤（トルエン）280ｇを
加え。アルミナスポツトとアルミナボールを使用
してよく混合した。得られたスリツプを通常のド
クターブレード法によるテープ製造装置により厚
さ1.0mmのグリーンシートに成形した。 このグリーンシートを金型を使用して25cm口に
切断し、連続ベルトの速度を速めて昇温速度60
℃／分で900℃に加熱し、同温度で15分保持した。
その間、空気吹込み口４よりの空気吹込み倍率Ｂ
＝２として連続式ベルト炉により連続焼成した。 得られた、基板は20cm口以上で緻密なソリのな
いものであつた。 実施例 ２ 実施例１と同じグリーンシートを昇温速度200
℃／分900℃で15分間保持、空気吹込み倍率Ｂ＝
５の条件で連続式ベルト炉により連続焼成した。 得られた基板は、20cm口以上で緻密なソリのな
いものであつた。 実施例 ３ CaO23％、SiO262％、Al2O315％からなるガラ
ス組成2600ｇと平均一次粒径1.2μｍのアルミナ
1400ｇ（表の組成No.に相当）をアルミナスポ
ツトとアルミナボールを使用し、24時間湿式粉砕
混合した。 乾燥後、乾粉1500ｇにメタアクリル系バインダ
ー100ｇと可塑剤（DOA）50ｇ、溶剤（トルエ
ン）280ｇを加え、アルミナスポツトとアルミナ
ボールを使用してよく混合した。得られたスリツ
プを通常のドクターブレード法によるテープ製造
装置により、厚さ0.5mmのグリーンシートに成形
した。 このグリーンシートを熱間プレス機により、
100℃の条件で熱間圧着し、厚さ1.0mmのラミネー
トグリーンシートに成形した。 金型を使用し、25cm口に切断したグリーンシー
トを昇温速度120℃／分、1000℃に15分間保持、
空気吹込み倍率Ｂ＝３の条件で、連続式ベルト炉
により連続焼成した。 得られた基板は20cm口以上で緻密なソリのない
ものであつた。 実施例 ４ CaO35％、SiO245％、Al2O320％にB2O3を外
掛けで10％加えてなるガラス組成2400ｇと平均一
次粒径1.2μｍのアルミナ1600ｇ（第１表の組成
No.に相当）をアルミナスポツトをアルミナボ
ールを使用し、24時間湿式粉砕混合した。 乾燥後、乾粉1000ｇにメタアクリル系バインダ
ー100ｇと可塑剤（DOA）50ｇ、溶剤（トルエ
ン）280ｇを加え、アルミナスポツトとアルミナ
ボールを使用してよく混合した。得られたスリツ
プを通常のドクターブレード法によるテープ製造
装置により、厚さ0.3mmのグリーンシートに成形
した。 このグリーンシートを熱間プレス機により、
100℃に条件で３枚熱間圧着し、厚さ0.9mmのラミ
ネートグリーンシートに成形した。 金型を使用し、25cm口に切断したグリーンシー
トを昇温速度200℃／分、950℃に15分間保持、空
気吹込み倍率Ｂ＝５の条件で、連続式ベルト炉に
より連続焼成した。 得られた基板は20cm口以上で緻密なソリのない
ものであつた。 次に上記実施例１〜４を含めた実施例と、その
製品の試験結果をまとめて表に示す。
【表】
【表】
上記表において、Ｂは空気吹込み倍率を表し、Ｃ
は風速で下記式により表される。 Ｃ＝573（バインダー分解部分平均温度Ｋ）×空気吹
込み量／273×マツフル断面積×103 上記表から明らかなように、Ｂは1.5倍以上が適
当である。又、Ｃは60ｍ／分以下が適当である。
Ｃが60ｍ／分を越え、あるいはＢが50倍を越える
と、被焼成物がセツターからずれるし、焼成効率
を著るしく低下する等の問題がある。 上記実施例ではグリーンテープ厚が厚くなれば
当然、ＢおよびＣを変化させる必要がある。すな
わち、ＢとＣの兼ね合いで昇温速度を遅くする。 上記実施例ではバインダーとしてアクリル樹脂
を用いているが、その他ブチラール樹脂等も使用
し得る。 又、第２発明として最も効率的な連続焼成炉を
示しているが、第１発明を実施するには連続炉以
外にバツチ炉等を適用することができる。 ［発明の効果］ 本発明では、焼成に当り急速昇温するととも
に、十分な空気を吹込むため、脱バインダー時に
分解ガスに着火することなく焼成することができ
る。そして低温で焼成可能なセラミツクス原料
は、部分結晶化挙動を示し、その前期において、
極く短時間軟化を示す領域があり、ここでグリー
ンテープが焼成台である平滑なセツターに完全に
沿うことができるので、大型の平滑なセラミツク
ス製品が得られる。そしてその製品は耐熱性が高
く、熱膨脹係数が小さい。その上機械的強度が非
常に高く、例えばハンダデイツプ等熱サイクルが
繰返し適用されても、そつたり変形したり、割れ
たり、絶縁劣化が起きたりしない。 本発明製品は以上のような特性を有し、電子工
業用部品、耐熱性工業部品、食器、厨房部品、装
飾品など低コスト、短納期を必要とする分野の低
温焼成セラミツクスとして使用できる。
は風速で下記式により表される。 Ｃ＝573（バインダー分解部分平均温度Ｋ）×空気吹
込み量／273×マツフル断面積×103 上記表から明らかなように、Ｂは1.5倍以上が適
当である。又、Ｃは60ｍ／分以下が適当である。
Ｃが60ｍ／分を越え、あるいはＢが50倍を越える
と、被焼成物がセツターからずれるし、焼成効率
を著るしく低下する等の問題がある。 上記実施例ではグリーンテープ厚が厚くなれば
当然、ＢおよびＣを変化させる必要がある。すな
わち、ＢとＣの兼ね合いで昇温速度を遅くする。 上記実施例ではバインダーとしてアクリル樹脂
を用いているが、その他ブチラール樹脂等も使用
し得る。 又、第２発明として最も効率的な連続焼成炉を
示しているが、第１発明を実施するには連続炉以
外にバツチ炉等を適用することができる。 ［発明の効果］ 本発明では、焼成に当り急速昇温するととも
に、十分な空気を吹込むため、脱バインダー時に
分解ガスに着火することなく焼成することができ
る。そして低温で焼成可能なセラミツクス原料
は、部分結晶化挙動を示し、その前期において、
極く短時間軟化を示す領域があり、ここでグリー
ンテープが焼成台である平滑なセツターに完全に
沿うことができるので、大型の平滑なセラミツク
ス製品が得られる。そしてその製品は耐熱性が高
く、熱膨脹係数が小さい。その上機械的強度が非
常に高く、例えばハンダデイツプ等熱サイクルが
繰返し適用されても、そつたり変形したり、割れ
たり、絶縁劣化が起きたりしない。 本発明製品は以上のような特性を有し、電子工
業用部品、耐熱性工業部品、食器、厨房部品、装
飾品など低コスト、短納期を必要とする分野の低
温焼成セラミツクスとして使用できる。
第１図は本発明における急速昇温カーブと従来
の低温焼成セラミツクス製造における昇温カーブ
を示すグラフ、第２図は急速昇温時におけるバイ
ンダー分解ガスの発火並びに収縮率を示すグラ
フ、第３図イ〜ニは本発明の部分結晶化挙動を示
すＸ線回折グラフ、第４図は空気吹込み倍率と昇
温速度との関係を示すグラフ、第５図は本発明の
製造装置の実施例を示す正面図である。 １……連続ベルト、２……駆動部、３……入口
エアーカーテン、４……空気吹込み口、５……排
出部、６……空気吹込み部、７……出口エアーカ
ーテン、８……焼成マツフル炉、９……加熱部、
１０……分解ガス除去機、Ａ……脱バインダーゾ
ーン。
の低温焼成セラミツクス製造における昇温カーブ
を示すグラフ、第２図は急速昇温時におけるバイ
ンダー分解ガスの発火並びに収縮率を示すグラ
フ、第３図イ〜ニは本発明の部分結晶化挙動を示
すＸ線回折グラフ、第４図は空気吹込み倍率と昇
温速度との関係を示すグラフ、第５図は本発明の
製造装置の実施例を示す正面図である。 １……連続ベルト、２……駆動部、３……入口
エアーカーテン、４……空気吹込み口、５……排
出部、６……空気吹込み部、７……出口エアーカ
ーテン、８……焼成マツフル炉、９……加熱部、
１０……分解ガス除去機、Ａ……脱バインダーゾ
ーン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 800〜1000℃で焼成可能なセラミツクス原料
を、通常のセラミツク製法にしたがい成形後のセ
ラミツクスグリーンシートの焼成に当り、10〜
200℃／分の速度で急速昇温するとともに、バイ
ンダーの構成単位の分子量×バインダーの混合分
解ガスの爆発限界×空気吹込量／単位時間当りの
グリーンテープ送り込み量×バインダー重量割合
×22.4の式で導かれる空気吹込み倍率Ｂを、昇温
速度Ｔ＝10〜50℃／minのときＢ≧1.5、Ｔ＝50
〜200℃／minのときＢ≧1.5＋1/50（Ｔ−50）と
なるように焼成炉内脱バインダーゾーンに空気を
吹込むことを特徴とする低温焼成セラミツクの製
造方法。 ２ 低温焼成用セラミツクスグリーンシートの連
結ベルト焼成炉において、該焼成炉の脱バインダ
ーゾーンの入口側に連結ベルトスピードに対応し
て吹込み空気量を調整可能とした機構を備えた空
気吹込み口と、該ゾーンの出口側に分解ガス除去
機を備えた排気部を備えたことを特徴とする低温
焼成セラミツクスの製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110974A JPS61117163A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 低温焼成セラミツクスの製造方法並びに装置 |
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| US06/738,160 US4726921A (en) | 1984-06-01 | 1985-05-24 | Method for manufacturing low temperature fired ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110974A JPS61117163A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 低温焼成セラミツクスの製造方法並びに装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117163A JPS61117163A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0138076B2 true JPH0138076B2 (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=14549209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP59110974A Granted JPS61117163A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 低温焼成セラミツクスの製造方法並びに装置 |
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