JPH0138079B2 - - Google Patents
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- JPH0138079B2 JPH0138079B2 JP19474281A JP19474281A JPH0138079B2 JP H0138079 B2 JPH0138079 B2 JP H0138079B2 JP 19474281 A JP19474281 A JP 19474281A JP 19474281 A JP19474281 A JP 19474281A JP H0138079 B2 JPH0138079 B2 JP H0138079B2
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- JP
- Japan
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- pulling
- guide
- shaft
- pulling shaft
- semiconductor
- Prior art date
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Links
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、チヨクラルスキー法による半導体引
上機に係り、特に引上軸としてワイヤまたはビー
ドチエーンなどの可とう性材料を用いたものの引
上軸の横振れ防止装置に関するものである。
上機に係り、特に引上軸としてワイヤまたはビー
ドチエーンなどの可とう性材料を用いたものの引
上軸の横振れ防止装置に関するものである。
半導体引上機は、引上げられた単結晶インゴツ
トの酸素濃度および比抵抗の分布特性を十分満足
させるため、引上軸を所定速度で回転させる必要
がある。ところが、前記のように可とう性材料の
引上軸を用いた場合は、引上軸の回転が引上軸の
長さによる固有振動数に影響され、ある回転数の
範囲で共振を起こして横振れを生ずるため、所望
の回転数まで上げることができない欠点があつ
た。
トの酸素濃度および比抵抗の分布特性を十分満足
させるため、引上軸を所定速度で回転させる必要
がある。ところが、前記のように可とう性材料の
引上軸を用いた場合は、引上軸の回転が引上軸の
長さによる固有振動数に影響され、ある回転数の
範囲で共振を起こして横振れを生ずるため、所望
の回転数まで上げることができない欠点があつ
た。
本発明は、前述したような欠点を解決し、可と
う性材料からなる引上軸の共振などによる横振れ
を小さく押え、所望の速度で安定した回転を行な
わせ、良好な引上げを行ない得るようにした半導
体引上機における引上軸横振れ防止装置を提供す
るにある。
う性材料からなる引上軸の共振などによる横振れ
を小さく押え、所望の速度で安定した回転を行な
わせ、良好な引上げを行ない得るようにした半導
体引上機における引上軸横振れ防止装置を提供す
るにある。
以下、本発明の一実施例を示す第1図ないし第
5図について説明する。第1図において、10は
引上機本体で、密閉可能な構造になされ、下部は
ルツボ11および図示しない加熱装置などを内蔵
した加熱チヤンバ10aを形成し、上部はルツボ
11内の融液12から単結晶インゴツト13を引
上げるための引上チヤンバ10bを形成してい
る。本体10の上部には、巻上装置14が取付け
られている。巻上装置14のフレーム15はそれ
自身が前記本体10に回転可能に取付けられ、そ
の下部に固着されたプーリー16により、引上軸
回転モータ17からベルト18により回転を与え
るようになつている。前記フレーム15にはワイ
ヤまたはビードチエーンなどの可とう性を有する
引上軸19を巻上げるための巻上ドラム20が設
けられ、引上モータ21にて回転を与えられるよ
うになつている。引上軸19の下端にはシード2
2を取付けたシードチヤツク2が取付けられてお
り、該引上軸19の上端側にはフレーム15に設
けた固定ガイド24により垂下位置を定められて
いる。
5図について説明する。第1図において、10は
引上機本体で、密閉可能な構造になされ、下部は
ルツボ11および図示しない加熱装置などを内蔵
した加熱チヤンバ10aを形成し、上部はルツボ
11内の融液12から単結晶インゴツト13を引
上げるための引上チヤンバ10bを形成してい
る。本体10の上部には、巻上装置14が取付け
られている。巻上装置14のフレーム15はそれ
自身が前記本体10に回転可能に取付けられ、そ
の下部に固着されたプーリー16により、引上軸
回転モータ17からベルト18により回転を与え
るようになつている。前記フレーム15にはワイ
ヤまたはビードチエーンなどの可とう性を有する
引上軸19を巻上げるための巻上ドラム20が設
けられ、引上モータ21にて回転を与えられるよ
うになつている。引上軸19の下端にはシード2
2を取付けたシードチヤツク2が取付けられてお
り、該引上軸19の上端側にはフレーム15に設
けた固定ガイド24により垂下位置を定められて
いる。
引上チヤンバ10b内には、互いに回転可能に
係合された外筒25および内筒26が引上軸19
と平行に垂下され、、両者の下端には対をなすア
ーム27,28が固着されている。これらのアー
ム27,28は、第4図に示すように、外筒25
と内筒26の相対的な回転によつて開閉可能にな
され、引上軸19にあらかじめ回転自在に係合さ
れているガイド29(第5図参照)を着脱可能に
把持するようになつている。
係合された外筒25および内筒26が引上軸19
と平行に垂下され、、両者の下端には対をなすア
ーム27,28が固着されている。これらのアー
ム27,28は、第4図に示すように、外筒25
と内筒26の相対的な回転によつて開閉可能にな
され、引上軸19にあらかじめ回転自在に係合さ
れているガイド29(第5図参照)を着脱可能に
把持するようになつている。
前記外筒25および内筒26には、上端が第1
図に示すように、図示しない真空シールを介して
引上チヤンバ10bの上方へ突出しており、外筒
25がベアリング30を介してプレート31に回
転自在に取付けられ、内筒26は外筒25に回転
のみ可能に支持されている。プレート31には送
りめねじ32が取付けられ、この送りめねじ32
は、、外筒25および内筒26と平行に設けられ
た送りねじ33に係合されている。この送りねじ
33を回転可能に支寺している上下の取付板3
4,35の間には、該送りねじ33と平行に、第
2図に示すように、2本のガイド軸35,36が
固設され、これらのガイド軸36,36に前記プ
レート31が移動可能に係合されている。
図に示すように、図示しない真空シールを介して
引上チヤンバ10bの上方へ突出しており、外筒
25がベアリング30を介してプレート31に回
転自在に取付けられ、内筒26は外筒25に回転
のみ可能に支持されている。プレート31には送
りめねじ32が取付けられ、この送りめねじ32
は、、外筒25および内筒26と平行に設けられ
た送りねじ33に係合されている。この送りねじ
33を回転可能に支寺している上下の取付板3
4,35の間には、該送りねじ33と平行に、第
2図に示すように、2本のガイド軸35,36が
固設され、これらのガイド軸36,36に前記プ
レート31が移動可能に係合されている。
前記外筒25と内筒26の上端には、第3図に
示すように、対をなす駆動側アーム37,38が
固着されている。駆動側アーム37,38の先端
寄りにはそれぞれめねじ39,40が係合されて
いる。これらのねじ39,40は駆動側アーム3
7,38に対して回転はせずに、第3図において
左右方向へ移動可能に係合され、かつピン41,
42を中心に揺動し得るように取付けられてい
る。これらのめねじ39,40は、ねじ軸43に
設けられている左ねじ部44と右ねじ部45にそ
れぞれ係合している。ねじ軸43はアーム開閉用
モータ46により正逆回転を与えられ、前記めね
じ39,40を介して駆動側アーム37,38を
開閉するようになつている。
示すように、対をなす駆動側アーム37,38が
固着されている。駆動側アーム37,38の先端
寄りにはそれぞれめねじ39,40が係合されて
いる。これらのねじ39,40は駆動側アーム3
7,38に対して回転はせずに、第3図において
左右方向へ移動可能に係合され、かつピン41,
42を中心に揺動し得るように取付けられてい
る。これらのめねじ39,40は、ねじ軸43に
設けられている左ねじ部44と右ねじ部45にそ
れぞれ係合している。ねじ軸43はアーム開閉用
モータ46により正逆回転を与えられ、前記めね
じ39,40を介して駆動側アーム37,38を
開閉するようになつている。
前記送りねじ33は、下方の取付板35上に設
けられた昇降用モータ47によりプーリ48、ベ
ルト49、プーリ50を介して正逆回転を与えら
れ、送りめねじ32、プレート31、ベアリング
30を介して外筒25および内筒26を昇降させ
るようになつている。なお、内筒26には、引上
チヤンバ10bの下部に設けられて上方へ伸びる
振止め軸51が摺動可動可能に係合されている。
けられた昇降用モータ47によりプーリ48、ベ
ルト49、プーリ50を介して正逆回転を与えら
れ、送りめねじ32、プレート31、ベアリング
30を介して外筒25および内筒26を昇降させ
るようになつている。なお、内筒26には、引上
チヤンバ10bの下部に設けられて上方へ伸びる
振止め軸51が摺動可動可能に係合されている。
また、第2図に示すように、取付板34,35
の間にはガイド軸36と平行にラツク52が取付
けられ、このラツク52に、第3図に示すよう
に、プレート31に取付けられたポテンシヨメー
タなどの位置検出器53がピニオン54を介して
接続され、プレート31と一体的に昇降するアー
ム27,28の高さ位置を検出し得るようになつ
ている。
の間にはガイド軸36と平行にラツク52が取付
けられ、このラツク52に、第3図に示すよう
に、プレート31に取付けられたポテンシヨメー
タなどの位置検出器53がピニオン54を介して
接続され、プレート31と一体的に昇降するアー
ム27,28の高さ位置を検出し得るようになつ
ている。
次いで本装置の作用について説明する。引上げ
開始時には、第1図に示すように、外筒25およ
び内筒26を下降限位置に置き、引上軸19にあ
らかじめ係合されているガイド29をアーム2
7,28にて把持する。次いで、シード22をル
ツボ11内の融液12に接触させ、引上軸回転モ
ータ17によりフレーム15を回転させて引上軸
19を回転させ、単結晶インゴツト13を育成し
ていく。
開始時には、第1図に示すように、外筒25およ
び内筒26を下降限位置に置き、引上軸19にあ
らかじめ係合されているガイド29をアーム2
7,28にて把持する。次いで、シード22をル
ツボ11内の融液12に接触させ、引上軸回転モ
ータ17によりフレーム15を回転させて引上軸
19を回転させ、単結晶インゴツト13を育成し
ていく。
引上軸19は、単結晶インゴツト13の成長に
連れて巻上ドラム20により除々に引上げられて
いく。このとき、引上軸19の引上げに連動させ
て、昇降用モータ47を駆動し、送りねじ33を
回転させる。この送りねじ33の回転により、送
りめねじ32、プレート31およびベアリング3
0を介して外筒25および内筒26が上昇し、ア
ーム27,28を介してガイド29を引上軸19
と連動して上昇させる。
連れて巻上ドラム20により除々に引上げられて
いく。このとき、引上軸19の引上げに連動させ
て、昇降用モータ47を駆動し、送りねじ33を
回転させる。この送りねじ33の回転により、送
りめねじ32、プレート31およびベアリング3
0を介して外筒25および内筒26が上昇し、ア
ーム27,28を介してガイド29を引上軸19
と連動して上昇させる。
このガイド29の高さは、、プレート31の上
昇に伴つてラツク52とピニオン54により回転
される位置検出器53によつて検出され、図示し
ない制御装置により制御されて前記引上軸19と
連動するように制御される。
昇に伴つてラツク52とピニオン54により回転
される位置検出器53によつて検出され、図示し
ない制御装置により制御されて前記引上軸19と
連動するように制御される。
そこで、本装置によれば、引上軸19の横振れ
方向に対して該引上軸19を保持するガイド29
とシードチヤツク23までの引上軸19の長さは
常に一定に保たれ、引上開始においても該長さは
短かく押えられる。
方向に対して該引上軸19を保持するガイド29
とシードチヤツク23までの引上軸19の長さは
常に一定に保たれ、引上開始においても該長さは
短かく押えられる。
なお、引上軸19の共振周波数を表わす下式
のlは、前記ガイド29からシードチヤツク23
までの実際の引上軸19の長さでなく、ガイド2
9からシードチヤツク23、シード22および単
結晶インゴツト13をも含めた重心位置Gまでの
距離となる。
のlは、前記ガイド29からシードチヤツク23
までの実際の引上軸19の長さでなく、ガイド2
9からシードチヤツク23、シード22および単
結晶インゴツト13をも含めた重心位置Gまでの
距離となる。
ただし、gは重力加速度である。
そこで、前記距離lは、単結晶インゴツト13
が成長し、引上長さが増加するにしたがつて増加
するために、この共振周波数に相当する引上軸
19の許容回転数は、第6図に曲線Aで示すよう
に変化し、引上開始時に最も高い回転数N1まで
共振を起こさず、引上長さが増加するにしたがつ
て低下したいく。
が成長し、引上長さが増加するにしたがつて増加
するために、この共振周波数に相当する引上軸
19の許容回転数は、第6図に曲線Aで示すよう
に変化し、引上開始時に最も高い回転数N1まで
共振を起こさず、引上長さが増加するにしたがつ
て低下したいく。
他方、前記ガイド29がなく、単に上方の固定
ガイド24のみにて引上軸19を保持する場合に
は、距離lが前記の場合より相当長くなるのでこ
のときの許容回転数は第6図の曲線Bで示すよう
になる。なお、この場合は、固定ガイド24の位
置は一定であり、単結晶インゴツト13などの重
心位置は引上げが進むに連れて上昇するため、前
記距離lは引上開始時が最も長く、引上げが進む
に連れて次第に短かくなる。そこで前記曲線Bで
示すように、許容回転数は引上開始時が最も低い
N2となり、引上げが進むに連れて許容回転数は
上昇する。しかしながら、実際に採用できる回転
数は、最も低い許容回転数N2であるため、この
許容回転数N2と比較すれば、前記曲線Aで示さ
れている本装置の許容回転数は十分高くとり得る
ことが判明する。
ガイド24のみにて引上軸19を保持する場合に
は、距離lが前記の場合より相当長くなるのでこ
のときの許容回転数は第6図の曲線Bで示すよう
になる。なお、この場合は、固定ガイド24の位
置は一定であり、単結晶インゴツト13などの重
心位置は引上げが進むに連れて上昇するため、前
記距離lは引上開始時が最も長く、引上げが進む
に連れて次第に短かくなる。そこで前記曲線Bで
示すように、許容回転数は引上開始時が最も低い
N2となり、引上げが進むに連れて許容回転数は
上昇する。しかしながら、実際に採用できる回転
数は、最も低い許容回転数N2であるため、この
許容回転数N2と比較すれば、前記曲線Aで示さ
れている本装置の許容回転数は十分高くとり得る
ことが判明する。
しかして、本装置によれば、、従来のように引
上軸19の横振れによつてその回転数を低く押え
られることなく、、育成される単結晶インゴツト
13の酸素濃度および比抵抗の分布特性を満足さ
せるなどの引上条件に最も好ましい回転数で引上
軸19を回転させることができ、良好な単結晶イ
ンゴツト13が得られる。
上軸19の横振れによつてその回転数を低く押え
られることなく、、育成される単結晶インゴツト
13の酸素濃度および比抵抗の分布特性を満足さ
せるなどの引上条件に最も好ましい回転数で引上
軸19を回転させることができ、良好な単結晶イ
ンゴツト13が得られる。
こうして所定長さの単結晶インゴツト13が育
成されたならば、引上げを停止し、アーム開閉用
モータ40を作動させてねじ軸43を逆転させ
る。このねじ軸43の逆転によりめねじ39,4
0を介して駆動側アーム37,38が閉じる方向
へ旋回して外筒25と内筒26とを互いに逆方向
へ回転させ、アーム27,28を開く。こうして
ガイド29をアーム27,28から外した後、単
結晶インゴツト13をルツボ11から引上チヤン
バ10b内へ引上げ、加熱チヤンバ10aと引上
チヤンバ10bの間の図示しないゲートバルブを
閉じて両チヤンバ間をしや断し、引上チヤンバ1
0bの図示しない開閉扉を開いて単結晶インゴツ
ト13を取出し、1回の引上げを終了する。
成されたならば、引上げを停止し、アーム開閉用
モータ40を作動させてねじ軸43を逆転させ
る。このねじ軸43の逆転によりめねじ39,4
0を介して駆動側アーム37,38が閉じる方向
へ旋回して外筒25と内筒26とを互いに逆方向
へ回転させ、アーム27,28を開く。こうして
ガイド29をアーム27,28から外した後、単
結晶インゴツト13をルツボ11から引上チヤン
バ10b内へ引上げ、加熱チヤンバ10aと引上
チヤンバ10bの間の図示しないゲートバルブを
閉じて両チヤンバ間をしや断し、引上チヤンバ1
0bの図示しない開閉扉を開いて単結晶インゴツ
ト13を取出し、1回の引上げを終了する。
前述した実施例は、ガイド29を引上軸19の
引上げに連動して上昇させるようにした例を示し
たが、、これに限らず、ガイド29を引上げの初
期には下限に近い位置に停止させておき、引上げ
が進んでシードチヤツク23がガイド29に近付
いた時点からガイド29を引上軸19と連動させ
て上昇させるようにしてもよい。この場合、引上
軸19の許容回転数は、第6図に一点鎖線で示す
曲線Cのようになる。また、ガイド29は引上軸
19の引上げに応じて間欠的に所定距離ずつ上昇
させるようにしてもよく、この場合の許容回転数
は第6図に点線で示す曲線Dのようになる。
引上げに連動して上昇させるようにした例を示し
たが、、これに限らず、ガイド29を引上げの初
期には下限に近い位置に停止させておき、引上げ
が進んでシードチヤツク23がガイド29に近付
いた時点からガイド29を引上軸19と連動させ
て上昇させるようにしてもよい。この場合、引上
軸19の許容回転数は、第6図に一点鎖線で示す
曲線Cのようになる。また、ガイド29は引上軸
19の引上げに応じて間欠的に所定距離ずつ上昇
させるようにしてもよく、この場合の許容回転数
は第6図に点線で示す曲線Dのようになる。
さらにまた、前述した実施例は、あらかじめ引
上軸19に係合されているガイド29をアーム2
7,28にて着脱可能に保持するようにした例を
示したが、アーム27,28をガイドとしてこれ
らにより直接引上軸19を回転可能に包囲するよ
うにしてもよく、さらにまた、前記ガイド29の
ようなガイドを単に引上軸19と連続的ないしは
間欠的に連動して移動するように設けてもよい
等、種々変更し得ることは言うまでもない。
上軸19に係合されているガイド29をアーム2
7,28にて着脱可能に保持するようにした例を
示したが、アーム27,28をガイドとしてこれ
らにより直接引上軸19を回転可能に包囲するよ
うにしてもよく、さらにまた、前記ガイド29の
ようなガイドを単に引上軸19と連続的ないしは
間欠的に連動して移動するように設けてもよい
等、種々変更し得ることは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、可とう性材
料からなる引上軸の共振などによる横振れを引上
開始時から終了時までのすべての間においてより
小さく押えることができ、引上軸を所望の速度で
安定して回転せることができるため、良好な引上
げを行ない得る効果が得られる。
料からなる引上軸の共振などによる横振れを引上
開始時から終了時までのすべての間においてより
小さく押えることができ、引上軸を所望の速度で
安定して回転せることができるため、良好な引上
げを行ない得る効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例を示す一部破断概要
図、第2図は第1図のZ矢視による部分右側面
図、第3図は第1図の−線による断面図、第
4図は第1図の−線による断面図、第5図は
第4図の−線による部分拡大断面図、第6図
は引上長さと引上軸の許容回転数との関係を示す
曲線図である。 10……引上機本体、10a……加熱チヤン
バ、10b……引上チヤンバ、11……ルツボ、
13……単結晶インゴツト、14……巻上装置、
19……引上軸、22……シード、23……シー
ドチヤツク、25……外筒、26……内筒、2
7,28……アーム、29……ガイド、31……
プレート、32……送りめねじ、33……送りね
じ、36……ガイド軸、37,38……駆動側ア
ーム、39,40……めねじ、43……ねじ軸、
46……アーム開閉用モータ、47……昇降用モ
ータ、52……ラツク、53……位置検出器、5
4……ピニオン。
図、第2図は第1図のZ矢視による部分右側面
図、第3図は第1図の−線による断面図、第
4図は第1図の−線による断面図、第5図は
第4図の−線による部分拡大断面図、第6図
は引上長さと引上軸の許容回転数との関係を示す
曲線図である。 10……引上機本体、10a……加熱チヤン
バ、10b……引上チヤンバ、11……ルツボ、
13……単結晶インゴツト、14……巻上装置、
19……引上軸、22……シード、23……シー
ドチヤツク、25……外筒、26……内筒、2
7,28……アーム、29……ガイド、31……
プレート、32……送りめねじ、33……送りね
じ、36……ガイド軸、37,38……駆動側ア
ーム、39,40……めねじ、43……ねじ軸、
46……アーム開閉用モータ、47……昇降用モ
ータ、52……ラツク、53……位置検出器、5
4……ピニオン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 可とう性材料を引上軸として用いる半導体引
上機において、シードチヤツクの上方に位置して
引上軸を包囲するガイドと、同ガイドを引上軸と
平行に移動可能に保持する案内部と、前記ガイド
を前記案内部に沿つて移動させる駆動手段とを具
備することを特徴とする半導体引上機における引
上軸横振れ防止装置。 2 駆動手段が、ガイドを引上軸の引上速度と同
期して移動させるように構成されている特許請求
の範囲第1項記載の半導体引上機における引上軸
横振れ防止装置。 3 駆動手段が、ガイドを引上軸の引上げに従つ
て間欠的に移動させるように構成されている特許
請求の範囲第1項記載の半導体引上機における引
上軸横振れ防止装置。 4 ガイドが、案内部に沿つて移動する開閉部材
によつて着脱可能に支持されている特許請求の範
囲第1、2または3項記載の半導体引上機におけ
る引上軸横振れ防止装置。 5 ガイドが、開閉可能に形成されている特許請
求の範囲第1、2または3項記載の半導体引上機
における引上軸横振れ防止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474281A JPS5895691A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474281A JPS5895691A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895691A JPS5895691A (ja) | 1983-06-07 |
| JPH0138079B2 true JPH0138079B2 (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=16329467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19474281A Granted JPS5895691A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895691A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542538B1 (ko) * | 2001-09-11 | 2006-01-11 | 주식회사 포스코 | 언로더 버켓 흔들림 방지장치 |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP19474281A patent/JPS5895691A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5895691A (ja) | 1983-06-07 |
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