JPH0139231B2 - - Google Patents
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- JPH0139231B2 JPH0139231B2 JP56192578A JP19257881A JPH0139231B2 JP H0139231 B2 JPH0139231 B2 JP H0139231B2 JP 56192578 A JP56192578 A JP 56192578A JP 19257881 A JP19257881 A JP 19257881A JP H0139231 B2 JPH0139231 B2 JP H0139231B2
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
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- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は半導体発光素子の単位或いは組み合わ
せ或いは前記半導体発光素子とFETまたは光ト
ランジスター等の半導体素子とを搭載した光半導
体装置に関する。
せ或いは前記半導体発光素子とFETまたは光ト
ランジスター等の半導体素子とを搭載した光半導
体装置に関する。
(2) 従来技術と問題点
従来の問題点を半導体発光素子の単体を用いて
説明することにする。この半導体発光素子として
インジウム・ガリウム・ヒ素・リン（InGaAsP）
−インジウム・リン（InP）ダブルヘテロ接合構
造のストライプ型半導体レーザを挙げることにす
る。第１図は前記半導体レーザの概略断面図であ
る。１はｎ形InP基板、２はｎ形InPバツフア層
兼クラツド層、３はInGaAsP活性層、４はｐ形
InPクラツド層、５は二酸化シリコン（SiO2）絶
縁性層、６はｐ側電極、７はｎ側電極をそれぞれ
示している。
説明することにする。この半導体発光素子として
インジウム・ガリウム・ヒ素・リン（InGaAsP）
−インジウム・リン（InP）ダブルヘテロ接合構
造のストライプ型半導体レーザを挙げることにす
る。第１図は前記半導体レーザの概略断面図であ
る。１はｎ形InP基板、２はｎ形InPバツフア層
兼クラツド層、３はInGaAsP活性層、４はｐ形
InPクラツド層、５は二酸化シリコン（SiO2）絶
縁性層、６はｐ側電極、７はｎ側電極をそれぞれ
示している。
このような半導体レーザでは前記SiO2絶縁性
層５によつて電流注入領域をストライプ状に形成
してあり、動作としては、ｐ側電極６に正、ｎ側
電極に負を印加し、活性層３にキヤリアを注入
し、再結合により発光を得る。この光は活性層３
の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有し、活性層３
の屈折率より低い屈折率を有するクラツド層２，
４によつて活性層３に閉じ込められるが、ひとた
びクラツド層２，４へしみ出した光及び活性層３
とクラツド層２，４界面で散乱した光（以下漏洩
光と略記）は、InPクラツド層２，４を通つて伝
播する。このときInPの禁制帯幅は活性層３の
InGaAsPのそれより大きいので漏洩光は減衰す
ることなくInP結晶内を伝播し、結晶界面でのフ
レネル反射や素子に配置された電極６，７で反射
し、再び活性層３へ帰還することになる。この帰
還光により半導体レーザ素子が被る影響は出力電
力でみた発振が不安定になるばかりでなく、発光
放射パターンが空間的に乱れたり、また不安定と
なつたりする。第２図は結晶の接合に垂直な発光
放射パターンを示しており、ギザギザな曲線は帰
還光が活性層３へ混入したために生じる放射パタ
ーンの乱れを表わしている。このような放射パタ
ーンの乱れはコヒーレンスを悪くし、例えば画像
処理では分解能が低下するという問題を引き起こ
す。
層５によつて電流注入領域をストライプ状に形成
してあり、動作としては、ｐ側電極６に正、ｎ側
電極に負を印加し、活性層３にキヤリアを注入
し、再結合により発光を得る。この光は活性層３
の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有し、活性層３
の屈折率より低い屈折率を有するクラツド層２，
４によつて活性層３に閉じ込められるが、ひとた
びクラツド層２，４へしみ出した光及び活性層３
とクラツド層２，４界面で散乱した光（以下漏洩
光と略記）は、InPクラツド層２，４を通つて伝
播する。このときInPの禁制帯幅は活性層３の
InGaAsPのそれより大きいので漏洩光は減衰す
ることなくInP結晶内を伝播し、結晶界面でのフ
レネル反射や素子に配置された電極６，７で反射
し、再び活性層３へ帰還することになる。この帰
還光により半導体レーザ素子が被る影響は出力電
力でみた発振が不安定になるばかりでなく、発光
放射パターンが空間的に乱れたり、また不安定と
なつたりする。第２図は結晶の接合に垂直な発光
放射パターンを示しており、ギザギザな曲線は帰
還光が活性層３へ混入したために生じる放射パタ
ーンの乱れを表わしている。このような放射パタ
ーンの乱れはコヒーレンスを悪くし、例えば画像
処理では分解能が低下するという問題を引き起こ
す。
また同一基板上に形成された半導体発光素子の
組み合わせ或いは半導体発光素子と光トランジス
ター、FET等の半導体素子とを組み合わせた複
合装置においては、前述した前記半導体発光素子
からの漏洩光が同一基板上に隣接して設けられた
半導体発光素子或いは光トランジスター、FET
等の半導体素子に雑音とし捕えられ素子の動作を
不安定にするという欠点がある。
組み合わせ或いは半導体発光素子と光トランジス
ター、FET等の半導体素子とを組み合わせた複
合装置においては、前述した前記半導体発光素子
からの漏洩光が同一基板上に隣接して設けられた
半導体発光素子或いは光トランジスター、FET
等の半導体素子に雑音とし捕えられ素子の動作を
不安定にするという欠点がある。
(3) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を改善するために、半
導体発光素子の発光領成から漏れる漏洩光が、自
己の動作領域或いは前記半導体発光素子と同一基
板上に形成された光半導体素子の動作領域へ混入
しないようにした光半導体装置を提供することを
目的とするものである。
導体発光素子の発光領成から漏れる漏洩光が、自
己の動作領域或いは前記半導体発光素子と同一基
板上に形成された光半導体素子の動作領域へ混入
しないようにした光半導体装置を提供することを
目的とするものである。
(4) 発明の構成
本発明は、発光素子と他の光素子とが、前記発
光素子の発光波長に対して実質的に透明であり、
且つ裏面に電極が形成された半導体基板上に並設
されてなる光半導体装置において、該半導体基板
と、該発光素子及び他の光素子の能動領域との間
に該発光素子の漏洩光を吸収する光吸収層を配置
するものである。
光素子の発光波長に対して実質的に透明であり、
且つ裏面に電極が形成された半導体基板上に並設
されてなる光半導体装置において、該半導体基板
と、該発光素子及び他の光素子の能動領域との間
に該発光素子の漏洩光を吸収する光吸収層を配置
するものである。
本発明によると、発光素子から放射される光が
基板側または他の光素子側に伝播しても、光吸収
層によつてその光強度が低減されるため、その光
が他の素子に入射して動作を不安定にさせること
が防止される。
基板側または他の光素子側に伝播しても、光吸収
層によつてその光強度が低減されるため、その光
が他の素子に入射して動作を不安定にさせること
が防止される。
(5) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面を用いて詳述する。
第３図は本実施例におけるInGaAsP−InPダブル
ヘテロ接合構造のストライプ型半導体レーザの概
略断面図を示すものである。
第３図は本実施例におけるInGaAsP−InPダブル
ヘテロ接合構造のストライプ型半導体レーザの概
略断面図を示すものである。
半導体基板８はｎ形InP、９はｎ形InPバツフ
ア層、１０はｎ形InGaAsP吸収層、１１はｎ形
InPクラツド層、１２はInGaAsP活性層、１３は
ｐ形クラツド層、１４はｐ形InGaAsP吸収層、
１５はSiO2絶縁性層、１６はチタン（Ti）、白金
（Pt）、金（Au）の三層からなるｐ側電極、１７
は金ゲルマニウム（AuGe）とニツケル（Ni）の
二層からなるｎ側電極をそれぞれ示している。
ア層、１０はｎ形InGaAsP吸収層、１１はｎ形
InPクラツド層、１２はInGaAsP活性層、１３は
ｐ形クラツド層、１４はｐ形InGaAsP吸収層、
１５はSiO2絶縁性層、１６はチタン（Ti）、白金
（Pt）、金（Au）の三層からなるｐ側電極、１７
は金ゲルマニウム（AuGe）とニツケル（Ni）の
二層からなるｎ側電極をそれぞれ示している。
吸収層１０，１４は活性層１２を上下から挾ん
だクラツド層１１，１３からなる半導体層を更に
上下から挾み込んで配置されている。
だクラツド層１１，１３からなる半導体層を更に
上下から挾み込んで配置されている。
典型的な各層厚はバツフア層が5μｍ、クラツ
ド層１１，１３が1.5μｍ、活性層１２が0.15μｍ、
絶縁性層が1μｍである。
ド層１１，１３が1.5μｍ、活性層１２が0.15μｍ、
絶縁性層が1μｍである。
吸収係数がα、層厚がｄを有する結晶層に光強
度がI0の光を入射すると、該結晶層を通過したと
きの光強度ＩはＩ＝I0e〓dの式を満たす。従つて
αd１とすればＩI0e-1となり光強度をかなり
の発光波長を1.3μｍとし、吸収端波長を1.4μｍと
すれば吸収層１０，１４での吸収係数はほぼ104
cm-1以上となり、該吸収層１０，１４の層厚を1μ
ｍにすればαd１の条件を満たすことが可能と
なる。
度がI0の光を入射すると、該結晶層を通過したと
きの光強度ＩはＩ＝I0e〓dの式を満たす。従つて
αd１とすればＩI0e-1となり光強度をかなり
の発光波長を1.3μｍとし、吸収端波長を1.4μｍと
すれば吸収層１０，１４での吸収係数はほぼ104
cm-1以上となり、該吸収層１０，１４の層厚を1μ
ｍにすればαd１の条件を満たすことが可能と
なる。
動作はｐ側電極１６に正、ｎ側電極１７に負を
印加し、絶縁性層１５によつて電流をストライプ
状の領域に絞つて活性層１２に注入し、再結合に
より発光を得る。活性層１２に注入された電流は
縦方向に対して隣接する活性層１２より禁制帯幅
の大きいクラツド層１１，１３により該活性層１
２内に完全に閉じ込められる。十分な注入電流に
よつて損失に利得が打ち勝つた時、活性層１２か
らレーザ光が生じる。この光は屈折率の低いクラ
ツド層１１，１３により活性層内に閉じ込められ
るが、光は完全に活性層１２内に閉じ込めること
はできず、前述した理由、即ちクラツド層１１，
１３への光のしみ出し及び活性層１２とクラツド
層１１，１３界面での光の散乱による漏洩光が活
性層１２から流出し伝播する。しかしながら、本
実施例の装置においては吸収層１０，１４が設け
られているため電極１６，１７方向へ伝播する前
記漏洩光は前記吸収層１０，１４を通過する。こ
のとき、前記漏洩光の光強度をI0とすると、αd
１より前記吸収層１０，１４を通過したときの光
強度ＩはＩI0e-1となる。この吸収層１０，１
４を通過した光は、結晶界面でのフレネル反射や
電極１６，１７による反射によつて帰還光となつ
て再び吸収層１０，１４を通過するが、該吸収層
１０，１４の通過後の光強度I′はI′I0e-2となる。
このようにして吸収層１０，１４を設けることに
よつて活性層１２へ帰還する光の強度を約１桁以
上低減できるので、出力電力でみた発振を安定に
し、発光放射パターンが空間的に乱れるのを防ぎ
かつ安定にすることができる。第４図は本実施例
の装置における結晶の接合に垂直な発光放射パタ
ーンを示してお、吸収層１０，１４が設けられた
ことにより漏洩光が活性層３へ帰還する量を低減
できるため放射パターンの乱れは生じていない。
そして、帰還光が他の光素子などに入射して誤動
作を起こすことが防止される。
印加し、絶縁性層１５によつて電流をストライプ
状の領域に絞つて活性層１２に注入し、再結合に
より発光を得る。活性層１２に注入された電流は
縦方向に対して隣接する活性層１２より禁制帯幅
の大きいクラツド層１１，１３により該活性層１
２内に完全に閉じ込められる。十分な注入電流に
よつて損失に利得が打ち勝つた時、活性層１２か
らレーザ光が生じる。この光は屈折率の低いクラ
ツド層１１，１３により活性層内に閉じ込められ
るが、光は完全に活性層１２内に閉じ込めること
はできず、前述した理由、即ちクラツド層１１，
１３への光のしみ出し及び活性層１２とクラツド
層１１，１３界面での光の散乱による漏洩光が活
性層１２から流出し伝播する。しかしながら、本
実施例の装置においては吸収層１０，１４が設け
られているため電極１６，１７方向へ伝播する前
記漏洩光は前記吸収層１０，１４を通過する。こ
のとき、前記漏洩光の光強度をI0とすると、αd
１より前記吸収層１０，１４を通過したときの光
強度ＩはＩI0e-1となる。この吸収層１０，１
４を通過した光は、結晶界面でのフレネル反射や
電極１６，１７による反射によつて帰還光となつ
て再び吸収層１０，１４を通過するが、該吸収層
１０，１４の通過後の光強度I′はI′I0e-2となる。
このようにして吸収層１０，１４を設けることに
よつて活性層１２へ帰還する光の強度を約１桁以
上低減できるので、出力電力でみた発振を安定に
し、発光放射パターンが空間的に乱れるのを防ぎ
かつ安定にすることができる。第４図は本実施例
の装置における結晶の接合に垂直な発光放射パタ
ーンを示してお、吸収層１０，１４が設けられた
ことにより漏洩光が活性層３へ帰還する量を低減
できるため放射パターンの乱れは生じていない。
そして、帰還光が他の光素子などに入射して誤動
作を起こすことが防止される。
次に本発明の他の実施例を紹介することにす
る。第５図は同一基板上に半導体レーザをアレイ
化したときの装置の断面図である。
る。第５図は同一基板上に半導体レーザをアレイ
化したときの装置の断面図である。
図面において、１８はｎ形InP基板、１９はｎ
形InPバツフア層、２０はｎ形InGaAsP吸収層、
２１はｎ形InPクラツド層、２２はInGaAsP活性
層、２３はｐ形InPクラツド層、２４はｎ形
InGaAsP吸収層、２５はｎ形InP層、２６はｎ形
InGaAsP層、２７はプロトン照射による高抵抗
領域、２８は亜鉛（Zn）またはカドミウム（Cd）
の拡散による電流路、２９はSiO2絶縁性層、３
０はｐ側電極、３１はｎ側電極をそれぞれ示して
いる。
形InPバツフア層、２０はｎ形InGaAsP吸収層、
２１はｎ形InPクラツド層、２２はInGaAsP活性
層、２３はｐ形InPクラツド層、２４はｎ形
InGaAsP吸収層、２５はｎ形InP層、２６はｎ形
InGaAsP層、２７はプロトン照射による高抵抗
領域、２８は亜鉛（Zn）またはカドミウム（Cd）
の拡散による電流路、２９はSiO2絶縁性層、３
０はｐ側電極、３１はｎ側電極をそれぞれ示して
いる。
活性層２２はｎ形クラツド層２１内に埋へ込ま
れ、吸収層２０はそれぞれの活性層２２の間で凸
状の形状をとつている。また、高抵抗領域２７と
電流路２８はｐ形クラツド層２３に達する深さま
で照射或いは拡散されていて高抵抗領域２７は
個々の半導体レーザを電気的に分離している。
れ、吸収層２０はそれぞれの活性層２２の間で凸
状の形状をとつている。また、高抵抗領域２７と
電流路２８はｐ形クラツド層２３に達する深さま
で照射或いは拡散されていて高抵抗領域２７は
個々の半導体レーザを電気的に分離している。
本実施例の動作はｎ側電極３１に負、各の半導
体レーザのｐ側電極３０に正を印加し、電流を電
流路２８を通して活性層２２に注入し、レーザ光
を発振させる。この光は屈折率の低いクラツド層
２１，２３によつて縦横方向に閉じ込められる
が、従来の問題点である活性層２２からの漏洩
光、特に結晶の接合に対して平行方向に漏洩した
光は、隣接した半導体レーザの活性層２２に入り
該半導体レーザに雑音として捕えられる。しかし
ながら本実施例では活性層と活性層の間に凸形状
を有する吸収層２０が設けられているため、結晶
の接合に対して平行方向に漏洩した光は前記吸収
層２０で吸収され、隣接した半導体レーザの活性
層へ入り込む光の量を緩和し、低クロストークを
可能にする。また活性層２２とクラツド層２１，
２３とからなる半導体層を上下から挾む吸収層２
０，２４によつて結晶の接合に対して垂直方向に
漏洩した光は前記吸収層２０，２４に吸収され、
自己の活性層及び他の活性層への混入を低減でき
る。
体レーザのｐ側電極３０に正を印加し、電流を電
流路２８を通して活性層２２に注入し、レーザ光
を発振させる。この光は屈折率の低いクラツド層
２１，２３によつて縦横方向に閉じ込められる
が、従来の問題点である活性層２２からの漏洩
光、特に結晶の接合に対して平行方向に漏洩した
光は、隣接した半導体レーザの活性層２２に入り
該半導体レーザに雑音として捕えられる。しかし
ながら本実施例では活性層と活性層の間に凸形状
を有する吸収層２０が設けられているため、結晶
の接合に対して平行方向に漏洩した光は前記吸収
層２０で吸収され、隣接した半導体レーザの活性
層へ入り込む光の量を緩和し、低クロストークを
可能にする。また活性層２２とクラツド層２１，
２３とからなる半導体層を上下から挾む吸収層２
０，２４によつて結晶の接合に対して垂直方向に
漏洩した光は前記吸収層２０，２４に吸収され、
自己の活性層及び他の活性層への混入を低減でき
る。
更に本発明の他の実施例を紹介することにす
る。第６図は同一基板上に半導体レーザとフオト
トランジスターとを設けた装置の断面図である。
る。第６図は同一基板上に半導体レーザとフオト
トランジスターとを設けた装置の断面図である。
図面において３２はｎ形InP基板、３８はｎ形
InGaAsP吸収層、３４はｎ形InP層、３５はｐ形
InP層、３６はｎ結Inpクラツド層、３７はｐ形
もしくはｎ形InGaAsP活性層、３８はｐ形InPク
ラツド層、３９はｐ形InGaAsP層、４０はレー
ザのｐ側電極、４１はフオトトランジスターのコ
レクタまたはエミツタ電極、４２はｎ側電極をそ
れぞれ示している。
InGaAsP吸収層、３４はｎ形InP層、３５はｐ形
InP層、３６はｎ結Inpクラツド層、３７はｐ形
もしくはｎ形InGaAsP活性層、３８はｐ形InPク
ラツド層、３９はｐ形InGaAsP層、４０はレー
ザのｐ側電極、４１はフオトトランジスターのコ
レクタまたはエミツタ電極、４２はｎ側電極をそ
れぞれ示している。
レーザ発振領域に当たる活性層３７はＶ字型の
溝の中に形成され、半導体レーザの電流路は前記
Ｖ字形の溝の外に設けられたｐ形InP層３５とｎ
形InP層３６のｐ−ｎ逆バイアスによつて電流が
阻止され、前記Ｖ字型の溝の内部のみに電流を絞
ることができる。また半導体レーザとフオトトラ
ンジスターを電気的に分離するため、該レーザと
該トランジスターの間にｎ形InP層３４に達する
深さの溝を形成する。なお、該溝を吸収層３３に
達する深さまで形成するとより効果的である。
溝の中に形成され、半導体レーザの電流路は前記
Ｖ字形の溝の外に設けられたｐ形InP層３５とｎ
形InP層３６のｐ−ｎ逆バイアスによつて電流が
阻止され、前記Ｖ字型の溝の内部のみに電流を絞
ることができる。また半導体レーザとフオトトラ
ンジスターを電気的に分離するため、該レーザと
該トランジスターの間にｎ形InP層３４に達する
深さの溝を形成する。なお、該溝を吸収層３３に
達する深さまで形成するとより効果的である。
この装置ではフオトトランジスター形成領域の
ｐ形InP層３５に光４３を照射することにより一
つのチツプで受け取つた数μWの光を数ｍＷのレ
ーザ光に増幅して送り出すことができ、光中継器
として用いることが可能である。このとき、この
フオトトランジスターが受光することのできる光
の波長はベースを形成する半導体層の禁制帯幅に
相当する波長よりも短波長の光である。従つて、
本実施例ではｎ−ｐ−ｎ形構造の半導体層がInP
で形成されているので、InPの波長より短波長の
光、例えばガリウム・アルミニウム・ヒ素
（GaAlAs）の光を受光することができる。また
目的に応じてベースのInPをInGaAsPとし、禁制
帯幅を小さくして受光できる光の波長範囲を広く
することができる。
ｐ形InP層３５に光４３を照射することにより一
つのチツプで受け取つた数μWの光を数ｍＷのレ
ーザ光に増幅して送り出すことができ、光中継器
として用いることが可能である。このとき、この
フオトトランジスターが受光することのできる光
の波長はベースを形成する半導体層の禁制帯幅に
相当する波長よりも短波長の光である。従つて、
本実施例ではｎ−ｐ−ｎ形構造の半導体層がInP
で形成されているので、InPの波長より短波長の
光、例えばガリウム・アルミニウム・ヒ素
（GaAlAs）の光を受光することができる。また
目的に応じてベースのInPをInGaAsPとし、禁制
帯幅を小さくして受光できる光の波長範囲を広く
することができる。
本実施例の装置には本発明である吸収層３３が
配置されているが、該吸収層３３が配置されてな
いときには次のような問題が生じる。つまり、発
光領域、即ちＶ字型の溝内の活性層３７から漏れ
る漏洩光が基板３２及びｎ形InP層３４中を伝播
してフオトトランジスターの受光領域、即ちｐ形
InP層３５に雑音という形で入り、前記受光領域
での感度を低下させるため、強度の強い光を信号
とする必要がある。
配置されているが、該吸収層３３が配置されてな
いときには次のような問題が生じる。つまり、発
光領域、即ちＶ字型の溝内の活性層３７から漏れ
る漏洩光が基板３２及びｎ形InP層３４中を伝播
してフオトトランジスターの受光領域、即ちｐ形
InP層３５に雑音という形で入り、前記受光領域
での感度を低下させるため、強度の強い光を信号
とする必要がある。
本実施例によれば吸収層３３を施けることによ
り、活性層３７からの漏洩光が該吸収層３３を通
ることによつて前記漏洩光の光の強度を小さく
し、受光領域へ入る雑音量を低減することでフオ
トトランジスターの感度を向上することができ
る。
り、活性層３７からの漏洩光が該吸収層３３を通
ることによつて前記漏洩光の光の強度を小さく
し、受光領域へ入る雑音量を低減することでフオ
トトランジスターの感度を向上することができ
る。
(6) 発明の効果
本発明によれば、半導体発光素子の発光領域か
ら漏れる漏洩光が自己の動作領域或いは前記半導
体発光素子と同一基板上に形成された（光）トラ
ンジスタ、FET等の動作領域へ混入する量を低
減でき高安定な光半導体装置を提供できるという
効果がある。
ら漏れる漏洩光が自己の動作領域或いは前記半導
体発光素子と同一基板上に形成された（光）トラ
ンジスタ、FET等の動作領域へ混入する量を低
減でき高安定な光半導体装置を提供できるという
効果がある。
第１図は従来の半導体レーザの概略断面図、第
２図は従来の半導体レーザにおける結晶の接合に
垂直な発光放射パターンを示した図、第３図は本
発明の一実施例における半導体レーザの概略断面
図、第４図は第３図の装置における結晶の接合に
垂直な発光放射パターンを示した図、第５図は同
一基板上に半導体レーザをアレイ化したときの装
置の概略断面図、第６図は同一基板上に半導体レ
ーザとフオトトランジスターとを配置した装置の
概略的断面図である。 ２，４，１１，１３，２１，２３……InPクラ
ツド層、３，１２，２２，３７……InGaAsP活
性層、６，７，１６，１７，３０，３１，４０，
４１，４２……電極、１０，１４，２０，２４，
３３……InGaAsP吸収層、２８……電流路、２
９……高抵抗領域、３４，３６……ｎ形InP層、
３５……ｐ形InP層。
２図は従来の半導体レーザにおける結晶の接合に
垂直な発光放射パターンを示した図、第３図は本
発明の一実施例における半導体レーザの概略断面
図、第４図は第３図の装置における結晶の接合に
垂直な発光放射パターンを示した図、第５図は同
一基板上に半導体レーザをアレイ化したときの装
置の概略断面図、第６図は同一基板上に半導体レ
ーザとフオトトランジスターとを配置した装置の
概略的断面図である。 ２，４，１１，１３，２１，２３……InPクラ
ツド層、３，１２，２２，３７……InGaAsP活
性層、６，７，１６，１７，３０，３１，４０，
４１，４２……電極、１０，１４，２０，２４，
３３……InGaAsP吸収層、２８……電流路、２
９……高抵抗領域、３４，３６……ｎ形InP層、
３５……ｐ形InP層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光素子と他の光素子とが、前記発光素子の
発光波長に対して実質的に透明であり、且つ裏面
に電極が形成された半導体基板上に並設されてな
る光半導体装置において、 該半導体基板と、該発光素子及び他の光素子の
能動領域との間に該発光素子の漏洩光を吸収する
光吸収層が配置されてなることを特徴とする光半
導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192578A JPS5893390A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光半導体装置 |
| EP82402152A EP0080945B1 (en) | 1981-11-30 | 1982-11-26 | Optical semiconductor device |
| DE8282402152T DE3280183D1 (de) | 1981-11-30 | 1982-11-26 | Optische halbleiteranordnung. |
| US06/445,045 US4607368A (en) | 1981-11-30 | 1982-11-29 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192578A JPS5893390A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893390A JPS5893390A (ja) | 1983-06-03 |
| JPH0139231B2 true JPH0139231B2 (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=16293606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192578A Granted JPS5893390A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4607368A (ja) |
| JP (1) | JPS5893390A (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60241283A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-11-30 | Toshiba Corp | 集積化学半導体素子 |
| JPH0685432B2 (ja) * | 1985-03-18 | 1994-10-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| FR2592739B1 (fr) * | 1986-01-06 | 1988-03-18 | Brillouet Francois | Structure semi-conductrice monolithique d'un laser et d'un transistor a effet de champ et son procede de fabrication |
| US4804639A (en) * | 1986-04-18 | 1989-02-14 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a DH laser with strained layers by MBE |
| US4757197A (en) * | 1986-05-01 | 1988-07-12 | Lee Wai Hon | Semiconductor laser and detector device |
| US4905216A (en) * | 1986-12-04 | 1990-02-27 | Pencom International Corporation | Method for constructing an optical head by varying a hologram pattern |
| US5003359A (en) * | 1989-12-29 | 1991-03-26 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Optoelectronic integrated circuit |
| US4995049A (en) * | 1990-05-29 | 1991-02-19 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic integrated circuit |
| US5221633A (en) * | 1991-09-09 | 1993-06-22 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a distributed drive optoelectronic integrated circuit |
| US5335240A (en) * | 1992-12-22 | 1994-08-02 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Periodic dielectric structure for production of photonic band gap and devices incorporating the same |
| US5406573A (en) * | 1992-12-22 | 1995-04-11 | Iowa State University Research Foundation | Periodic dielectric structure for production of photonic band gap and method for fabricating the same |
| JPH1187850A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 |
| US6693935B2 (en) * | 2000-06-20 | 2004-02-17 | Sony Corporation | Semiconductor laser |
| GB2370883A (en) * | 2001-01-08 | 2002-07-10 | Bookham Technology Plc | Optical circuit device with barrier to absorb stray light |
| US7609737B2 (en) * | 2003-07-10 | 2009-10-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| JP3738849B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2006-01-25 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザ、光モジュール、ならびに光伝達装置 |
| JP2010021430A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
| EP4155663A4 (en) * | 2020-05-21 | 2023-11-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | ELECTRONIC DEVICE |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2126462A5 (ja) * | 1969-07-09 | 1972-10-06 | Radiotechnique Compelec | |
| JPS5598880A (en) * | 1979-01-20 | 1980-07-28 | Nec Corp | Light transmitting/receiving semiconductor device |
| JPS55108773U (ja) * | 1979-01-24 | 1980-07-30 | ||
| US4359774A (en) * | 1980-11-04 | 1982-11-16 | Rca Corporation | Light emitting device |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192578A patent/JPS5893390A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-29 US US06/445,045 patent/US4607368A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4607368A (en) | 1986-08-19 |
| JPS5893390A (ja) | 1983-06-03 |
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