JPH0140287B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0140287B2 JPH0140287B2 JP53163079A JP16307978A JPH0140287B2 JP H0140287 B2 JPH0140287 B2 JP H0140287B2 JP 53163079 A JP53163079 A JP 53163079A JP 16307978 A JP16307978 A JP 16307978A JP H0140287 B2 JPH0140287 B2 JP H0140287B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- photoelectric
- charge storage
- storage type
- element array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 19
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電荷蓄積型光電素子アレイを用い
て、そこに投影された光像を電気信号に変換する
光電変換装置の蓄積時間制御方式に関する。
て、そこに投影された光像を電気信号に変換する
光電変換装置の蓄積時間制御方式に関する。
この種の蓄積時間制御方式としては特開昭53−
15131号公報にすでに開示されている。この公報
においては、一般に光電変換素子の出力信号は入
射光量に比例するが、素子の動作特性によりある
範囲の光量以上では出力が入射光量に比例せず飽
和し、またある光量以下では出力信号が暗電流等
により得られない。従つて、一般に光電変換素子
を用いた装置においては、素子が直線特性で作動
する範囲(ダイナミツクレンジ)は限られてお
り、素子への受光量をこの範囲内になるように調
整する必要がある。その点に着目し、時系列的に
発生する光電出力のピーク値を検出して蓄積時間
を制御する方法が述べられている。またピーク値
の代わりに他の測光回路から明るさ情報を得て蓄
積時間を制御する場合についても開示されてい
る。
15131号公報にすでに開示されている。この公報
においては、一般に光電変換素子の出力信号は入
射光量に比例するが、素子の動作特性によりある
範囲の光量以上では出力が入射光量に比例せず飽
和し、またある光量以下では出力信号が暗電流等
により得られない。従つて、一般に光電変換素子
を用いた装置においては、素子が直線特性で作動
する範囲(ダイナミツクレンジ)は限られてお
り、素子への受光量をこの範囲内になるように調
整する必要がある。その点に着目し、時系列的に
発生する光電出力のピーク値を検出して蓄積時間
を制御する方法が述べられている。またピーク値
の代わりに他の測光回路から明るさ情報を得て蓄
積時間を制御する場合についても開示されてい
る。
しかしながら、特定の画像処理を目的とした場
合には、このような光電変換素子上の明るさ情報
(ピーク値や平均値)で蓄積時間を制御すること
は必ずしも最適とは言えない。即ち、明るさ情報
で蓄積時間を制御した場合には、被写体のコント
ラストが高い場合と低い場合とで著しく情報量の
差が生じ、そのような誤つた情報量を利用するこ
とにより制御の応答性の低下を招き、また誤制御
するという問題点がある。
合には、このような光電変換素子上の明るさ情報
(ピーク値や平均値)で蓄積時間を制御すること
は必ずしも最適とは言えない。即ち、明るさ情報
で蓄積時間を制御した場合には、被写体のコント
ラストが高い場合と低い場合とで著しく情報量の
差が生じ、そのような誤つた情報量を利用するこ
とにより制御の応答性の低下を招き、また誤制御
するという問題点がある。
そこで、本出願人は、そのような問題点を解決
する為に、コントラストが高い場合には、より短
い蓄積時間で画像処理に必要十分な情報が得られ
るので、蓄積時間を短くして応答性を良くするよ
うに最適化をはかることが可能である点、またコ
ントラストの低い場合には、応答性は悪くなつて
も蓄積時間を長くする事により、そのような被写
体でも検出可能とあるように最適化をはかること
が可能である点に着目した。
する為に、コントラストが高い場合には、より短
い蓄積時間で画像処理に必要十分な情報が得られ
るので、蓄積時間を短くして応答性を良くするよ
うに最適化をはかることが可能である点、またコ
ントラストの低い場合には、応答性は悪くなつて
も蓄積時間を長くする事により、そのような被写
体でも検出可能とあるように最適化をはかること
が可能である点に着目した。
以上の観点から本出願人は、通常の電荷蓄積時
間の制御を明るさ情報(ピーク値、又は平均値)
ではなく、通常はコントラスト量に応じて電荷蓄
積時間を制御すると共に、著しくコントラストの
低い被写体に対してのみ、いたずらに蓄積時間が
長引くことのないように明るさ情報により蓄積時
間に制限を与えることにより、光電素子アレイの
電荷蓄積の飽和を防止し、応答性と検出範囲の広
い、バランスの取れた効率の良い光電変換装置を
提供することを目的としている。
間の制御を明るさ情報(ピーク値、又は平均値)
ではなく、通常はコントラスト量に応じて電荷蓄
積時間を制御すると共に、著しくコントラストの
低い被写体に対してのみ、いたずらに蓄積時間が
長引くことのないように明るさ情報により蓄積時
間に制限を与えることにより、光電素子アレイの
電荷蓄積の飽和を防止し、応答性と検出範囲の広
い、バランスの取れた効率の良い光電変換装置を
提供することを目的としている。
以下本発明を図示した実施例について説明す
る。実施例として図示したものは光電素子アレイ
に投影された光像からその光像中の特定空間周波
数成分を抽出し、アレイの配列方向へのその光像
の変位を検出する変位検出用光電変換装置に本発
明を適用した例である。
る。実施例として図示したものは光電素子アレイ
に投影された光像からその光像中の特定空間周波
数成分を抽出し、アレイの配列方向へのその光像
の変位を検出する変位検出用光電変換装置に本発
明を適用した例である。
第1図において、フオトダイオードアレイ10
0が設けられ、このアレイを構成する各フオトダ
イオードの光電出力は、アレイ上の光像の照度分
布を表わす。各フオトダイオードの電荷蓄積時間
はすべて、同一でありこの蓄積時間は発振ブロツ
ク200のパルス出力に基づき制御される。アレ
イの光電出力は増幅器300で増幅される。
0が設けられ、このアレイを構成する各フオトダ
イオードの光電出力は、アレイ上の光像の照度分
布を表わす。各フオトダイオードの電荷蓄積時間
はすべて、同一でありこの蓄積時間は発振ブロツ
ク200のパルス出力に基づき制御される。アレ
イの光電出力は増幅器300で増幅される。
増幅された光電出力は特定空間周波数抽出回路
400に送られ、これにより光像中の例えばmmオ
ーダ又は0.1mmオーダの空間周期を持つ特定空間
周波数成分を抽出する。この回路の交流出力は、
その位相が光像中の特定空間周波数成分とアレイ
との相対位置関係を表わすものである。光像がア
レイの配列方向に変位した場合、この位相もそれ
に応じて変化するので、これを測定することによ
つて光像の変位を検出できる。ところが、この特
定空間周波数成分が多く含まれる光像に対しても
わずかに含まれる光像に対しても、同一の処理を
施こした場合、この回路の交流出力の振幅はその
成分の多寡に依存し、その成分が少ないと振幅が
小さくなつてしまう。この様に、抽出回路400
の出力の振幅が種々の光像によつて大きく変化し
てしまうと、その位相測定精度が悪化する。そこ
で、この特定空間周波数成分の多寡に無関係にこ
の実施例では、以下の如く振幅が一定となるよう
に帰還をかけている。
400に送られ、これにより光像中の例えばmmオ
ーダ又は0.1mmオーダの空間周期を持つ特定空間
周波数成分を抽出する。この回路の交流出力は、
その位相が光像中の特定空間周波数成分とアレイ
との相対位置関係を表わすものである。光像がア
レイの配列方向に変位した場合、この位相もそれ
に応じて変化するので、これを測定することによ
つて光像の変位を検出できる。ところが、この特
定空間周波数成分が多く含まれる光像に対しても
わずかに含まれる光像に対しても、同一の処理を
施こした場合、この回路の交流出力の振幅はその
成分の多寡に依存し、その成分が少ないと振幅が
小さくなつてしまう。この様に、抽出回路400
の出力の振幅が種々の光像によつて大きく変化し
てしまうと、その位相測定精度が悪化する。そこ
で、この特定空間周波数成分の多寡に無関係にこ
の実施例では、以下の如く振幅が一定となるよう
に帰還をかけている。
帰還路には整流平滑回路500が設けられ、抽
出回路400の出力を整流して平滑にする。整流
平滑回路500の出力は誤差検出器600に送ら
れ、整流平滑回路500の出力電圧と基準電圧源
600aの基準電圧との差を検出する。誤差検出
器600の検出出力はV−Fコンバータ700に
与えられ、誤差電圧に対応した周波数の出力信号
を発生する。V−Fコンバータ700の出力信号
は発振ブロツク200に与えられ、発振ブロツク
200はV−Fコンバータ700の出力周波数に
基づきアレイ100の各フオトダイオードの蓄積
時間を制御する。
出回路400の出力を整流して平滑にする。整流
平滑回路500の出力は誤差検出器600に送ら
れ、整流平滑回路500の出力電圧と基準電圧源
600aの基準電圧との差を検出する。誤差検出
器600の検出出力はV−Fコンバータ700に
与えられ、誤差電圧に対応した周波数の出力信号
を発生する。V−Fコンバータ700の出力信号
は発振ブロツク200に与えられ、発振ブロツク
200はV−Fコンバータ700の出力周波数に
基づきアレイ100の各フオトダイオードの蓄積
時間を制御する。
整流平滑回路500、誤差検出器600、V−
Fコンバータ700からなる帰還回路は、空間周
波数抽出回路400の交流出力の振幅がほぼ一定
値となる様に帰還をかけるものである。
Fコンバータ700からなる帰還回路は、空間周
波数抽出回路400の交流出力の振幅がほぼ一定
値となる様に帰還をかけるものである。
この装置が平衡し、上記振幅が一定値となつて
いる状態から今照射光像が変化し、抽出空間周波
数成分やより少ない光像が投影されたとすると、
光電素子出力間の差が小さくなり空間周波数抽出
回路400の交流出力の振幅は上記一定値より小
さくなる。従つて整流平滑回路500の直流出力
も低下し、基準電圧よりも小さくなり、誤差検出
器600はこの差を検出する。するとV−Fコン
バータ700の出力周波数は低下し、発振ブロツ
ク200はアレイ100のフオトダイオードの蓄
積時間を、空間周波数抽出回路400の出力の振
幅が上記一定値となるまで、増大させる。この一
定値になると、整流平滑回路500の出力は基準
電圧と一致し誤差検出器600の出力はこの平衡
点で安定し光像が変化しない限りこの状態が保持
される。次に、この状態から、抽出空間周波数を
もつと多く含んだ光像がアレイに投影されると上
述の全く逆の作用により蓄積時間が短縮され、や
はり空間周波数抽出回路400の振幅が一定値と
なるように制御される。
いる状態から今照射光像が変化し、抽出空間周波
数成分やより少ない光像が投影されたとすると、
光電素子出力間の差が小さくなり空間周波数抽出
回路400の交流出力の振幅は上記一定値より小
さくなる。従つて整流平滑回路500の直流出力
も低下し、基準電圧よりも小さくなり、誤差検出
器600はこの差を検出する。するとV−Fコン
バータ700の出力周波数は低下し、発振ブロツ
ク200はアレイ100のフオトダイオードの蓄
積時間を、空間周波数抽出回路400の出力の振
幅が上記一定値となるまで、増大させる。この一
定値になると、整流平滑回路500の出力は基準
電圧と一致し誤差検出器600の出力はこの平衡
点で安定し光像が変化しない限りこの状態が保持
される。次に、この状態から、抽出空間周波数を
もつと多く含んだ光像がアレイに投影されると上
述の全く逆の作用により蓄積時間が短縮され、や
はり空間周波数抽出回路400の振幅が一定値と
なるように制御される。
このように光像中に抽出すべき空間周波数成分
が多い場合も少ない場合でも、蓄積時間を制御す
ることによつて空間周波数抽出回路400の出力
の振幅を一定にできる。
が多い場合も少ない場合でも、蓄積時間を制御す
ることによつて空間周波数抽出回路400の出力
の振幅を一定にできる。
しかしながら、白板の像の如く、明るいが抽出
空間周波数成分をほとんど含まず光電素子の電荷
蓄積時間をどんなに伸ばしても光電出力の飽和の
為に、空間周波数抽出回路400の出力の振幅
が、所望の値にならない様な像がアレイに投影さ
れた場合には、空間周波数抽出回路400の出力
振幅は極めて小さいので、整流平滑回路500の
出力も基準電圧源600aの出力よりはるかに小
さく、V−Fコンバータ700の出力周波数は低
下する。これによつて、電荷蓄積時間が増大し、
各光電素子出力も増大する。周波数固定回路75
0はこの光電出力自身又は増幅器300で増幅さ
れた光電出力が或る所定値になつたことを検出
し、その結果、基準電圧源600aの基準電圧と
等しい出力を発生し、整流平滑回路500の出力
に無関係にV−Fコンバータ700の出力周波数
をその検出時の周波数に固定させる。この場合、
像は明るいので、V−Fコンバータ700の出力
周波数があまり低下しないうちに、周波数固定回
路750が作動し、無駄に、周波数が更に低下す
ることを防止する。
空間周波数成分をほとんど含まず光電素子の電荷
蓄積時間をどんなに伸ばしても光電出力の飽和の
為に、空間周波数抽出回路400の出力の振幅
が、所望の値にならない様な像がアレイに投影さ
れた場合には、空間周波数抽出回路400の出力
振幅は極めて小さいので、整流平滑回路500の
出力も基準電圧源600aの出力よりはるかに小
さく、V−Fコンバータ700の出力周波数は低
下する。これによつて、電荷蓄積時間が増大し、
各光電素子出力も増大する。周波数固定回路75
0はこの光電出力自身又は増幅器300で増幅さ
れた光電出力が或る所定値になつたことを検出
し、その結果、基準電圧源600aの基準電圧と
等しい出力を発生し、整流平滑回路500の出力
に無関係にV−Fコンバータ700の出力周波数
をその検出時の周波数に固定させる。この場合、
像は明るいので、V−Fコンバータ700の出力
周波数があまり低下しないうちに、周波数固定回
路750が作動し、無駄に、周波数が更に低下す
ることを防止する。
また黒板の像の如き、抽出空間周波数成分をほ
とんど含まずかつ暗い像がアレイに投影された場
合にも同様に、周波数固定回路750の働きによ
つて、V−Fコンバータは発振を停止することな
く或る周波数に、固定される。もちろん、この光
像は暗いので、電荷蓄積時間が前例より充分長く
なつた状態で、光電出力又はその増幅された出力
が周波数固定回路750の前記所定値に達するの
で、このときの固定周波数は、像の明るさに応じ
て、前例のものより低くなつている。
とんど含まずかつ暗い像がアレイに投影された場
合にも同様に、周波数固定回路750の働きによ
つて、V−Fコンバータは発振を停止することな
く或る周波数に、固定される。もちろん、この光
像は暗いので、電荷蓄積時間が前例より充分長く
なつた状態で、光電出力又はその増幅された出力
が周波数固定回路750の前記所定値に達するの
で、このときの固定周波数は、像の明るさに応じ
て、前例のものより低くなつている。
尚、像が更に暗くて、V−Fコンバータが発振
を停止する程度まで、その出力周波数を低下して
も、光電出力又はその増幅出力が周波数固定回路
750の所定値に達しないこともあり得るので、
V−Fコンバータの出力特性を或る周波数以下は
飽和してしまうように、することは望ましい。
を停止する程度まで、その出力周波数を低下して
も、光電出力又はその増幅出力が周波数固定回路
750の所定値に達しないこともあり得るので、
V−Fコンバータの出力特性を或る周波数以下は
飽和してしまうように、することは望ましい。
もちろん、このように周波数固定回路750に
よつて、V−Fコンバータが一時的にロツクされ
ても、次に抽出空間周波数成分を充分含む光像が
アレイに投影された場合には、周波数固定回路7
50が不作動となり又は整流平滑回路500の出
力が大きくなりV−Fコンバータのロツクが解除
され、空間周波数抽出回路400の出力振幅が所
定の値となる様に電荷蓄積時間が制御される。本
発明のレベル検出手段は、この実施例においては
周波数固定回路750に対応している。またコン
トラスト検出手段は、この実施例においては抽出
回路400に対応している。また制御手段は、検
出回路600及びV−Fコンバータ700及び制
御回路200に対応している。
よつて、V−Fコンバータが一時的にロツクされ
ても、次に抽出空間周波数成分を充分含む光像が
アレイに投影された場合には、周波数固定回路7
50が不作動となり又は整流平滑回路500の出
力が大きくなりV−Fコンバータのロツクが解除
され、空間周波数抽出回路400の出力振幅が所
定の値となる様に電荷蓄積時間が制御される。本
発明のレベル検出手段は、この実施例においては
周波数固定回路750に対応している。またコン
トラスト検出手段は、この実施例においては抽出
回路400に対応している。また制御手段は、検
出回路600及びV−Fコンバータ700及び制
御回路200に対応している。
第1図に示した光電変換装置の具体的回路図を
第2図に示す。第2図において、フオトダイオー
ドD1〜D4はアレイ100を構成し、直列スイツ
チング素子S1〜S4はスイツチ群110を構成して
いる。スイツチ群110の各スイツチS1〜S4は第
3図(a)のゲートパルスGa1〜Ga4で順次オンされ、
フオトダイオードD1〜D4の蓄積電荷による入力
信号電圧e1〜e4はサイクル周期T1、所定の時間ず
れt1の間隙で順次増幅器300のなかのサンプル
ホールド回路300bに入力される。FETスイ
ツチ300aはサンプルホールド回路300bへ
フオトダイオードD1〜D4からの入力e1〜e4が入
る直前のタイミングで第3図(b)のGbのゲートパ
ルスでオンされサンプルホールド回路300bを
リセツトして順次e1〜e4をサンプルホールドして
出力する。FETスイツチ300fはフオトダイ
オードD1からの入力e1がサンプルホールド出力
された直後のみ第3図(c)のゲートパルスGc1でオ
ンされるだけであるので、コンデンサ300cに
は入力e1の値がサイクル周期T1に亘つて蓄積さ
れている。増幅回路300の出力Vは従つて、V
=G1・G2・Vr−(1+G1)G2・V2+(1+G2)
V1(但し、G1、G2は増幅器300d、300eの
利得で夫々R2/R1、R4/R3であり、V1はサンプ
ルホールド回路300bの出力電圧、V2はコン
デンサ300cの蓄積電圧でe1である。)で示さ
れるが、こゝでG1・G2=R2R4/R1R3=1となるよう 抵抗値を選択すれば V=Vr+(1+G2)(V1−e1) よつてフオトダイオードアレイ100からの入
力信号e1〜e4が順次入力された時の増幅回路の出
力V1〜V4は、次のようになる。
第2図に示す。第2図において、フオトダイオー
ドD1〜D4はアレイ100を構成し、直列スイツ
チング素子S1〜S4はスイツチ群110を構成して
いる。スイツチ群110の各スイツチS1〜S4は第
3図(a)のゲートパルスGa1〜Ga4で順次オンされ、
フオトダイオードD1〜D4の蓄積電荷による入力
信号電圧e1〜e4はサイクル周期T1、所定の時間ず
れt1の間隙で順次増幅器300のなかのサンプル
ホールド回路300bに入力される。FETスイ
ツチ300aはサンプルホールド回路300bへ
フオトダイオードD1〜D4からの入力e1〜e4が入
る直前のタイミングで第3図(b)のGbのゲートパ
ルスでオンされサンプルホールド回路300bを
リセツトして順次e1〜e4をサンプルホールドして
出力する。FETスイツチ300fはフオトダイ
オードD1からの入力e1がサンプルホールド出力
された直後のみ第3図(c)のゲートパルスGc1でオ
ンされるだけであるので、コンデンサ300cに
は入力e1の値がサイクル周期T1に亘つて蓄積さ
れている。増幅回路300の出力Vは従つて、V
=G1・G2・Vr−(1+G1)G2・V2+(1+G2)
V1(但し、G1、G2は増幅器300d、300eの
利得で夫々R2/R1、R4/R3であり、V1はサンプ
ルホールド回路300bの出力電圧、V2はコン
デンサ300cの蓄積電圧でe1である。)で示さ
れるが、こゝでG1・G2=R2R4/R1R3=1となるよう 抵抗値を選択すれば V=Vr+(1+G2)(V1−e1) よつてフオトダイオードアレイ100からの入
力信号e1〜e4が順次入力された時の増幅回路の出
力V1〜V4は、次のようになる。
V1=Vr
V2=Vr+(1+G2)(e2−e1)
V3=Vr+(1+G2)(e3−e1)
V4=Vr+(1+G2)(e4−e1)
このV1〜V4は第3図(c)のゲートパルスDc1〜
Gc4が抽出回路400のFETスイツチS10〜S40に
印加されることにより順次コンデンサC10〜C40に
蓄積される。こうして増幅器300によつて、コ
ンデンサC10にはフオトダイオードD1の出力e1に
無関係に一定値Vrが記憶され、そしてコンデン
サC20〜C30には夫々フオトダイオードD2〜D4の
出力e2〜e4から夫々出力e1を引いた値(e2−e1)
(e3−e1)、(e4−e1)を増幅した値が一定値Vr加
算されたものが記憶される。所望の空間周波数成
分を抽出するには各フオトダイオードの出力の差
分が必要であるので上述の如く、この差分のみを
増幅する増幅器300は、極めて好ましいもので
ある。即ち、各フオトダイオードD1〜D4の各差
分を求めており、光像のコントラスト(明暗の差
の大きい)の高いものではこの各差分、又はこれ
らの差分を様々の形に合成して出力は高出力とな
るので、この差分又は合成出力はコントラストに
関連する情報を増幅していることになる。そして
この蓄積された電圧V1〜V4は第4図に示される
周期T2(T2<T1)でT2/4時間ずつ時間遅れしたゲ ートパルスGd1〜Gd4がゲートパルス発生器80
0よりFETスイツチS100〜S400に印加されること
により読出され、電流加算及び電流電圧変換回路
400aにおいて加算され電圧変換されてバンド
パスフイルタ400bによつて1/T2の周波数
成分が抽出される。
Gc4が抽出回路400のFETスイツチS10〜S40に
印加されることにより順次コンデンサC10〜C40に
蓄積される。こうして増幅器300によつて、コ
ンデンサC10にはフオトダイオードD1の出力e1に
無関係に一定値Vrが記憶され、そしてコンデン
サC20〜C30には夫々フオトダイオードD2〜D4の
出力e2〜e4から夫々出力e1を引いた値(e2−e1)
(e3−e1)、(e4−e1)を増幅した値が一定値Vr加
算されたものが記憶される。所望の空間周波数成
分を抽出するには各フオトダイオードの出力の差
分が必要であるので上述の如く、この差分のみを
増幅する増幅器300は、極めて好ましいもので
ある。即ち、各フオトダイオードD1〜D4の各差
分を求めており、光像のコントラスト(明暗の差
の大きい)の高いものではこの各差分、又はこれ
らの差分を様々の形に合成して出力は高出力とな
るので、この差分又は合成出力はコントラストに
関連する情報を増幅していることになる。そして
この蓄積された電圧V1〜V4は第4図に示される
周期T2(T2<T1)でT2/4時間ずつ時間遅れしたゲ ートパルスGd1〜Gd4がゲートパルス発生器80
0よりFETスイツチS100〜S400に印加されること
により読出され、電流加算及び電流電圧変換回路
400aにおいて加算され電圧変換されてバンド
パスフイルタ400bによつて1/T2の周波数
成分が抽出される。
このようにして得られた抽出回路400の出力
は、イメージセンサ1幅即ち、4つのフオトダイ
オードD1〜D4の配列方向の長さをdmmとすると
空間周波数1/d本/mmの光像成分を抽出したも
のであり、その抽出出力振幅が光像成分の大き
さ、位相が光像とイメージセンサの相対位置を示
すものである。
は、イメージセンサ1幅即ち、4つのフオトダイ
オードD1〜D4の配列方向の長さをdmmとすると
空間周波数1/d本/mmの光像成分を抽出したも
のであり、その抽出出力振幅が光像成分の大き
さ、位相が光像とイメージセンサの相対位置を示
すものである。
抽出回路400の出力は位相差測定器900に
入力される。抽出回路400の交流出力の位相は
上述の如く、光像とアレイとの相対位置関係を表
わしているので、スイツチング素子S100〜S400の
制御信号に同期したゲートパルス発生器800か
らの周期T2の信号と抽出回路400の出力信号
との位相差を位相差測定器900によつて測定す
ることによつて、光像の変位を検出する。
入力される。抽出回路400の交流出力の位相は
上述の如く、光像とアレイとの相対位置関係を表
わしているので、スイツチング素子S100〜S400の
制御信号に同期したゲートパルス発生器800か
らの周期T2の信号と抽出回路400の出力信号
との位相差を位相差測定器900によつて測定す
ることによつて、光像の変位を検出する。
一方、抽出回路400の出力は周波数制御のた
め帰還され、整流平滑回路500に入力される。
整流平滑回路500の実施例の回路構成は周知の
ものであるので説明を省略する。
め帰還され、整流平滑回路500に入力される。
整流平滑回路500の実施例の回路構成は周知の
ものであるので説明を省略する。
周波数固定回路750はダイオード750aと
ツツナーダイオード750bとからなる。入力は
フオトダイオードD1の光電出力を増幅したOPア
ンプ300dの出力であり、出力は誤差検出器6
00の入力に供給される。
ツツナーダイオード750bとからなる。入力は
フオトダイオードD1の光電出力を増幅したOPア
ンプ300dの出力であり、出力は誤差検出器6
00の入力に供給される。
誤差検出器600は、OPアンプとその帰還コ
ンデンサ600cとからなる積分器である。整流
平滑回路500からの出力と基準電圧Vcとの差
電圧を積分して出力する。この検出差電圧の積分
量がV−Fコンバータ700を制御して周波数を
可変する。
ンデンサ600cとからなる積分器である。整流
平滑回路500からの出力と基準電圧Vcとの差
電圧を積分して出力する。この検出差電圧の積分
量がV−Fコンバータ700を制御して周波数を
可変する。
V−Fコンバータ700は入力電圧に応じて次
のような周波数の出力信号を発生する。即ち、 f=Aec〓 こゝで f:出力周波数 υ:入力電圧即ち誤差検出器600の出力 c:定数 このような入力電圧に対する出力周波数の指数
特性は、V−Fコンバータ700の入力部に設け
た複数のダイオード700cによるもので、ダイ
オード700cは入力電圧をその指数関数となる
充電電流に変換しこれによつて積分コンデンサ7
00bを充電している。他の構成は、公知のV−
Fコンバータと類似したものである。
のような周波数の出力信号を発生する。即ち、 f=Aec〓 こゝで f:出力周波数 υ:入力電圧即ち誤差検出器600の出力 c:定数 このような入力電圧に対する出力周波数の指数
特性は、V−Fコンバータ700の入力部に設け
た複数のダイオード700cによるもので、ダイ
オード700cは入力電圧をその指数関数となる
充電電流に変換しこれによつて積分コンデンサ7
00bを充電している。他の構成は、公知のV−
Fコンバータと類似したものである。
V−Fコンバータ700の動作についてみる
と、誤差検出器600の出力電圧に応じた電流が
積分コンデンサ700bと複数のダイオード70
0cを通つて流れ700bを充電する。従つて、
このOPアンプ700aの出力電圧は徐々に上昇
する。この電圧が比較回路700dの基準電圧
Vthを越えると出力コンデンサ700eがオン
し、発振ブロツク200に出力パルスを供給す
る。出力トランジスタ700eのオンによつて電
流供給回路700fが作動し、帰還コンデンサ7
00bを瞬時に逆充電、即ち放電する。これによ
つて700aの出力電圧は瞬時に初期状態に復帰
し再び上述の出力トランジスタ700eの充電を
開始し、上述の動作を繰り返す。
と、誤差検出器600の出力電圧に応じた電流が
積分コンデンサ700bと複数のダイオード70
0cを通つて流れ700bを充電する。従つて、
このOPアンプ700aの出力電圧は徐々に上昇
する。この電圧が比較回路700dの基準電圧
Vthを越えると出力コンデンサ700eがオン
し、発振ブロツク200に出力パルスを供給す
る。出力トランジスタ700eのオンによつて電
流供給回路700fが作動し、帰還コンデンサ7
00bを瞬時に逆充電、即ち放電する。これによ
つて700aの出力電圧は瞬時に初期状態に復帰
し再び上述の出力トランジスタ700eの充電を
開始し、上述の動作を繰り返す。
次に第2図に示した装置の動作を説明すると、
この装置が正常に働いている状態から例えばアレ
イ100に抽出すべき特定空間周波数成分のより
少ない光像が投影された場合、整流平滑回路50
0の出力は、誤差検出器600の基準電圧+VC
より小さくなるので、誤差検出器600の負出力
−Vは上昇し即ち、Vは小さくなる。従つてV−
Fコンバータ700の出力周波数fは小さくな
り、発振ブロツク200は、S1〜S4の走査周期
T1即ちD1〜D4の蓄積周期T1を、整流平滑回路5
00の出力が+VCに等しくなるまで増加させる。
もちろんこのときリセツトコンデンサ350及び
S10〜S40の導通周期も、同様に増加されている。
この装置が正常に働いている状態から例えばアレ
イ100に抽出すべき特定空間周波数成分のより
少ない光像が投影された場合、整流平滑回路50
0の出力は、誤差検出器600の基準電圧+VC
より小さくなるので、誤差検出器600の負出力
−Vは上昇し即ち、Vは小さくなる。従つてV−
Fコンバータ700の出力周波数fは小さくな
り、発振ブロツク200は、S1〜S4の走査周期
T1即ちD1〜D4の蓄積周期T1を、整流平滑回路5
00の出力が+VCに等しくなるまで増加させる。
もちろんこのときリセツトコンデンサ350及び
S10〜S40の導通周期も、同様に増加されている。
逆に、抽出空間周波数成分が、前より多い光像
に対しては、上と全く逆の働きによつて出力周波
数が増加し、空間周波数抽出回路400の出力振
幅を所定値にもたらす。
に対しては、上と全く逆の働きによつて出力周波
数が増加し、空間周波数抽出回路400の出力振
幅を所定値にもたらす。
他方、極めて、抽出空間周波数が少ない光像が
投影されると、OPアンプ300dの出力がツエ
ナーダイオード750bのツエナー電圧とダイオ
ード750aの導通電圧と基準電圧源600aの
基準電圧+Vcとの合計を越えると、周波数固定
回路750が働き、この時点の周波数にV−Fコ
ンバータ700をこの時点の周波数より下がらな
い様に働く。
投影されると、OPアンプ300dの出力がツエ
ナーダイオード750bのツエナー電圧とダイオ
ード750aの導通電圧と基準電圧源600aの
基準電圧+Vcとの合計を越えると、周波数固定
回路750が働き、この時点の周波数にV−Fコ
ンバータ700をこの時点の周波数より下がらな
い様に働く。
第2図の装置の一部を変形した実施例を第5図
に示す。
に示す。
第2図に示した実施例では、周波数固定回路7
50はフオトダイオードアレイを構成する1つの
フオトダイオードD1のみの光電出力を検出して
いた。しかしながら、このフオトダイオードD1
への入射光強度が他の残りのフオトダイオードの
入射光強度と著しく異なる様な特殊な光像の場合
には、第2図に示した第1実施例の周波数固定回
路750は、正しく作動しない恐れがある。
50はフオトダイオードアレイを構成する1つの
フオトダイオードD1のみの光電出力を検出して
いた。しかしながら、このフオトダイオードD1
への入射光強度が他の残りのフオトダイオードの
入射光強度と著しく異なる様な特殊な光像の場合
には、第2図に示した第1実施例の周波数固定回
路750は、正しく作動しない恐れがある。
これを改良したのが第5図に示す第2実施例で
ある。
ある。
増幅回路300は各光電出力の差分でなく光電
出力をそのまゝ増幅した出力を発生する。従つて
スイツチング素子S10〜S40を介してホールド回路
には増幅された各フオトダイオードの光電出力が
ホールドされる。
出力をそのまゝ増幅した出力を発生する。従つて
スイツチング素子S10〜S40を介してホールド回路
には増幅された各フオトダイオードの光電出力が
ホールドされる。
この各ホールド回路の出力端子を夫々同一の抵
抗Rを介して共通接続する。これによつて周波数
固定回路750には、フオトアレイの全フオトダ
イオードの合計出力が入力される。
抗Rを介して共通接続する。これによつて周波数
固定回路750には、フオトアレイの全フオトダ
イオードの合計出力が入力される。
このようにこの実施例では、周波数固定回路7
50は全フオトダイオードの光電出力の合計に基
づいてV−Fコンバータを制御しているので、上
述した如き極めて特殊な光像に対しても、正しく
作動し得る。もちろん周波数固定回路750は全
フオトダイオードの平均光電出力に基づいても、
又、フオトダイオードアレイ中の適当な複数のフ
オトダイオードの光電出力に基づいて、V−Fコ
ンバータ700を制御しても同様の効果を得られ
る。以上の如く、本発明によれば、光像のコント
ラストに関する情報を検出して電荷蓄積時間を制
御することにより、コントラストの高い光像では
電荷蓄積時間を短くできるため光電変換装置の応
答性を良くでき、更に光電素子アレイの出力に関
する値が宿定レベルを越えたことを検出して電荷
蓄積時間を所定時間に設定しているので、コント
ラストの著しく低い光像でも電荷蓄積時間が無駄
に長くなることがなく且つ誤検出を防止できる。
50は全フオトダイオードの光電出力の合計に基
づいてV−Fコンバータを制御しているので、上
述した如き極めて特殊な光像に対しても、正しく
作動し得る。もちろん周波数固定回路750は全
フオトダイオードの平均光電出力に基づいても、
又、フオトダイオードアレイ中の適当な複数のフ
オトダイオードの光電出力に基づいて、V−Fコ
ンバータ700を制御しても同様の効果を得られ
る。以上の如く、本発明によれば、光像のコント
ラストに関する情報を検出して電荷蓄積時間を制
御することにより、コントラストの高い光像では
電荷蓄積時間を短くできるため光電変換装置の応
答性を良くでき、更に光電素子アレイの出力に関
する値が宿定レベルを越えたことを検出して電荷
蓄積時間を所定時間に設定しているので、コント
ラストの著しく低い光像でも電荷蓄積時間が無駄
に長くなることがなく且つ誤検出を防止できる。
第1図は本発明の光電変換装置のブロツク図、
第2図は第1図の装置の具体的な実施例を示す回
路図、第3図及び第4図は第2図の回路の各部で
発生するパルスの波形図、第5図は第2図の実施
例の一部を変形した他の実施例の回路図である。 〔主要部分の符号の説明〕、100……光電素
子アレイ、600……検出回路、700……V−
Fコンバータ、750……周波数固定回路。
第2図は第1図の装置の具体的な実施例を示す回
路図、第3図及び第4図は第2図の回路の各部で
発生するパルスの波形図、第5図は第2図の実施
例の一部を変形した他の実施例の回路図である。 〔主要部分の符号の説明〕、100……光電素
子アレイ、600……検出回路、700……V−
Fコンバータ、750……周波数固定回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 自身に投影された光像に応じた光電出力を発
生する電荷蓄積型光電変換素子が配列されて成る
電荷蓄積型光電素子アレイと、 前記電荷蓄積型光電素子アレイの出力に関する
値が所定レベルを越えたことを検出して検出信号
を出力するレベル検出手段と、 前記電荷蓄積型光電素子アレイの出力に基づい
て前記光像のコントラストに関する情報を検出す
るコントラスト検出手段と、 前記検出手段の検出信号が出力されていない場
合には、前記コントラスト検出手段のコントラス
トに関する情報により前記光電素子アレイの電荷
蓄積時間を制御すると共に、前記検出手段の検出
信号が出力された場合には、前記光電素子アレイ
の電荷蓄積時間を所定時間に設定して制御する制
御手段とを有することを特徴とする電荷蓄積型光
電素子アレイを用いた光電変換装置。 2 前記レベル検出手段は、前記電荷蓄積型光電
素子アレイのうち一つの電荷蓄積型光電素子の光
電出力が所定レベルを越えたことを検出すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電荷蓄
積型光電素子アレイを用いた光電変換装置。 3 前記コントラスト検出手段は、異なる前記電
荷蓄積型光電素子の光電出力の差分出力を加算し
た加算出力に関連する情報を検出することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の電荷蓄積型光
電素子アレイを用いた光電変換装置。 4 前記コントラスト検出手段は、異なる前記電
荷蓄積型光電素子の光電出力の差分出力に関連す
る情報を検出することを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の電荷蓄積型光電素子アレイを用い
た光電変換装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16307978A JPS5591886A (en) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Photoelectric converter using charge accumulation type photoelectric element array |
| DE19792951879 DE2951879A1 (de) | 1978-12-22 | 1979-12-21 | Photoekektrischer umformer mit einer photoelektrischen elementanordnung des ladungsspeichertyps |
| US06/258,763 US4340819A (en) | 1978-12-22 | 1981-04-29 | Photoelectric element array with automatic control of the charge storage time |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16307978A JPS5591886A (en) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Photoelectric converter using charge accumulation type photoelectric element array |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5591886A JPS5591886A (en) | 1980-07-11 |
| JPH0140287B2 true JPH0140287B2 (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=15766775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16307978A Granted JPS5591886A (en) | 1978-12-22 | 1978-12-29 | Photoelectric converter using charge accumulation type photoelectric element array |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5591886A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5665159B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2015-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 距離画像センサ |
-
1978
- 1978-12-29 JP JP16307978A patent/JPS5591886A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5591886A (en) | 1980-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1158789B1 (en) | Photodetector device | |
| TWI517535B (zh) | System controller and method for adjusting the power conversion system | |
| KR19990085821A (ko) | 역률 보상회로 | |
| JP4119052B2 (ja) | 光検出装置 | |
| US5748303A (en) | Light sensing device | |
| US20020113887A1 (en) | CMOS image sensor with extended dynamic range | |
| US20050134715A1 (en) | Dark reduction via feedback control of photodiode bias | |
| US5008695A (en) | Rangefinder for camera | |
| US4847483A (en) | Device for measuring light intensity received by a photosensor | |
| US4935613A (en) | Light projecting type distance measuring apparatus | |
| US4340819A (en) | Photoelectric element array with automatic control of the charge storage time | |
| US4913546A (en) | Range finder | |
| US3975657A (en) | Method of and apparatus for controlling amount of electron beam in image pickup tube | |
| US5003378A (en) | Automatic white balance circuit | |
| JP2001013005A (ja) | 光電変換率調節可能な光量検出回路 | |
| JPH0140287B2 (ja) | ||
| US20200233065A1 (en) | Optical detector with dc compensation | |
| US5010394A (en) | Automatic white balance circuit capable of effectively adjusting white balance under a flashing light source | |
| US4293207A (en) | Camera focus detecting device | |
| GB2047036A (en) | Focus detection device | |
| JP2928616B2 (ja) | 光検出装置 | |
| JPS6230363B2 (ja) | ||
| SU1696894A1 (ru) | Фотометр | |
| US4549149A (en) | Current to frequency converter switched to increased frequency when current input low | |
| JPH0545926Y2 (ja) |