JPH0140491B2 - - Google Patents
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- JPH0140491B2 JPH0140491B2 JP55023308A JP2330880A JPH0140491B2 JP H0140491 B2 JPH0140491 B2 JP H0140491B2 JP 55023308 A JP55023308 A JP 55023308A JP 2330880 A JP2330880 A JP 2330880A JP H0140491 B2 JPH0140491 B2 JP H0140491B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- optical
- alignment
- grating
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は2つのパターンの位置合わせを行う光
学位置合わせ装置に関し、さらに半導体ウエハを
2つの位置合わせ軸に沿つて配置するためにこの
光学位置合わせ装置を用いてなるホトレピータに
関する。
学位置合わせ装置に関し、さらに半導体ウエハを
2つの位置合わせ軸に沿つて配置するためにこの
光学位置合わせ装置を用いてなるホトレピータに
関する。
集積回路の製造は、所望領域に不純物を添加し
たりまた形状等の加工を行うために基板上にウイ
ンドウを形成する工程が含まれる。この基板は感
光性樹脂層で被覆されている。このウインドウの
形成は、マスクによつて前記樹脂をマスキングす
ることによつて行われる。従来、転写露光方法と
してはコンタクト露光法またはプロキシミテイ露
光法が利用されていた。現在では光学的投影によ
る転写露光技術が用いられる。
たりまた形状等の加工を行うために基板上にウイ
ンドウを形成する工程が含まれる。この基板は感
光性樹脂層で被覆されている。このウインドウの
形成は、マスクによつて前記樹脂をマスキングす
ることによつて行われる。従来、転写露光方法と
してはコンタクト露光法またはプロキシミテイ露
光法が利用されていた。現在では光学的投影によ
る転写露光技術が用いられる。
この投影は1/1の比で行われ、マスクは全体
としてウエハに投影される。この投影は、可動ス
リツトを用いてのマスクの解析によるかまたは
1/nの比のホトリピーテイング技術を用いるこ
とにより、像を分割することによつて行われる場
合もある。
としてウエハに投影される。この投影は、可動ス
リツトを用いてのマスクの解析によるかまたは
1/nの比のホトリピーテイング技術を用いるこ
とにより、像を分割することによつて行われる場
合もある。
直接露光のホトリピーテイングによる回路製造
技術においては、各パターンが感光性樹脂層で前
もつて被覆された半導体ウエハ上にあらかじめ定
めたプログラムに応じて直接投影される。ウエハ
の位置は各方向に沿つて干渉計により制御され
る。ホトリピーテイングは、通常、直交する2方
向X及びYに沿つてウエハをずらすことによつて
行なわれる。ウエハの最初の露光時には、引き続
いて露光される領域が投影すべきパターンの面に
平行でなければならないという点を除いて、位置
決定はさほど困難ではない。その後の露光時に
は、これと逆に、投影されたパターンが中心に位
置し前に投影されたパターンに関してウエハの全
ての領域について位置合わせされていることが絶
対に必要である。
技術においては、各パターンが感光性樹脂層で前
もつて被覆された半導体ウエハ上にあらかじめ定
めたプログラムに応じて直接投影される。ウエハ
の位置は各方向に沿つて干渉計により制御され
る。ホトリピーテイングは、通常、直交する2方
向X及びYに沿つてウエハをずらすことによつて
行なわれる。ウエハの最初の露光時には、引き続
いて露光される領域が投影すべきパターンの面に
平行でなければならないという点を除いて、位置
決定はさほど困難ではない。その後の露光時に
は、これと逆に、投影されたパターンが中心に位
置し前に投影されたパターンに関してウエハの全
ての領域について位置合わせされていることが絶
対に必要である。
別の集積度の回路を形成するために他のパター
ンを投影している時には、異なるパターンの正し
い重ね合わせが得られるように、ウエハは最初の
露光時と同じ位置に置かれねばならない。これを
行うためには、ウエハを中心に置くことと、ウエ
ハを最初の位置にもつてくるために回転させるこ
とが必要である。このように、投影されるべき第
2のパターンが、前以つて投影されたパターンに
関して正確に位置づけされるならば一致が生ずる
はずである。全体を転写する場合、像の良好な重
ね合わせを行うに必要な位置合わせは、最も精度
を高くするように各々の像平面上の径方向の反対
位置に設けた2つの基準マークを用いることによ
り実現される。直接露光ホトリピーテイングの場
合、ウエハの角度位置を定めるために全体的な位
置合わせが必要である。ウエハ上に形成されるで
あろう半導体チツプの分布が既知の線形法則に従
う分布であればこのような位置合わせで充分であ
る。しかし、最大の精度さを求めるならば、各チ
ツプ毎に繰り返し再位置合わせすることが必要で
ある。
ンを投影している時には、異なるパターンの正し
い重ね合わせが得られるように、ウエハは最初の
露光時と同じ位置に置かれねばならない。これを
行うためには、ウエハを中心に置くことと、ウエ
ハを最初の位置にもつてくるために回転させるこ
とが必要である。このように、投影されるべき第
2のパターンが、前以つて投影されたパターンに
関して正確に位置づけされるならば一致が生ずる
はずである。全体を転写する場合、像の良好な重
ね合わせを行うに必要な位置合わせは、最も精度
を高くするように各々の像平面上の径方向の反対
位置に設けた2つの基準マークを用いることによ
り実現される。直接露光ホトリピーテイングの場
合、ウエハの角度位置を定めるために全体的な位
置合わせが必要である。ウエハ上に形成されるで
あろう半導体チツプの分布が既知の線形法則に従
う分布であればこのような位置合わせで充分であ
る。しかし、最大の精度さを求めるならば、各チ
ツプ毎に繰り返し再位置合わせすることが必要で
ある。
本発明は投影による転写のあらゆる場合に適用
される。すなわち、スキヤニングあるいはホトリ
ピーテイングによる全ての転写に適用される。け
れども、本発明は後者の場合において最も意義が
ある。
される。すなわち、スキヤニングあるいはホトリ
ピーテイングによる全ての転写に適用される。け
れども、本発明は後者の場合において最も意義が
ある。
従来技術のうちで最も普及している方法は、光
学的転写手段により、マスク上及び半導体ウエハ
上にプロツトされた基準パターンを重ね合わせ、
「スプリツト・フイールド」型と呼ばれる2枚レ
ンズ顕微鏡でこの重ね合わせを観察する方法であ
る。
学的転写手段により、マスク上及び半導体ウエハ
上にプロツトされた基準パターンを重ね合わせ、
「スプリツト・フイールド」型と呼ばれる2枚レ
ンズ顕微鏡でこの重ね合わせを観察する方法であ
る。
操作者の目の代りにテレビジヨン画面に表示す
るためのビジコン管を用いることが有利である。
るためのビジコン管を用いることが有利である。
より精巧な技術によれば、テレビジヨンのカメ
ラによつて得られた映像信号が、サーボ制御回路
で用いられるアナログまたはデジタル信号を得る
ように処理される。いくつかの方法においては、
例えばX字形のスキヤニング及びその相補を用い
て位置合わせにおける偏差を定め、これを信号の
前縁の間の間隔として表わしている。
ラによつて得られた映像信号が、サーボ制御回路
で用いられるアナログまたはデジタル信号を得る
ように処理される。いくつかの方法においては、
例えばX字形のスキヤニング及びその相補を用い
て位置合わせにおける偏差を定め、これを信号の
前縁の間の間隔として表わしている。
従来の方法を用いる装置は2つの重大な不都合
を呈する。すなわち、 (a) マスクと半導体ウエハとの上にプロツトされ
ている基準パターンのフイールドが完壁に照明
され、これら基準パターンの画像上に無視出来
ない雑音因子(妨害反射、拡散、回折)が重畳
され、S/N比を低下させてしまう。
を呈する。すなわち、 (a) マスクと半導体ウエハとの上にプロツトされ
ている基準パターンのフイールドが完壁に照明
され、これら基準パターンの画像上に無視出来
ない雑音因子(妨害反射、拡散、回折)が重畳
され、S/N比を低下させてしまう。
(b) シリコンウエハ基準マークのコントラスト
は、酸化物の厚さの変化または折出物(ポリシ
リコン、アルミニウム)の性質を考慮に入れ
て、一つの集積レベルから他の集積レベルに非
常に変化しやすい。位置合わせの質はそれゆえ
本質的に変化しやすい。この質は操作者の視力
あるいは結合されたエレクトロニクスの分解能
に依存する。
は、酸化物の厚さの変化または折出物(ポリシ
リコン、アルミニウム)の性質を考慮に入れ
て、一つの集積レベルから他の集積レベルに非
常に変化しやすい。位置合わせの質はそれゆえ
本質的に変化しやすい。この質は操作者の視力
あるいは結合されたエレクトロニクスの分解能
に依存する。
本発明は、従来の上述した不都合を解決するた
めのものであり、その位置合わせ装置の構成は、 第1の可動媒体上に設けられた少なくとも第1
のパターンを、第2の媒体上に設けられ固定基準
を形成する第2のパターンに関して複数の位置合
わせ軸に沿つて位置合わせする装置であつて、第
1の方向における幅及び間隔分布が前記位置合わ
せ軸に平行でありかつ第1の特定分布コードによ
つて規定されている一連の平行なバーによつて構
成された少なくとも1つの光学的格子を各位置合
わせ軸毎に含む第2のパターンと、第1の方向に
おける幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平行
でありかつ前記第1の特定分布コードに対して相
補の分布を有する第2の特定分布コードによつて
規定されている一連の平行なバーによつて構成さ
れた少なくとも1つの光学的格子を各位置合わせ
軸毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方向と
直交する第2の方向において周期的に中断され該
第2の方向に一定間隔の光学的格子を構成してい
る第1のパターンと、コヒーレントな光を用い
て、前記第2のパターンの像を前記第1のパター
ン上に投影することにより該第1のパターンを照
射すると共に前記第1及び第2の方向に回折光を
発生させる光学手段と、前記第2の方向における
前記回折光の非零次のパターンの所定部分の強度
を検出し、前記第1のパターンと該第1のパター
ン上への前記第2のパターンの像の投影との空間
的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り
正確な位置合わせが得られるようにした検出手段
とを備えていることにある。
めのものであり、その位置合わせ装置の構成は、 第1の可動媒体上に設けられた少なくとも第1
のパターンを、第2の媒体上に設けられ固定基準
を形成する第2のパターンに関して複数の位置合
わせ軸に沿つて位置合わせする装置であつて、第
1の方向における幅及び間隔分布が前記位置合わ
せ軸に平行でありかつ第1の特定分布コードによ
つて規定されている一連の平行なバーによつて構
成された少なくとも1つの光学的格子を各位置合
わせ軸毎に含む第2のパターンと、第1の方向に
おける幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平行
でありかつ前記第1の特定分布コードに対して相
補の分布を有する第2の特定分布コードによつて
規定されている一連の平行なバーによつて構成さ
れた少なくとも1つの光学的格子を各位置合わせ
軸毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方向と
直交する第2の方向において周期的に中断され該
第2の方向に一定間隔の光学的格子を構成してい
る第1のパターンと、コヒーレントな光を用い
て、前記第2のパターンの像を前記第1のパター
ン上に投影することにより該第1のパターンを照
射すると共に前記第1及び第2の方向に回折光を
発生させる光学手段と、前記第2の方向における
前記回折光の非零次のパターンの所定部分の強度
を検出し、前記第1のパターンと該第1のパター
ン上への前記第2のパターンの像の投影との空間
的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り
正確な位置合わせが得られるようにした検出手段
とを備えていることにある。
前記第2の媒体は、透過率が互いに異なる交番
帯を規定するバーによつて構成される少なくとも
1つの光学的格子を含む前記第2のパターンが設
けられた透明部材からなり、前記第1の可動媒体
は、反射率が互いに異なる交番帯を規定するバー
によつて構成される少なくとも1つの光学的格子
を含む前記第1のパターンが設けられた反射部材
からなることが望ましい。
帯を規定するバーによつて構成される少なくとも
1つの光学的格子を含む前記第2のパターンが設
けられた透明部材からなり、前記第1の可動媒体
は、反射率が互いに異なる交番帯を規定するバー
によつて構成される少なくとも1つの光学的格子
を含む前記第1のパターンが設けられた反射部材
からなることが望ましい。
前記第1及び第2の特定分布コードは、前記第
2のパターンの互いに異なる透過率の交番帯と前
記第1のパターンの互いに異なる反射率の交番帯
とを不均等に分布させたものであることも望まし
い。
2のパターンの互いに異なる透過率の交番帯と前
記第1のパターンの互いに異なる反射率の交番帯
とを不均等に分布させたものであることも望まし
い。
前記光学手段は、コヒーレントな光エネルギー
の単色光光源と、該単色光光源からの光エネルギ
ーを前記第2のパターンに集束する少なくとも1
つの集光レンズと、前記第1及び第2のパターン
に光学的に結合した投影レンズとを備えており、
投影によつて生じた回折光線がフーリエ平面の像
として検出されるように前記投影レンズを介して
戻されることが望ましい。
の単色光光源と、該単色光光源からの光エネルギ
ーを前記第2のパターンに集束する少なくとも1
つの集光レンズと、前記第1及び第2のパターン
に光学的に結合した投影レンズとを備えており、
投影によつて生じた回折光線がフーリエ平面の像
として検出されるように前記投影レンズを介して
戻されることが望ましい。
前記第1及び第2のパターンのそれぞれは第1
及び第2の光学的格子によつて構成されており、
該第1の光学的格子の前記第1の方向は第1の座
標軸に平行でありかつ該第2の光学的格子の前記
第1の方向は該第1の座標軸に垂直な第2の座標
軸に平行であり前記第1のパターンの位置合わせ
は直交する2つの座標軸に沿つて行われることが
望ましい。
及び第2の光学的格子によつて構成されており、
該第1の光学的格子の前記第1の方向は第1の座
標軸に平行でありかつ該第2の光学的格子の前記
第1の方向は該第1の座標軸に垂直な第2の座標
軸に平行であり前記第1のパターンの位置合わせ
は直交する2つの座標軸に沿つて行われることが
望ましい。
直交する2つの座標軸に沿つた前記位置合わせ
は、前記第1及び第2の光学的格子の前記第2の
方向における回折光の所定部分を検出することに
よつて行われることが望ましい。
は、前記第1及び第2の光学的格子の前記第2の
方向における回折光の所定部分を検出することに
よつて行われることが望ましい。
前記第1のパターンの前記第1及び第2の光学
的格子が順次照射され、直交する2つの座標軸に
沿つた前記位置合わせが、該第1及び第2の光学
的格子の照射に同期して該第1及び第2の光学的
格子の前記第2の方向における回折光の所定部分
を検出することによつて行われても良い。
的格子が順次照射され、直交する2つの座標軸に
沿つた前記位置合わせが、該第1及び第2の光学
的格子の照射に同期して該第1及び第2の光学的
格子の前記第2の方向における回折光の所定部分
を検出することによつて行われても良い。
前記第1のパターンの前記第1及び第2の光学
的格子が第1の周波数及び第2の周波数でそれぞ
れ変調された第1及び第2の光ビームによつて同
時に照射され、直交する2つの座標軸に沿つた前
記位置合わせが、該第1及び第2の光学的格子の
前記第2の方向における回折光の所定部分の強度
を検出する前記手段の出力信号を復調することに
よつて行われても良い。
的格子が第1の周波数及び第2の周波数でそれぞ
れ変調された第1及び第2の光ビームによつて同
時に照射され、直交する2つの座標軸に沿つた前
記位置合わせが、該第1及び第2の光学的格子の
前記第2の方向における回折光の所定部分の強度
を検出する前記手段の出力信号を復調することに
よつて行われても良い。
第1のパターンの前記第1及び第2の光学的格
子が偏光によつて識別可能な第1及び第2の光ビ
ームによつて同時に照射され、検光子が前記検出
手段の手前に配置されても良い。
子が偏光によつて識別可能な第1及び第2の光ビ
ームによつて同時に照射され、検光子が前記検出
手段の手前に配置されても良い。
前記第1のパターンは第1の光学的格子の前記
第1の方向が第1の座標軸に平行でありかつ第2
の光学的格子の前記第1の方向が該第1の座標軸
に垂直な第2の座標軸に平行である同一構成の2
つの当該第1及び第2の光学的格子によつて構成
されており、前記第2のパターンは単一の光学的
格子によつて構成されており、前記光学手段は前
記単一の光学的格子の像を2つの二次像に分割す
るプリズムアセンブリを備えており、該二次像は
前記第1のパターンの前記第2のパターンに関す
る位置合わせが直交する2つの座標軸に沿つて行
われるように該第1のパターンの前記第1及び第
2の光学的格子上に投影されることも望ましい。
第1の方向が第1の座標軸に平行でありかつ第2
の光学的格子の前記第1の方向が該第1の座標軸
に垂直な第2の座標軸に平行である同一構成の2
つの当該第1及び第2の光学的格子によつて構成
されており、前記第2のパターンは単一の光学的
格子によつて構成されており、前記光学手段は前
記単一の光学的格子の像を2つの二次像に分割す
るプリズムアセンブリを備えており、該二次像は
前記第1のパターンの前記第2のパターンに関す
る位置合わせが直交する2つの座標軸に沿つて行
われるように該第1のパターンの前記第1及び第
2の光学的格子上に投影されることも望ましい。
本発明の構成は、第1の可動媒体上に設けられ
た少なくとも第1のパターンを、第2の媒体上に
設けられた固定基準を形成する第2のパターンに
関して複数の位置合わせ軸に沿つて位置合わせす
る装置であつて、第1の方向における幅及び間隔
分布が前記位置合わせ軸に平行でありかつ第1の
特定分布コードによつて規定されている一連の平
行なバーによつて構成された少なくとも1つの光
学的格子の各位置合わせ軸毎に含む第2のパター
ンと、第1の方向における幅及び間隔分布が前記
位置合わせ軸に平行でありかつ前記第1の特定分
布コードに対して一部が相補の分布を有する第2
の特定分布コードによつて規定されている一連の
平行なバーによつて構成された少なくとも1つの
光学的格子を各位置合わせ軸毎に含むと共に、前
記バーが前記第1の方向と直交する第2の方向に
おいて周期的に中断されており、該第2の方向で
2つの異なる値の一定間隔を有する合成光学的格
子を形成して空間的に離れた2組の回折光を得る
ために該第2の方向に一定間隔で重なりあつた同
様の構成の2つの格子を前記第1の方向に互いに
ずらした形に構成されている第1のパターンと、
コヒーレントな光を用いて、前記第2のパターン
の像を前記第1のパターン上に投影することによ
り該第1のパターンを照射すると共に前記第1及
び第2の方向に2組の回折光を発生させる光学手
段と、前記第2の方向における前記2組の回折光
の内の1つの非零次のパターンの所定部分の強度
を検出し、前記第1のパターンと該第1のパター
ン上への前記第2のパターンの像の投影との空間
的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り
正確な位置合わせが得られるようにした検出手段
とを備えていることにある。
た少なくとも第1のパターンを、第2の媒体上に
設けられた固定基準を形成する第2のパターンに
関して複数の位置合わせ軸に沿つて位置合わせす
る装置であつて、第1の方向における幅及び間隔
分布が前記位置合わせ軸に平行でありかつ第1の
特定分布コードによつて規定されている一連の平
行なバーによつて構成された少なくとも1つの光
学的格子の各位置合わせ軸毎に含む第2のパター
ンと、第1の方向における幅及び間隔分布が前記
位置合わせ軸に平行でありかつ前記第1の特定分
布コードに対して一部が相補の分布を有する第2
の特定分布コードによつて規定されている一連の
平行なバーによつて構成された少なくとも1つの
光学的格子を各位置合わせ軸毎に含むと共に、前
記バーが前記第1の方向と直交する第2の方向に
おいて周期的に中断されており、該第2の方向で
2つの異なる値の一定間隔を有する合成光学的格
子を形成して空間的に離れた2組の回折光を得る
ために該第2の方向に一定間隔で重なりあつた同
様の構成の2つの格子を前記第1の方向に互いに
ずらした形に構成されている第1のパターンと、
コヒーレントな光を用いて、前記第2のパターン
の像を前記第1のパターン上に投影することによ
り該第1のパターンを照射すると共に前記第1及
び第2の方向に2組の回折光を発生させる光学手
段と、前記第2の方向における前記2組の回折光
の内の1つの非零次のパターンの所定部分の強度
を検出し、前記第1のパターンと該第1のパター
ン上への前記第2のパターンの像の投影との空間
的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り
正確な位置合わせが得られるようにした検出手段
とを備えていることにある。
さらにまた他の構成は、第1の可動媒体上に設
けられた少なくとも第1のパターンを、第2の媒
体上に設けられ固定基準を形成する第2のパター
ンに関して複数の位置合わせ軸に沿つて位置合わ
せする装置であつて、第1の方向における幅及び
間隔分布が前記位置合わせ軸に平行でありかつ第
1の特定分布コードによつて規定されている一連
の平行なバーによつて構成された少なくとも1つ
の光学的格子を各位置合わせ軸毎に含む第2のパ
ターンと、第1の方向における幅及び間隔分布が
前記位置合わせ軸に平行でありかつ前記第1の特
定分布コードに対して相補の分布を有する第2の
特定分布コードによつて規定されている一連の平
行なバーによつて構成された少なくとも1つの光
学的格子を含むと共に、前記バーが前記第1の方
向と直交する第2の方向において周期的に中断さ
れ該第2の方向に一定間隔の中央部光学的格子を
構成している第1のパターンと、前記第1のパタ
ーンの中央部光学的格子の前記第1の方向におけ
る各側部に配置されそれぞれが前記第2の方向に
一定間隔を有し前記中央部光学的格子の回折光と
識別出来る回折光を該第2の方向に発生させるた
めに該中央部光学的格子の一定間隔と異なる間隔
を有する第1及び第2の側部光学的格子と、コヒ
ーレントな光を用いて、前記第2のパターンの像
を前記第1のパターン及び第1及び第2の側部光
学的格子上に投影することにより該第1のパター
ン及び第1及び第2の側部光学的格子を照射する
と共に前記第1及び第2の方向に回折光を発生さ
せる光学手段と、前記第2の方向における前記回
折光の非零次のパターンの所定部分の強度を検出
し、前記第1のパターンと該第1のパターン上へ
の前記第2のパターンの像の投影との空間的相関
が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確な
位置合わせが得られるようにした検出手段とを備
えていることにある。
けられた少なくとも第1のパターンを、第2の媒
体上に設けられ固定基準を形成する第2のパター
ンに関して複数の位置合わせ軸に沿つて位置合わ
せする装置であつて、第1の方向における幅及び
間隔分布が前記位置合わせ軸に平行でありかつ第
1の特定分布コードによつて規定されている一連
の平行なバーによつて構成された少なくとも1つ
の光学的格子を各位置合わせ軸毎に含む第2のパ
ターンと、第1の方向における幅及び間隔分布が
前記位置合わせ軸に平行でありかつ前記第1の特
定分布コードに対して相補の分布を有する第2の
特定分布コードによつて規定されている一連の平
行なバーによつて構成された少なくとも1つの光
学的格子を含むと共に、前記バーが前記第1の方
向と直交する第2の方向において周期的に中断さ
れ該第2の方向に一定間隔の中央部光学的格子を
構成している第1のパターンと、前記第1のパタ
ーンの中央部光学的格子の前記第1の方向におけ
る各側部に配置されそれぞれが前記第2の方向に
一定間隔を有し前記中央部光学的格子の回折光と
識別出来る回折光を該第2の方向に発生させるた
めに該中央部光学的格子の一定間隔と異なる間隔
を有する第1及び第2の側部光学的格子と、コヒ
ーレントな光を用いて、前記第2のパターンの像
を前記第1のパターン及び第1及び第2の側部光
学的格子上に投影することにより該第1のパター
ン及び第1及び第2の側部光学的格子を照射する
と共に前記第1及び第2の方向に回折光を発生さ
せる光学手段と、前記第2の方向における前記回
折光の非零次のパターンの所定部分の強度を検出
し、前記第1のパターンと該第1のパターン上へ
の前記第2のパターンの像の投影との空間的相関
が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確な
位置合わせが得られるようにした検出手段とを備
えていることにある。
前記検出手段は、前記第2の方向における前記
回折光の非零次パターンの所定部分の強度を検出
し、前記第1のパターンと該第1のパターン上へ
の前記第2のパターンの像の投影との空間的相関
が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確な
位置合わせが得られるようにした第1の手段と、
正確な位置合わせの前段階として前記第1及び第
2の側部光学的格子の回折光の所定部分の強度を
測定する第2の手段とを備えていることが望まし
い。
回折光の非零次パターンの所定部分の強度を検出
し、前記第1のパターンと該第1のパターン上へ
の前記第2のパターンの像の投影との空間的相関
が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確な
位置合わせが得られるようにした第1の手段と、
正確な位置合わせの前段階として前記第1及び第
2の側部光学的格子の回折光の所定部分の強度を
測定する第2の手段とを備えていることが望まし
い。
本発明の位置合わせ装置のさらに他の構成は、
第1の可動媒体上に設けられた少なくとも第1の
パターンを、第2の媒体上に設けられ固定基準を
形成する第2のパターンに関して複数の位置合わ
せ軸に沿つて位置合わせする装置であつて、第1
の方向における幅及び間隔分布が前記位置合わせ
軸に平行でありかつ第1の特定分布コードによつ
て規定されている一連の平行なバーによつて構成
された少なくとも1つの光学的格子を各位置合わ
せ軸毎に含む第2のパターンと、第1の方向にお
ける幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平行で
ありかつ前記第1の特定分布コードに対して相補
の分布を有する第2の特定分布コードによつて規
定されている一連の平行なバーによつて構成され
た少なくとも1つの光学的格子を各位置合わせ軸
毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方向と直
交する第2の方向において周期的に中断され該第
2の方向に一定間隔の光学的格子を構成している
第1のパターンと、コヒーレントな光を用いて、
前記第2のパターンの像を前記第1のパターン上
に投影することにより該第1のパターンを照射す
ると共に前記第1及び第2の方向に回折光を発生
させる光学手段と、前記第2の方向における前記
回折光の非零次のパターンの所定部分の強度を検
出し、前記第1のパターンと該第1のパターン上
への前記第2のパターンの像の投影との空間的相
関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確
な位置合わせが得られるようにした検出手段と、
前記検出手段の出力信号を処理して制御信号を発
生する電子手段と、前記2つの位置合わせ軸に沿
つた自動位置合わせを行うべく前記制御信号に応
じて前記第1の可動媒体の前記2つの位置合わせ
軸に沿つた移動を制御する制御手段とを備えてい
ることにある。
第1の可動媒体上に設けられた少なくとも第1の
パターンを、第2の媒体上に設けられ固定基準を
形成する第2のパターンに関して複数の位置合わ
せ軸に沿つて位置合わせする装置であつて、第1
の方向における幅及び間隔分布が前記位置合わせ
軸に平行でありかつ第1の特定分布コードによつ
て規定されている一連の平行なバーによつて構成
された少なくとも1つの光学的格子を各位置合わ
せ軸毎に含む第2のパターンと、第1の方向にお
ける幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平行で
ありかつ前記第1の特定分布コードに対して相補
の分布を有する第2の特定分布コードによつて規
定されている一連の平行なバーによつて構成され
た少なくとも1つの光学的格子を各位置合わせ軸
毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方向と直
交する第2の方向において周期的に中断され該第
2の方向に一定間隔の光学的格子を構成している
第1のパターンと、コヒーレントな光を用いて、
前記第2のパターンの像を前記第1のパターン上
に投影することにより該第1のパターンを照射す
ると共に前記第1及び第2の方向に回折光を発生
させる光学手段と、前記第2の方向における前記
回折光の非零次のパターンの所定部分の強度を検
出し、前記第1のパターンと該第1のパターン上
への前記第2のパターンの像の投影との空間的相
関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確
な位置合わせが得られるようにした検出手段と、
前記検出手段の出力信号を処理して制御信号を発
生する電子手段と、前記2つの位置合わせ軸に沿
つた自動位置合わせを行うべく前記制御信号に応
じて前記第1の可動媒体の前記2つの位置合わせ
軸に沿つた移動を制御する制御手段とを備えてい
ることにある。
本発明のホトレピータの構成は、感光性樹脂層
を上面に有すると共に第1のパターンをその上に
備えた半導体ウエハを該ウエハに投影すべき第2
のパターン及びその他のパターンを備えたマスク
部材に関して位置合わせする位置合わせ手段であ
つて、第1の方向における幅及び間隔分布が位置
合わせ軸に平行でありかつ第1の特定分布コード
によつて規定されている一連の平行なバーによつ
て構成された少なくとも1つの光学的格子を各位
置合わせ軸毎に含む第2のパターン、第1の方向
における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平
行でありかつ前記第1の特定分布コードに対して
相補の分布を有する第2の特定分布コードによつ
て規定されている一連の平行なバーによつて構成
された少なくとも1つの光学的格子を各位置合わ
せ軸毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方向
と直交する第2の方向において周期的に中断され
該第2の方向に一定間隔の光学的格子を構成して
いる第1のパターン、コヒーレントな光を用い
て、前記第2のパターンの像を前記第1のパター
ン上に投影することにより該第1のパターンを照
射すると共に前記第1及び第2の方向に回折光を
発生させる光学手段、及び前記第2の方向におけ
る前記回折光の非零次のパターンの所定部分の強
度を検出し、前記第1のパターンと該第1のパタ
ーン上への前記第2のパターンの像の投影との空
間的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通
り正確な位置合わせが得られるようにした検出手
段を含む前記位置合わせ手段と、位置合わせ中は
前記第2のパターンの像を前記第1のパターン上
に投影するため、露光中はその他のパターンの像
を前記ウエハの所定位置に投影するための両方に
用いられる投影レンズとを備えたことにある。
を上面に有すると共に第1のパターンをその上に
備えた半導体ウエハを該ウエハに投影すべき第2
のパターン及びその他のパターンを備えたマスク
部材に関して位置合わせする位置合わせ手段であ
つて、第1の方向における幅及び間隔分布が位置
合わせ軸に平行でありかつ第1の特定分布コード
によつて規定されている一連の平行なバーによつ
て構成された少なくとも1つの光学的格子を各位
置合わせ軸毎に含む第2のパターン、第1の方向
における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平
行でありかつ前記第1の特定分布コードに対して
相補の分布を有する第2の特定分布コードによつ
て規定されている一連の平行なバーによつて構成
された少なくとも1つの光学的格子を各位置合わ
せ軸毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方向
と直交する第2の方向において周期的に中断され
該第2の方向に一定間隔の光学的格子を構成して
いる第1のパターン、コヒーレントな光を用い
て、前記第2のパターンの像を前記第1のパター
ン上に投影することにより該第1のパターンを照
射すると共に前記第1及び第2の方向に回折光を
発生させる光学手段、及び前記第2の方向におけ
る前記回折光の非零次のパターンの所定部分の強
度を検出し、前記第1のパターンと該第1のパタ
ーン上への前記第2のパターンの像の投影との空
間的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通
り正確な位置合わせが得られるようにした検出手
段を含む前記位置合わせ手段と、位置合わせ中は
前記第2のパターンの像を前記第1のパターン上
に投影するため、露光中はその他のパターンの像
を前記ウエハの所定位置に投影するための両方に
用いられる投影レンズとを備えたことにある。
前記光学手段は、前記露光中に励起され、前記
投影レンズがこれに対して補正されている第1の
波長を有する光エネルギの第1の源と、前記位置
合わせ中に励起され、第2の波長を有する光エネ
ルギの第2の源と、異なる波長の光エネルギを用
いることに基づく合焦及び倍率上の誤差を補償す
るための光学的合焦調整手段とを備えていること
が望ましい。
投影レンズがこれに対して補正されている第1の
波長を有する光エネルギの第1の源と、前記位置
合わせ中に励起され、第2の波長を有する光エネ
ルギの第2の源と、異なる波長の光エネルギを用
いることに基づく合焦及び倍率上の誤差を補償す
るための光学的合焦調整手段とを備えていること
が望ましい。
本発明のホトレピータの他の構成は、感光性樹
脂層を上面に有すると共に第1のパターンをその
上に備えた半導体ウエハを第1の固定基準を形成
する第2のパターン及び該ウエハに投影すべきそ
の他のパターンを備えたマスク部材に関して位置
合わせする位置合わせ手段であつて、第1の方向
における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平
行でありかつ第1の特定分布コードによつて規定
されている一連の平行なバーによつて構成された
少なくとも1つの光学的格子を各位置合わせ軸毎
に含む第2のパターン、第1の方向における幅及
び間隔分布が前記位置合わせ軸に平行でありかつ
前記第1の特定分布コードに対して相補の分布を
有する第2の特定分布コードによつて規定されて
いる一連の平行なバーによつて構成された少なく
とも1つの光学的格子を各位置合わせ軸毎に含む
と共に、前記バーが前記第1の方向と直交する第
2の方向において周期的に中断され該第2の方向
に一定間隔の光学的格子を構成している第1のパ
ターン、コヒーレントな光を用いて、前記第2の
パターンの像を前記第1のパターン上に投影する
ことにより該第1のパターンを照射すると共に前
記第1及び第2の方向に回折光を発生させる第1
の光学手段、及び前記第2の方向における前記回
折光の非零次のパターンの所定部分の強度を検出
し、前記第1のパターンと該第1のパターン上へ
の前記第2のパターンの像の投影との空間的相関
が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確な
位置合わせが得られるようにした検出手段を含む
前記位置合わせ手段と、当該第3のパターンと前
記第2のパターンとの初期位置合わせのために他
の媒体に設けられた第2の固定基準を形成する第
3のパターンと、前記初期位置合わせを行うため
の第2の光学手段とを備えたことにある。
脂層を上面に有すると共に第1のパターンをその
上に備えた半導体ウエハを第1の固定基準を形成
する第2のパターン及び該ウエハに投影すべきそ
の他のパターンを備えたマスク部材に関して位置
合わせする位置合わせ手段であつて、第1の方向
における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平
行でありかつ第1の特定分布コードによつて規定
されている一連の平行なバーによつて構成された
少なくとも1つの光学的格子を各位置合わせ軸毎
に含む第2のパターン、第1の方向における幅及
び間隔分布が前記位置合わせ軸に平行でありかつ
前記第1の特定分布コードに対して相補の分布を
有する第2の特定分布コードによつて規定されて
いる一連の平行なバーによつて構成された少なく
とも1つの光学的格子を各位置合わせ軸毎に含む
と共に、前記バーが前記第1の方向と直交する第
2の方向において周期的に中断され該第2の方向
に一定間隔の光学的格子を構成している第1のパ
ターン、コヒーレントな光を用いて、前記第2の
パターンの像を前記第1のパターン上に投影する
ことにより該第1のパターンを照射すると共に前
記第1及び第2の方向に回折光を発生させる第1
の光学手段、及び前記第2の方向における前記回
折光の非零次のパターンの所定部分の強度を検出
し、前記第1のパターンと該第1のパターン上へ
の前記第2のパターンの像の投影との空間的相関
が最大の場合に前記検出強度が最大を通り正確な
位置合わせが得られるようにした検出手段を含む
前記位置合わせ手段と、当該第3のパターンと前
記第2のパターンとの初期位置合わせのために他
の媒体に設けられた第2の固定基準を形成する第
3のパターンと、前記初期位置合わせを行うため
の第2の光学手段とを備えたことにある。
前記第2の光学手段は、前記第1のパターンの
光学的格子の前記第3のパターンに関する位置合
わせによつて前記半導体ウエハの角度位置決めを
行う補助レンズを備えていることが望ましい。
光学的格子の前記第3のパターンに関する位置合
わせによつて前記半導体ウエハの角度位置決めを
行う補助レンズを備えていることが望ましい。
添付の図面を参照した以下の記述によつて本発
明が更に良く理解され、または本発明の他の特徴
が明らかになるであろう。
明が更に良く理解され、または本発明の他の特徴
が明らかになるであろう。
以下の説明において本発明は、シリコンウエハ
上に直接複写するための転写装置中に用いられた
光学位置合わせ装置によつて図示されるが、本発
明はこの実施例に限定されるものではない。
上に直接複写するための転写装置中に用いられた
光学位置合わせ装置によつて図示されるが、本発
明はこの実施例に限定されるものではない。
この装置はより簡潔にホトレピータと呼ぶこと
にする。
にする。
ホトレピータの一例が第1図に表わされてい
る。このホトレピータは下部フレーム8と上部フ
レーム5を有する。上部フレーム5は空気ダンパ
柱7を介して下部フレーム8に固定されている載
置台6の上に載つている。上部フレーム5は台状
ダンパ4を介して担体2を支えている。この担体
2は基準ブロツク3の台になつている。このブロ
ツク3は詳述されていないX−Yテーブルと補正
装置10とを支えている。この補正装置は2つの
直交軸X及びYに沿つて運動可能である。この運
動の振幅はX−Yテーブルに関して10ミクロンの
オーダーであり、このX−Yテーブルの行程は
150mmのオーダーである。これらの相対的な運動
は軸X及びYに沿つてそれぞれ作用する2組の圧
電セラミツクスによつて制御される。運動は2つ
の交又運動干渉計の制御下、または位置合わせ用
検出器の制御下で行なわれる。第1図には、干渉
計14とX軸に沿つた測定用のミラー12だけが
表わされている。上述の技術は既知であるから、
制御回路は第1図の図面には表わされていない。
光学ユニツト1は基準ブロツク3に固定されてい
る。この光学ユニツト1が本発明の対象である光
学位置合わせ装置を備えているため、以後詳細に
説明されるであろう。この光学ユニツト1の様々
な構成要素のうちの主要素として、投影レンズ1
5とレチクル担体16がある。レチクル担体16
はレチクルの交換スイツチを構成しており、この
交換スイツチの上には複数個のレチクル17が固
定されている。レチクル17は回転板18によつ
て本装置にあらかじめ配置されるこの回転板18
は2つの軸X及びYに沿つて可動であり、かつX
及びYによつて定められる平面内を回転可能であ
る。露光される半導体ウエハ11は、感光性樹脂
層に被覆されており、補正装置10上に配置され
ている。この補正装置10はエアクツシヨン13
上で基準ブロツク3の面内を摺動することが出来
る。投影レンズ15は軸Zに沿つて移動すること
が出来る。この投影レンズ15は通常のあらゆる
調整機構(これらは第1図には表わされていな
い)を備えている。レチクル17上には、シリコ
ンウエハ11上に投影されるべき回路パターン、
本発明の特徴である基準マークパターン及び装置
に対してレチクルをあらかじめ位置合わせするた
めのパターンが形成されている。光学ユニツト1
はまた、ハーフミラー19と、第2のミラー20
と、補正レンズ21と、位置合わせ検出手段22
と、ビジコン管23とを有する。これら種々の構
成部品の機能は追つて記述する。光学ユニツト1
はさらにアクセス窓9と照明ユニツト24とを有
し、この照明ユニツト24はコンデンサ及びミラ
ー25並びに光エネルギ源26を含んでいる。
る。このホトレピータは下部フレーム8と上部フ
レーム5を有する。上部フレーム5は空気ダンパ
柱7を介して下部フレーム8に固定されている載
置台6の上に載つている。上部フレーム5は台状
ダンパ4を介して担体2を支えている。この担体
2は基準ブロツク3の台になつている。このブロ
ツク3は詳述されていないX−Yテーブルと補正
装置10とを支えている。この補正装置は2つの
直交軸X及びYに沿つて運動可能である。この運
動の振幅はX−Yテーブルに関して10ミクロンの
オーダーであり、このX−Yテーブルの行程は
150mmのオーダーである。これらの相対的な運動
は軸X及びYに沿つてそれぞれ作用する2組の圧
電セラミツクスによつて制御される。運動は2つ
の交又運動干渉計の制御下、または位置合わせ用
検出器の制御下で行なわれる。第1図には、干渉
計14とX軸に沿つた測定用のミラー12だけが
表わされている。上述の技術は既知であるから、
制御回路は第1図の図面には表わされていない。
光学ユニツト1は基準ブロツク3に固定されてい
る。この光学ユニツト1が本発明の対象である光
学位置合わせ装置を備えているため、以後詳細に
説明されるであろう。この光学ユニツト1の様々
な構成要素のうちの主要素として、投影レンズ1
5とレチクル担体16がある。レチクル担体16
はレチクルの交換スイツチを構成しており、この
交換スイツチの上には複数個のレチクル17が固
定されている。レチクル17は回転板18によつ
て本装置にあらかじめ配置されるこの回転板18
は2つの軸X及びYに沿つて可動であり、かつX
及びYによつて定められる平面内を回転可能であ
る。露光される半導体ウエハ11は、感光性樹脂
層に被覆されており、補正装置10上に配置され
ている。この補正装置10はエアクツシヨン13
上で基準ブロツク3の面内を摺動することが出来
る。投影レンズ15は軸Zに沿つて移動すること
が出来る。この投影レンズ15は通常のあらゆる
調整機構(これらは第1図には表わされていな
い)を備えている。レチクル17上には、シリコ
ンウエハ11上に投影されるべき回路パターン、
本発明の特徴である基準マークパターン及び装置
に対してレチクルをあらかじめ位置合わせするた
めのパターンが形成されている。光学ユニツト1
はまた、ハーフミラー19と、第2のミラー20
と、補正レンズ21と、位置合わせ検出手段22
と、ビジコン管23とを有する。これら種々の構
成部品の機能は追つて記述する。光学ユニツト1
はさらにアクセス窓9と照明ユニツト24とを有
し、この照明ユニツト24はコンデンサ及びミラ
ー25並びに光エネルギ源26を含んでいる。
本発明において用いられる物理現象について第
2図から第4図を参照して以下説明する。以下の
説明においては、光学的格子が使用される。光学
的格子は、透明または反射する面上に非常に密で
多種の間隔を有する周期的な非透明体または非反
射体のバーを形成したものである。より一般的に
は、透過率があるいは反射率が互いに異なる交番
帯を規定する一連の平行なバーで構成される。本
発明で用いられる格子は、互いに直交する二方向
u,vに沿つてバーが形成されている。この格子
を無限遠におかれた点光源またはコリメータレン
ズの焦点におかれた点光源から生じる光ビームに
よつて照射すると、光は正規の伝送方向または正
規の反射方向に伝搬するのみならず、干渉が極大
になるあらかじめ規定された多方向にもまた伝搬
する。これら極大の位置は波長に依存する。これ
ら極大は無限遠におかれた平面上で観測される。
これら極大を有限な距離で観測する方法は、光学
的格子の後方にレンズをおくことである。これら
の極大に対応する回折光をこのレンズの焦点平面
内で観測可能である。この平面はフーリエ平面と
呼ばれている。格子は二次元であるから、軸u及
びvに平行な特定の2つの軸にそつて配列された
回折光を観測することができる。これは第2図の
点28によつて表わされている。これらの点28
の大きさは、光学的格子27の大きさ(R、C)
に反比例する。干渉の極大の近傍において、光の
強度を表わす関数は、光学的格子と同じ大きさの
一様に透明な瞳の回折関数に他ならない。この関
数は第3図に表わされている。aが長さRまたは
C(軸vまたはuに沿つた)に等しいとすると、
強度は値λ/aにおいて極小値ゼロを通る。回折
点の形態は第4図は表わされている。一つの方向
において、光学的格子が不規則に分布するバーを
有するならば、この方法に回折線が見られこの線
の分布は格子のバーの特定な配置に依存する。と
りわけ、バーの幅と間隔分布が一様でない分布コ
ードによつて決定される場合この場合に対応す
る。このコードは、バーカー(Barker)コード
型の疑似ランダムコードであつてもよい。コード
の一例が後に記述される。
2図から第4図を参照して以下説明する。以下の
説明においては、光学的格子が使用される。光学
的格子は、透明または反射する面上に非常に密で
多種の間隔を有する周期的な非透明体または非反
射体のバーを形成したものである。より一般的に
は、透過率があるいは反射率が互いに異なる交番
帯を規定する一連の平行なバーで構成される。本
発明で用いられる格子は、互いに直交する二方向
u,vに沿つてバーが形成されている。この格子
を無限遠におかれた点光源またはコリメータレン
ズの焦点におかれた点光源から生じる光ビームに
よつて照射すると、光は正規の伝送方向または正
規の反射方向に伝搬するのみならず、干渉が極大
になるあらかじめ規定された多方向にもまた伝搬
する。これら極大の位置は波長に依存する。これ
ら極大は無限遠におかれた平面上で観測される。
これら極大を有限な距離で観測する方法は、光学
的格子の後方にレンズをおくことである。これら
の極大に対応する回折光をこのレンズの焦点平面
内で観測可能である。この平面はフーリエ平面と
呼ばれている。格子は二次元であるから、軸u及
びvに平行な特定の2つの軸にそつて配列された
回折光を観測することができる。これは第2図の
点28によつて表わされている。これらの点28
の大きさは、光学的格子27の大きさ(R、C)
に反比例する。干渉の極大の近傍において、光の
強度を表わす関数は、光学的格子と同じ大きさの
一様に透明な瞳の回折関数に他ならない。この関
数は第3図に表わされている。aが長さRまたは
C(軸vまたはuに沿つた)に等しいとすると、
強度は値λ/aにおいて極小値ゼロを通る。回折
点の形態は第4図は表わされている。一つの方向
において、光学的格子が不規則に分布するバーを
有するならば、この方法に回折線が見られこの線
の分布は格子のバーの特定な配置に依存する。と
りわけ、バーの幅と間隔分布が一様でない分布コ
ードによつて決定される場合この場合に対応す
る。このコードは、バーカー(Barker)コード
型の疑似ランダムコードであつてもよい。コード
の一例が後に記述される。
本発明による位置合わせは、上述した物理的諸
現象を用いて第5図に図式化されている。レチク
ル17(第2の媒体として)の上のパターン29
が投影されるべきシリコンウエハ11(第1の可
動媒体として)はこれらパターン29に位置合わ
せされねばならない。
現象を用いて第5図に図式化されている。レチク
ル17(第2の媒体として)の上のパターン29
が投影されるべきシリコンウエハ11(第1の可
動媒体として)はこれらパターン29に位置合わ
せされねばならない。
このために、レチクル17及びウエハ11はそ
れぞれパターンを構成する光学的格子30及び3
1とパターンを構成する光学的格子32及び33
を保持し、これらのパターンがレチクル17に対
するウエハ11の位置合わせに用いられる。レチ
クル17及びウエハ11は投影レンズ(図示され
ていない)の光軸Zに垂直な平面内に置かれてい
る。位置合わせに使われるパターンは、互いに直
交する2つの選択的X及びY軸に平行なバーによ
つて構成された光学的格子である。
れぞれパターンを構成する光学的格子30及び3
1とパターンを構成する光学的格子32及び33
を保持し、これらのパターンがレチクル17に対
するウエハ11の位置合わせに用いられる。レチ
クル17及びウエハ11は投影レンズ(図示され
ていない)の光軸Zに垂直な平面内に置かれてい
る。位置合わせに使われるパターンは、互いに直
交する2つの選択的X及びY軸に平行なバーによ
つて構成された光学的格子である。
格子30及び31は一つの方向にコード化され
た格子である。格子32及び33も、格子30及
び31と同じコードで、方向C(各々CX及びCY)
にコード化されている。このコードを構成するバ
ーは、方向R(夫々RX及びRY)に規則的に中断さ
れ、このことによつてこの方向Rに規則的な間隔
を持つ格子が形成される。第5図では、格子30
及び32の位置合わせ、すなわちX軸方向の位置
合わせだけが図示されている。Y軸方向の位置合
わせも同様である。
た格子である。格子32及び33も、格子30及
び31と同じコードで、方向C(各々CX及びCY)
にコード化されている。このコードを構成するバ
ーは、方向R(夫々RX及びRY)に規則的に中断さ
れ、このことによつてこの方向Rに規則的な間隔
を持つ格子が形成される。第5図では、格子30
及び32の位置合わせ、すなわちX軸方向の位置
合わせだけが図示されている。Y軸方向の位置合
わせも同様である。
格子30の像は、図示されていない適当な光学
手段によつて格子32上に投影される。格子30
の大きさは、光学手段の倍率を考慮に入れてこの
格子が方向Cに沿つて格子32に重ね合わせられ
るように設定される。前述したように、格子30
の像によつて照射された格子32は、2つの特別
な方向すなわち方向C及びR(それぞれCX,RX及
びCY,RY)に沿つた、または結局同様に方向X
及びYに沿つた回折光を生じる。第5図にはフー
リエ平面34上に各次数の回折光C0,C1,C-1及
び他の方向に沿つた各次数の回折光R0,R1,R-1
が表わされている。回折光R1は光電検出手段3
5によつて検出される。出力信号36は、(図示
されていない)適当な電子手段に伝送される。回
折光R-1もまた検出され、これら2つの回折光
R1,R-1それぞれの強さを表わす信号の和を得る
ことが出来る。Y軸方向の位置合わせのための格
子33は、格子32の回折方向に直交する方向に
回折する。格子33の回折光R1及びR-1はX軸上
で検出される。この技術は、もしRとCの方向で
格子の間隔が異なつているならば、X方向の位置
合わせ信号とY方向の位置合わせ信号とを空間的
に識別可能ならしめる。格子の間隔が異つていな
い場合、格子X及びYについて、光の2つの直交
する偏光を用いて例えばフイルタリングを行えば
良い。その場合検出器は、観測される方向に対応
する光のみを選ぶことを可能ならしめる検光子を
備えている。
手段によつて格子32上に投影される。格子30
の大きさは、光学手段の倍率を考慮に入れてこの
格子が方向Cに沿つて格子32に重ね合わせられ
るように設定される。前述したように、格子30
の像によつて照射された格子32は、2つの特別
な方向すなわち方向C及びR(それぞれCX,RX及
びCY,RY)に沿つた、または結局同様に方向X
及びYに沿つた回折光を生じる。第5図にはフー
リエ平面34上に各次数の回折光C0,C1,C-1及
び他の方向に沿つた各次数の回折光R0,R1,R-1
が表わされている。回折光R1は光電検出手段3
5によつて検出される。出力信号36は、(図示
されていない)適当な電子手段に伝送される。回
折光R-1もまた検出され、これら2つの回折光
R1,R-1それぞれの強さを表わす信号の和を得る
ことが出来る。Y軸方向の位置合わせのための格
子33は、格子32の回折方向に直交する方向に
回折する。格子33の回折光R1及びR-1はX軸上
で検出される。この技術は、もしRとCの方向で
格子の間隔が異なつているならば、X方向の位置
合わせ信号とY方向の位置合わせ信号とを空間的
に識別可能ならしめる。格子の間隔が異つていな
い場合、格子X及びYについて、光の2つの直交
する偏光を用いて例えばフイルタリングを行えば
良い。その場合検出器は、観測される方向に対応
する光のみを選ぶことを可能ならしめる検光子を
備えている。
二次元の格子の使用は本発明の基本的特徴であ
つて、以下の2つの不都合を避けることを可能な
らしめる。
つて、以下の2つの不都合を避けることを可能な
らしめる。
(a) レチクルの格子は、照射された場合、複数次
数の光を自らも生ずる。方向Cに沿つた回折光
を使用することにより、寄生的な反射及び拡散
に基く妨害の生ずる危険がある。
数の光を自らも生ずる。方向Cに沿つた回折光
を使用することにより、寄生的な反射及び拡散
に基く妨害の生ずる危険がある。
(b) 方向Cに沿つた回折光を用いると、位置合わ
せ用光線の進路上に付加的な光学要素(例えば
ハーフミラー)を導入せねばならず、これら光
学要素はウエハの格子上に投影されるレチクル
の格子の像の投影を妨害する。
せ用光線の進路上に付加的な光学要素(例えば
ハーフミラー)を導入せねばならず、これら光
学要素はウエハの格子上に投影されるレチクル
の格子の像の投影を妨害する。
第7図は本発明で用いられるコードの一例を示
す。同図において、37は第5図の、レチクル1
7上に設けられた格子(コード)30(または3
1)を表わしており、38は半導体ウエハ11上
に設けられた格子(コード)32(または33)
を表わしている。また39はスケールを表わして
いる。方向Cにおいて、格子38は格子37に対
して相補の分布を有しており、間隔は不均等であ
る。また、方向Rにおいて格子38は周期的に中
断され、一定間隔3μmを有している。これら2
つの格子(コード)の重なり、すなわち格子37
の像の格子38の上への重なりの結果として、回
折光R1及びR-1の検出強度が最大になり得る。第
8図は検出手段35によつて検出された強度の標
準化応答曲線である。この曲線は実験によつて得
られた。同図から明らかのように、非常に選択的
な相関ピークが見られる。一致していない場合、
すなわち格子37の像の格子38上への投影が方
向Cに沿つた一方の側または他方の側に正確に並
置なされず従つて位置が合致した状態にない場
合、本例の格子(コード)については、平均応答
値が最大値の約40%になる。
す。同図において、37は第5図の、レチクル1
7上に設けられた格子(コード)30(または3
1)を表わしており、38は半導体ウエハ11上
に設けられた格子(コード)32(または33)
を表わしている。また39はスケールを表わして
いる。方向Cにおいて、格子38は格子37に対
して相補の分布を有しており、間隔は不均等であ
る。また、方向Rにおいて格子38は周期的に中
断され、一定間隔3μmを有している。これら2
つの格子(コード)の重なり、すなわち格子37
の像の格子38の上への重なりの結果として、回
折光R1及びR-1の検出強度が最大になり得る。第
8図は検出手段35によつて検出された強度の標
準化応答曲線である。この曲線は実験によつて得
られた。同図から明らかのように、非常に選択的
な相関ピークが見られる。一致していない場合、
すなわち格子37の像の格子38上への投影が方
向Cに沿つた一方の側または他方の側に正確に並
置なされず従つて位置が合致した状態にない場
合、本例の格子(コード)については、平均応答
値が最大値の約40%になる。
格子については、他の構造が使用可能である。
変更例として、第7図の格子37と同一構成のレ
チクル格子40と、第9図に示した如く交互に重
ね合わせた形に並べたバーからなるウエハ11用
の格子41とを考えることが出来る。回折光は、
位置が合つた状態にあるか否かに従つて方向Rの
異なる位置に現われる。格子41は、規則的な間
隔の2つの格子を互いにずらし交互に並べて重ね
合わせた状態にある。この場合も格子41は格子
40の分布に対して相補の分布を有している。こ
の格子は1つの一定間隔Pともう1つの一定間隔
P′とを有している。
変更例として、第7図の格子37と同一構成のレ
チクル格子40と、第9図に示した如く交互に重
ね合わせた形に並べたバーからなるウエハ11用
の格子41とを考えることが出来る。回折光は、
位置が合つた状態にあるか否かに従つて方向Rの
異なる位置に現われる。格子41は、規則的な間
隔の2つの格子を互いにずらし交互に並べて重ね
合わせた状態にある。この場合も格子41は格子
40の分布に対して相補の分布を有している。こ
の格子は1つの一定間隔Pともう1つの一定間隔
P′とを有している。
この種のコード化された格子は、卓越した相関
ピークを呈するが位置が合致してない時の平均の
信号レベルは、選択したコードに応じて25%から
50%の間で変化する。さらにC方向において、こ
の格子は、一定で互いに全く異なる間隔を有する
格子の組合わせと同一視することが出来る。その
結果、この方向において、他の位置合わせの方向
における格子の回折光Rの検出を混乱させる可能
性のあるこれら間隔各々に対応して回折光を観測
することが出来る。
ピークを呈するが位置が合致してない時の平均の
信号レベルは、選択したコードに応じて25%から
50%の間で変化する。さらにC方向において、こ
の格子は、一定で互いに全く異なる間隔を有する
格子の組合わせと同一視することが出来る。その
結果、この方向において、他の位置合わせの方向
における格子の回折光Rの検出を混乱させる可能
性のあるこれら間隔各々に対応して回折光を観測
することが出来る。
このような問題を軽減するために、これら2方
向で一定間隔の格子R−Cを選ぶことが出来る。
向で一定間隔の格子R−Cを選ぶことが出来る。
第10図に示す一定間隔p1の格子42を、これ
と相補の分布を有し、レチクル17上に設けられ
た一定間隔の格子43の像によつて照射すると、
位置の合致時及び非合致時の応答曲線は第11図
に示す如くなる。
と相補の分布を有し、レチクル17上に設けられ
た一定間隔の格子43の像によつて照射すると、
位置の合致時及び非合致時の応答曲線は第11図
に示す如くなる。
格子の周期性故に極大値の連続が認められる。
不確定さを取除くために、中央部格子42の方向
Cにおける各側部に2つの側部格子44及び45
(一定であるが互いに異なる間隔であり、中央部
格子42の間隔p1と異なる間隔p10及びp11をそれ
ぞれ有する)を設ける。位置が合致していない場
合、方向Cにおいて、格子43の像が格子42上
の右過ぎまたは左過ぎに投影されたかに応じてこ
れらの格子のうちの1つが方向Rに回折を行う。
この結果は第12図に示されている。
不確定さを取除くために、中央部格子42の方向
Cにおける各側部に2つの側部格子44及び45
(一定であるが互いに異なる間隔であり、中央部
格子42の間隔p1と異なる間隔p10及びp11をそれ
ぞれ有する)を設ける。位置が合致していない場
合、方向Cにおいて、格子43の像が格子42上
の右過ぎまたは左過ぎに投影されたかに応じてこ
れらの格子のうちの1つが方向Rに回折を行う。
この結果は第12図に示されている。
中央部格子42の回折光R10及びR11に加え
て、側部格子44及び45の回折光R111及び
R101が現れている。これら後者の2つの回折光
は互いに排他的である。方向Rに3つの検出器
D1,D10、及びD11を配置した場合、位置合わせ
は2段階で行われる。第1の段階即ち粗い位置合
わせの間は、2つの回折光R101及びR111のう
ちの1つが検出され、その結果、位置がずれてい
る方向が定まり、ウエハの移動を制御する機構が
作動せしめられる。細かな位置合わせを行なう第
2段階の間は、中央部格子の回折光R11の強度
が測定される。これにより移動は、第11図のハ
ツチングをつけた中心部に移る。前の場合と同様
に、回折光R-1も検出され得る。この方法の利点
は早い応答動作にある。実際、第11図の曲線は
理論的には位置が合致していないとき、即ちバツ
クグランドノイズが非常に小さいときに零を通過
する。
て、側部格子44及び45の回折光R111及び
R101が現れている。これら後者の2つの回折光
は互いに排他的である。方向Rに3つの検出器
D1,D10、及びD11を配置した場合、位置合わせ
は2段階で行われる。第1の段階即ち粗い位置合
わせの間は、2つの回折光R101及びR111のう
ちの1つが検出され、その結果、位置がずれてい
る方向が定まり、ウエハの移動を制御する機構が
作動せしめられる。細かな位置合わせを行なう第
2段階の間は、中央部格子の回折光R11の強度
が測定される。これにより移動は、第11図のハ
ツチングをつけた中心部に移る。前の場合と同様
に、回折光R-1も検出され得る。この方法の利点
は早い応答動作にある。実際、第11図の曲線は
理論的には位置が合致していないとき、即ちバツ
クグランドノイズが非常に小さいときに零を通過
する。
他のいくつかの変更例を考えることが出来る。
特に、格子を構成する刻みつけられたシリコン
ウエハは、丸い形状の縁を有し、このため格子の
間隔に応じた半径の環に沿つて回折が行われる。
ウエハは、丸い形状の縁を有し、このため格子の
間隔に応じた半径の環に沿つて回折が行われる。
従つて、相関信号を検出するために、寄生反射
によつて妨害されないように環の種々な点に位置
させることが行われる。
によつて妨害されないように環の種々な点に位置
させることが行われる。
光学的鋭敏さを備えてないこれらすべての方法
の主たる利点は、第1次の回折光について、ウエ
ハ上の像のコントラストから独立した信号を提供
できることにある。それゆえ、以後行われる種々
の集積度の処理のために、第1の集積度で形成さ
れた基準マークを用いることが出来る。
の主たる利点は、第1次の回折光について、ウエ
ハ上の像のコントラストから独立した信号を提供
できることにある。それゆえ、以後行われる種々
の集積度の処理のために、第1の集積度で形成さ
れた基準マークを用いることが出来る。
第6図は、本発明の第1の例による位置合わせ
装置を用いたホトレピータの詳細な光学的図式で
ある。コヒーレントを光エネルギーの単色光光源
あるいはレーザ光源から成る光エネルギー源S0は
集光レンズC0を通過してレチクル17を照射し、
ハーフミラーMはのこの光源S0の像Sを形成す
る。この像Sは投影レンズOPによつて捉えられ
て像S″が形成される。照射される半導体ウエハ
11は同図に示した位置におかれている。レチク
ル17のパターンを構成する格子46はハーフミ
ラーM及び投影レンズOPによつて格子47の部
分に像を結ぶ。この格子46は先に述べた格子の
一つを用いることが出来る。その像は格子47を
照らすことになるが、このことがフーリエ平面
PF内で回折光を生じる。このフーリエ平面PFは
像Sと同じ平面内にある。回折光をフーリエ平面
PF内でなくこの面PFの像平面P′F内で観測するの
がより実用的である。面P′Fは、レンズL1及び第
2のハーフミラーmを含んだ補助光学手段によつ
て与えられる。この面P′F内に、2つの絞り48
を備えた不透明な円板49が設けられ、絞りの後
に光電検出器35が設けられている。この補助光
学手段は同時に格子46の像と格子47との重な
りを可視化することをも可能ならしめる。ハーフ
ミラーMは、レチクル17の平面P〓の像である
平面P″〓内に、格子47の像50を生じさせる。
この平面P″〓はまたハーフミラーmを介し、レン
ズL1によつて平面P′〓内に結像される。この像平
面P′〓はミラーm1とレンズL2とによつて、図示さ
れてない可視化手段に結合されたビジコン管51
に投影される。ビジコン管上で基準マーク47の
像を見ることは、合焦及び適当な動作チエツクの
助けにはなるが位置合わせには用いられない。
装置を用いたホトレピータの詳細な光学的図式で
ある。コヒーレントを光エネルギーの単色光光源
あるいはレーザ光源から成る光エネルギー源S0は
集光レンズC0を通過してレチクル17を照射し、
ハーフミラーMはのこの光源S0の像Sを形成す
る。この像Sは投影レンズOPによつて捉えられ
て像S″が形成される。照射される半導体ウエハ
11は同図に示した位置におかれている。レチク
ル17のパターンを構成する格子46はハーフミ
ラーM及び投影レンズOPによつて格子47の部
分に像を結ぶ。この格子46は先に述べた格子の
一つを用いることが出来る。その像は格子47を
照らすことになるが、このことがフーリエ平面
PF内で回折光を生じる。このフーリエ平面PFは
像Sと同じ平面内にある。回折光をフーリエ平面
PF内でなくこの面PFの像平面P′F内で観測するの
がより実用的である。面P′Fは、レンズL1及び第
2のハーフミラーmを含んだ補助光学手段によつ
て与えられる。この面P′F内に、2つの絞り48
を備えた不透明な円板49が設けられ、絞りの後
に光電検出器35が設けられている。この補助光
学手段は同時に格子46の像と格子47との重な
りを可視化することをも可能ならしめる。ハーフ
ミラーMは、レチクル17の平面P〓の像である
平面P″〓内に、格子47の像50を生じさせる。
この平面P″〓はまたハーフミラーmを介し、レン
ズL1によつて平面P′〓内に結像される。この像平
面P′〓はミラーm1とレンズL2とによつて、図示さ
れてない可視化手段に結合されたビジコン管51
に投影される。ビジコン管上で基準マーク47の
像を見ることは、合焦及び適当な動作チエツクの
助けにはなるが位置合わせには用いられない。
第6図には、例えばX軸に関する位置合わせに
相当する、レチクル及びウエハの一対の位置合わ
せマーク46,47、しか示されていないが、Y
軸に関する位置合わせ用に第2の一対の位置合わ
せマーク(図示なし)を設けることが必要であ
る。この第2の位置合わせマーク用として、検出
器35に直交する第2の一対の検出器を設ける。
第10図に示した如き格子が用いられるならば、
側部格子R10,R11に対する付加的な検出器が準
備される。
相当する、レチクル及びウエハの一対の位置合わ
せマーク46,47、しか示されていないが、Y
軸に関する位置合わせ用に第2の一対の位置合わ
せマーク(図示なし)を設けることが必要であ
る。この第2の位置合わせマーク用として、検出
器35に直交する第2の一対の検出器を設ける。
第10図に示した如き格子が用いられるならば、
側部格子R10,R11に対する付加的な検出器が準
備される。
上述した最初の例においては、位置合わせ用経
路が投影径路とほとんど共通である。それゆえ、
第1に異なる波長の2つの光源を使用しなければ
ならない。実際、位置合わせマーク46を照らす
光源S0は位置合わせのための半導体ウエハ11の
樹脂を感光するものであつてはならない。位置合
わせ用には波長6328ÅのHeNeのレーザ(光エネ
ルギーの第1の源として)を投影用(露光用)に
はブラインドフイルタを併つた水銀ランプ(光エ
ネルギーの第2の源として)が用いられる。投射
レンズは波長4050Å(あるいは使用する光源に応
じて4358Åまたは3650Å)用に補正される。ウエ
ハ11上に格子46の鮮明な像を(良好な倍率
で)得るためには、光学的合焦調整手段52を、
投影レンズとレチクルとの間の光通路中に導入す
ることが必要である。この調整手段52は、良好
な光学的特性の平行な透明板(λ/10)であるか
または低い度数のレンズである。この透明板は、
検出器の出力に変調された信号を得るようにウエ
ハ11のマークである格子47に関するレチクル
17のマークである格子46のそれぞれの位置を
変調するためにも利用される。この調整手段52
のXY方向位置はさほど問題ではなくその角度位
置のみが考慮される。この調整手段のみが位置合
わせの段階と露光の段階との間で切換えされなけ
ればならない機構である。この調整手段の設置及
び撤去は敏速に行うことができる。
路が投影径路とほとんど共通である。それゆえ、
第1に異なる波長の2つの光源を使用しなければ
ならない。実際、位置合わせマーク46を照らす
光源S0は位置合わせのための半導体ウエハ11の
樹脂を感光するものであつてはならない。位置合
わせ用には波長6328ÅのHeNeのレーザ(光エネ
ルギーの第1の源として)を投影用(露光用)に
はブラインドフイルタを併つた水銀ランプ(光エ
ネルギーの第2の源として)が用いられる。投射
レンズは波長4050Å(あるいは使用する光源に応
じて4358Åまたは3650Å)用に補正される。ウエ
ハ11上に格子46の鮮明な像を(良好な倍率
で)得るためには、光学的合焦調整手段52を、
投影レンズとレチクルとの間の光通路中に導入す
ることが必要である。この調整手段52は、良好
な光学的特性の平行な透明板(λ/10)であるか
または低い度数のレンズである。この透明板は、
検出器の出力に変調された信号を得るようにウエ
ハ11のマークである格子47に関するレチクル
17のマークである格子46のそれぞれの位置を
変調するためにも利用される。この調整手段52
のXY方向位置はさほど問題ではなくその角度位
置のみが考慮される。この調整手段のみが位置合
わせの段階と露光の段階との間で切換えされなけ
ればならない機構である。この調整手段の設置及
び撤去は敏速に行うことができる。
検出信号の変調は、ウエハのXY方向の位置を
わずかに変調すること(数十ミクロン)によつて
も行うことが出来る。
わずかに変調すること(数十ミクロン)によつて
も行うことが出来る。
一方、レーザビームは、高い周波数では完全に
変調されるかあるいは全く変調されないかであ
る。光電検出器35で検出された信号は、併設さ
れた電子回路で用いられ、これにより、位置合わ
せ処理を完全に自動化することが可能となる。
変調されるかあるいは全く変調されないかであ
る。光電検出器35で検出された信号は、併設さ
れた電子回路で用いられ、これにより、位置合わ
せ処理を完全に自動化することが可能となる。
これらの電子回路の一例は第13図に示されて
いる。X軸方向に関する位置合わせ手段だけが表
わされているが、Y軸方向に関する位置合わせ手
段も同様である。光電検出器35によつて検出さ
れた信号は波形整形及び増幅器53に送られる。
第6図の透明板52は、一定振幅かつ所定周波数
の振動を駆動ユニツト54から与えられて駆動さ
れる。制御信号は変調信号発振器55によつて形
成され、線56を介して送られる。発振器55は
同様に同期信号を(線57を介して)同期検波器
58に送る。レーザビームの強度の変調ユニツト
59は制御信号を(線60を介して)高速シヤツ
タ61に送る。同期信号は同様に、(線62を介
して)ヘテロダイン検波ユニツト63に送られ、
この検波ユツト63は増幅器53の出力信号を
(線64を介して)受け取る。この検波ユニツト
63の出力信号は低周波増幅器65に(線66を
介して)送られる。同期検波器58は、低周波増
幅器65の出力信号を(線67を介して)受信
し、また発振器55の出力信号を(線57を介し
て)受信する。同期検波器58の(線68を介す
る)出力信号は電力増幅器69に送られ、この増
幅器69は(線70を介して)X軸方向の駆動モ
ータ71を制御する。
いる。X軸方向に関する位置合わせ手段だけが表
わされているが、Y軸方向に関する位置合わせ手
段も同様である。光電検出器35によつて検出さ
れた信号は波形整形及び増幅器53に送られる。
第6図の透明板52は、一定振幅かつ所定周波数
の振動を駆動ユニツト54から与えられて駆動さ
れる。制御信号は変調信号発振器55によつて形
成され、線56を介して送られる。発振器55は
同様に同期信号を(線57を介して)同期検波器
58に送る。レーザビームの強度の変調ユニツト
59は制御信号を(線60を介して)高速シヤツ
タ61に送る。同期信号は同様に、(線62を介
して)ヘテロダイン検波ユニツト63に送られ、
この検波ユツト63は増幅器53の出力信号を
(線64を介して)受け取る。この検波ユニツト
63の出力信号は低周波増幅器65に(線66を
介して)送られる。同期検波器58は、低周波増
幅器65の出力信号を(線67を介して)受信
し、また発振器55の出力信号を(線57を介し
て)受信する。同期検波器58の(線68を介す
る)出力信号は電力増幅器69に送られ、この増
幅器69は(線70を介して)X軸方向の駆動モ
ータ71を制御する。
上述の電子回路による処理が行われることによ
り、Y軸方向用の(またはY軸方向用の)増幅器
53に印加された信号は、第14図にその傾向が
表わされているサーボ制御信号を発生させること
となる。これらの制御信号は所定精度に対応する
自動位置合わせを行うために用いられる。事実、
レチクルのX及びY軸方向に関する格子の像がウ
エハの対応する格子に正確に重なり合うように制
御される最初の全体的な合焦段階が終了すると、
ある領域内において、サーボ制御信号は、領域△
Lに対応する位置合致条件を満たすように保持さ
れる。この領域△LはX軸に沿つた移動及びY軸
に沿つた移動について共に同一である。すなわち
△L=X1X2=Y1Y2である。これを行うために、
位置合わせの変動△X=X1X2(または△Y=
Y1Y2)に対応する2つのしきい値S1及びS2が規
定される。全ての新たな露光の前に信号Sがこの
領域の内部にあること△X(△Y)<△Lがチエツ
クされる。
り、Y軸方向用の(またはY軸方向用の)増幅器
53に印加された信号は、第14図にその傾向が
表わされているサーボ制御信号を発生させること
となる。これらの制御信号は所定精度に対応する
自動位置合わせを行うために用いられる。事実、
レチクルのX及びY軸方向に関する格子の像がウ
エハの対応する格子に正確に重なり合うように制
御される最初の全体的な合焦段階が終了すると、
ある領域内において、サーボ制御信号は、領域△
Lに対応する位置合致条件を満たすように保持さ
れる。この領域△LはX軸に沿つた移動及びY軸
に沿つた移動について共に同一である。すなわち
△L=X1X2=Y1Y2である。これを行うために、
位置合わせの変動△X=X1X2(または△Y=
Y1Y2)に対応する2つのしきい値S1及びS2が規
定される。全ての新たな露光の前に信号Sがこの
領域の内部にあること△X(△Y)<△Lがチエツ
クされる。
上述の検出は、結果に応じかつウエハの局部的
な再調整を開始するか否か制御する電子しきい値
手段(図示せず)によつて行なわれる。その結
果、再位置合わせが系統的に行われないという理
由による時間的利点と、どのような場合にも適応
し得るという理由による正確さという利点とが得
られる。第13図は本発明の範囲内で用いられる
サーボ制御回路の多くのものの中の一例にすぎな
い。これらの回路は当業者に良く知られているた
め、より詳細な説明は行わない。
な再調整を開始するか否か制御する電子しきい値
手段(図示せず)によつて行なわれる。その結
果、再位置合わせが系統的に行われないという理
由による時間的利点と、どのような場合にも適応
し得るという理由による正確さという利点とが得
られる。第13図は本発明の範囲内で用いられる
サーボ制御回路の多くのものの中の一例にすぎな
い。これらの回路は当業者に良く知られているた
め、より詳細な説明は行わない。
今まで述べてきたX及びYの2つの座標軸に沿
つた位置合わせに加えて、初期の全体的な位置合
わせ時に、シリコンウエハの角度的(θ)位置合
わを行わなければならない。X、Y及びθに関す
る位置合わせの最初の方法は、本出願人によつて
1977年4月20日、第7711908号として出願され、
第2388371号として公告されたフランス国特許出
願中に記載されている。この方法によれば、X及
びYに関する一対の位置合わせマークはθに関す
る位置合わせに対してもまた用いられる。
つた位置合わせに加えて、初期の全体的な位置合
わせ時に、シリコンウエハの角度的(θ)位置合
わを行わなければならない。X、Y及びθに関す
る位置合わせの最初の方法は、本出願人によつて
1977年4月20日、第7711908号として出願され、
第2388371号として公告されたフランス国特許出
願中に記載されている。この方法によれば、X及
びYに関する一対の位置合わせマークはθに関す
る位置合わせに対してもまた用いられる。
第15図を用いて以下説明する変更例によれ
ば、角度に関する位置合わせを行なうために補助
レンズOAがさらに用いられる。この図において
も、X及びY軸方向に関する位置合わせに必要な
様々な機構がまた示されている。ウエハ11の回
転軸は、前述の如く、X及びY軸方向に関する位
置合わせ用並びにいわゆる投影用に用いられる投
影レンズOPの光軸と一致する。角度θに関する
位置合わせには、第2の光学手段としての補助レ
ンズOAと、補助基準マーク機72、ハーフミラ
ーM′及びレンズL′1を含む補助光学手段と、検出
ユニツト73〜74とが用いられる。最初のホト
リピーテイングは投影レンズOPによつて実施さ
れ、これにより最大の精度と敏速さを得ることが
できる。位置合わせについてその後の補正は、X
及びY軸方向に関してのみ前述の原理に従つて自
動的に行われる。
ば、角度に関する位置合わせを行なうために補助
レンズOAがさらに用いられる。この図において
も、X及びY軸方向に関する位置合わせに必要な
様々な機構がまた示されている。ウエハ11の回
転軸は、前述の如く、X及びY軸方向に関する位
置合わせ用並びにいわゆる投影用に用いられる投
影レンズOPの光軸と一致する。角度θに関する
位置合わせには、第2の光学手段としての補助レ
ンズOAと、補助基準マーク機72、ハーフミラ
ーM′及びレンズL′1を含む補助光学手段と、検出
ユニツト73〜74とが用いられる。最初のホト
リピーテイングは投影レンズOPによつて実施さ
れ、これにより最大の精度と敏速さを得ることが
できる。位置合わせについてその後の補正は、X
及びY軸方向に関してのみ前述の原理に従つて自
動的に行われる。
これに限定されるわけではないが、本発明の位
置合わせ装置の実施例として以下の機構を用いる
ことが出来る。
置合わせ装置の実施例として以下の機構を用いる
ことが出来る。
(1) 投影レンズ…CERCO製、744型、縮小率1/5
(2) 位置合わせ用照射光源…HeNeレーザ、λ=
6328Å (3) 投影用照射光源…λ=4050Åの線を選択する
フイルタを備えた拡張スペクトルを有する水銀
ランプ、 (4) 光電検出手段…ホトダイオード:EGG製、
SGD100型またはHAD1000A型、または光電増
倍管:R.T.C.製、XP1117型(小型光電増倍
管)、 (5) ハーフミラーM…多誘電体のミラー反射率
0.99(4050Å<λ<4350Åにおいて)透過率約
0.5(λ=6328Åに対して) 他の構成部品(レンズ、顕微鏡等)は従来のホ
トレピータに通常用いられる部品から選ばれる。
6328Å (3) 投影用照射光源…λ=4050Åの線を選択する
フイルタを備えた拡張スペクトルを有する水銀
ランプ、 (4) 光電検出手段…ホトダイオード:EGG製、
SGD100型またはHAD1000A型、または光電増
倍管:R.T.C.製、XP1117型(小型光電増倍
管)、 (5) ハーフミラーM…多誘電体のミラー反射率
0.99(4050Å<λ<4350Åにおいて)透過率約
0.5(λ=6328Åに対して) 他の構成部品(レンズ、顕微鏡等)は従来のホ
トレピータに通常用いられる部品から選ばれる。
上述した例では、正確な機械的切換えを行つて
いない、すなわち、位置合わせに必要で投影の邪
魔になる要素を切換えることは行つてない。第6
図の調整手段52のみが、切換えを必要としてい
る。
いない、すなわち、位置合わせに必要で投影の邪
魔になる要素を切換えることは行つてない。第6
図の調整手段52のみが、切換えを必要としてい
る。
この切換えは、テーブルX−Yの移動中になし
得、それゆえ半導体ウエハの転写時間が延長する
ことはない。
得、それゆえ半導体ウエハの転写時間が延長する
ことはない。
投影経路と位置合わせ経路とを完全に独立させ
るのは有利であり、この考えに従つて作られたホ
トレピータが第16図から第19図に関係して以
下述べられる。この考え方によれば、レチクル1
7及び半導体ウエハ11は、ホトレピータに結合
した既知のマークによつて指示される。
るのは有利であり、この考えに従つて作られたホ
トレピータが第16図から第19図に関係して以
下述べられる。この考え方によれば、レチクル1
7及び半導体ウエハ11は、ホトレピータに結合
した既知のマークによつて指示される。
第16図は位置合わせの最初の段階を示してい
る。
る。
X軸方向に関して及びY軸方向に関しての位置
合わせ用の位置合わせマークR21及びR22が、装
置に固定された基準マークR31及びR32に関して
位置合わせされる。平面75上にあるマークR21
及びR22の像はレンズL4及びL3とミラーM2及び
M1によつて、それぞれマークR31及びR32上に投
影される。位置合わせは光電検出手段351及び
352の使用によつて検出される。これらの光検
出手段はR31及びR32上に集められた光を集中さ
せるコリメータレンズを備えている。位置の合致
時に、これら2つの検出手段の出力信号は最大と
なる。この段階は前調整のチエツク段階であり、
周期的にしか(例えば一日一回)実行されない。
合わせ用の位置合わせマークR21及びR22が、装
置に固定された基準マークR31及びR32に関して
位置合わせされる。平面75上にあるマークR21
及びR22の像はレンズL4及びL3とミラーM2及び
M1によつて、それぞれマークR31及びR32上に投
影される。位置合わせは光電検出手段351及び
352の使用によつて検出される。これらの光検
出手段はR31及びR32上に集められた光を集中さ
せるコリメータレンズを備えている。位置の合致
時に、これら2つの検出手段の出力信号は最大と
なる。この段階は前調整のチエツク段階であり、
周期的にしか(例えば一日一回)実行されない。
第17図は位置合わせの第2段階を示してい
る。この第2段階はレチクル17の設置及び同一
のマークR31及びR32に対するこのレチクル17
の位置合わせに対応する。これを行なうために、
このレチクル17は2つのマークR11及びR12を
備えている。この段階はホトリピーテイングの初
期にのみ行われ、しかもレチクルを変えた時にし
か実行されない。
る。この第2段階はレチクル17の設置及び同一
のマークR31及びR32に対するこのレチクル17
の位置合わせに対応する。これを行なうために、
このレチクル17は2つのマークR11及びR12を
備えている。この段階はホトリピーテイングの初
期にのみ行われ、しかもレチクルを変えた時にし
か実行されない。
第18図は位置合わせの第3段階即ち最後の段
階を表わしている。この段階は最も頻繁に行われ
また最も速い速度で処理されねばならない。この
段階において、シリコンウエハ11はマークR21
及びR22であろうマークCx及びCyに関して位置合
わせされる。
階を表わしている。この段階は最も頻繁に行われ
また最も速い速度で処理されねばならない。この
段階において、シリコンウエハ11はマークR21
及びR22であろうマークCx及びCyに関して位置合
わせされる。
これらのマークは常時照射されていてもよいが
検出は瞬間的である。マークR21及びR22の像は
シリコンウエハ11上に刻まれたマーク上に投影
される。すなわちレンズL4と、投影レンズOPと、
ミラーM2及びM1によつて前述した格子32又は
33からなるマーク上に投影される。R21及び
R22の像が照射されたマーク(格子)32及び3
3は複数の次数の回折光を発生する。特に方向R
に沿つた回折光はフーリエ平面PF内で、前述し
た原則に従い光電検出手段35によつて検出され
る。
検出は瞬間的である。マークR21及びR22の像は
シリコンウエハ11上に刻まれたマーク上に投影
される。すなわちレンズL4と、投影レンズOPと、
ミラーM2及びM1によつて前述した格子32又は
33からなるマーク上に投影される。R21及び
R22の像が照射されたマーク(格子)32及び3
3は複数の次数の回折光を発生する。特に方向R
に沿つた回折光はフーリエ平面PF内で、前述し
た原則に従い光電検出手段35によつて検出され
る。
第19図はその後の段階を示し、この段階中ウ
エハ11は露光されている。すなわち転写中であ
る。
エハ11は露光されている。すなわち転写中であ
る。
本例においては位置合わせの経路と投影の経路
とが全く異なつている。いかなる切換えも従つて
必要ではない。第6図中の調整手段52によつて
行なわれる光の補償(図示されていない)は投影
ビームの通路の外で行なわれる。
とが全く異なつている。いかなる切換えも従つて
必要ではない。第6図中の調整手段52によつて
行なわれる光の補償(図示されていない)は投影
ビームの通路の外で行なわれる。
第20図は第16図〜第19図で述べた例、す
なわち補助マークを用い、位置合わせ経路と投影
経路とを独立させた例の、変更例である。この変
更例によれば、XY軸方向に関する位置合わせは
補助レンズOAによつて行なわれる。更に、光源
S1によつてコンデンサC1を介して照明された単
一の格子CDの像は、ハーフミラーSM2にもなつ
ているプリズムアセンブリP0によつて分割され
る。このようにして分割された光源は第2のハー
フミラーSM1によつて反射レンズL3により装置
のマークR31及びR32上に投影される。2つの光
電検出手段、L6−352及びL7−351は、こ
れら装置マークに対して格子CDに分割された像
の位置合わせを行なうために用いられる。格子
CDの分割された像のマークR31及びR32上への重
なりはスキヤニングユニツト76によつて駆動さ
れるミラー77により行われる。このスキヤニン
グユニツト76は一定振幅で与えられた周波数の
交互の回動をミラー77に伝える。このようにし
てマークR31及びR32上に格子CDの像が一致せし
められた時に、初期基準として用いられるミラー
77の角度のα0が定められる。分割された像はま
た、ハーフミラーSM1を通り、かつ投影レンズ
OAによつてシリコンウエハ11上に刻まれた
各々C′X−R′X及びC′Y−R′Yなる2つのマーク上に
も投影される。格子CDの分割された像によつて
照射されたこれら2つのマークは、前に説明した
如く、フーリエ平面内で回折光を生じる。これら
の回折光は、方向R′X,R′Yに沿つてハーフミラー
SM1で、次にプリズムP1の二つの反射面で反射
された後、光電検出手段353及び354によつ
て検出される。更に、格子CDの分割された像が
照射されたC′X及びC′Yの像はプリズムアセンブリ
P0によつて再び捉えられ、集光レンズL2を前に
おいたビジコン管51上で可視化可能になる。
なわち補助マークを用い、位置合わせ経路と投影
経路とを独立させた例の、変更例である。この変
更例によれば、XY軸方向に関する位置合わせは
補助レンズOAによつて行なわれる。更に、光源
S1によつてコンデンサC1を介して照明された単
一の格子CDの像は、ハーフミラーSM2にもなつ
ているプリズムアセンブリP0によつて分割され
る。このようにして分割された光源は第2のハー
フミラーSM1によつて反射レンズL3により装置
のマークR31及びR32上に投影される。2つの光
電検出手段、L6−352及びL7−351は、こ
れら装置マークに対して格子CDに分割された像
の位置合わせを行なうために用いられる。格子
CDの分割された像のマークR31及びR32上への重
なりはスキヤニングユニツト76によつて駆動さ
れるミラー77により行われる。このスキヤニン
グユニツト76は一定振幅で与えられた周波数の
交互の回動をミラー77に伝える。このようにし
てマークR31及びR32上に格子CDの像が一致せし
められた時に、初期基準として用いられるミラー
77の角度のα0が定められる。分割された像はま
た、ハーフミラーSM1を通り、かつ投影レンズ
OAによつてシリコンウエハ11上に刻まれた
各々C′X−R′X及びC′Y−R′Yなる2つのマーク上に
も投影される。格子CDの分割された像によつて
照射されたこれら2つのマークは、前に説明した
如く、フーリエ平面内で回折光を生じる。これら
の回折光は、方向R′X,R′Yに沿つてハーフミラー
SM1で、次にプリズムP1の二つの反射面で反射
された後、光電検出手段353及び354によつ
て検出される。更に、格子CDの分割された像が
照射されたC′X及びC′Yの像はプリズムアセンブリ
P0によつて再び捉えられ、集光レンズL2を前に
おいたビジコン管51上で可視化可能になる。
前述した全ての場合において、位置合わせ軸X
とYとの識別は空間型の識別によつて得られる。
他のいくつかの変更例が使用可能であり、記述さ
れたすべての実施例に適用可能である。
とYとの識別は空間型の識別によつて得られる。
他のいくつかの変更例が使用可能であり、記述さ
れたすべての実施例に適用可能である。
第1の変更例によれば、第1段階においてX軸
に沿つた位置合わせに必要なマーク(光学的格
子)が照射されてこの位置合わせが実現される。
第2段階においては、Y軸に沿つた位置合わせに
必要なマーク(光学的格子)が次に照射されて対
応する位置合わせが実現される。これを行なうた
めに、X軸に関する位置合わせ経路及びY軸に関
する位置合わせ経路を順次照射する互いに排他的
な高速シヤツタが用いられる。
に沿つた位置合わせに必要なマーク(光学的格
子)が照射されてこの位置合わせが実現される。
第2段階においては、Y軸に沿つた位置合わせに
必要なマーク(光学的格子)が次に照射されて対
応する位置合わせが実現される。これを行なうた
めに、X軸に関する位置合わせ経路及びY軸に関
する位置合わせ経路を順次照射する互いに排他的
な高速シヤツタが用いられる。
第2の変更例によれば、レーザ光源が2つの異
なる周波数(第1及び第2の周波数)で変調され
た光ビームをそれぞれ発生し、これらの光ビーム
がそれぞれ、X軸方向、Y軸方向の位置合わせ用
マーク(光学的格子)に同時に照射される。回折
光の所定部分の強度を検出した検出手段の出力が
復調され、両周波数の弁別が行われる。
なる周波数(第1及び第2の周波数)で変調され
た光ビームをそれぞれ発生し、これらの光ビーム
がそれぞれ、X軸方向、Y軸方向の位置合わせ用
マーク(光学的格子)に同時に照射される。回折
光の所定部分の強度を検出した検出手段の出力が
復調され、両周波数の弁別が行われる。
第3の変更例によれば、識別可能に偏光された
2つの光ビームが用いられる。第1の光ビームは
経路Xに関する位置合わせに必要なマーク(光学
的格子)を照射し、第2の光ビームは経路Yに関
する位置合わせに必要なマーク(光学的格子)を
照射する。
2つの光ビームが用いられる。第1の光ビームは
経路Xに関する位置合わせに必要なマーク(光学
的格子)を照射し、第2の光ビームは経路Yに関
する位置合わせに必要なマーク(光学的格子)を
照射する。
非限定的例として、第1の光ビームは方向CX
に、第2の光ビームは方向CYに平行な線形偏光
をそれぞれ有する。
に、第2の光ビームは方向CYに平行な線形偏光
をそれぞれ有する。
光電検出手段の手前に検光子が配置される。
前述の3つの変更例において、あらかじめ適当
に条件付けられた光ビームによる経路X及びYに
対応するマークを照射するために光フアイバーを
用いることが出来る。
に条件付けられた光ビームによる経路X及びYに
対応するマークを照射するために光フアイバーを
用いることが出来る。
本発明は上述した実施例に限定されない。特に
本発明による光学位置合わせ装置はホトレピータ
以外の装置にも適用することが出来る。本発明の
位置合わせ装置は、固定した媒体に設けられた基
準用パターンに対して、少くとも1つの位置合わ
せ用パターンを備えた複数個の物体の位置合わせ
を行うためのあらゆる装置に適用することができ
る。位置合わせは、位置合わせされるべき物体上
に備えられた一つまたは複数の位置合わせ用パタ
ーン上への基準用パターンの像の投影によつて得
られる回折光の特定の方向のものを検出すること
によつてなされる。
本発明による光学位置合わせ装置はホトレピータ
以外の装置にも適用することが出来る。本発明の
位置合わせ装置は、固定した媒体に設けられた基
準用パターンに対して、少くとも1つの位置合わ
せ用パターンを備えた複数個の物体の位置合わせ
を行うためのあらゆる装置に適用することができ
る。位置合わせは、位置合わせされるべき物体上
に備えられた一つまたは複数の位置合わせ用パタ
ーン上への基準用パターンの像の投影によつて得
られる回折光の特定の方向のものを検出すること
によつてなされる。
以上説明したように本発明の光学位置合せ装置
及びホトレピータは、第1の方向における幅及び
間隔分布が位置合わせ軸に平行でありかつ第1の
特定分布コードに対して相補の分布を有する第2
の特定分布コードによつて規定されている一連の
平行なバーによつて構成された少なくとも1つの
光学的格子を各位置合わせ軸毎に含むと共に、前
記バーが前記第1の方向と直交する第2の方向に
おいて周期的に中断され該第2の方向に一定ピツ
チの光学的格子を構成している第1のパターンを
有しているため、回折光の光強度が非常に鋭い相
関ピークを呈することとなり、従つて位置合わせ
の精度が、大幅に向上という効果が得られる。
及びホトレピータは、第1の方向における幅及び
間隔分布が位置合わせ軸に平行でありかつ第1の
特定分布コードに対して相補の分布を有する第2
の特定分布コードによつて規定されている一連の
平行なバーによつて構成された少なくとも1つの
光学的格子を各位置合わせ軸毎に含むと共に、前
記バーが前記第1の方向と直交する第2の方向に
おいて周期的に中断され該第2の方向に一定ピツ
チの光学的格子を構成している第1のパターンを
有しているため、回折光の光強度が非常に鋭い相
関ピークを呈することとなり、従つて位置合わせ
の精度が、大幅に向上という効果が得られる。
第1図は本発明の光学位置合わせ装置を用いた
ホトレピータの一例の概略構成図、第2図から第
4図は本発明に用いられる物理現象の説明図、第
5図は本発明の光学位置合わせ装置の一例の原理
図、第6図は第5図に基づく位置合わせ装置を用
いるホトレピータの光学的説明図、第7図から第
12図は本発明の位置合わせ装置に用いられる光
学的格子の変更例に関する説明図、第13図及び
第14図は本発明による位置合わせ装置に結合さ
れた電子回路の一例の説明図、第15図は角度に
関する位置合わせ用補助レンズを用いる位置合わ
せ装置の変更例の説明図、第16図から第19図
は本発明による位置合わせ装置の他の例の説明
図、第20図は(X、Y)に関する位置合わせ用
補助レンズを用いた本発明の位置合わせ装置の特
別な実施例の説明図である。 11……半導体ウエハ、15,OP……投影レ
ンズ、17……レチクル、19,m,M,M′,
M1,SM1……ハーフミラー、20,m1,M2…
…ミラー、26,S0,S1……光源、27,30,
31,32,33,37,38,40,41,4
2,43,44,45……光学的格子、35,3
51,352,353,354……光電検出手
段、L1,L′1,L2,L3,L4……レンズ、52……
光学的合焦調整手段、C0……集光レンズ。
ホトレピータの一例の概略構成図、第2図から第
4図は本発明に用いられる物理現象の説明図、第
5図は本発明の光学位置合わせ装置の一例の原理
図、第6図は第5図に基づく位置合わせ装置を用
いるホトレピータの光学的説明図、第7図から第
12図は本発明の位置合わせ装置に用いられる光
学的格子の変更例に関する説明図、第13図及び
第14図は本発明による位置合わせ装置に結合さ
れた電子回路の一例の説明図、第15図は角度に
関する位置合わせ用補助レンズを用いる位置合わ
せ装置の変更例の説明図、第16図から第19図
は本発明による位置合わせ装置の他の例の説明
図、第20図は(X、Y)に関する位置合わせ用
補助レンズを用いた本発明の位置合わせ装置の特
別な実施例の説明図である。 11……半導体ウエハ、15,OP……投影レ
ンズ、17……レチクル、19,m,M,M′,
M1,SM1……ハーフミラー、20,m1,M2…
…ミラー、26,S0,S1……光源、27,30,
31,32,33,37,38,40,41,4
2,43,44,45……光学的格子、35,3
51,352,353,354……光電検出手
段、L1,L′1,L2,L3,L4……レンズ、52……
光学的合焦調整手段、C0……集光レンズ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1の可動媒体上に設けられた少なくとも第
1のパターンを、第2の媒体上に設けられ固定基
準を形成する第2のパターンに関して複数の位置
合わせ軸に沿つて位置合わせする装置であつて、
第1の方向における幅及び間隔分布が前記位置合
わせ軸に平行でありかつ第1の特定分布コードに
よつて規定されている一連の平行なバーによつて
構成された少なくとも1つの光学的格子を各位置
合わせ軸毎に含む第2のパターンと、第1の方向
における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に平
行でありかつ前記第1の特定分布コードに対して
相補の分布を有する第2の特定分布コードによつ
て規定されている一連の平行なバーによつて構成
された少なくとも1つの光学的格子を各位置合わ
せ軸毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方向
と直交する第2の方向において周期的に中断され
該第2の方向に一定間隔の光学的格子を構成して
いる第1のパターンと、コヒーレントな光を用い
て、前記第2のパターンの像を前記第1のパター
ン上に投影することにより該第1のパターンを照
射すると共に前記第1及び第2の方向に回折光を
発生させる光学手段と、前記第2の方向における
前記回折光の非零次のパターンの所定部分の強度
を検出し、前記第1のパターンと該第1のパター
ン上への前記第2のパターンの像の投影との空間
的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り
正確な位置合わせが得られるようにした検出手段
とを備えていることを特徴とする光学位置合わせ
装置。 2 前記第2の媒体は、透過率が互いに異なる交
番帯を規定するバーによつて構成される少なくと
も1つの光学的格子を含む前記第2のパターンが
設けられた透明部材からなり、前記第1の可動媒
体は、反射率が互いに異なる交番帯を規定するバ
ーによつて構成される少なくとも1つの光学的格
子を含む前記第1のパターンが設けられた反射部
材からなる特許請求の範囲第1項に記載の装置。 3 前記第1及び第2の特定分布コードは、前記
第2のパターンの互いに異なる透過率の交番帯と
前記第1のパターンの互いに異なる反射率の交番
帯とを不均等に分布させたものである特許請求の
範囲第2項に記載の装置。 4 前記光学手段は、コヒーレントな光エネルギ
ーの単色光光源と、該単色光光源からの光エネル
ギーを前記第2のパターンに集束する少なくとも
1つの集光レンズと、前記第1及び第2のパター
ンに光学的に結合した投影レンズとを備えてお
り、投影によつて生じた回折光線がフーリエ平面
の像として検出されるように前記投影レンズを介
して戻される特許請求の範囲第1項から第3項の
いずれか一項に記載の装置。 5 前記第1及び第2のパターンのそれぞれは第
1及び第2の光学的格子によつて構成されてお
り、該第1の光学的格子の前記第1の方向は第1
の座標軸に平行でありかつ該第2の光学的格子の
前記第1の方向は該第1の座標軸に垂直な第2の
座標軸に平行であり前記第1のパターンの位置合
わせは直交する2つの座標軸に沿つて行われる特
許請求の範囲第1項から第4項のいずれか一項に
記載の装置。 6 直交する2つの座標軸に沿つた前記位置合わ
せは、前記第1及び第2の光学的格子の前記第2
の方向における回折光の所定部分を検出すること
によつて行われる特許請求の範囲第5項に記載の
装置。 7 前記第1のパターンの前記第1及び第2の光
学的格子が順次照射され、直交する2つの座標軸
に沿つた前記位置合わせが、該第1及び第2の光
学的格子の照射に同期して該第1及び第2の光学
的格子の前記第2の方向における回折光の所定部
分を検出することによつて行われる特許請求の範
囲第5項に記載の装置。 8 前記第1のパターンの前記第1及び第2の光
学的格子が第1の周波数及び第2の周波数でそれ
ぞれ変調された第1及び第2の光ビームによつて
同時に照射され、直交する2つの座標軸に沿つた
前記位置合わせが、該第1及び第2の光学的格子
の前記第2の方向における回折光の所定部分の強
度を検出する前記手段の出力信号を復調すること
によつて行われる特許請求の範囲第5項に記載の
装置。 9 前記第1のパターンの前記第1及び第2の光
学的格子が偏光によつて識別可能な第1及び第2
の光ビームによつて同時に照射され、検光子が前
記検出手段の手前に配置されている特許請求の範
囲第5項に記載の装置。 10 前記第1のパターンは第1の光学的格子の
前記第1の方向が第1の座標軸に平行でありかつ
第2の光学的格子の前記第1の方向が該第1の座
標軸に垂直な第2の座標軸に平行である同一構成
の2つの当該第1及び第2の光学的格子によつて
構成されており、前記第2のパターンは単一の光
学的格子によつて構成されており、前記光学手段
は前記単一の光学的格子の像を2つの二次像に分
割するプリズムアセンブリを備えており、該二次
像は前記第1のパターンの前記第2のパターンに
関する位置合わせが直交する2つの座標軸に沿つ
て行われるように該第1のパターンの前記第1及
び第2の光学的格子上に投影される特許請求の範
囲第1項から第4項のいずれか一項に記載の装
置。 11 第1の可動媒体上に設けられた少なくとも
第1のパターンを、第2の媒体上に設けられ固定
基準を形成する第2のパターンに関して複数の位
置合わせ軸に沿つて位置合わせする装置であつ
て、第1の方向における幅及び間隔分布が前記位
置合わせ軸に平行でありかつ第1の特定分布コー
ドによつて規定されている一連の平行なバーによ
つて構成された少なくとも1つの光学的格子を各
位置合わせ軸毎に含む第2のパターンと、第1の
方向における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸
に平行でありかつ前記第1の特定分布コードに対
して一部が相補の分布を有する第2の特定分布コ
ードによつて規定されている一連の平行なバーに
よつて構成された少なくとも1つの光学的格子を
各位置合わせ軸毎に含むと共に、前記バーが前記
第1の方向と直交する第2の方向において周期的
に中断されており、該第2の方向で2つの異なる
値の一定間隔を有する合成光学的格子を形成して
空間的に離れた2組の回折光を得るために該第2
の方向に一定間隔で重なりあつた同様の構成の2
つの格子を前記第1の方向に互いにずらした形に
構成されている第1のパターンと、コヒーレント
な光を用いて、前記第2のパターンの像を前記第
1のパターン上に投影することにより該第1のパ
ターンを照射すると共に前記第1及び第2の方向
に2組の回折光を発生させる光学手段と、前記第
2の方向における前記2組の回折光の内の1つの
非零次のパターンの所定部分の強度を検出し、前
記第1のパターンと該第1のパターン上への前記
第2のパターンの像の投影との空間的相関が最大
の場合に前記検出強度が最大を通り正確な位置合
わせが得られるようにした検出手段とを備えてい
ることを特徴とする光学位置合わせ装置。 12 第1の可動媒体上に設けられた少なくとも
第1のパターンを、第2の媒体上に設けられ固定
基準を形成する第2のパターンに関して複数の位
置合わせ軸に沿つて位置合わせする装置であつ
て、第1の方向における幅及び間隔分布が前記位
置合わせ軸に平行でありかつ第1の特定分布コー
ドによつて規定されている一連の平行なバーによ
つて構成された少なくとも1つの光学的格子を各
位置合わせ軸毎に含む第2のパターンと、第1の
方向における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸
に平行でありかつ前記第1の特定分布コードに対
して相補の分布を有する第2の特定分布コードに
よつて規定されている一連の平行なバーによつて
構成された少なくとも1つの光学的格子を含むと
共に、前記バーが前記第1の方向と直交する第2
の方向において周期的に中断され該第2の方向に
一定間隔の中央部光学的格子を構成している第1
のパターンと、前記第1のパターンの中央部光学
的格子の前記第1の方向における各側部に配置さ
れそれぞれが前記第2の方向に一定間隔を有し前
記中央部光学的格子の回折光と識別出来る回折光
を該第2の方向に発生させるために該中央部光学
的格子の一定間隔と異なる間隔を有する第1及び
第2の側部光学的格子と、コヒーレントな光を用
いて、前記第2のパターンの像を前記第1のパタ
ーン及び第1及び第2の側部光学的格子上に投影
することにより該第1のパターン及び第1及び第
2の側部光学的格子を照射すると共に前記第1及
び第2の方向に回折光を発生させる光学手段と、
前記第2の方向における前記回折光の非零次のパ
ターンの所定部分の強度を検出し、前記第1のパ
ターンと該第1のパターン上への前記第2のパタ
ーンの像の投影との空間的相関が最大の場合に前
記検出強度が最大を通り正確な位置合わせが得ら
れるようにした検出手段とを備えていることを特
徴とする光学位置合わせ装置。 13 前記検出手段は、前記第2の方向における
前記回折光の非零次のパターンの所定部分の強度
を検出し、前記第1のパターンと該第1のパター
ン上への前記第2のパターンの像の投影との空間
的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を通り
正確な位置合わせが得られるようにした第1の手
段と、正確な位置合わせの前段階として前記第1
及び第2の側部光学的格子の回折光の所定部分の
強度を測定する第2の手段とを備えている特許請
求の範囲第12項に記載の装置。 14 第1の可動媒体上に設けられた少なくとも
第1のパターンを、第2の媒体上に設けられ固定
基準を形成する第2のパターンに関して複数の位
置合わせ軸に沿つて位置合わせする装置であつ
て、第1の方向における幅及び間隔分布が前記位
置合わせ軸に平行でありかつ第1の特定分布コー
ドによつて規定されている一連の平行なバーによ
つて構成された少なくとも1つの光学的格子を各
位置合わせ軸毎に含む第2のパターンと、第1の
方向における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸
に平行でありかつ前記第1の特定分布コードに対
して相補の分布を有する第2の特定分布コードに
よつて規定されている一連の平行なバーによつて
構成された少なくとも1つの光学的格子を各位置
合わせ軸毎に含むと共に、前記バーが前記第1の
方向と直交する第2の方向において周期的に中断
され該第2の方向に一定間隔の光学的格子を構成
している第1のパターンと、コヒーレントな光を
用いて、前記第2のパターンの像を前記第1のパ
ターン上に投影することにより該第1のパターン
を照射すると共に前記第1及び第2の方向に回折
光を発生させる光学手段と、前記第2の方向にお
ける前記回折光の非零次のパターンの所定部分の
強度を検出し、前記第1のパターンと該第1のパ
ターン上への前記第2のパターンの像の投影との
空間的相関が最大の場合に前記検出強度が最大を
通り正確な位置合わせが得られるようにした検出
手段と、前記検出手段の出力信号を処理して制御
信号を発生する電子手段と、前記2つの位置合わ
せ軸に沿つた自動位置合わせを行うべく前記制御
信号に応じて前記第1の可動媒体の前記2つの位
置合わせ軸に沿つた移動を制御する制御手段とを
備えていることを特徴とする光学位置合わせ装
置。 15 感光性樹脂層を上面に有すると共に第1の
パターンをその上に備えた半導体ウエハを該ウエ
ハに投影すべき第2のパターン及びその他のパタ
ーンを備えたマスク部材に関して位置合わせする
位置合わせ手段であつて、第1の方向における幅
及び間隔分布が位置合わせ軸に平行でありかつ第
1の特定分布コードによつて規定されている一連
の平行なバーによつて構成された少なくとも1つ
の光学的格子を各位置合わせ軸毎に含む第2のパ
ターン、第1の方向における幅及び間隔分布が前
記位置合わせ軸に平行でありかつ前記第1の特定
分布コードに対して相補の分布を有する第2の特
定分布コードによつて規定されている一連の平行
なバーによつて構成された少なくとも1つの光学
的格子を各位置合わせ軸毎に含むと共に、前記バ
ーが前記第1の方向と直交する第2の方向におい
て周期的に中断され該第2の方向に一定間隔の光
学的格子を構成している第1のパターン、コヒー
レントな光を用いて、前記第2のパターンの像を
前記第1のパターン上に投影することにより該第
1のパターンを照射すると共に前記第1及び第2
の方向に回折光を発生させる光学手段、及び前記
第2の方向における前記回折光の非零次のパター
ンの所定部分の強度を検出し、前記第1のパター
ンと該第1のパターン上への前記第2のパターン
の像の投影との空間的相関が最大の場合に前記検
出強度が最大を通り正確な位置合わせが得られる
ようにした検出手段を含む前記位置合わせ手段
と、位置合わせ中は前記第2のパターンの像を前
記第1のパターン上に投影するため、露光中はそ
の他のパターンの像を前記ウエハの所定位置に投
影するための両方に用いられる投影レンズとを備
えたことを特徴とするホトレピータ。 16 前記光学手段は、前記露光中に励起され、
前記投影レンズがこれに対して補正されている第
1の波長を有する光エネルギの第1の源と、前記
位置合わせ中に励起され、第2の波長を有する光
エネルギの第2の源、異なる波長の光エネルギを
用いることに基ずく合焦及び倍率上の誤差を補償
するための光学的合焦調整手段とを備えている特
許請求の範囲第15項に記載のホトレピータ。 17 感光性樹脂層を上面に有すると共に第1の
パターンをその上に備えた半導体ウエハを第1の
固定基準を形成する第2のパターン及び該ウエハ
に投影すべきその他のパターンを備えたマスク部
材に関して位置合わせする位置合わせ手段であつ
て、第1の方向における幅及び間隔分布が前記位
置合わせ軸に平行でありかつ第1の特定分布コー
ドによつて規定されている一連の平行なバーによ
つて構成された少なくとも1つの光学的格子を各
位置合わせ軸毎に含む第2のパターン、第1の方
向における幅及び間隔分布が前記位置合わせ軸に
平行でありかつ前記第1の特定分布コードに対し
て相補の分布を有する第2の特定分布コードによ
つて規定されている一連の平行なバーによつて構
成された少なくとも1つの光学的格子を各位置合
わせ軸毎に含むと共に、前記バーが前記第1の方
向と直交する第2の方向において周期的に中断さ
れ該第2の方向に一定間隔の光学的格子を構成し
ている第1のパターン、コヒーレントな光を用い
て、前記第2のパターンの像を前記第1のパター
ン上に投影することにより該第1のパターンを照
射すると共に前記第1及び第2の方向に回折光を
発生させる第1の光学手段、及び前記第2の方向
における前記回折光の非零次のパターンの所定部
分の強度を検出し、前記第1のパターンと該第1
のパターン上への前記第2のパターンの像の投影
との空間的相関が最大の場合に前記検出強度が最
大を通り正確な位置合わせが得られるようにした
検出手段を含む前記位置合わせ手段と、当該第3
のパターンと前記第2のパターンとの初期位置合
わせのために他の媒体に設けられた第2の固定基
準を形成する第3のパターンと、前記初期位置合
わせを行うための第2の光学手段とを備えたこと
を特徴とするホトレピータ。 18 前記第2の光学手段は、前記第1のパター
ンの光学的格子の前記第3のパターンに関する位
置合わせによつて前記半導体ウエハの角度位置決
めを行う補助レンズを備えている特許請求の範囲
第17項に記載のホトレピータ。
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|---|---|
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Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2472208A1 (fr) * | 1979-12-18 | 1981-06-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement de deux motifs et photorepeteur mettant en oeuvre un tel systeme |
| US4549084A (en) * | 1982-12-21 | 1985-10-22 | The Perkin-Elmer Corporation | Alignment and focusing system for a scanning mask aligner |
| US4574191A (en) * | 1982-12-30 | 1986-03-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Wide field-of-view laser spot tracker |
| US4578590A (en) * | 1983-05-02 | 1986-03-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Continuous alignment target pattern and signal processing |
| JPH0619280B2 (ja) * | 1983-09-24 | 1994-03-16 | 名古屋大学長 | 光学式自動位置決め装置 |
| JPS6070311A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式エンコ−ダ |
| US4631416A (en) * | 1983-12-19 | 1986-12-23 | Hewlett-Packard Company | Wafer/mask alignment system using diffraction gratings |
| NL8401710A (nl) * | 1984-05-29 | 1985-12-16 | Philips Nv | Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
| FR2566930B1 (fr) * | 1984-06-29 | 1987-01-02 | Zaitsev Valentin | Dispositif xy pour photorepeteur |
| JPS6165251A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
| US4769523A (en) * | 1985-03-08 | 1988-09-06 | Nippon Kogaku K.K. | Laser processing apparatus |
| US4828392A (en) * | 1985-03-13 | 1989-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| NL8600638A (nl) * | 1986-03-12 | 1987-10-01 | Philips Nv | Inrichting voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat. |
| EP0243520B1 (en) * | 1986-04-29 | 1991-11-27 | Ibm Deutschland Gmbh | Interferometric mask-wafer alignment |
| NL8601278A (nl) * | 1986-05-21 | 1987-12-16 | Philips Nv | Inrichting voor het detekteren van een vergrotingsfout in een optisch afbeeldingssysteem. |
| US4838693A (en) * | 1986-06-11 | 1989-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for setting a gap between first and second objects to a predetermined distance |
| KR900004269B1 (ko) * | 1986-06-11 | 1990-06-18 | 가부시기가이샤 도시바 | 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치 |
| JPH0797545B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1995-10-18 | 株式会社トプコン | 投影露光装置用の光学的位置合わせ装置 |
| JPS63153821A (ja) * | 1987-10-27 | 1988-06-27 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| US5327221A (en) * | 1988-02-16 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for detecting positional relationship between two objects |
| US5325176A (en) * | 1988-02-16 | 1994-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus including Fraunhofer diffraction detector |
| US4980922A (en) * | 1988-05-31 | 1990-12-25 | Grumman Aerospace Corporation | System for output plane calibration of an optical correlator |
| JPH07119574B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1995-12-20 | 富士通株式会社 | 二次元位置検出方法 |
| NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
| US5054929A (en) * | 1990-04-26 | 1991-10-08 | Eastman Kodak Company | Optical alignment method using arbitrary geometric figures |
| US5216257A (en) * | 1990-07-09 | 1993-06-01 | Brueck Steven R J | Method and apparatus for alignment and overlay of submicron lithographic features |
| US5418613A (en) * | 1990-11-20 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for detecting the position of a substrate having first and second patterns of different sizes |
| EP0498006A1 (en) * | 1991-02-06 | 1992-08-12 | International Business Machines Corporation | Superheterodyning technique in the spatial frequency domain and structure for pattern registration measurement |
| US5104209A (en) * | 1991-02-19 | 1992-04-14 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Communications | Method of creating an index grating in an optical fiber and a mode converter using the index grating |
| JPH0513297A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-22 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| US5341213A (en) * | 1992-07-21 | 1994-08-23 | Avco Corporation | Alignment of radiation receptor with lens by Fourier optics |
| JPH08111372A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Nikon Corp | 露光装置 |
| US5552611A (en) * | 1995-06-06 | 1996-09-03 | International Business Machines | Pseudo-random registration masks for projection lithography tool |
| US20020192577A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Bernard Fay | Automated overlay metrology system |
| US6739509B2 (en) | 2001-10-03 | 2004-05-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Registration mark detection using matched filtering |
| US6694205B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-02-17 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Binary registration mark detection using 3-state sensing and matched filtering |
| JP5006889B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2012-08-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 粗ウェーハ位置合わせ用マーク構造及びこのようなマーク構造の製造方法 |
| KR101889563B1 (ko) * | 2010-03-03 | 2018-08-17 | 마이크로닉 아베 | 교정 시스템을 포함하는 패턴 생성기 |
| DE102012221566A1 (de) * | 2012-11-26 | 2014-05-28 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optische Positionsmesseinrichtung |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1136834B (de) * | 1959-04-09 | 1962-09-20 | Leitz Ernst Gmbh | Vorrichtung zum Messen von Lageaenderungen |
| US3542469A (en) * | 1967-09-30 | 1970-11-24 | Telefunken Patent | Photographic production of semiconductor microstructures |
| BE756467A (fr) * | 1969-09-24 | 1971-03-22 | Philips Nv | Dispositif pour aligner des objets, comportant une source lumineuse, unsysteme de detection photosensible et deux porteurs pour configuration |
| DE2003492A1 (de) * | 1970-01-27 | 1971-08-12 | Leitz Ernst Gmbh | Messverfahren fuer Schrittgeber zum Messen von Laengen oder Winkeln sowie Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Messverfahrens |
| US3783520A (en) * | 1970-09-28 | 1974-01-08 | Bell Telephone Labor Inc | High accuracy alignment procedure utilizing moire patterns |
| US3690881A (en) * | 1970-09-28 | 1972-09-12 | Bell Telephone Labor Inc | Moire pattern aligning of photolithographic mask |
| US3821545A (en) * | 1972-05-26 | 1974-06-28 | Hitachi Ltd | Mask alignment in manufacturing semiconductor integrated circuits |
| US4052603A (en) * | 1974-12-23 | 1977-10-04 | International Business Machines Corporation | Object positioning process and apparatus |
| JPS5212577A (en) * | 1975-07-21 | 1977-01-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Automatic location device |
| JPS52109875A (en) * | 1976-02-25 | 1977-09-14 | Hitachi Ltd | Position matching system for mask and wafer and its unit |
| JPS52105775A (en) * | 1976-03-02 | 1977-09-05 | Toshiba Corp | Fine position matching method |
| NL7606548A (nl) * | 1976-06-17 | 1977-12-20 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat. |
| US4113388A (en) * | 1976-06-25 | 1978-09-12 | National Research Development Corporation | Optical apparatus for determining relative positioning of two members |
| JPS5332759A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Precision coordinate position detection and position control unit by composite diffration grating method |
| US4200395A (en) * | 1977-05-03 | 1980-04-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Alignment of diffraction gratings |
-
1979
- 1979-02-27 FR FR7905007A patent/FR2450468A1/fr active Granted
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