JPH0140826B2 - - Google Patents

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JPH0140826B2
JPH0140826B2 JP55113242A JP11324280A JPH0140826B2 JP H0140826 B2 JPH0140826 B2 JP H0140826B2 JP 55113242 A JP55113242 A JP 55113242A JP 11324280 A JP11324280 A JP 11324280A JP H0140826 B2 JPH0140826 B2 JP H0140826B2
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JP
Japan
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group
aralkyl
formula
hydrogen atom
diphenylmethyl
Prior art date
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Application number
JP55113242A
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English (en)
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JPS5738769A (en
Inventor
Hiroaki Yanagisawa
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Sankyo Co Ltd
Original Assignee
Sankyo Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sankyo Co Ltd filed Critical Sankyo Co Ltd
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Publication of JPS5738769A publication Critical patent/JPS5738769A/ja
Publication of JPH0140826B2 publication Critical patent/JPH0140826B2/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

Landscapes

  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Cephalosporin Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は抗生物質の合成中間体として有用なア
ゼチジノン誘導体およびその製造法に関するもの
である。 本発明で供するアゼチジノン誘導体は一般式 で表わされる、さらに詳しくは一般式 (上記式中、R1は水素原子、アシル基または
アラルキル基を示し、R2はアシル基、アラルキ
ル基またはR1とR2が一緒になつて二塩基性酸ア
シル基を示し、R3はアルキル基、アラルキル基、
アリール基または複素環基を示し、―COB基は
―COOR基(Rは水素原子、低級アルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、有機金属基、アルカリ
金属またはアンモニウム基を示す。)を示し、n
は1または2を示す。)で表わされる新規なアゼ
チジノン誘導体である。 一般式(),(a)および(b)中のR1
R2,R3および式―COB基について具体的に説明
する。 R1,R2におけるアシル基としては、β―ラク
タムの合成化学で常用されるもので、脂肪族アシ
ル基、芳香環若しくは複素環を有するアシル基ま
たは炭酸アシルのようなアシル基、のことで、例
えば低級アルカノイル(例えばアセチル、プロピ
オニル、ブチロイル等)、アロイル(例えばベン
ゾイル、ナフトイル等)、アリールアルカノイル
(例えばフエニルアセチル、フエニルプロピオニ
ル等)、複素環式カルボニル(例えばテノイル、
フロイル、ニコチノイル等)、アルコキシカルボ
ニル(例えばメトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、ターシヤリーブトキシカルボニル等)、
アラルコキシカルボニル(例えばベンジルオキシ
カルボニル等)またはアリールオキシカルボニル
(例えばフエノキシカルボニル等)のような炭酸
アシル基、トリフエニルメチル基のようなアラル
キル基があげられる。上記アシル基は適当な置換
基を有していてもよく、そのような置換基として
はハロゲン、ヒドロキシ、低級アルコキシ、ニト
ロ、アミノ、シアノ、カルボキシ、アルコキシカ
ルボニル、メルカプト、アルキルスルホニル、ア
リールスルホニル、低級アルキル等があげられ、
これらはさらに組合わされていてもよい。(例え
ばチエニルアセチル、シアノメチルチオアセチ
ル、2―カルボキシ―2―フエニルアセチル、
2,2,2―トリクロルエトキシカルボニル、p
―トルエンスルホニルエトキシカルボニル等)
R1およびR2は一緒になつてジアシル基または二
塩基性酸アシル基(例えばフタロイル、マレオイ
ルまたはスクシニル等)を形成していてもよい。 R3としては、炭素数1〜8のアルキル基(例
えばメチル、エチル、n―プロピル、イソプロピ
ル、n―ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、オクチル等)、アラルキル基(例えばベンジ
ル、フエネチル等)、アリール基(例えばフエニ
ル、ナフチル等)、単環性複素環基(例えばフリ
ル、チエニル、チアゾリル、オキサゾリル、チア
ジアゾリル、テトラゾリル、ピリジル等)、双環
性複素環基(ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾ
リル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチオフエニ
ル、ベンゾフラニル、キノリル等)があげられ
る。これらの基は不活性基、例えば低級アルキ
ル、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルコキシ、ニ
トロ、アミノ、シアノ、カルボキシ、アルコキシ
カルボニル、アルキルチオ、アリールチオ、アル
キルスルホニル、アリールスルホニル等で適宜置
換されていてもよい。式―COBで表わしうる保
護されたカルボキシ基はβ―ラクタムの合成化学
で常用されるもので、エステル、アミド、塩があ
る。エステルとしては例えば低級アルキル基(例
えばメチル、エチル、ターシヤリーブチル等)、
アラルキル基(例えばベンジル、ジフエニルメチ
ル等)、アリール基(例えばフエニル等)、トリ置
換シリル基(例えばトリメチルシリル、ターシヤ
リーブチルジメチルシリル等)などのエステル、
アミドとしては例えばアセトアミド、ジイソプロ
ピルヒドラジド、塩としては例えば金属塩(例え
ばナトリウム塩、リチウム塩等)、有機塩(例え
ばトリエチルアミン塩、テトラブチルアンモニウ
ム塩等)があげられる。上記カルボン酸保護基に
は、アルキル、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキ
シ、アシルオキシ、オキソ、アシルアミノ、ニト
ロ、シアノ、アルキルチオ、アリールチオ、アル
キルスルホニル、アリールスルホニル等の置換基
が存在してもよく、上記のアリールには芳香族異
項環も含まれる。これらカルボキシ保護基はペニ
シリン、セフアロスポリンの化学で常用されてい
るものであつて、保護の目的を達する限りこの発
明の要旨を変更することなく広範な変化が可能で
ある。 本発明化合物(a)は下記に示される化合物
aおよびb)に一般式()で示されるメル
カプタンを反応させることにより製造される。
【式】または
【式】
(上記式中、R1,R2,R3および―COBは前述
したものと同意義を表わす。) すなわち、3―メチレンセフアムのβ―スルホ
キシド(a)または3―メチレンセフアムのα
―スルホキシド(b)を1〜10倍モルのメルカ
プタン()存在下、非プロトン系溶媒中室温な
いし加熱することにより、新規アゼチジノン(
)を製造する。用いられる溶媒としては、炭化
水素(例えばベンゼン、トルエン、ヘキサン)、
ハロゲン化炭化水素(例えば塩化メチレン、1,
2―ジクロロエタン、クロロベンゼン)、エーテ
ル(例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチルエーテル)、エステル(例えば酢酸エチ
ル)、アミド(例えばN,N―ジメチルホルムア
ミド)等の反応に影響を及ぼさない不活性溶媒が
好ましい。の量はaまたはbに対し等モルで
よいが過剰に加えることにより、反応を早めるこ
とができ、2〜10倍モルを使用すると反応時間を
短縮できる。反応温度は室温でも進行するが、60
〜150℃に加熱することにより反応を早めること
ができる。反応時間は加熱することにより通常30
分ないし3時間で反応は終了する。 もう一つの本発明の目的化合物(b)は上記
によつて製造された化合物(a)を一般式()
で示される三価リン化合物と反応させることによ
り製造される。 (上記式中、R1,R2,R3,COBは前述したも
のと同意義を表わし、R4はアルキル基、アリー
ル基またはアルコキシ基を表わす。)R4としては
炭素数1〜8のアルキル基(例えばメチル、エチ
ル、プロピル、n―ブチル、ペンチル、オクチル
等)、アリール基(例えばフエニル、ナフチル
等)、アルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、
プロポキシ、n―ブトキシ、イソブトキシ等)が
あり、これらのアリール基にはアルキル、ハロゲ
ン、ヒドロキシ、アルコキシ、アシルオキシ、オ
キソ、アシルアミノ、ニトロ、シアノ、アルキル
チオ、アリールチオ、アルキルスルホニル、アリ
ールスルホニル等の置換基が存在してもよい。 ジスルフイド(a)を1〜5倍モルのリン化
合物()と溶媒中反応させることにより新規ア
ゼチジノン(b)を製造しうる。用いられる溶
媒は炭化水素(例えばベンゼン、トルエン、ヘキ
サン等)、ハロゲン化炭素(例えばジクロルメタ
ン、クロロホルム、1,2―ジクロルエタン等)、
エーテル(例えばエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等)、エステル(例えば酢酸
エチル等)、アミド(例えばN,N―ジメチルホ
ルムアミド等)等の反応に影響を及ぼさない不活
性溶媒が好ましい。反応は0℃ないし室温で1時
間以内に完結する。 本発明の原料化合物(aおよびb)は種々の
方法により製造できるが、例えば7―アミノ―3
―複素環チオメチル―3―セフエム―4―カルボ
ン酸エステルから次のような反応工程aおよびb
図に従つて製造しうる。 (上記式中、―COBは前述したものと同意義
を示し、Hetは単環性および双環性複素環を示
し、例えば1―メチルテトラゾール―5―イル、
1,3,4―チアジアゾール―5―イル、2―メ
チル―1,3,4―チアジアゾール―5―イル、
1,2,3―トリアゾール―4―イル、1,3,
4―トリアジン―2―イルである。 (上記式中、R1,R2,COB,Hetは前述した
ものと同意義を示す。) 本発明化合物(aおよびb)は種々の新規な
抗菌活性を有するβ―ラクタム化合物を合成する
ために重要な中間体であるが、一例として1―オ
キサセフアムへの変換例を下式に示す。 (上記式中、R1,R2,R3および―COBは前述
したものと同意義を示し、R7はR2基におけるア
シル基からカルボニル基を除去した基を示す。) 以下、実施例ならびに参考例を記載して本発明
の実例と製法を示すが、これら実施例ならびに参
考例はなんら本発明を制限するものではない。 実施例1 3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベン
ゾチアゾリルジチオ)―1―(1′―ジフエニル
メトキシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―
2′―プロペニル)アゼチジン―2―オン 7α―ベンズアミド―3―メチレンセフアム―
4―カルボン酸ジフエニルメチル1―β―オキシ
ド1.1gと2―メルカプトベンゾチアゾール0.7g
のベンゼン30ml溶液を2時間還流する。反応液を
濃縮し、残留物をシリカゲルカラムクロマト(ク
ロロホルム―酢酸エチル4:1と2:1)で精製
して、結晶性の3S―ベンズアミド―4R―(2′―
ベンズチアゾリルジチオ)―1―(1′―ジフエニ
ルメトキシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―
2′―プロペニル)アゼチジン―2―オン0.55gを
得る。酢酸エチルから再結晶。融点172−173℃ IR(nujol):3460,3340,1765,1740,1670cm-1。 NMR(CDCl3)δ:3.64(brs,OH)、4.33(brs,
CH2OH)、4.90(d,d,J=2,7,アゼチ
ジン3位H)、
【式】5.08 と5.39(いずれもbrs,=CH2)、5.44(d,J=
2、アゼチジン4位H)、6.83(s、エステル
CHPh2)、7.0〜8.0(m、フエニルプロトン)。 元素分析: 計算値(C35H29N3O5S): C,62.94;H,4.38;N,6.29;S,
14.41% 分析値: C,62.86;H,4.42;N,6.32;S,
14.39% 実施例2 3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベン
ゾチアゾリルジチオ)―1―(1′―ジフエニル
メトキシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―
2′―プロペニル)アゼチジン―2―オン 7α―ベンズアミド―3―メチレンセフアム―
4―カルボン酸ジフエニルメチル―1―α―オキ
シド100mgと2―メルカプトベンゾチアゾール80
mgのベンゼン3ml溶液を2時間還流する。反応液
を濃縮し、残留物をシリカゲルカラムクロマト
(クロロホルム―酢酸エチル2:1)で精製して、
結晶性の3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベンゾ
チアゾリルジチオ)―1―(1′―ジフエニルメト
キシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―2′―プ
ロペニル)アゼチジン―2―オン56mgを得る。得
られた化合物の物性は実施例1・化合物に一致す
る。 実施例3 3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベン
ゾキサゾリルジチオ)―1―(1′―ジフエニル
メトキシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―
2′―プロペニル)アゼチジン―2―オン 7α―ベンズアミド―3―メチレンセフアム―
4―カルボン酸ジフエニルメチル―1β―オキシ
ド500mgと2―メルカプトベンゾキサゾール300mg
のベンゼン15ml溶液を2時間還流する。反応液を
濃縮し残留物をシリカゲルカラムクロマト(クロ
ロホルム―酢酸エチル4:1と2:1)で精製し
て、結晶性の3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベ
ンゾチアゾリルジチオ)―1―(1′―ジフエニル
メトキシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―
2′―プロペニル)アゼチジン―2―オン283mgを
得る。ベンゼンから再結晶。融点98−100℃ IR(nujol):3440,3290,1755,1730,1660cm-1。 NMR(DMSO―Cl6)δ:3.62(bs,OH)、4.17
(brs,CH2OH)、5.07(d,d,J=2,8,
アゼチジン3位H)、
【式】5.20と5.38(いずれ もbrs,=CH2)、5.55(d,J=2,アゼチジン
4位H)、6.68(s、エステルCHPh2)、7.2〜8.0
(m、フエニルプロトン)、9.33(d,J=8,
N―H)。 元素分析: 計算値(C35H29N3O6S2): C,64.50;H,4.48;N,6.45;S,9.84
% 分析値: C,64.74;H,4.59;N,6.48;S,9.72
% 実施例4 3S―ベンズアミド―4S―(2′―ベン
ゾチアゾリルチオ)―1―(1′―ジフエニルメ
トキシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―
2′―プロペニル)アゼチジン―2―オン 3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベンゾチアゾ
リルジチオ)―1―(1′―ジフエニルメトキシカ
ルボニル―2′―ヒドロキシメチル―2′―プロペニ
ル)アゼチジン―2―オン300mgとトリフエニル
ホスフイン200mgのジクロメタン6ml溶液を室温、
1時間撹拌後、濃縮する。残留物をシリカゲルカ
ラムクロマト(クロロホルム―酢酸エチル2:
1)で精製して非結晶性粉末の3S―ベンズアミ
ド―4S―(2′―ベンゾチアゾリルチオ)―1―
(1′―ジフエニルメトキシカルボニル―2′―ヒド
ロキシメチル―2′―プロペニル)アゼチジン―2
―オン285mgを得る。 IR(film):3330,1760,1740,1650cm-1。 NMR(CDCl3)δ:3.07(brs,OH)、4.05(brd,
J=4,CH2O)、
【式】 4.59と5.17(いずれもbrs,=CH2)、5.8〜6.05
(m、アゼチジノン3位と4位H)、6.97(s、
エステルCHPh2)、7.0−8.0(m、フエニルプロ
トン)、8.41(d,J=7,N−H)。 実施例5 3S―ベンズアミド―4S―(2′―ベン
ゾキサゾリルチオ)―1―(1′―ジフエニルメ
トキシカルボニル―2′―ヒドロキシメチル―
2′―プロペニル)アゼチジン―2―オン 3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベンゾキサゾ
リルジチオ)―1―(1′―ジフエニルメトキシカ
ルボニル―2′―ヒドロキシメチル―2′―プロペニ
ル)アゼチジン―2―オン100mgとトリフエニル
ホスフイン66mgのジクロルメタン3ml溶液を室
温、1時間撹拌する。反応液を濃縮し、シリカゲ
ルカラムクロマト(クロロホルム―酢酸エチル
3:1と2:1)で精製して、3S―ベンズアミ
ド―4S―(2′―ベンゾキサゾリルチオ)―1―
(1′―ジフエニルメトキシカルボニル―2′―ヒド
ロキシメチル―2′―プロペ―1′―イル)アゼチジ
ン―2―オン61mgを非結晶性粉末として得る。 IR(nujol):3340,1775,1750,1660cm-1。 NMR(CDCl3)δ:3.10(brs,OH)、4.12(brs,
CH2O)、
【式】5.00と 5.20(いずれもbrs,=CH2)、5.65−6.05(m、ア
ゼチジノン3位と4位H)、6.92(s、エステル
CHPh2)、7.05−7.9(m、フエニルプロトン)、
8.30(d,J=8,N−H)。 参考例1 7α―ベンズアミド―3―メチレンセ
フアム―4―カルボン酸ジフエニルメチル―1
―β―オキシド a 7β―アミノ―3―(1―メチルテトラゾー
ル―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4
―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β―オキ
シド(工程A) 7β―アミノ―3―(1―メチルテトラゾール
―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4―カ
ルボン酸ジフエニルメチル4.9gのジクロルメタ
ン150ml溶液に−50゜以下で85%m―クロル過安息
香酸2.03gのジクロルメタン50ml溶液を加え、−
50゜で1時間撹拌する。0゜にもどし、重曹水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮すると、
結晶が析出する。これを少量の酢酸エチル―エチ
ルエーテルにより取し、7β―アミノ―3―
(1―メチルテトラゾール―5―イル)チオメチ
ル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメ
チル―1―β―オキシド4.8gを得る。 IR(nujol):3450,1780,1730,1650cm-1。 NMR(CDC3―DMSO―d6):3.88(s,N―Me
と2位CH2)、4.32(ABq,Δδ=25Hz,J=13.3
位CH2S)、4.65―4.95(m,6位と7位H)、
6.88(s、エステルCHPh2)、7.2―7.7(m、フエ
ニルプロトン)。 b 7β―サリチリデンアミノ―3―(1―メチ
ルテトラゾール―5―イル)チオメチル―3―
セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメチル―
1―βオキシド(工程B) 7β―アミノ―3―(1―メチルテトラゾール
―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4―カ
ルボン酸ジフエニルメチル―1―β―オキシド
4.6gとサリチルアルデヒド3.0gのメタノール30
mlとジクロルメタン30ml中のけん濁液を4時間室
温で攬拌すると均一な溶液になる。濃縮し、残留
物中のサリチルアルデヒドをシクロヘキサンのデ
カンテーシヨンにより除去したあとシリカゲルカ
ラムクロマト(クロロホルム―メタノール20:
1)で精製して、7β―サリチリデンアミノ―3
―(1―メチルテトラゾール―5―イル)チオメ
チル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフエニル
メチル―1―β―オキシドの粉末6.0gを得る。 IR(nujol):1790,1720,1625cm-1。 NMR(CDCl3):3.68(s,N―Meと2位H2)、
4.17(ABq,Δδ=21Hz,J=14、3位CH2S)、
4.51と5.08(いずれもd、J=5、6位と7位
H)、6.65―76(m、エステルCHPh2とフエニル
プロトン)、8.37(s,CH=N)。 c 7α―サリチリデンアミノ―3―(1―メチ
ルテトラゾール―5―イル)チオメチル―3―
セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメチル―
1―β―オキシド(工程C) 7β―サリチリデンアミノ―3―(1―メチル
テトラゾール―5―イル)チオメチル―3―セフ
エム―4―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β
―オキシド6.0gのテトラヒドロフラン60ml溶液
に窒素ガス雰囲気中、氷塩浴冷却下トリエチルア
ミン2.0g加え、50分撹拌する。酢酸2.5ml、多量
のクロロホルムを順次加え、水洗、無水硫酸マグ
ネシウムにより乾燥したあと濃縮して約1/3の原
料が混ざる7α―サリチリデンアミノ―3―(1
―メチルテトラゾール―5―イル)チオメチル―
3―セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメチル
―1―β―オキシドを得る。シリカゲルカラムク
ロマト(クロロホルム―酢酸エチル1:1と1:
2)により異性体は分離できるが、混合物のま
ま、次の工程Dに付すこともできる。 IR(nujol):1790,1725,1625cm-1。 NMR(CDCl3)δ=3.72(s,N−Me)、3.77
(ABq,Δδ=32Hz,J=19,2位Hz)、4.22
(ABq,Δδ=20Hz,J=14,3位CH2S)、4.57
と5.12(いずれもbrs,6位と7位H)、6.7−7.6
(m、エステルCHPh2とフエニルプロトン)、
8.49(s,CH=N)。 d 7α―アミノ―3―(1―メチルテトラゾー
ル―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4
―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β―オキ
シド(工程D) 工程Cで得た7α―サリチリデンアミノ―3―
(1―メチルテトラゾール―5―イル)チオメチ
ル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメ
チル―1―β―オキシドを含む混合物をジラード
―T試薬4gとともにメタノール60ml―酢酸エチ
ル40ml中で2時間室温で撹拌する。反応液を濃縮
し、残留物を少量の酢酸エチルを含むクロロホル
ムと水に溶かす。有機層を分離し、水洗(×3)
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮する。
残留物をシリカゲルカラムクロマト(クロロホル
ム―メタノール10:1と5:1)にかけ、非結晶
性粉末の7α―アミノ―3―(1―メチルテトラ
ゾール―5―イル)チオメチル―3―セフエム―
4―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β―オキ
シド1.9g)と7β―アミノ体(結晶0.71g)を得
る。 IR(nujol):3400,3330,1780,1730,1625cm-1。 NMR(CDCl3):2.66(brs,NH2)、3.62付近
(ABq,2位H2)、3.73(s,N−Me)、4.05付
近(ABq,3位CH2S)、4.20と4.50(いずれも
brs,6位と7位H)、6.96(s、エステル
CHPh2)、7.1−7.5(m、フエニルプロトン)。 e 7α―ベンズアミド―3―(1―メチルテト
ラゾール―5―イル)チオメチル―3―セフエ
ム―4―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β
―オキシド(工程E) 7α―アミノ―3―(1―メチルテトラゾール
―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4―カ
ルボン酸ジフエニルメチル―1―β―オキシド
1.9gのジクロルメタン20ml溶液に氷冷下N,N
―ジエチルアニリン0.6gと塩化ベンゾイル0.57
g加え40分間撹拌する。反応液をクロロホルムで
うすめ、重硫酸カリ水溶液、重曹水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮する。残留物
をシリカゲルカラムクロマト(クロロホルム―メ
タノール10:1)で精製して、非結晶性粉末の
7α―ベンズアミド―3―(1―メチルテトラゾ
ール―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4
―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β―オキシ
ド1.9gを得る。 IR(nujol):3300,1790,1730,1665cm-1。 NMR(CDCl3):3.57(s,N−Me)、3.60付近
(2位H2)、4.06(ABq,Δδ=32Hz,J=13)、
4.60(brs,6位H)、5.42(brd,J=7,7位
H)、6.85(s,エステルCHPh2)、「7.0−7.5お
よび7.6−7.9(m、フエニルプロトン)、8.18
(brd,J=7,N−H)。 f 7α―ベンズアミド―3―メチレンセフアム
―4―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β―
オキシド(工程F) 7α―ベンズアミド―3―(1―メチルテトラ
ゾール―5―イル)チオメチル―3―セフエム―
4―カルボン酸ジフエニルメチル―1―β―オキ
シド1.9gのメタノール25mlと酢酸15mlの溶液に
氷冷下酢酸銅水和物0.6g、ついで亜鉛末4gを
少しずつ2.5時間にわたり加え、さらに1時間室
温で撹拌する。酢酸エチル150ml加え、不溶物を
除去し、水洗(×3)、乾燥(無水硫酸マグネシ
ウム)後、濃縮。残留物をシリカゲルカラムクロ
マト(クロロホルム―酢酸エチル1:4)で精製
し、非結晶性粉末の7α―ベンズアミド―3―メ
チレンセフアム―4―カルボン酸ジフエニルメチ
ル―1―β―オキシド1.1gと副生成物のΔ3―セ
フエム異性体0.17gを得る。 3―メチレンセフアム化合物の性状: IR(film):3300,1775,1740,1655cm-1。 NMR(CDCl3)δ:3.40(ABq,Δδ=22Hz,J=
14,2位H2)、4.95(d,J=2,6位H)、
5.19(d,d,J=2,7,7位H)、5.25(s,
4位H)、5.36と5.65(いずれもbrs,=CH2)、
6.80(s、エステルCHPh2)、7.28(s、エステ
ルフエニルプロトン)、7.2−7.5と7.7−7.85
(m,C6H5CO)、8.01(brd,J=7,N−H)。 参考例2 7α―ベンズアミド―3―メチレンセ
フアム―4―カルボン酸ジフエニルメチル―1
―α―スルホキシド a 7β―(p―ニトロベンジリデン)アミノ―
3―(1―メチルテトラゾール―5―イル)チ
オメチル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフ
エニルメチル(工程G) 7β―アミノ―3―(1―メチルテトラゾール
―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4―カ
ルボン酸ジフエニルメチル2.47gとp―ニトロベ
ンズアルデヒド755mgのベンゼン40ml溶液をデイ
ーン・スターク分水器をつけて2時間還流する。
反応液を濃縮して、非結晶性粉末の7β―(p―
ニトロベンジリデン)アミノ―3―ー(1―メチ
ルテトラゾール―5―イル)チオメチル―3―セ
フエム―4―カルボン酸ジフエニルメチルを得
る。 b 7α―(p―ニトロベンジリデン)アミノ―
3―(1―メチルテトラゾール―5―イル)チ
オメチル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフ
エニルメチル(工程H) 工程Gで得られた7β―(p―ニトロベンジリ
デン)アミノ―3―(1―メチルテトラゾール―
5―イル)チオメチル―3―セフエム―4―カル
ボン酸ジフエニルメチルのTHF(50ml)溶液に0
〜3℃でジイソプロピルエチルアミン645mg加え、
1時間撹拌する。酢酸0.5mlを加え、濃縮し、残
留物を酢酸エチルと水に溶かし有機層を分離す
る。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮して、
7α―(p―ニトロベンジリデン)アミノ―3―
(1―メチルテトラゾール―5―イル)チオメチ
ル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメ
チルと7β―(p―ニトロベンジリデン)アミノ
異性体約1:1の混合物を得る。異性体は分離す
ることなしに次の工程を行なう。 c 7α―アミノ―3―(1―メチルテトラゾー
ル―5―イル)チオメチル―3―セフエム―4
―カルボン酸ジフエニルメチル(工程) 工程Hで得られた7α―(p―ニトロベンジリ
デン)アミノ―3―(1―メチルテトラゾール―
5―イル)チオメチル―3―セフエム―4―カル
ボン酸ジフエニルメチルと7β―(p―ニトロベ
ンジリデン)アミノ異性体の混合物とジラードT
試薬4.5gの酢酸エチル50ml―メタノール50ml中
のけん濁液を一夜室温で撹拌する。反応液を濃縮
し、残留物を酢酸エチル―水に溶かし、酢酸エチ
ル層を分離し、水洗(×3)、乾燥(無水硫酸マ
グネシウム)後濃縮して、7α―アミノ―3―
(1―メチルテトラゾール―5―イル)チオメチ
ル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメ
チルと7β―アミノ異性体の混合物(2.4g)を得
る。異性体を分離することなしに次の工程Jを行
なう。 d 7α―ベンズアミド―3―(1―メチルテト
ラゾール―5―イル)チオメチル―3―セフエ
ム―4―カルボン酸ジフエニルメチル(工程
J) 前工程で得た7α―アミノ―(3―1―メチル
テトラゾール―5―イル)チオメチル―3―セフ
エム―4―カルボン酸ジフエニルメチルと7β―
アミノ異性体混合物2.4gをジクロルメタン30ml
に溶かし、氷冷下N,N―ジエチルアニリン0.75
g、塩化ベンゾイル0.71gを加え、1.5時間撹拌
する。反応液をクロロホルムでうすめ重硫酸カリ
水溶液、重曹水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濃縮して、シリカゲルカラムクロマト
(クロロホルム―酢酸エチル4:1)で分離・精
製をする。非結晶性の7α―ベンズアミド―3―
(1―メチルテトラゾール―5―イル)チオメチ
ル―3―セフエム―4―カルボン酸ジフエニルメ
チル1.34gとその7β―ベンズアミド異性体0.87g
を得る。 7α―ベンズアミドのNMR(CDCl3)δ=3.66
(brs,2位H2)、3.87(s,N−Me)、4.27(ABq,
Δδ=19Hz,J=13,3位CH2S)、4.77(d,J=
2,6位H)、5.12(d,d,J=2,8,7位
H)、7.00(1H、エステルCHPh2)、7.2−8.0(m、
フエニルプロトン)。 e 7α―ベンズアミド―3―メチレンセフアム
―4―カルボン酸ジフエニルメチル(工程K) 7α―ベンズアミド―3―(1―メチルテトラ
ゾール―5―イル)チオメチル―3―セフエム―
4―カルボン酸ジフエニルメチル1.3gの酢酸9
ml、メタノール15mlの溶液に氷冷下酢酸銅・水和
物0.3g、亜鉛末2.0gを加え、1.5時間撹拌し、さ
らに室温にして亜鉛末1.8g、酢酸4ml、メタノ
ール10mlを加え、2.5時間撹拌する。反応液に酢
酸エチルを加え、不溶物を去し、液を水洗
(×5)、乾燥(無水硫酸マグネシウム)後、濃縮
し、残留物をシリカゲルカラムクロマト(クロロ
ホルム―酢酸エチル10:1)にかけ、非結晶性粉
末として7α―ベンズアミド―3―メチレンセフ
アム―4―カルボン酸ジフエニルメチル0.45gと
それのΔ3異性体0.19gを得る。 3―メチレンセフアム化合物のNMR(CDCl3
δ: 3.04(ABq,Δδ=22Hz,J=14,2位H2)、4.8
−5.3(m,4,6,7位Hと=CH2)、6.71(1H,
s、エステルCHPh2)、7.0−7.8(m、フエニルプ
ロトン)。 f 7α―ベンズアミド―3―メチレンセフアム
―4―カルボン酸ジフエニルメチル―1―α―
オキシド(工程L) 7α―ベンズアミド―3―メチレンセフアム―
4―カルボン酸ジフエニルメチル0.41gのテトラ
ヒドロフラン5ml、メタノール5mlの溶液に窒素
ガス雰囲気下−50℃でtert―ブチルハイポクロリ
ド120mgを加え、1時間撹拌する。反応後に1Nリ
チウムメトキシド―メタノール溶液0.85ml、続い
て酢酸1mlを加え、酢酸エチルでうすめる。反応
液を水洗(×3)、乾燥後(無水硫酸マグネシウ
ム)、濃縮する。残留物をシリカゲルカラムクロ
マト(クロロホルム―酢酸エチル1:2)で精製
して、非結晶性粉末の7α―ベンズアミド―3―
メチレンセフアム―4―カルボン酸ジフエニルメ
チル―1―α―オキシド0.112gを得る。 NMR(CDCl3)δ:3.60(ABq,Δδ=24Hz,J=
12,2位H2)、4.88(d,J=1,6位H)、
5.10(s,4位H)、5.1−5.5(m,7位Hと=
CH2)、6.87(s、エステルCHPh2)、7.1−8.1
(m、フエニルプロトンとN−H)。 参考例3 7α―ベンズアミド―3―メチレン―
1―オキサデチアセフアム―4―カルボン酸ジ
フエニルメチル a 2―(3―フエニル―7―オキソ―4―オキ
サ―2,6―ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘ
プト―2―エン―6―イル)―4―ヒドロキシ
―3―エキソメチレン酪酸ジフエニルメチル 3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベンゾチアゾ
リルジチオ)―1―(1′―ジフエニルメトキシ
カルボニル―2′―ヒドロキシメチル―2′―プロ
ペニル)アゼチジン―2―オンからの製造(工
程L) 3S―ベンズアミド―4R―(2′―ベンゾチアゾ
リルジチオ)―1―(1′―ジフエニルメトキシカ
ルボニル―2′―ヒドロキシメチル―2′―プロペニ
ル)アゼチジン―2―オン100mgのジクロルメタ
ン3.2ml、プロピレンオキシド0.4mlの溶液に窒素
ガス雰囲気下、エタノール―ドライアイス浴で冷
却して、10%塩素−四塩化炭素溶液0.28ml加え、
30分間撹拌する。反応液を水、重曹水で洗浄、乾
燥(無水硫酸マグネシウム)後濃縮する。残留物
をシリカゲルカラムクロマト(クロロホルム―酢
酸エチル1:1と1:2)で精製して、2―(3
―フエニル―7―オキソ―4―オキサ―2,6―
ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタ―2―エン
―6―イル)―4―ヒドロキシ―3―エキソメチ
レン酪酸ジフエニルメチル20mgを得る。 NMR(CDCl3)δ:2.46(brs,OH)、4.13(brs,
CH2O)、4.92(s,N―CH―CO)、5.07と5.32
(いずれもbrs,=CH2)、5.19と5.93(いずれも
d,J=3,5、アゼチジン環のプロトン)、
6.77(s、エステルCHPh2)、7.1−8.0(m、フエ
ニルプロトン)。 3S―ベンズアミド―4S―(2′―ベンゾチアゾ
リルチオ)―1―(1′―ジフエニルメトキシカ
ルボニル―2′―ヒドロキシメチル―2′―プロペ
ニル)アゼチジン―2―オンからの製造(工程
M) 3S―ベンズアミド―4S―(2′―ベンゾチアゾ
リルチオ)―1―(1′―ジフエニルメトキシカル
ボニル―2′―ヒドロキシメチル―2′―プロペニ
ル)アゼチジン―2―オン200mgのプロピレンオ
キシド1ml、ジクロロルメタン4mlの溶液にエタ
ノール―ドライアイス浴で冷却下10%塩素−四塩
化炭素溶液0.38mlを加え、30分間撹拌する。シク
ロヘキセン1mlを加え重曹水で洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥する。溶液を濃縮後、シリカ
ゲルカラムクロマト(クロロホルム−酢酸エチル
1:1と1:2)で精製して、2―(3―フエニ
ル―7―オキソ―4―オキサ―2,6―ジアザビ
シクロ〔3,2,0〕ヘプタ―2―エン―6―イ
ル)―4―ヒドロキシ―3―エキソメチレン酪酸
ジフエニルメチル50mgを得る。 b 7α―ベンズアミド―3―メチレン―1―オ
キサデチアセフアム―4―カルボン酸ジフエニ
ルメチル 2―3―フエニル―7―オキソ―4―オキサ―
2,6―ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタ―
2―エン―6―イル)―4―ヒドロキシ―3―エ
キソメチレン酪酸ジフエニルメチル74mgのジクロ
メタン溶液に氷冷下、三フツ化ホウ素エーテラー
ト3μを加え、2時間室温で撹拌する。反応液
を濃縮し、残留物をシリカゲルカラムクロマト
(クロロホルム―酢酸エチル10:1)で精製して、
7α―ベンズアミド―3―メチレン―1―オキサ
デチアセフアム―4―カルボン酸ジフエニルメチ
ル18mgを得る。 NMR(CDCl3)δ:4.32(s,2位H2)、5.09(d,
J=7,7位H)、5.27と5.42と5.46(いずれも
s,4,6位Hと=CH2)、6.97(s,エステル
CHPh2)、7.2−8.0(m,フエニルプロトンと
NH)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1は水素原子、アシル基またはアラ
    ルキル基を示し、R2はアシル基、アラルキル基
    またはR1とR2が一緒になつて二塩基性酸アシル
    基を示し、R3はアルキル基、アラルキル基、ア
    リール基または複素環基を示し、―COB基は―
    COOR基(Rは水素原子、低級アルキル基、アラ
    ルキル基、アリール基、有機金属基、アルカリ金
    属またはアンモニウム基を示す。)を示し、nは
    1または2を示す。)で表わされるアゼチジノン
    誘導体。 2 一般式 (式中、R1は水素原子を示し、R2はアシル基
    またはR1とR2が一緒になつて二塩基性酸アシル
    基を示し、R3はアルキル基、アリール基または
    複素環基を示し、―COB基は―COOR基(Rは
    水素原子、低級アルキル基、アラルキル基、アリ
    ール基、有機金属基、アルカリ金属またはアンモ
    ニウム基を示す。)を示す。)で表わされる特許請
    求の範囲第1項記載のアゼチジノン誘導体。 3 一般式 (式中、R1は水素原子を示し、R2はアシル基
    またはR1とR2が一緒になつて二塩基性酸アシル
    基を示し、R3はアルキル基、アリール基または
    複素環基を示し、―COB基は―COOR基(Rは
    水素原子、低級アルキル基、アラルキル基、アリ
    ール基、有機金属基、アルカリ金属またはアンモ
    ニウム基を示す。)を示す。)で表わされる特許請
    求の範囲第1項記載のアゼチジノン誘導体。 4 一般式 (式中、R1は水素原子、アシル基またはアラ
    ルキル基を示し、R2はアシル基、アラルキル基
    またはR1とR2が一緒になつて二塩基性酸アシル
    基を示し、―COB基は―COOR基(Rは水素原
    子、低級アルキル基、アラルキル基、アリール
    基、有機金属基、アルカリ金属またはアンモニウ
    ム基を示す。)を示す。)で表わされる化合物に一
    般式 R3SH (式中、R3はアルキル基、アラルキル基、ア
    リール基または複素環基を示す。)で表わされる
    メルカプタンを反応させることを特徴とする一般
    (式中、R1,R2,R3および―COB基は前述し
    たものと同意義を示す。)で表わされるアゼチジ
    ノン誘導体の製法。 5 一般式 (式中、R1は水素原子、アシル基またはアラ
    ルキル基を示し、R2はアシル基、アラルキル基
    またはR1とR2が一緒になつて二塩基性酸アシル
    基を示し、R3はアルキル基、アラルキル基、ア
    リール基または複素環基を示し、―COB基は―
    COOR基(Rは水素原子、低級アルキル基、アラ
    ルキル基、アリール基、有機金属基、アルカリ金
    属またはアンモニウム基を示す。)を示す。)で表
    わされる化合物に一般式 (R43P (式中、R4はアルキル基、アリール基または
    アルコキシ基を示す。)で表わされる三価リン化
    合物を反応させることを特徴とする一般式 (式中、R1,R2,R3および―COB基は前述し
    たものと同意義を示す。)で表わされるアゼチジ
    ノン誘導体の製法。
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