JPH0140938B2 - - Google Patents
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- JPH0140938B2 JPH0140938B2 JP3156582A JP3156582A JPH0140938B2 JP H0140938 B2 JPH0140938 B2 JP H0140938B2 JP 3156582 A JP3156582 A JP 3156582A JP 3156582 A JP3156582 A JP 3156582A JP H0140938 B2 JPH0140938 B2 JP H0140938B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速で繰り返し発生させられるパルス
光トレインをストリーク装置を用いて観測する高
速繰り返しパルス光の観測装置に関する。
光トレインをストリーク装置を用いて観測する高
速繰り返しパルス光の観測装置に関する。
高速度パルス光の観測にストリーク装置が用い
られている。まずこのストリーク装置の一般的な
構成を簡単に説明する。ストリーク装置は光電
面、偏向電極および螢光面を持つストリーク管を
中心に構成されている。偏向電極には光電面から
螢光面に向かう光電子を偏向するための偏向電圧
が偏向電源から供給されている。光源からのパル
ス光は光学系により分岐されて一方は前記ストリ
ーク管の光電面、他方は前記偏向電源を起動する
ためのトリガ装置の受光素子に導かれる。
られている。まずこのストリーク装置の一般的な
構成を簡単に説明する。ストリーク装置は光電
面、偏向電極および螢光面を持つストリーク管を
中心に構成されている。偏向電極には光電面から
螢光面に向かう光電子を偏向するための偏向電圧
が偏向電源から供給されている。光源からのパル
ス光は光学系により分岐されて一方は前記ストリ
ーク管の光電面、他方は前記偏向電源を起動する
ためのトリガ装置の受光素子に導かれる。
光電面から螢光面に向かう光電子は偏向電極に
より偏向される。光電子の発生時点の差は螢光面
上の距離に、また光電子の密度は螢光面の輝きの
大きさに変換されて表示される。
より偏向される。光電子の発生時点の差は螢光面
上の距離に、また光電子の密度は螢光面の輝きの
大きさに変換されて表示される。
このようなストリーク装置を用いて、高速で、
繰り返し発生させられるパルス光トレイン中の連
続する2以上の発光を1画面に表示して、観測し
たいと言う要請がある。1画面に2以上のパルス
光を表示できるとそれ等のパルス光相互間の変化
を比較することができるからである。
繰り返し発生させられるパルス光トレイン中の連
続する2以上の発光を1画面に表示して、観測し
たいと言う要請がある。1画面に2以上のパルス
光を表示できるとそれ等のパルス光相互間の変化
を比較することができるからである。
ダイレーザの出力パルス光や、このダイレーザ
の出力パルス光により励起されて生じる発光現象
の各光パルスの持続時間は1〜1000ピコ秒で極め
て短い。これに対しダイレーザの出力パルス光の
繰り返し周期およびこの周期で励起される発光現
象の返し周期は5〜12ナノ秒である。したがつて
繰り返しサイクル中に発光部分の占める割合は、
1/5〜1/12000程度となる。このようなパルス光ト
レイン中の2以上の発光が連続して螢光面に現れ
るように螢光面上の時間軸を設定すると一つの光
パルスに割当てられる螢光面上の長さは極めて短
くなる。前記パルス光トレインデユーライ比を1/
100とし、ストリーク管の有効長が10mmある螢光
面の2個の光パルスを螢光面上に現すとき、1個
の光パルスに割当てられる螢光面上の長さは0.1
mmにすぎなくなる。つまりストリーク像の時間分
解能を犠性にして2つの発光を表示したに留まり
光パルス間の詳細比較は不可能である。本発明の
目的は前記のような連続する2以上のパルス光の
ストリーク像を間隔なしで、あるいは僅かな間隔
で隣接して現すことができる高速繰り返しパルス
光の観測装置を提供することにある。前記目的を
達成するために、本発明による高速繰り返しパル
ス光の観測装置は、光電面、ゲート電極、偏向電
極および螢光面を備えるストリーク管と、前記ス
トリーク管の光電面に入力される高速繰り返しパ
ルス光と同期する第1の正弦波を発生する第1正
弦波発振器と、前記パルス光と僅かに周波数の異
なる第2の正弦波を発生する第2正弦波発振器
と、前記第1の正弦波と前記第2の正弦波間に一
定の位相関係が生じた時点を検出して検出出力を
発生する位相検出器と、前記位相検出器の検出出
力を受けて前記第1の正弦波の複数周期以上の期
間持続するゲートパルスを出力するゲートパルス
発生器と、前記ゲートパルスを前記ストリーク管
のゲート電極に前記第2正弦波発振器の出力を前
記偏向電極に接続する接続手段とから構成されて
いる。
の出力パルス光により励起されて生じる発光現象
の各光パルスの持続時間は1〜1000ピコ秒で極め
て短い。これに対しダイレーザの出力パルス光の
繰り返し周期およびこの周期で励起される発光現
象の返し周期は5〜12ナノ秒である。したがつて
繰り返しサイクル中に発光部分の占める割合は、
1/5〜1/12000程度となる。このようなパルス光ト
レイン中の2以上の発光が連続して螢光面に現れ
るように螢光面上の時間軸を設定すると一つの光
パルスに割当てられる螢光面上の長さは極めて短
くなる。前記パルス光トレインデユーライ比を1/
100とし、ストリーク管の有効長が10mmある螢光
面の2個の光パルスを螢光面上に現すとき、1個
の光パルスに割当てられる螢光面上の長さは0.1
mmにすぎなくなる。つまりストリーク像の時間分
解能を犠性にして2つの発光を表示したに留まり
光パルス間の詳細比較は不可能である。本発明の
目的は前記のような連続する2以上のパルス光の
ストリーク像を間隔なしで、あるいは僅かな間隔
で隣接して現すことができる高速繰り返しパルス
光の観測装置を提供することにある。前記目的を
達成するために、本発明による高速繰り返しパル
ス光の観測装置は、光電面、ゲート電極、偏向電
極および螢光面を備えるストリーク管と、前記ス
トリーク管の光電面に入力される高速繰り返しパ
ルス光と同期する第1の正弦波を発生する第1正
弦波発振器と、前記パルス光と僅かに周波数の異
なる第2の正弦波を発生する第2正弦波発振器
と、前記第1の正弦波と前記第2の正弦波間に一
定の位相関係が生じた時点を検出して検出出力を
発生する位相検出器と、前記位相検出器の検出出
力を受けて前記第1の正弦波の複数周期以上の期
間持続するゲートパルスを出力するゲートパルス
発生器と、前記ゲートパルスを前記ストリーク管
のゲート電極に前記第2正弦波発振器の出力を前
記偏向電極に接続する接続手段とから構成されて
いる。
上記構成によれば、連続する複数個のパルス光
をパルス光の存在しない部分の間隔をなくして、
連続して表示できるので、本発明の目的は完全に
達成できる。
をパルス光の存在しない部分の間隔をなくして、
連続して表示できるので、本発明の目的は完全に
達成できる。
以下まず本発明装置の動作原理を説明し、次い
で実施例について詳細に説明する。
で実施例について詳細に説明する。
ストリーク管の光電面に入力される高速繰り返
しパルス光と同期する第1の正弦波を発生する第
1正弦波発振器の出力する正弦波を 1=
Asinωat、前記パルス光と僅かに周波数の異なる
正弦波を発生する第2正弦波発振器の出力する第
2の正弦波を2=Bsinωbtとする。
しパルス光と同期する第1の正弦波を発生する第
1正弦波発振器の出力する正弦波を 1=
Asinωat、前記パルス光と僅かに周波数の異なる
正弦波を発生する第2正弦波発振器の出力する第
2の正弦波を2=Bsinωbtとする。
位相検出器は前記第1の正弦波1=Asinωatと
前記第2の正弦波2=Bsinωbt間に一定の位置関
係が生じた時点を検出して検出出力を送出する。
前記第2の正弦波2=Bsinωbt間に一定の位置関
係が生じた時点を検出して検出出力を送出する。
この位相検出器は前記第1の正弦波と前記第2
の正弦波とを混合する混合器と、前記混合器の出
力からその低周波成分を取り出す低域ろ波器と、
前記低域ろ波器の出力レベルを検出するレベル検
出器から構成することができる。
の正弦波とを混合する混合器と、前記混合器の出
力からその低周波成分を取り出す低域ろ波器と、
前記低域ろ波器の出力レベルを検出するレベル検
出器から構成することができる。
この第1の正弦波と前記第2の正弦波とを混合
する混合器の出力′=1×2は次式で与えられ
る。
する混合器の出力′=1×2は次式で与えられ
る。
′=A×Bsinωat・sinωbt
=(A×B/2)〔cos(ωa−ωb)t
−cos(ωa+ωb)t〕
ωaとωbは僅かしか違わないのでωa−ωbは小
さく、ωa+ωb≒2ωaとして良い。合成波′をωa
+ωbとωa−ωbの間に遮断周波数がある低域ろ波
器を通すので ′=(A×B/2)cos(ωa−ωb)tのみが通過
する。これは、いわゆるビート波である。この低
域ろ波器の出力 ′=(A×B/2)cos(ωa−ωb)tが予め定め
たレベルに達したことをレベル検出器で検出する
ことによりωaとωb間に一定の位相関係が生じた
時点を検出することができる。検出するべき前記
一定の位相(ωa−ωb)tについては後に実例を
挙げて詳述する。要するに1=Asinωatは光パル
スおよびこれに起因するストリーク管内の光電子
流の位相を代表するものであるから、この光電子
流を偏向電界に順次対応させるために、偏向電界
の発生に利用される第2の正弦波Bsinωbtの掃引
開始時の位相を1=Asinωatの位相に一定の対応
を付けることである。
さく、ωa+ωb≒2ωaとして良い。合成波′をωa
+ωbとωa−ωbの間に遮断周波数がある低域ろ波
器を通すので ′=(A×B/2)cos(ωa−ωb)tのみが通過
する。これは、いわゆるビート波である。この低
域ろ波器の出力 ′=(A×B/2)cos(ωa−ωb)tが予め定め
たレベルに達したことをレベル検出器で検出する
ことによりωaとωb間に一定の位相関係が生じた
時点を検出することができる。検出するべき前記
一定の位相(ωa−ωb)tについては後に実例を
挙げて詳述する。要するに1=Asinωatは光パル
スおよびこれに起因するストリーク管内の光電子
流の位相を代表するものであるから、この光電子
流を偏向電界に順次対応させるために、偏向電界
の発生に利用される第2の正弦波Bsinωbtの掃引
開始時の位相を1=Asinωatの位相に一定の対応
を付けることである。
ゲートパルス発生器は前記位相検出器の検出出
力を受けて前記第1正弦波発振器の出力の複数周
期以上の期間持続するゲートパルスを出力する。
このゲートパルスは接続手段を介してストリーク
管のゲート電極に印加される。
力を受けて前記第1正弦波発振器の出力の複数周
期以上の期間持続するゲートパルスを出力する。
このゲートパルスは接続手段を介してストリーク
管のゲート電極に印加される。
このゲートパルスのパルス幅はストリーク管の
螢光面上にストリーク像として現わそうとする複
数のパルス光が含まれる全期間に相当する。
螢光面上にストリーク像として現わそうとする複
数のパルス光が含まれる全期間に相当する。
ストリーク管のゲート電極はこのゲートパルス
が印加されれている期間だけ、光電子流の螢光面
方向への通過を許容する。
が印加されれている期間だけ、光電子流の螢光面
方向への通過を許容する。
前記第2正弦波発振器の出力正弦波Bsinωbtは
接続手段によりストリーク管の偏向電極に接続さ
れている。そして前記ゲートパルスがストリーク
管のゲート電極に印加されている期間中に前記正
弦波Bsinωbtが零となる近辺を偏向電界の発生に
利用する。
接続手段によりストリーク管の偏向電極に接続さ
れている。そして前記ゲートパルスがストリーク
管のゲート電極に印加されている期間中に前記正
弦波Bsinωbtが零となる近辺を偏向電界の発生に
利用する。
この偏向電界の発生するごとに光パルス部分に
原因する光電子流が偏向電極部分を通過し螢光面
上に順次現れる。
原因する光電子流が偏向電極部分を通過し螢光面
上に順次現れる。
パルス光の周期2π/ωaと偏向電界の周期2π/
ωbとは僅かに異なるから、各パルス光のストリ
ーク像は順次少しずれて螢光面に現れるので重な
ることはない。なお周期の差2π(1/ωa−1/
ωb)はパルス光の幅に等しいかわずかに大きく
してある。また、螢光面上にストリーク像が現わ
れるのは前記位相検出器の出力パルスがゲート電
極に加えられている期間に限られる。
ωbとは僅かに異なるから、各パルス光のストリ
ーク像は順次少しずれて螢光面に現れるので重な
ることはない。なお周期の差2π(1/ωa−1/
ωb)はパルス光の幅に等しいかわずかに大きく
してある。また、螢光面上にストリーク像が現わ
れるのは前記位相検出器の出力パルスがゲート電
極に加えられている期間に限られる。
ストリーク管のゲート電極が光電子流の通過を
許容する状態になつてから最初に現れる光パルス
のストリーク像はストリーク管の螢光面の掃引開
始側の一端にあることが望ましい。この条件は、
パルス光の位相(実際には偏向電極に達するまで
の遅延時間を考慮する必要があるが、第1の正弦
波の位相と一定の対応を持つと考えて良い。)と
偏向位置を決める第2正弦波発振器の出力である
第2の正弦波の位相との関係によつて決る。
許容する状態になつてから最初に現れる光パルス
のストリーク像はストリーク管の螢光面の掃引開
始側の一端にあることが望ましい。この条件は、
パルス光の位相(実際には偏向電極に達するまで
の遅延時間を考慮する必要があるが、第1の正弦
波の位相と一定の対応を持つと考えて良い。)と
偏向位置を決める第2正弦波発振器の出力である
第2の正弦波の位相との関係によつて決る。
それ等の位相差は前記低域ろ波器の出力として
現れるから位相検出器の前記低域ろ波器の出力レ
ベルを検出するレベル検出器の検出レベルを定め
ればよい。この位相を検出すべき検出レベルはあ
らゆる遅延時間とストリーク管の偏向感度、偏向
電極に加えられる第2の正弦波の振幅から計算可
能である。しかし実際には(あるいは最終的に
は)ストリーク像を観察しながら位相検出器に含
まれるレベル検出器の検出レベルを調整する方が
簡単である。
現れるから位相検出器の前記低域ろ波器の出力レ
ベルを検出するレベル検出器の検出レベルを定め
ればよい。この位相を検出すべき検出レベルはあ
らゆる遅延時間とストリーク管の偏向感度、偏向
電極に加えられる第2の正弦波の振幅から計算可
能である。しかし実際には(あるいは最終的に
は)ストリーク像を観察しながら位相検出器に含
まれるレベル検出器の検出レベルを調整する方が
簡単である。
次に実施例を参照してさらに詳細に説明する。
第1図は、本発明によるパルス光の観測装置の
実施例を示すブロツク構成図である。
実施例を示すブロツク構成図である。
ダイレーザ発振器1は高速繰り返し発光する発
光源である。このダイレーザ発振器1は、パルス
幅5ピコ秒のレーザ光を周波数80〜200MHzの範
囲の任意の繰り返し周期で発光可能である。
光源である。このダイレーザ発振器1は、パルス
幅5ピコ秒のレーザ光を周波数80〜200MHzの範
囲の任意の繰り返し周期で発光可能である。
ビームスプリツタを形成する反透明鏡2は、前
記ダイレーザ発振器1の出力光を2系列に分岐す
る。分岐されたパルスレーザ光の一方は反射鏡、
スリツトレンズ、光路長可変装置20等からなる
光学系を経てストリーク管3の光電面31に入射
させられる。前記ストリーク管3の光電面31に
入力される高速繰り返しパルス光と同期する第1
の正弦波を発生する第1正弦波発振器は、前記ビ
ームスプリツタ、PINフオトダイオード4、同調
増幅器5から構成されている。
記ダイレーザ発振器1の出力光を2系列に分岐す
る。分岐されたパルスレーザ光の一方は反射鏡、
スリツトレンズ、光路長可変装置20等からなる
光学系を経てストリーク管3の光電面31に入射
させられる。前記ストリーク管3の光電面31に
入力される高速繰り返しパルス光と同期する第1
の正弦波を発生する第1正弦波発振器は、前記ビ
ームスプリツタ、PINフオトダイオード4、同調
増幅器5から構成されている。
分岐されたパルスレーザ光の他方は第1正弦波
発振器のPINフオトダイオード4に入射させられ
る。PINフオトダイオード4は極めて応答速度が
速い光電素子で、パルスレーザ光の入射に応答し
てパルス電流を出力する。PINフオトダイオード
4の出力は同調増幅器5に接続されている。同調
増幅器5は80〜200MHzの範囲で任意の周波数を
中心周波数として動作可能である。前記中心周波
数は前記ダイレーザの発振周波数と等しく設定さ
れており、同調増幅器5はPINフオトダイオード
4の出力パルスの繰り返し周波数と同期した第1
の正弦波を送出する。周波数カウンタ6は同調増
幅器5の送出する第1の正弦波の周波数を計数
し、表示する。
発振器のPINフオトダイオード4に入射させられ
る。PINフオトダイオード4は極めて応答速度が
速い光電素子で、パルスレーザ光の入射に応答し
てパルス電流を出力する。PINフオトダイオード
4の出力は同調増幅器5に接続されている。同調
増幅器5は80〜200MHzの範囲で任意の周波数を
中心周波数として動作可能である。前記中心周波
数は前記ダイレーザの発振周波数と等しく設定さ
れており、同調増幅器5はPINフオトダイオード
4の出力パルスの繰り返し周波数と同期した第1
の正弦波を送出する。周波数カウンタ6は同調増
幅器5の送出する第1の正弦波の周波数を計数
し、表示する。
正弦波発振器7は前記パルス光と僅かに周波数
の異なる第2の正弦波を発生する第2正弦波発振
器を形成している。正弦波発振器7は80〜200M
Hzの周波数の範囲内で任意の周波数の正弦波を送
出することができる発振器である。
の異なる第2の正弦波を発生する第2正弦波発振
器を形成している。正弦波発振器7は80〜200M
Hzの周波数の範囲内で任意の周波数の正弦波を送
出することができる発振器である。
位相検出器は前記第1正弦波発振器の出力と前
記第2正弦波発振器の出力間に一定の位相関係が
生じた時点を検出して検出出力を発生する。
記第2正弦波発振器の出力間に一定の位相関係が
生じた時点を検出して検出出力を発生する。
この位相検出器は、前記第1正弦波発振器の出
力と前記第2正弦波発振器の出力とを混合する混
合器8と、この混合器8の出力からその低周波成
分を取り出す低域ろ波器9と、この低域ろ波器9
のの出力レベルを検出するレベル検出器10から
構成されている。
力と前記第2正弦波発振器の出力とを混合する混
合器8と、この混合器8の出力からその低周波成
分を取り出す低域ろ波器9と、この低域ろ波器9
のの出力レベルを検出するレベル検出器10から
構成されている。
以下ダイレーザ発振器1が100MHzの周波数で
パルス光を送出している場合を例にして説明す
る。ダイレーザ発振器1が100MHzの周波数でパ
ルス光を送出しているので、同調増幅器5から
100MHzの第1の正弦波が送出され、周波数カウ
ンタ6には100MHzの表示が行なわれる。
パルス光を送出している場合を例にして説明す
る。ダイレーザ発振器1が100MHzの周波数でパ
ルス光を送出しているので、同調増幅器5から
100MHzの第1の正弦波が送出され、周波数カウ
ンタ6には100MHzの表示が行なわれる。
オペレータは周波数カウンタ6の表示100MHz
を読んで正弦波発振器7を(100+Δ)MHz
(Δ<<100)の第2の正弦波を送出するように
同整する。
を読んで正弦波発振器7を(100+Δ)MHz
(Δ<<100)の第2の正弦波を送出するように
同整する。
混合器8は第1正弦波発振器の出力、つまり同
調増幅器5の送出する第1の正弦波1(100MHz)
と第2正弦波発振器7の送出する第2の正弦波2
(100+Δ)MHzを混合して=1×2なる合成
波を送出する。
調増幅器5の送出する第1の正弦波1(100MHz)
と第2正弦波発振器7の送出する第2の正弦波2
(100+Δ)MHzを混合して=1×2なる合成
波を送出する。
=1×2
=Asin(2×108π)t
×Bsin(2×108π+2πΔ)t
=A×B/2{cos2πΔt
−cos(4×108π+2πΔ)t}
混合器8の構成例を第2図に示す。混合器8は
リング変調器で構成され、端子81から同調増幅
器5の出力である第1の正弦波1を受け入れ、端
子82から第2正弦波発振器の出力である第2の
正弦波2を受け入れて端子83から前式に示す合
成波を出力する。
リング変調器で構成され、端子81から同調増幅
器5の出力である第1の正弦波1を受け入れ、端
子82から第2正弦波発振器の出力である第2の
正弦波2を受け入れて端子83から前式に示す合
成波を出力する。
低域ろ波器9は周波数Δより僅か高い周波数
より低に周波数領域の成分を通過させる低域ろ波
器である。したがつて低域ろ波器9は混合器8の
出力波から′=(A×B/2)cos2πΔ・tのみ
を通過させる。
より低に周波数領域の成分を通過させる低域ろ波
器である。したがつて低域ろ波器9は混合器8の
出力波から′=(A×B/2)cos2πΔ・tのみ
を通過させる。
低域ろ波器9の出力端はレベル検出器を構成す
る比較器10の一方の入力101に接続されてお
り、前記正弦波′は比較器の入力端子101に入
力される。比較器10の他方の入力端102には
ポテンシヨメータ103の摺動端に接続されてい
る。比較器10は入力端101に入力する電圧が
入力端102に入力する電圧より大きくなつたと
きにパルスを送出する。
る比較器10の一方の入力101に接続されてお
り、前記正弦波′は比較器の入力端子101に入
力される。比較器10の他方の入力端102には
ポテンシヨメータ103の摺動端に接続されてい
る。比較器10は入力端101に入力する電圧が
入力端102に入力する電圧より大きくなつたと
きにパルスを送出する。
比較器10の出力端は単安定マルチバイブレー
タ11の入力端に接続されている。
タ11の入力端に接続されている。
単安定マルチバイブレータ11は、比較器11
の出力パルスの立ち上り端で起動され一定時間後
に立ち下がる。この一定時間については後述す
る。
の出力パルスの立ち上り端で起動され一定時間後
に立ち下がる。この一定時間については後述す
る。
ゲートパルス発生器12は、単安定マルチバル
ブレータの出力がオンの状態にあるときゲート電
圧を送出する。
ブレータの出力がオンの状態にあるときゲート電
圧を送出する。
ゲートパルス発生器12の出力はコンデンサ1
3を介してストリーク管3の光電面31およびマ
イクロチヤンネルプレート32の出力端側電極に
接続されている。
3を介してストリーク管3の光電面31およびマ
イクロチヤンネルプレート32の出力端側電極に
接続されている。
ゲート電圧発生時に光電面31に−800ボルト、
マイクロチヤンネルプレート32の出力端側電極
に+900ボルトの電圧がそれぞれ印加される。正
弦波発振器7の出力である第2の正弦波は駆動増
幅器14で増幅されストリーク管3の偏向電極3
3に印加される。この偏向電極33に印加される
正弦波の振幅は−575ボルトから+575ボルトまで
の1150ボルトであり+100ボルトから−100ボルト
までが掃引に利用される。
マイクロチヤンネルプレート32の出力端側電極
に+900ボルトの電圧がそれぞれ印加される。正
弦波発振器7の出力である第2の正弦波は駆動増
幅器14で増幅されストリーク管3の偏向電極3
3に印加される。この偏向電極33に印加される
正弦波の振幅は−575ボルトから+575ボルトまで
の1150ボルトであり+100ボルトから−100ボルト
までが掃引に利用される。
ストリーク管3の気密容器30の入射面の内壁
には、光電面31が形成されており、他の面内壁
には螢光面34が形成されている。
には、光電面31が形成されており、他の面内壁
には螢光面34が形成されている。
それ等の間に網状電極35、集束電極36、ア
パーチヤ電極37、偏向電極33、マイクロチヤ
ンネルプレート32が順次配置されている。マイ
クロチヤンネルプレート32の入力端側電極およ
びアパーチヤ電極37は接地されている。電源2
1と分割抵抗22,23,24によつて光電面3
1に−4000ボルト、網状電極に−4200ボルト、集
束電極に−4500ボルトの電位が加えられている。
螢光面34は電源25によりマイクロチヤンネル
プレート32の出力端側電極より3000ボルト高い
電位が与えられている。
パーチヤ電極37、偏向電極33、マイクロチヤ
ンネルプレート32が順次配置されている。マイ
クロチヤンネルプレート32の入力端側電極およ
びアパーチヤ電極37は接地されている。電源2
1と分割抵抗22,23,24によつて光電面3
1に−4000ボルト、網状電極に−4200ボルト、集
束電極に−4500ボルトの電位が加えられている。
螢光面34は電源25によりマイクロチヤンネル
プレート32の出力端側電極より3000ボルト高い
電位が与えられている。
ゲートパルス発生器12よりゲート電圧が加え
られないとき光電子は網状電極35を通過できな
い。またこのときマイクロチヤンネルプレート3
2から増倍電子が放出されないので螢光面34は
暗状態に保たれている。
られないとき光電子は網状電極35を通過できな
い。またこのときマイクロチヤンネルプレート3
2から増倍電子が放出されないので螢光面34は
暗状態に保たれている。
ゲートパルス発生器によりゲート電圧が加えら
れたときに螢光面31からの光電子は網状電極3
5の電位によつて加速される。加速された光電子
は集束電極の36の形成する電子レンズによつてア
パーチヤ電極37のアパーチヤに集束され偏向電
極33の二枚の電極板の間の領域へ入る。ここで
偏向電極33に電圧が加えられると光電子は偏向
される。この実施例では、偏向電圧が+100ボル
トから−100ボルトに変化するとき、光電子の入
射位置はマイクロチヤンネルプレート32の上端
から下端へ移動するように設計されている。マイ
クロチヤンネルプレート32に入射した光電子
は、増倍されて螢光面34に入射し、ストリーク
像を形成する。螢光面34のストリーク管掃引方
向に有効な距離は10mmである。
れたときに螢光面31からの光電子は網状電極3
5の電位によつて加速される。加速された光電子
は集束電極の36の形成する電子レンズによつてア
パーチヤ電極37のアパーチヤに集束され偏向電
極33の二枚の電極板の間の領域へ入る。ここで
偏向電極33に電圧が加えられると光電子は偏向
される。この実施例では、偏向電圧が+100ボル
トから−100ボルトに変化するとき、光電子の入
射位置はマイクロチヤンネルプレート32の上端
から下端へ移動するように設計されている。マイ
クロチヤンネルプレート32に入射した光電子
は、増倍されて螢光面34に入射し、ストリーク
像を形成する。螢光面34のストリーク管掃引方
向に有効な距離は10mmである。
次に連続するパルス光のストリーク像の最初の
ものが螢光面34の上端近くに現われるようにす
る条件および連続して適切な間隔をおき、重なら
ない理由を図面を参図して説明する。
ものが螢光面34の上端近くに現われるようにす
る条件および連続して適切な間隔をおき、重なら
ない理由を図面を参図して説明する。
第3図においてAはダイレーザ発振器1の光出
力を示す。この周波数を100MHzとする。この出
力に同調させられる第1の正弦波Bは同じく
100MHzである。同図Cに発振周波数100.5MHzの
第2正弦波発振器7の出力波形を示す。同図Dに
ゲートパルス発生器12が送出するゲート駆動電
圧波形を示している。
力を示す。この周波数を100MHzとする。この出
力に同調させられる第1の正弦波Bは同じく
100MHzである。同図Cに発振周波数100.5MHzの
第2正弦波発振器7の出力波形を示す。同図Dに
ゲートパルス発生器12が送出するゲート駆動電
圧波形を示している。
今、第1の正弦波1と第2の正弦波の位相が完
全に一致した時点を基準時点(to)とすると、そ
の時点からt秒経過したときの′,1,2はそれ
ぞれ次式で与えられる。
全に一致した時点を基準時点(to)とすると、そ
の時点からt秒経過したときの′,1,2はそれ
ぞれ次式で与えられる。
′=cos10πt
1=sin(200×10πt)
2=sin(201×10πt)
なお前記1,2間に90度の位相差が生じた時点
を検出し前記ゲートパルスを前記ストリーク管の
ゲート電極に接続すると、前記ストリーク管のゲ
ートが開いて最初に前記ストリーク管の偏向電極
33に到達する光電子の群が螢光面34の上端よ
りにもたらされるように調整されているものとす
る。第3図Aに示す光パルス(0)の近辺で前記
1,2間に所定の位相差が生じたものとすると、
この時点(正確に言うとその直前)から100ns持
続するゲートパルス(D)が現れる。そしてこのゲー
トパルス(D)の期間に対応する第3図Fに示す第2
正弦波の一部が偏向に寄与させられる。
を検出し前記ゲートパルスを前記ストリーク管の
ゲート電極に接続すると、前記ストリーク管のゲ
ートが開いて最初に前記ストリーク管の偏向電極
33に到達する光電子の群が螢光面34の上端よ
りにもたらされるように調整されているものとす
る。第3図Aに示す光パルス(0)の近辺で前記
1,2間に所定の位相差が生じたものとすると、
この時点(正確に言うとその直前)から100ns持
続するゲートパルス(D)が現れる。そしてこのゲー
トパルス(D)の期間に対応する第3図Fに示す第2
正弦波の一部が偏向に寄与させられる。
螢光面34が掃引されるのは2の位相が−90か
ら90,1710から1890へ変化する間である。なお
1710から1890へ変化する時点は連続する光電子流
パルスの中間にあたり偏向電極33の領域に光電
子流パルスが存在しないのでこの掃引により螢光
面34上に像は現れない。
ら90,1710から1890へ変化する間である。なお
1710から1890へ変化する時点は連続する光電子流
パルスの中間にあたり偏向電極33の領域に光電
子流パルスが存在しないのでこの掃引により螢光
面34上に像は現れない。
螢光面の掃引時間は2の1周期9.95ナノ秒から
(9950ピコ秒)×(180×3600)=500ピコ秒となり、
掃引速度は10mm/500ピコ秒=20mm毎ナノ秒とな
る。
(9950ピコ秒)×(180×3600)=500ピコ秒となり、
掃引速度は10mm/500ピコ秒=20mm毎ナノ秒とな
る。
次に第4図を参照して光パルス(0)の近辺の
1,2の関係を説明する。
1,2の関係を説明する。
この図は、第1の正弦波の位相零の時点と第2
の正弦波との位相関係の理解を容易にするために
第1正弦波の位相零の近辺の他の波形の時間軸を
誇張して示してある。
の正弦波との位相関係の理解を容易にするために
第1正弦波の位相零の近辺の他の波形の時間軸を
誇張して示してある。
光パルス(0)に原因する光電子流パルスI
(0)が偏向電極33の偏向領域に入つた瞬間
(この時点を第2の基準時点としてtrと言うこと
にする。)に第1の正弦波の位相が零であつたと
する。なおダイレーザ発振器1から光電面31ま
での光路長を光路可変装置20によつて調整する
ことにより、1の任意の位相の点で光電子が偏向
電極33の領域に達するようにすることができ
る。
(0)が偏向電極33の偏向領域に入つた瞬間
(この時点を第2の基準時点としてtrと言うこと
にする。)に第1の正弦波の位相が零であつたと
する。なおダイレーザ発振器1から光電面31ま
での光路長を光路可変装置20によつて調整する
ことにより、1の任意の位相の点で光電子が偏向
電極33の領域に達するようにすることができ
る。
そして、このとき第2の正弦波は第1の正弦波
より所定の角度δ(180−9=171)度だけ進んだ
状態にある。位相検出器はこの直前に検出してゲ
ートパルスGを発生させている。
より所定の角度δ(180−9=171)度だけ進んだ
状態にある。位相検出器はこの直前に検出してゲ
ートパルスGを発生させている。
前記第2の基準時点trに第2の正弦波により偏
向電極に印加される電圧は+100Vである。これ
により光電子流パルスI(0)は偏向され螢光面
の最上側に対応させられる。
向電極に印加される電圧は+100Vである。これ
により光電子流パルスI(0)は偏向され螢光面
の最上側に対応させられる。
次の光電子流パルスI(1)が偏向電極33の偏向
領域に入つた瞬間(基準時点trから10ナノ秒経過
後、第1の正弦波の位相零)に前記第2の正弦波
は第1の正弦波よりδ(180−9=171)+1.8度だ
け進んだ状態となる。そしてI(1)に対する偏向電
圧はI(0)に対するそれよりも低くなりI(1)の
像は螢光面上I(0)の像の下に現れる。前記1.8
度は10ns×(1.8/360)=0.05ns=50psで螢光面上
1mmに相当する。
領域に入つた瞬間(基準時点trから10ナノ秒経過
後、第1の正弦波の位相零)に前記第2の正弦波
は第1の正弦波よりδ(180−9=171)+1.8度だ
け進んだ状態となる。そしてI(1)に対する偏向電
圧はI(0)に対するそれよりも低くなりI(1)の
像は螢光面上I(0)の像の下に現れる。前記1.8
度は10ns×(1.8/360)=0.05ns=50psで螢光面上
1mmに相当する。
同様にして、次の光電子流パルスI(2)が偏向電
極33の偏向領域に入つた瞬間(基準時点trから
20ns経過後、第1の正弦波の位相零)に前記第2
の正弦波は第1の正弦波よりδ(180−9=171)+
1.8×2度だけ進んだ状態となる。そしてI(2)に
対する偏向電圧はI(1)に対するそれよりも低くな
りI(2)の像は螢光面上I(1)の像の下に現れる。
極33の偏向領域に入つた瞬間(基準時点trから
20ns経過後、第1の正弦波の位相零)に前記第2
の正弦波は第1の正弦波よりδ(180−9=171)+
1.8×2度だけ進んだ状態となる。そしてI(2)に
対する偏向電圧はI(1)に対するそれよりも低くな
りI(2)の像は螢光面上I(1)の像の下に現れる。
一般的に言うと、i番目の光電子流パルスI(i)
が偏向電極33の偏向領域に入つた瞬間(基準時
点trからi×10ns経過後、第1の正弦波の位相
零)に前記第2の正弦波は第1の正弦波よりδ
(180−9=171)+1.8×i度だけ進んだ状態とな
る。そしてI(i)に対する偏向電圧はI(i−1)
に対するそれよりも低くなりI(i)の像は螢光面上
I(i−1)の像の下に現れる。
が偏向電極33の偏向領域に入つた瞬間(基準時
点trからi×10ns経過後、第1の正弦波の位相
零)に前記第2の正弦波は第1の正弦波よりδ
(180−9=171)+1.8×i度だけ進んだ状態とな
る。そしてI(i)に対する偏向電圧はI(i−1)
に対するそれよりも低くなりI(i)の像は螢光面上
I(i−1)の像の下に現れる。
第3図GにI(0)とI(11)を示し、これ等に対
応する第2の正弦波の波形図を同図Hに示してあ
る。
応する第2の正弦波の波形図を同図Hに示してあ
る。
第5図Aは螢光面に現れるストリーク像を示す
略図である、同図Bに先に説明した光電子流パル
スIとの対応を示す。
略図である、同図Bに先に説明した光電子流パル
スIとの対応を示す。
本発明による装置では、パルス光と僅かに周波
数の異なる正弦波を発生する第2正弦波発振器を
設け、この出力である第2の正弦波を偏向電圧と
して利用することにより、ストリーク管の螢光面
上に多数個のパルス光にたいするストリーク像を
一度に現すことができる。すなわち本発明による
装置では、デユーテイ比の小さい光パルストレイ
ンの光パルスのストリーク像を近接させて分解能
を低下させることなく複数個同時にストリーク管
の螢光面に表示できるので、連続するストリーク
像間の比較が可能となつた。
数の異なる正弦波を発生する第2正弦波発振器を
設け、この出力である第2の正弦波を偏向電圧と
して利用することにより、ストリーク管の螢光面
上に多数個のパルス光にたいするストリーク像を
一度に現すことができる。すなわち本発明による
装置では、デユーテイ比の小さい光パルストレイ
ンの光パルスのストリーク像を近接させて分解能
を低下させることなく複数個同時にストリーク管
の螢光面に表示できるので、連続するストリーク
像間の比較が可能となつた。
観測の対象である発光の持続時間は種々異なる
ものが予想される。しかし前記第2の正弦波の周
波数を調整することによりストリーク像間の距離
を任意に調節することにより解決できる。
ものが予想される。しかし前記第2の正弦波の周
波数を調整することによりストリーク像間の距離
を任意に調節することにより解決できる。
本発明による装置では、位相検出器の検出出力
を受けて前記第1正弦波発振器の出力の複数周期
以上の期間(必要な時間)持続するゲートパルス
を出力するゲートパルス発生器を設け、このゲー
ト電圧が発生している期間だけ実質的な動作をさ
せるようにしてある。そのため、この期間以外に
熱電子流が増倍されて螢光面34に衝突して発光
して、螢光面の背景のレベルを上げると言う問題
は生じない。従つて極めて良い状態でストリーク
像を観察することができる。
を受けて前記第1正弦波発振器の出力の複数周期
以上の期間(必要な時間)持続するゲートパルス
を出力するゲートパルス発生器を設け、このゲー
ト電圧が発生している期間だけ実質的な動作をさ
せるようにしてある。そのため、この期間以外に
熱電子流が増倍されて螢光面34に衝突して発光
して、螢光面の背景のレベルを上げると言う問題
は生じない。従つて極めて良い状態でストリーク
像を観察することができる。
以上詳しく説明した実施例に付いて、本発明の
範囲内で種々の変形が可能である。
範囲内で種々の変形が可能である。
第1図は本発明による高速繰り返しパルス光の
波形観測装置の実施例を示すブロツク図である。
第2図は前記装置で使用する混合器の構成例を示
す回路図である。第3図は前記回路の動作を説明
するための波形図である。第4図は第2の基準時
点近くの位相関係を説明するための波形図であ
る。第5図は螢光面に現れるストリーク像と光電
子流パルスIとの対応を示す説明図である。グラ
フである。 1……ダイレーザ発振器、2……反透明鏡(ビ
ームスプリツタ)、3……ストリーク管、30…
…気密容器、31……光電面、32……マイクロ
チヤンネルフレート、33……偏向電極、34…
…螢光面、35……網状電極、36……集束電
極、37……アパーチヤ電極、4……PINフオト
ダイオード、5……同調増幅器、6……周波数カ
ウンタ、7……(第2)正弦波発振器、8……混
合器、9……低域ろ波器、10……比較器、11
……単安定マルチバイブレータ、12……ゲート
パルス発生器。
波形観測装置の実施例を示すブロツク図である。
第2図は前記装置で使用する混合器の構成例を示
す回路図である。第3図は前記回路の動作を説明
するための波形図である。第4図は第2の基準時
点近くの位相関係を説明するための波形図であ
る。第5図は螢光面に現れるストリーク像と光電
子流パルスIとの対応を示す説明図である。グラ
フである。 1……ダイレーザ発振器、2……反透明鏡(ビ
ームスプリツタ)、3……ストリーク管、30…
…気密容器、31……光電面、32……マイクロ
チヤンネルフレート、33……偏向電極、34…
…螢光面、35……網状電極、36……集束電
極、37……アパーチヤ電極、4……PINフオト
ダイオード、5……同調増幅器、6……周波数カ
ウンタ、7……(第2)正弦波発振器、8……混
合器、9……低域ろ波器、10……比較器、11
……単安定マルチバイブレータ、12……ゲート
パルス発生器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光電面、ゲート電極、偏向電極および螢光面
を備えるストリーク管と、前記ストリーク管の光
電面に入力される高速繰り返しパルス光と同期す
る第1の正弦波を発生する第1正弦波発振器と、
前記パルス光と僅かに周波数の異なる第2の正弦
波を発生する第2正弦波発振器と、前記第1の正
弦波と前記第2の正弦波間に一定の位相関係が生
じた時点を検出して検出出力を発生する位相検出
器と、前記位相検出器の検出出力を受けて前記第
1の正弦波の複数周期以上の期間持続するゲート
パルスを出力するゲートパルス発生器と、前記ゲ
ートパルスを前記ストリーク管のゲート電極に前
記第2正弦波発振器の出力を前記偏向電極に接続
する接続手段とから構成した高速繰り返しパルス
光の観測装置。 2 前記ストリーク管の光電面に入力される高速
繰り返しパルス光と同期する前記第1の正弦波を
発生する第1正弦波発振器は、前記ストリーク管
の光電面に入力される高速繰り返しパルス光を分
岐して一部を取り出すビームスプリツタと、前記
ビームスプリツタの分岐出力を変換する受光素子
と、前記受光素子の出力に同期させられる同調増
幅器から構成されている特許請求の範囲第1項記
載の高速繰り返しパルス光の観測装置。 3 前記位相検出器は、前記第1の正弦波と前記
第2の正弦波とを混合する混合器と、前記混合器
の出力からその低周波成分を取り出す低域ろ波器
と、前記低域ろ波器の出力レベルを検出するレベ
ル検検出器から構成されている特許請求の範囲第
1項記載の高速繰り返しパルス光の観測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156582A JPS58147616A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 高速繰り返しパルス光の観測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156582A JPS58147616A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 高速繰り返しパルス光の観測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147616A JPS58147616A (ja) | 1983-09-02 |
| JPH0140938B2 true JPH0140938B2 (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12334699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3156582A Granted JPS58147616A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 高速繰り返しパルス光の観測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147616A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0367447A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子管ゲート方法及び電子管 |
| JP3122327B2 (ja) * | 1995-02-27 | 2001-01-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子放出面の使用方法および電子管の使用方法 |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP3156582A patent/JPS58147616A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58147616A (ja) | 1983-09-02 |
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