JPH0141042B2 - - Google Patents
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- JPH0141042B2 JPH0141042B2 JP56205611A JP20561181A JPH0141042B2 JP H0141042 B2 JPH0141042 B2 JP H0141042B2 JP 56205611 A JP56205611 A JP 56205611A JP 20561181 A JP20561181 A JP 20561181A JP H0141042 B2 JPH0141042 B2 JP H0141042B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は増幅器のバイアス制御装置に関し、特
にSEPP(シングルエンデツドプツシユプル)構
成の増幅器のアイドル電流の自動調整をなすバイ
アス制御装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amplifier bias control device, and more particularly to a bias control device that automatically adjusts the idle current of an amplifier having an SEPP (single-ended push-pull) configuration.
B級SEPP方式の増幅器における出力増幅素子
の直流バイアスであるアイドル電流の調整は、バ
リスタやサーミスタ等の温度補償用素子と可変抵
抗器によるマニユアル調整が主である。従つて、
電源投入時から一定のアイドル電流値になるには
数分乃至数十分の時間を要し、また所望設定値に
正確に合わせることも困難である。更に信号によ
る動作点の変動によるいわゆるサーマルデイスト
ーシヨン(熱的混変調歪)を発生する欠点もあ
る。 The adjustment of the idle current, which is the DC bias of the output amplification element in a class B SEPP amplifier, is mainly done by manual adjustment using a temperature compensation element such as a varistor or thermistor and a variable resistor. Therefore,
It takes several minutes to several tens of minutes to reach a constant idle current value from the time the power is turned on, and it is also difficult to accurately match the idle current value to a desired setting value. Furthermore, there is also the drawback that so-called thermal distortion (thermal cross-modulation distortion) occurs due to fluctuations in the operating point due to signals.
本発明の目的は、増幅素子の直流バイアス電流
を略一定化するようにして回路の安定化を図り得
るバイアス制御装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a bias control device that can stabilize a circuit by keeping the DC bias current of an amplifying element substantially constant.
本発明による増幅器のバイアス制御装置は、増
幅素子の出力電極と回路出力との間に抵抗ブリツ
ジ回路を設け、このブリツジ回路により増幅素子
に流れる直流バイアス電流に応じた電圧を検知
し、この検知出力と基準電圧とを比較してその差
出力によつて増幅素子の直流バイアスを制御する
ようにしたことを特徴とする。 The amplifier bias control device according to the present invention includes a resistive bridge circuit provided between the output electrode of the amplifying element and the circuit output, and the bridge circuit detects a voltage corresponding to the DC bias current flowing through the amplifying element, and outputs the detected voltage. and a reference voltage, and the DC bias of the amplifying element is controlled by the difference output.
以下に本発明につき図面により説明する。 The present invention will be explained below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例の回路図を示すもの
であり、信号入力viは増幅素子Q1,Q2の直流バ
イアスを制御する可変バイアス回路1を経て、出
力増幅素子Q1,Q2のベース入力となる。両増幅
素子Q1,Q2はエミツタフオロワ型式であつてB
級SEPP構成であり、両エミツタ出力端はエミツ
タ抵抗RE,RE1を夫々介して共通接続されてお
り、この共通接続点dの信号v0′が抵抗R3を介し
て回路出力v0となり、回路出力端を介して、図示
せぬスピーカ等の負荷をプツシユプル駆動する。
抵抗REとR3及び抵抗RE1とR3とは、増幅素子Q1,
Q2の各エミツタ出力端と回路出力端との間に直
列接続されていることになる。これら直列接続回
路の各々と並列に抵抗R1,R2及びR11,R12が設
けられており、抵抗R1,R2とがまた抵抗R11と
R12とが夫々増幅素子Q1,Q2の各エミツタ出力端
と回路出力端との間に直列接続されている。従つ
て、抵抗RE,R3,R1及びR2によりまた、抵抗
RE1,R3,R11及びR12により夫々ブリツジ回路が
構成されていることになる。ここで、抵抗RE,
RE1はブリツジ回路の第1抵抗に、抵抗R3は第2
抵抗に、抵抗R1,R11は第3抵抗に、抵抗R2,
R12第4抵抗に対応している。 FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention, in which the signal input v i passes through a variable bias circuit 1 that controls the DC bias of the amplification elements Q 1 and Q 2 , and then passes through the output amplification elements Q 1 and Q 2 . This is the base input for Q 2 . Both amplifying elements Q 1 and Q 2 are emitter follower type and B
It has a class SEPP configuration, and both emitter output terminals are commonly connected via emitter resistors R E and R E1 , respectively, and the signal v 0 ' at this common connection point d becomes the circuit output v 0 via the resistor R 3 . , a load such as a speaker (not shown) is push-pull driven through the circuit output terminal.
Resistors R E and R 3 and resistors R E1 and R 3 are amplification elements Q 1 ,
It is connected in series between each emitter output terminal of Q 2 and the circuit output terminal. Resistors R 1 , R 2 and R 11 , R 12 are provided in parallel with each of these series-connected circuits, and the resistors R 1 and R 2 are also connected to the resistor R 11 .
R 12 are connected in series between the emitter output terminals of the amplifier elements Q 1 and Q 2 and the circuit output terminal, respectively. Therefore, the resistances R E , R 3 , R 1 and R 2 also reduce the resistance
R E1 , R 3 , R 11 and R 12 constitute a bridge circuit, respectively. Here, the resistance R E ,
R E1 is the first resistor of the bridge circuit, and resistor R 3 is the second resistor.
The resistors R 1 and R 11 are the third resistors, and the resistors R 2 and R 11 are the third resistors.
R12 corresponds to the fourth resistor.
抵抗R1とR2との共通接続点Cからレベル比較
器2の1入力が導出されており、また抵抗R11と
R12との共通接続点からレベル比較器3の1入力
が導出されている。両レベル比較器2及び3の基
準電圧としては、抵抗REとR3との共通接続点
v0′の電圧を夫々±Vbだけ上下にレベルシフトし
た電圧が用いられている。 One input of the level comparator 2 is derived from the common connection point C between the resistors R 1 and R 2 , and is also connected to the resistor R 11 .
One input of the level comparator 3 is derived from the common connection point with R12 . The reference voltage for both level comparators 2 and 3 is the common connection point between resistors R E and R 3 .
Voltages obtained by level-shifting the voltage v 0 ′ up and down by ±V b are used.
かゝる構成において、トランジスタQ1のオン
時の半サイクルではa−b間の電圧Vab(bは回
路出力点である)は、
Vab=RE(Id+I0)+R3・I0 ……(1)
となる。こゝに、Idはアイドル電流、I0は出力電
流を夫々示す。また、c−d間電圧Vcdは、
Vcd=R2/R1+R2・Vab−R3・I0
=R2・RE/R1+R2Id+R2・RE−R1・R3/R1+R2I0…
…(2)
となる。従つて、R2・RE=R1・R3なる条件すな
わちブリツジ平衡条件を満足するものとすれば、
(2)式は、
Vcd=R2・RE/R1+R2・Id=R1・R3/R1+R2・Id……(
3)
となるから、c−d間の電圧を検出することによ
り増幅素子Q1に流れるアイドル電流Idを検出する
ことが可能となる。 In such a configuration, the voltage V ab between a and b (b is the circuit output point) during the half cycle when the transistor Q 1 is on is V ab = R E (I d + I 0 ) + R 3 · I 0 ...(1). Here, I d represents the idle current, and I 0 represents the output current. Moreover, the voltage between c and d is V cd = R 2 /R 1 +R 2・V ab −R 3・I 0 =R 2・R E /R 1 +R 2 I d +R 2・R E −R 1・R 3 /R 1 +R 2 I 0 …
…(2) becomes. Therefore, assuming that the condition R 2 · R E = R 1 · R 3 , that is, the bridge equilibrium condition, is satisfied, then
Equation (2) is V cd = R 2・R E /R 1 +R 2・I d =R 1・R 3 /R 1 +R 2・I d ……(
3) Therefore, by detecting the voltage between c and d, it is possible to detect the idle current I d flowing through the amplifying element Q 1 .
レベル比較器2における2入力は、vo′+Vcd及
びvo′+Vbであるから、比較器2による比較出力
は、|Vb−Vcd|に比例する誤差信号となる。ま
た、トランジスタQ2のオン時の半サイクルでも
同様にレベル比較器3の出力は、|Vb−Vcd|に
比例する誤差信号と異なる(eは抵抗R11とR12
との共通接続点である)。よつて、これら誤差信
号に応じて可変バイアス回路1を制御して出力ト
ランジスタQ1,Q2の両ベース間をバイアス調整
すれば、上記誤差信号が零となるように負帰還が
かゝつてアイドリング電流Idは基準電圧Vbにより
定まる値に瞬時に設定されることとなる。 Since the two inputs to the level comparator 2 are vo'+V cd and vo'+V b , the comparison output from the comparator 2 becomes an error signal proportional to |V b -V cd |. Similarly, during the half cycle when transistor Q 2 is on, the output of level comparator 3 is different from the error signal proportional to |V b - V cd | (e is the difference between resistors R 11 and R 12
). Therefore, if the variable bias circuit 1 is controlled in accordance with these error signals to adjust the bias between the bases of the output transistors Q 1 and Q 2 , negative feedback is generated so that the error signals become zero, and the idling is stopped. The current I d is instantaneously set to a value determined by the reference voltage V b .
第2図は本発明の他の実施例の回路図であり、
第1図と同等部分は同一符号により示されてい
る。第1図と異なる部分についてのみ述べれば、
レベル比較器2及び3の基準電圧vi±Vbとなつて
いることであり、本例でも同様に比較出力は|
Vb−Vcd|及び|Vb−Ved|に比例するものとな
り、自動アイドル電流調整が可能である。 FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention,
Parts equivalent to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. If we only mention the parts that differ from Figure 1,
The reference voltages of level comparators 2 and 3 are v i ±V b , and similarly in this example, the comparison output is |
It is proportional to V b −V cd | and |V b −V ed |, and automatic idle current adjustment is possible.
第3図及び第4図は第1図の回路の具体例を示
す回路図であり、これら各図において同等部分は
同一符号により示されている。第3図においてレ
ベル比較器2及び3は、差動トランジスタQ3,
Q4及びQ5,Q6を有する差動アンプ構成であり、
これらアンプ2及び3の各差動出力が可変バイア
ス回路1の制御入力となつている。 3 and 4 are circuit diagrams showing specific examples of the circuit shown in FIG. 1, and in each of these figures, equivalent parts are designated by the same reference numerals. In FIG. 3, level comparators 2 and 3 include differential transistors Q 3 ,
It has a differential amplifier configuration with Q 4 , Q 5 , and Q 6 ,
The differential outputs of these amplifiers 2 and 3 serve as control inputs of the variable bias circuit 1.
この回路1は、コレクタが回路入力にまたベー
スが抵抗R4,R5を介して回路入力に夫々接続さ
れたトランジスタQ7,Q8を有しており、このト
ランジスタQ7,Q8の各ベースと各コレクタとの
間のレベル比較出力が夫々印加されている。こう
することにより、出力トランジスタ(ダーリント
ン接続構成である)Q1,Q2のベース間電圧がト
ランジスタQ7,Q8のインピーダンスにより制御
されて、比較器2,3による誤差出力が零となる
ように動作してアイドル電流を所望値に設定する
ことができる。 This circuit 1 has transistors Q 7 and Q 8 whose collectors are connected to the circuit input and whose bases are connected to the circuit input via resistors R 4 and R 5 , respectively. Level comparison outputs between the base and each collector are applied, respectively. By doing this, the voltage between the bases of the output transistors (Darlington connection configuration) Q 1 and Q 2 is controlled by the impedance of the transistors Q 7 and Q 8 , so that the error output from comparators 2 and 3 becomes zero. can be operated to set the idle current to a desired value.
第4図において、レベル比較器2及び3は差動
トランジスタQ3,Q4及びQ5,Q6よりなる差動ア
ンプであつて、トランジスタQ3とQ6のコレクタ
出力が共通となり、またトランジスタQ4とQ5の
コレクタ出力が共通となつており、これら1対の
共通出力により可変バイアス回路1が制御され
る。この回路1は、出力トランジスタQ1,Q2の
各ベースと接続点dとの間に夫々接続されたトラ
ンジスタQ9,Q10を有し、この両トランジスタ
Q9,Q10のインピーダンスが、トランジスタQ11
〜Q14よりなる回路により制御されてアイドル電
流の調整がなされる。従つて、1対の誤差出力が
トランジスタQ11,Q13の各ベースに入力されて
いるものである。 In FIG. 4, level comparators 2 and 3 are differential amplifiers composed of differential transistors Q 3 , Q 4 and Q 5 , Q 6 , and the collector outputs of transistors Q 3 and Q 6 are common, and the transistors The collector outputs of Q 4 and Q 5 are common, and the variable bias circuit 1 is controlled by this pair of common outputs. This circuit 1 has transistors Q 9 and Q 10 connected between the bases of output transistors Q 1 and Q 2 and a connection point d, respectively.
The impedance of Q 9 and Q 10 is the same as that of transistor Q 11
The idle current is adjusted under the control of a circuit consisting of ~ Q14 . Therefore, a pair of error outputs are input to each base of transistors Q 11 and Q 13 .
第5図は第2図の回路の具体例を示す図であ
り、両図において同等部分は同一符号により示さ
れている。レベル比較器2,3は同様に差動トラ
ンジスタQ3,Q4及びQ5,Q6による差動アンプで
あつて、可変バイアス回路1はトランジスタ
Q15,Q16及びQ17,Q18による差動アンプ型式と
されており、トランジスタQ15,Q17のベースに
回路入力が共通に印加され、トランジスタQ16,
Q18の各コレクタ出力が出力トランジスタQ1,Q2
の各ベース入力となつている。差動トランジスタ
Q15,Q16及びQ17,Q18の各コレクタ負荷は、ト
ランジスタQ19、ダイオードD1及びトランジスタ
Q20、ダイオードD2より成るカレントミラー回路
であり、レベル比較器2,3による誤差出力によ
り各カレントミラー回路のミラー電流を制御して
トランジスタQ1,Q2のベース電位をコントロー
ルするようにし、所望のアイドル電流を設定する
ようにしている。 FIG. 5 is a diagram showing a specific example of the circuit shown in FIG. 2, and equivalent parts are indicated by the same reference numerals in both figures. Similarly, the level comparators 2 and 3 are differential amplifiers made up of differential transistors Q 3 , Q 4 and Q 5 , Q 6 , and the variable bias circuit 1 is made up of differential transistors Q 3 , Q 4 and Q 5 , Q 6 .
It is a differential amplifier type consisting of Q 15 , Q 16 and Q 17 , Q 18 , and the circuit input is commonly applied to the bases of transistors Q 15 and Q 17 , and transistors Q 16 ,
Each collector output of Q18 is an output transistor Q1 , Q2
It is used as each base input. differential transistor
The collector loads of Q 15 , Q 16 and Q 17 , Q 18 are transistor Q 19 , diode D 1 and transistor
Q 20 is a current mirror circuit consisting of a diode D 2 , and the error output from the level comparators 2 and 3 controls the mirror current of each current mirror circuit to control the base potential of the transistors Q 1 and Q 2 . The desired idle current is set.
以上述べた如く、本発明によれば増幅素子の直
流バイアス電流を常に一定に制御することができ
るので、バリスタ等の温度補償回路の付加が不必
要となつて無調整となる。また、電源投入時に直
ちに一定直流バイアス値が得られてバラつきもな
くなり、更には、信号等による過渡熱による温度
変化によるサーマルデイストーシヨンが防止され
る。 As described above, according to the present invention, the DC bias current of the amplification element can be controlled to be constant at all times, so there is no need to add a temperature compensation circuit such as a varistor, and no adjustment is required. Furthermore, a constant DC bias value is obtained immediately upon power-on, eliminating variations, and furthermore, thermal distortion due to temperature changes due to transient heat caused by signals, etc., is prevented.
第1図及び第2図は本発明の各実施例を示す回
路図、第3図及び第4図は第1図の回路の具体例
を示す図、第5図は第2図の回路の具体例を示す
図である。
主要部分の符号の説明、1……可変バイアス回
路、2,3……レベル比較器、R1〜R3,R11,
R12,RE,RE1……ブリツジ回路用抵抗。
1 and 2 are circuit diagrams showing each embodiment of the present invention, FIGS. 3 and 4 are diagrams showing a specific example of the circuit in FIG. 1, and FIG. 5 is a specific example of the circuit in FIG. 2. It is a figure which shows an example. Explanation of symbols of main parts, 1...Variable bias circuit, 2, 3...Level comparator, R1 to R3 , R11 ,
R 12 , R E , R E1 ...Resistance for bridge circuit.
Claims (1)
に直列接続された第1及び第2抵抗(RE及びR3)
とこれら抵抗に並列でかつ互いに直列接続された
第3及び第4抵抗(R1及びR2)とにより構成さ
れたブリツジ回路と、前記第1及び第2抵抗同士
の接続点と前記第3及び第4抵抗同士の接続点相
互間の電圧を検出して該検出電圧と所定基準電圧
との差に対応した誤差出力により前記増幅素子の
直流バイアスを制御する可変バイアス回路とを含
む増幅器のバイアス制御装置。1. First and second resistors (R E and R 3 ) connected in series between the output terminal of the amplification element and the circuit output terminal.
and third and fourth resistors (R 1 and R 2 ) connected in parallel to these resistors and in series with each other; Amplifier bias control including a variable bias circuit that detects the voltage between the connection points of the fourth resistors and controls the DC bias of the amplification element by using an error output corresponding to the difference between the detected voltage and a predetermined reference voltage. Device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205611A JPS58106904A (en) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | Bias controller for amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205611A JPS58106904A (en) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | Bias controller for amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106904A JPS58106904A (en) | 1983-06-25 |
| JPH0141042B2 true JPH0141042B2 (en) | 1989-09-01 |
Family
ID=16509735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205611A Granted JPS58106904A (en) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | Bias controller for amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106904A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008306564A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Yokogawa Electric Corp | Power amplifier circuit |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE502266C2 (en) * | 1994-01-19 | 1995-09-25 | Gunnar Liljedahl | Device at rope drum |
| JP7438694B2 (en) * | 2019-09-03 | 2024-02-27 | 株式会社東芝 | amplifier circuit |
-
1981
- 1981-12-19 JP JP56205611A patent/JPS58106904A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008306564A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Yokogawa Electric Corp | Power amplifier circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58106904A (en) | 1983-06-25 |
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