JPH0141149Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0141149Y2 JPH0141149Y2 JP1983147827U JP14782783U JPH0141149Y2 JP H0141149 Y2 JPH0141149 Y2 JP H0141149Y2 JP 1983147827 U JP1983147827 U JP 1983147827U JP 14782783 U JP14782783 U JP 14782783U JP H0141149 Y2 JPH0141149 Y2 JP H0141149Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- electron
- electrodes
- cylindrical body
- electron gun
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Microwave Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は、例えばクライストロン、進行波
管、ジヤイロトロンのような加速電子ビームを用
いる高周波電子管用の電子銃構体の改良に関す
る。
管、ジヤイロトロンのような加速電子ビームを用
いる高周波電子管用の電子銃構体の改良に関す
る。
上述のような高周波電子管用の電子銃構体は、
高出力用になるほど電子銃を構成する例えばカソ
ード電極と中間加速アノード電極との間、あるい
はこのアノード電極とボデイ加速電極との間にき
わめて高い電圧が印加される。第１図は一般的な
クライストロンの電子銃部の構造の例を示してい
る。同図において、符号１１は複数の共振空胴を
内蔵する高周波部（ボデイの一部）、１２はポー
ルピース（ボデイの一部）、１３はそれらの電子
ビーム導入部、１４は真空容器の一部をなすセラ
ミツク円筒体、１５，１６はその気密接合用フラ
ンジ、１５ａ，１６ａはコロナ防止リング、１７
は中間加速アノード電極、１７ａはその電子ビー
ム通過孔、１８はウエネルト電極、１９は電子放
射用カソード、２０はアノード電極端子、２１は
カソード側セラミツク円筒体、２２はその気密接
合用フランジをそれぞれあらわしている。これら
電子銃構体は、通常、絶縁油が充填された電源用
タンク内に納められ、セラミツク円筒体の外面が
絶縁油に浸される。そしてボデイ部分が接地電位
とされ、アノード電極端子２０に直流電源２３に
より負の高電圧（例えば70kV）、またアノード電
極端子２０とカソード端子（図示せず）との間に
電源２４により負の高電圧（例えば70kV）が印
加され動作させられる。
高出力用になるほど電子銃を構成する例えばカソ
ード電極と中間加速アノード電極との間、あるい
はこのアノード電極とボデイ加速電極との間にき
わめて高い電圧が印加される。第１図は一般的な
クライストロンの電子銃部の構造の例を示してい
る。同図において、符号１１は複数の共振空胴を
内蔵する高周波部（ボデイの一部）、１２はポー
ルピース（ボデイの一部）、１３はそれらの電子
ビーム導入部、１４は真空容器の一部をなすセラ
ミツク円筒体、１５，１６はその気密接合用フラ
ンジ、１５ａ，１６ａはコロナ防止リング、１７
は中間加速アノード電極、１７ａはその電子ビー
ム通過孔、１８はウエネルト電極、１９は電子放
射用カソード、２０はアノード電極端子、２１は
カソード側セラミツク円筒体、２２はその気密接
合用フランジをそれぞれあらわしている。これら
電子銃構体は、通常、絶縁油が充填された電源用
タンク内に納められ、セラミツク円筒体の外面が
絶縁油に浸される。そしてボデイ部分が接地電位
とされ、アノード電極端子２０に直流電源２３に
より負の高電圧（例えば70kV）、またアノード電
極端子２０とカソード端子（図示せず）との間に
電源２４により負の高電圧（例えば70kV）が印
加され動作させられる。
ところでこの種の電子銃構体においては、セラ
ミツク円筒体の長さおよび厚さを増すことにより
耐電圧性能を高めうることは容易に考えられる。
しかし実際にはこの電子銃構体を収容する電源用
タンクの大きさをなるべく小容積にとどめること
が求められ、したがつて電子銃構体の長さおよび
直径寸法が制約を受ける。このような事情のため
にセラミツク円筒体の長さおよび肉厚はなるべく
縮小する必要性がある。しかし時として第１図に
符号Ｂで示すようにセラミツク円筒体を斜めに貫
通する放電破壊が観察される場合がある。これは
多くの場合、電位差の大きい両電極すなわちボデ
イ電極であるポールピース１２とアノード電極１
７との最接近領域に近いところに生じやすい。そ
の原因を考えると、この付近の等電位線が同図お
よび第２図に点線Ｅで示すようにセラミツク円筒
体１４を斜めに横切り、しかも密度が高くなつて
いる。これはセラミツク円筒体に対して両電極の
最接近領域がセラミツクの軸方向中間部から著し
く一端側に片寄つているために生じやすい。そし
てセラミツクの高誘電率のためセラミツク表面で
等電位線Ｅが極端に曲がることにより、セラミツ
ク内外面間に分極電荷が生じ、さらに内表面に浮
遊電子の飛び込みが生じると二次電子放出により
帯電密度が急激に高まり、ついにセラミツクを貫
通する放電が生じてしまうものと考えられる。
ミツク円筒体の長さおよび厚さを増すことにより
耐電圧性能を高めうることは容易に考えられる。
しかし実際にはこの電子銃構体を収容する電源用
タンクの大きさをなるべく小容積にとどめること
が求められ、したがつて電子銃構体の長さおよび
直径寸法が制約を受ける。このような事情のため
にセラミツク円筒体の長さおよび肉厚はなるべく
縮小する必要性がある。しかし時として第１図に
符号Ｂで示すようにセラミツク円筒体を斜めに貫
通する放電破壊が観察される場合がある。これは
多くの場合、電位差の大きい両電極すなわちボデ
イ電極であるポールピース１２とアノード電極１
７との最接近領域に近いところに生じやすい。そ
の原因を考えると、この付近の等電位線が同図お
よび第２図に点線Ｅで示すようにセラミツク円筒
体１４を斜めに横切り、しかも密度が高くなつて
いる。これはセラミツク円筒体に対して両電極の
最接近領域がセラミツクの軸方向中間部から著し
く一端側に片寄つているために生じやすい。そし
てセラミツクの高誘電率のためセラミツク表面で
等電位線Ｅが極端に曲がることにより、セラミツ
ク内外面間に分極電荷が生じ、さらに内表面に浮
遊電子の飛び込みが生じると二次電子放出により
帯電密度が急激に高まり、ついにセラミツクを貫
通する放電が生じてしまうものと考えられる。
第２図において、実線矢印は電気力線を示して
おり、θはセラミツク内における電気力線の垂直
面をなす角度である。この場合、セラミツク表面
に生じる分極電荷密度σは、 ±σ＝±｜Ｐ→｜cosθ （ここで、Ｐ→は分極ベクトルである） であらわすことができる。したがつて、θを90゜
に近づけるほど分極電荷密度を小さくすることが
でき、言い換えれば等電位線がセラミツク円筒体
のどこでも面に垂直方向をなし、且つ密度が均等
であることが望ましい。
おり、θはセラミツク内における電気力線の垂直
面をなす角度である。この場合、セラミツク表面
に生じる分極電荷密度σは、 ±σ＝±｜Ｐ→｜cosθ （ここで、Ｐ→は分極ベクトルである） であらわすことができる。したがつて、θを90゜
に近づけるほど分極電荷密度を小さくすることが
でき、言い換えれば等電位線がセラミツク円筒体
のどこでも面に垂直方向をなし、且つ密度が均等
であることが望ましい。
このように従来一般の電子銃構体では、セラミ
ツク円筒体の内表面への帯電による貫通放電破壊
が生じ易いという不都合がある。
ツク円筒体の内表面への帯電による貫通放電破壊
が生じ易いという不都合がある。
この考案は以上のような不都合を解決し、比較
的簡単な構造でセラミツク円筒体の貫通放電破壊
に対する耐力を向上させうる高周波電子管用電子
銃構体を提供するものである。
的簡単な構造でセラミツク円筒体の貫通放電破壊
に対する耐力を向上させうる高周波電子管用電子
銃構体を提供するものである。
この考案はセラミツク円筒体の内面を凹凸波状
に形成するとともにこの波状部をその凹部の位置
から両隣りの凸部までの軸方向寸法が異なる非対
称形状に形成してなる。これによつてセラミツク
円筒体の主要部分で等電位線がセラミツク表面に
ほぼ垂直となり実質的に分極電荷密度を小さくで
き、貫通放電耐力を高めることができる。
に形成するとともにこの波状部をその凹部の位置
から両隣りの凸部までの軸方向寸法が異なる非対
称形状に形成してなる。これによつてセラミツク
円筒体の主要部分で等電位線がセラミツク表面に
ほぼ垂直となり実質的に分極電荷密度を小さくで
き、貫通放電耐力を高めることができる。
〔考案の実施例〕
以下この考案の実施例を図面を参照して説明す
る。なお同一部分は同一符号であらわす。
る。なお同一部分は同一符号であらわす。
第３図に示すようにセラミツク円筒体１４の両
端部にボデイ電極であるポールピース１２および
アノード電極１７の端子２０の基部が気密封着さ
れてなる。そしてセラミツク円筒体１４の内面に
円周状に凹凸波状部３１が形成されている。この
波状部３１はその凹部（谷の部分）３１ａから、
両隣りの凸部３１ｂ，３１ｃまでの軸方向寸法
l1，l2がl1＜l2の関係で異ならせてあり、非対称な
波形状になつている。つまり滑らかな鋸歯状にな
つており、とくに両電極１２，１７の最接近領域
Ａに実質的に対向する広い対向斜面３１ｄが形成
されるようになつている。
端部にボデイ電極であるポールピース１２および
アノード電極１７の端子２０の基部が気密封着さ
れてなる。そしてセラミツク円筒体１４の内面に
円周状に凹凸波状部３１が形成されている。この
波状部３１はその凹部（谷の部分）３１ａから、
両隣りの凸部３１ｂ，３１ｃまでの軸方向寸法
l1，l2がl1＜l2の関係で異ならせてあり、非対称な
波形状になつている。つまり滑らかな鋸歯状にな
つており、とくに両電極１２，１７の最接近領域
Ａに実質的に対向する広い対向斜面３１ｄが形成
されるようになつている。
また第４図に示す実施例は、両電極の最接近領
域Ａに近接し等電位線の密度が高い部分の波状部
を、斜面３１ｄの垂直面に対する角度αが小さい
急勾配として非対称形状とし、アノード電極端子
２０の方へゆくにしたがつて徐々にゆるやかにな
つて対称的な波状部３１ｅとなるように形成した
ものである。
域Ａに近接し等電位線の密度が高い部分の波状部
を、斜面３１ｄの垂直面に対する角度αが小さい
急勾配として非対称形状とし、アノード電極端子
２０の方へゆくにしたがつて徐々にゆるやかにな
つて対称的な波状部３１ｅとなるように形成した
ものである。
この考案は以上のような構成を有することによ
り、セラミツク円筒体の内表面の電界による分極
電荷密度を減らすことができ、セラミツク円筒体
を貫通する放電破壊に対する耐力を高めることが
できる。とくに両電極の最接近領域がセラミツク
円筒体の軸方向中間部から一端側に片寄つている
場合、この最接近領域に近いセラミツク内面を上
述の如き非対称の波形とすることにより、この主
要部で等電位線がセラミツク内面の斜面に対し垂
直に近くなるため帯電があまり起らず放電耐力が
高められる。そしてこのような形状のセラミツク
円筒体は、製造も比較的容易であり、実用性にす
ぐれている。
り、セラミツク円筒体の内表面の電界による分極
電荷密度を減らすことができ、セラミツク円筒体
を貫通する放電破壊に対する耐力を高めることが
できる。とくに両電極の最接近領域がセラミツク
円筒体の軸方向中間部から一端側に片寄つている
場合、この最接近領域に近いセラミツク内面を上
述の如き非対称の波形とすることにより、この主
要部で等電位線がセラミツク内面の斜面に対し垂
直に近くなるため帯電があまり起らず放電耐力が
高められる。そしてこのような形状のセラミツク
円筒体は、製造も比較的容易であり、実用性にす
ぐれている。
第１図は従来構造を示す要部縦断面図、第２図
はその電位分布図、第３図はこの考案の実施例を
示す要部半縦断面図、第４図はこの考案の他の実
施例を示す要部断面図である。 １２…ポールピース（ボデイ電極）、１４…セ
ラミツク円筒体、１７…アノード電極、２０…ア
ノード電極端子、３１…非対称波状部、Ａ…最接
近領域。
はその電位分布図、第３図はこの考案の実施例を
示す要部半縦断面図、第４図はこの考案の他の実
施例を示す要部断面図である。 １２…ポールピース（ボデイ電極）、１４…セ
ラミツク円筒体、１７…アノード電極、２０…ア
ノード電極端子、３１…非対称波状部、Ａ…最接
近領域。
Claims (1)
- 真空容器の一部をなすセラミツク円筒体の両端
部に、互いに異なる電位が与えられる電子銃用電
極の基部が気密接合され、上記セラミツク円筒体
の内周面に対向する上記両電極の最接近領域が該
セラミツク円筒体の軸方向中間位置よりも一方の
端部側に片寄つて設けられてなる構造をもつ高周
波電子管用電子銃構体において、上記セラミツク
円筒体の内面に円周状の凹凸波状部が形成され、
該波状部の少なくとも上記両電極の最接近領域に
対向する部分は、その凹部の位置から両隣りの凸
部までの軸方向寸法が異なる非対称形状をなして
いることを特徴とする高周波電子管用電子銃構
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14782783U JPS6055048U (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 高周波電子管用電子銃構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14782783U JPS6055048U (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 高周波電子管用電子銃構体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055048U JPS6055048U (ja) | 1985-04-17 |
| JPH0141149Y2 true JPH0141149Y2 (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=30328623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14782783U Granted JPS6055048U (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 高周波電子管用電子銃構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055048U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744004B2 (ja) * | 1987-07-30 | 1995-05-15 | 日本電気株式会社 | 電子銃構造 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889875U (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-17 | 日本電気株式会社 | ソ−ナ用ｐｐｉ表示装置 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP14782783U patent/JPS6055048U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6055048U (ja) | 1985-04-17 |
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