JPH0143485B2 - - Google Patents
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- JPH0143485B2 JPH0143485B2 JP56081255A JP8125581A JPH0143485B2 JP H0143485 B2 JPH0143485 B2 JP H0143485B2 JP 56081255 A JP56081255 A JP 56081255A JP 8125581 A JP8125581 A JP 8125581A JP H0143485 B2 JPH0143485 B2 JP H0143485B2
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- JP
- Japan
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- transistors
- transistor
- impedance
- circuit arrangement
- amplifier circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/288—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit
- H03K3/2885—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit the input circuit having a differential configuration
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- H—ELECTRICITY
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45176—A cross coupling circuit, e.g. consisting of two cross coupled transistors, being added in the load circuit of the amplifying transistors of a differential amplifier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第１及び第２トランジスタを具えた増
幅回路配置であつて、該第１及び第２トランジス
タのベース電極を当該増幅回路配置の入力端子に
接続し、そのエミツタ電極を互いに結合すると共
に電流源に結合し、そのコレクタ電極を出力イン
ピーダンスが負荷される当該増幅回路配置の出力
端子に接続すると共に負荷回路を経て給電端子に
接続してあり、該負荷回路は、高周波数における
利得を増大させるため、前記第１及び第２トラン
ジスタと同じ導電型の第３及び第４トランジスタ
を具えており、これら第３及び第４トランジスタ
のエミツタ電極を前記第１及び第２トランジスタ
のコレクタ電極にそれぞれ結合して該第３及び第
４トランジスタのそれぞれの主電流通路を前記第
１または第２のトランジスタの主電流通路と直列
にそれぞれ接続し、前記第３及び第４トランジス
タのコレクタ電極を、第１及び第２インピーダン
スをそれぞれ介して、前記給電端子にそれぞれ接
続し、前記第３及び第４トランジスタのそれぞれ
のベース回路には第３及び第４インピーダンスを
含ませて成る集積化された増幅回路配置に関す
る。
幅回路配置であつて、該第１及び第２トランジス
タのベース電極を当該増幅回路配置の入力端子に
接続し、そのエミツタ電極を互いに結合すると共
に電流源に結合し、そのコレクタ電極を出力イン
ピーダンスが負荷される当該増幅回路配置の出力
端子に接続すると共に負荷回路を経て給電端子に
接続してあり、該負荷回路は、高周波数における
利得を増大させるため、前記第１及び第２トラン
ジスタと同じ導電型の第３及び第４トランジスタ
を具えており、これら第３及び第４トランジスタ
のエミツタ電極を前記第１及び第２トランジスタ
のコレクタ電極にそれぞれ結合して該第３及び第
４トランジスタのそれぞれの主電流通路を前記第
１または第２のトランジスタの主電流通路と直列
にそれぞれ接続し、前記第３及び第４トランジス
タのコレクタ電極を、第１及び第２インピーダン
スをそれぞれ介して、前記給電端子にそれぞれ接
続し、前記第３及び第４トランジスタのそれぞれ
のベース回路には第３及び第４インピーダンスを
含ませて成る集積化された増幅回路配置に関す
る。
斯様な増幅回路配置は文献：IEEE
Proceedings（vol 127、No.2April 1980、第61〜
66頁）に記載されているJ.Chomaによる
「Actively peaked broadbanded monolithic
amplifier」からも公知である。斯様な増幅回路
配置では、ベース回路に第３及び第４インピーダ
ンスを含んでいる第３及び第４トランジスタの誘
導的性質を使用して、トランジスタ特性及び又は
漂遊容量による高い周波数側のロール−オフを補
償するためあるいは特定周波数での増幅段の利得
係数を最高にするためにも、利得及び特定周波数
を増大させている。この場合、第３及び第４トラ
ンジスタのベース電極を前記第３及び第４インピ
ーダンスを経て定電位点に接続するようになして
いる。
Proceedings（vol 127、No.2April 1980、第61〜
66頁）に記載されているJ.Chomaによる
「Actively peaked broadbanded monolithic
amplifier」からも公知である。斯様な増幅回路
配置では、ベース回路に第３及び第４インピーダ
ンスを含んでいる第３及び第４トランジスタの誘
導的性質を使用して、トランジスタ特性及び又は
漂遊容量による高い周波数側のロール−オフを補
償するためあるいは特定周波数での増幅段の利得
係数を最高にするためにも、利得及び特定周波数
を増大させている。この場合、第３及び第４トラ
ンジスタのベース電極を前記第３及び第４インピ
ーダンスを経て定電位点に接続するようになして
いる。
高周波増幅器の種々の応用例、例えばテレビジ
ヨン受像機の同調回路の場合には増幅器が低周波
利得を呈するべきではない。直流及び低周波利得
を呈すると、第１及び第２トランジスタの設定が
等しくないことにより或いは第１及び第２トラン
ジスタの前段の回路によつて生ぜしめられる直流
入力電圧が増幅されて出力部に現われるので、差
動入力部を有する次段の回路への直流結合が容易
にできなくなる。この解決を図るため、次段の回
路に対して容量的結合を行なうが、この場合には
集積回路にそのために必要な２つのコンデンサの
接続用の追加の端子を設ける必要があり、さらに
は外部構成成分が必要となつたり、さらには高周
波放射を生じたり、さらには不安定化するおそれ
が増大するといつた種々の欠点がある。他の解決
方法では、少なくとも部分的に外部RC−回路網
を経て、低周波負帰還を用いて直流利得を除去す
る方法があるが、この場合にも同様な欠点があ
る。
ヨン受像機の同調回路の場合には増幅器が低周波
利得を呈するべきではない。直流及び低周波利得
を呈すると、第１及び第２トランジスタの設定が
等しくないことにより或いは第１及び第２トラン
ジスタの前段の回路によつて生ぜしめられる直流
入力電圧が増幅されて出力部に現われるので、差
動入力部を有する次段の回路への直流結合が容易
にできなくなる。この解決を図るため、次段の回
路に対して容量的結合を行なうが、この場合には
集積回路にそのために必要な２つのコンデンサの
接続用の追加の端子を設ける必要があり、さらに
は外部構成成分が必要となつたり、さらには高周
波放射を生じたり、さらには不安定化するおそれ
が増大するといつた種々の欠点がある。他の解決
方法では、少なくとも部分的に外部RC−回路網
を経て、低周波負帰還を用いて直流利得を除去す
る方法があるが、この場合にも同様な欠点があ
る。
これら欠点により、敏感な高周波増幅器を、例
えばテレビジヨンチユーナ用の、分周器のような
他の回路と単一の半導体基板上で組合わせること
が困難である。
えばテレビジヨンチユーナ用の、分周器のような
他の回路と単一の半導体基板上で組合わせること
が困難である。
単一半導体基板上で他の回路と組合わせる観点
から、構成成分の数及び電力消費を最小にするこ
とが重要である。
から、構成成分の数及び電力消費を最小にするこ
とが重要である。
本発明の目的は本明細書の頭初の部分で述べた
タイプの増幅回路配置であつて、外部構成成分を
必要とすることなく直流電圧利得を除去し、構成
成分の数も最小であり電力消費も最小である増幅
回路を提供することにある。
タイプの増幅回路配置であつて、外部構成成分を
必要とすることなく直流電圧利得を除去し、構成
成分の数も最小であり電力消費も最小である増幅
回路を提供することにある。
これがため、本発明によれば前記第３トランジ
スタのベース電極を前記第３インピーダンスを経
て前記第４トランジスタのコレクタ電極に接触
し、該第４トランジスタのベース電極を前記第４
インピーダンスを経て前記第３トランジスタのコ
レクタ電極に接続してあることを特徴とする。
スタのベース電極を前記第３インピーダンスを経
て前記第４トランジスタのコレクタ電極に接触
し、該第４トランジスタのベース電極を前記第４
インピーダンスを経て前記第３トランジスタのコ
レクタ電極に接続してあることを特徴とする。
本発明によれば、第１及び第２トランジスタの
いずれか一方のコレクタ回路での直流電流の変動
が前記第１及び第２トランジスタの他方のコレク
タ回路のコレクタでの電圧変動を、交差結合した
第３及び第４トランジスタを介して、補償できる
ようにして直流電圧利得を除去するようになして
ある。第３及び第４トランジスタの誘導的性質の
ために、高周波利得は除去されないので、第３及
び第４トランジスタによつて構成される負荷回路
のインピーダンスは周波数によつて増大しかつ信
号電流は第１及び第２トランジスタのコレクタ間
の負荷を介して流れる。その上本発明によれば、
追加の構成成分を必要とせず、構成成分の個数を
低減し前記既知回路の第３及び第４トランジスタ
のベース電極に要する直流バイアス源が余分なも
のとなる。
いずれか一方のコレクタ回路での直流電流の変動
が前記第１及び第２トランジスタの他方のコレク
タ回路のコレクタでの電圧変動を、交差結合した
第３及び第４トランジスタを介して、補償できる
ようにして直流電圧利得を除去するようになして
ある。第３及び第４トランジスタの誘導的性質の
ために、高周波利得は除去されないので、第３及
び第４トランジスタによつて構成される負荷回路
のインピーダンスは周波数によつて増大しかつ信
号電流は第１及び第２トランジスタのコレクタ間
の負荷を介して流れる。その上本発明によれば、
追加の構成成分を必要とせず、構成成分の個数を
低減し前記既知回路の第３及び第４トランジスタ
のベース電極に要する直流バイアス源が余分なも
のとなる。
以下、図面により本発明の実施例につき説明す
る。
る。
図は本発明による増幅回路配置を示す。この回
路配置は第１トランジスタT1と第２トランジス
タT2とを備え、これらを差動増幅器として接続
すると共にこれらトランジスタのエミツタ電極を
2Iの電流を流す零入力電流源６に接続する。ベー
ス電極を差動入力端子１，２に接続し、コレクタ
電極を出力部３，４に導出し、これらコレクタ電
極間に抵抗値RLの負荷１１を含ませ、この負荷
１１を次段の回路の入力部によつて構成してもよ
い。これらトランジスタT1及びT2のそれぞれの
コレクタ電極をトランジスタT3のエミツタ−コ
レクタ通路とこれと直列のインピーダンス７、及
びトランジスタT4のエミツタ−コレクタ通路と
これと直列のインピーダンス８を夫々介して、給
電端子５に接続する。この場合、これらインピー
ダンスの抵抗値をRCとすることが出来る。この
トランジスタT3のベース電極を、本例では抵抗
値Rbのインピーダンス１０を介して、トランジ
スタT4のコレクタ電極に接続し、トランジスタ
T4のベース電極を、本例では抵抗値Rbのインピ
ーダンス９を介して、トランジスタT3のコレク
タ電極に接続する。
路配置は第１トランジスタT1と第２トランジス
タT2とを備え、これらを差動増幅器として接続
すると共にこれらトランジスタのエミツタ電極を
2Iの電流を流す零入力電流源６に接続する。ベー
ス電極を差動入力端子１，２に接続し、コレクタ
電極を出力部３，４に導出し、これらコレクタ電
極間に抵抗値RLの負荷１１を含ませ、この負荷
１１を次段の回路の入力部によつて構成してもよ
い。これらトランジスタT1及びT2のそれぞれの
コレクタ電極をトランジスタT3のエミツタ−コ
レクタ通路とこれと直列のインピーダンス７、及
びトランジスタT4のエミツタ−コレクタ通路と
これと直列のインピーダンス８を夫々介して、給
電端子５に接続する。この場合、これらインピー
ダンスの抵抗値をRCとすることが出来る。この
トランジスタT3のベース電極を、本例では抵抗
値Rbのインピーダンス１０を介して、トランジ
スタT4のコレクタ電極に接続し、トランジスタ
T4のベース電極を、本例では抵抗値Rbのインピ
ーダンス９を介して、トランジスタT3のコレク
タ電極に接続する。
比較的低周波数の信号電流及び直流電流に対し
ては、トランジスタT3及びT4のエミツタ入力イ
ンピーダンスは負荷１１よりも多少とも小さいの
で、これらトランジスタT1及びT2のコレクタ直
流電流及び低周波交流電流はトランジスタT3及
びT4のエミツタ−コレクタ通路を経て主として
流れる。
ては、トランジスタT3及びT4のエミツタ入力イ
ンピーダンスは負荷１１よりも多少とも小さいの
で、これらトランジスタT1及びT2のコレクタ直
流電流及び低周波交流電流はトランジスタT3及
びT4のエミツタ−コレクタ通路を経て主として
流れる。
今、直流入力電圧2Viの結果或はトランジスタ
T1及びT2が等しくない結果として直流電流成分
ｉが存在し、トランジスタT1及びT2のコレクタ
回路の電流がＩ＋ｉ及びＩ−ｉであるとすると、
この直流成分ｉによつて生ずる出力端子３の電圧
−及び出力端子４の逆符号の電圧−に対して次の
関係が成立する。
T1及びT2が等しくない結果として直流電流成分
ｉが存在し、トランジスタT1及びT2のコレクタ
回路の電流がＩ＋ｉ及びＩ−ｉであるとすると、
この直流成分ｉによつて生ずる出力端子３の電圧
−及び出力端子４の逆符号の電圧−に対して次の
関係が成立する。
Vu＝ir0＋Rbｉ／β＋Rcｉ／β−iRc＋ｉ／βRc
ここでβはトランジスタT3及びT4の電流増幅
率、r0はトランジスタT3及びT4のベース−エミ
ツタ接合の直流微分抵抗である。従つて、この電
圧VuはトランジスタT3のベース−エミツタ接合
の両端間電圧ir0、トランジスタT3のベース電流
によつてインピーダンス１０及び８の両端間に生
ずる電圧ｉ（Rb＋Rc）／β、及びトランジスタT3
のコレクタ電流によつてインピーダンス７の両端
間に生ずる電圧iRc（１−１／β）を含んでいる。直 流成分ｉの結果としてのこの電圧は、種々のパラ
メータを rR0＋Rb／β−（１−２／β）Rc＝０ となるように選定することによつて、零とするこ
とができる。r0＝25ｍＶ／Ｉとすると、直流出力電 圧の差を除去するための条件は Ｉ（１−２／β）Rc−Rb／βＩ＝25ｍＶ である。
率、r0はトランジスタT3及びT4のベース−エミ
ツタ接合の直流微分抵抗である。従つて、この電
圧VuはトランジスタT3のベース−エミツタ接合
の両端間電圧ir0、トランジスタT3のベース電流
によつてインピーダンス１０及び８の両端間に生
ずる電圧ｉ（Rb＋Rc）／β、及びトランジスタT3
のコレクタ電流によつてインピーダンス７の両端
間に生ずる電圧iRc（１−１／β）を含んでいる。直 流成分ｉの結果としてのこの電圧は、種々のパラ
メータを rR0＋Rb／β−（１−２／β）Rc＝０ となるように選定することによつて、零とするこ
とができる。r0＝25ｍＶ／Ｉとすると、直流出力電 圧の差を除去するための条件は Ｉ（１−２／β）Rc−Rb／βＩ＝25ｍＶ である。
自由に選定することの出来る３つのパラメータ
Ｉ、Rc及びRbを好適な値に選定することによつ
て、この条件を適合させることが出来る。そして
これは直流電圧差の除去に悪影響を及ぼすことな
く回路の高周波での振舞いを最適なものとするた
めに十分な自由度を残している。
Ｉ、Rc及びRbを好適な値に選定することによつ
て、この条件を適合させることが出来る。そして
これは直流電圧差の除去に悪影響を及ぼすことな
く回路の高周波での振舞いを最適なものとするた
めに十分な自由度を残している。
高周波信号電流に対しては、トランジスタT3
及びT4を図示のように配設する場合にはこれら
は誘導的な性質を有しており、これらトランジス
タのエミツタ入力インピーダンスは高くなり、出
力インピーダンス１１の端子間に増幅された信号
電圧が発生する。
及びT4を図示のように配設する場合にはこれら
は誘導的な性質を有しており、これらトランジス
タのエミツタ入力インピーダンスは高くなり、出
力インピーダンス１１の端子間に増幅された信号
電圧が発生する。
図示の回路配置では、ベース抵抗９及び１０を
経るベース直流電流を、トランジスタT3及びT4
に対しダーリントン構成を用いることによつて、
低減することが出来る。高周波での振舞及び直流
での振舞を多少なりとも互いに独立して最適なも
のとなすための別の手段はトランジスタT3及び
T4の両端間にミラー容量を配設することである。
あるいはまた、トランジスタT3及びT4のコレク
タ回路内に、ベース抵抗９及び１０の接続部とコ
レクタとの間に追加の抵抗を配置することが出来
る。
経るベース直流電流を、トランジスタT3及びT4
に対しダーリントン構成を用いることによつて、
低減することが出来る。高周波での振舞及び直流
での振舞を多少なりとも互いに独立して最適なも
のとなすための別の手段はトランジスタT3及び
T4の両端間にミラー容量を配設することである。
あるいはまた、トランジスタT3及びT4のコレク
タ回路内に、ベース抵抗９及び１０の接続部とコ
レクタとの間に追加の抵抗を配置することが出来
る。
図は本発明による増幅回路配置の一例を示す回
路図である。 T1〜T4……トランジスタ、１，２……入力部、
３，４……出力部、５……給電端子、６……零入
力電流源、７〜１０……インピーダンス、１１…
…負荷。
路図である。 T1〜T4……トランジスタ、１，２……入力部、
３，４……出力部、５……給電端子、６……零入
力電流源、７〜１０……インピーダンス、１１…
…負荷。
Claims (1)
- １ 第１及び第２トランジスタを具えた増幅回路
配置であつて、該第１及び第２トランジスタのベ
ース電極を当該増幅回路配置の入力端子に接続
し、そのエミツタ電極を互いに結合すると共に電
流源に結合し、そのコレクタ電極を出力インピー
ダンスが負荷される当該増幅回路配置の出力端子
に接続すると共に負荷回路を経て給電端子に接続
してあり、該負荷回路は、高周波数における利得
を増大させるため、前記第１及び第２トランジス
タと同じ導電型の第３及び第４トランジスタを具
えており、これら第３及び第４トランジスタのエ
ミツタ電極を前記第１及び第２トランジスタのコ
レクタ電極にそれぞれ結合して該第３及び第４ト
ランジスタのそれぞれの主電流通路を前記第１ま
たは第２トランジスタの主電流通路と直列にそれ
ぞれ接続し、前記第３及び第４トランジスタのコ
レクタ電極を、第１及び第２インピーダンスをそ
れぞれ介して、前記給電端子にそれぞれ接続し、
前記第３及び第４トランジスタのそれぞれのベー
ス回路には第３及び第４インピーダンスを含ませ
て成る集積化された増幅回路配置において、前記
第３トランジスタのベース電極を前記第３インピ
ーダンスを経て前記第４トランジスタのコレクタ
電極に接続し、該第４トランジスタのベース電極
を前記第４インピーダンスを経て前記第３トラン
ジスタのコレクタ電極に接続し、且つ前記電流源
の所定の値の電流に対して前記第１、第２、第３
及び第４インピーダンスを当該増幅回路配置の入
力から出力への直流電圧利得を低減するように選
択してあることを特徴とする増幅回路配置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8003197A NL8003197A (nl) | 1980-06-02 | 1980-06-02 | Geintegreerde versterkerschakeling. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5725711A JPS5725711A (en) | 1982-02-10 |
| JPH0143485B2 true JPH0143485B2 (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=19835403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8125581A Granted JPS5725711A (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | Amplifying circuit disposition |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4547744A (ja) |
| JP (1) | JPS5725711A (ja) |
| AU (1) | AU544412B2 (ja) |
| CA (1) | CA1165829A (ja) |
| DE (1) | DE3121314A1 (ja) |
| DK (1) | DK150774C (ja) |
| FR (1) | FR2483706A1 (ja) |
| GB (1) | GB2077542B (ja) |
| HK (1) | HK48284A (ja) |
| IE (1) | IE51754B1 (ja) |
| IT (1) | IT1136766B (ja) |
| NL (1) | NL8003197A (ja) |
| SE (1) | SE450445B (ja) |
| SG (1) | SG10984G (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE32479E (en) * | 1980-08-30 | 1987-08-18 | Telefunken Electronic Gmbh | Feedback amplifier or threshold value switch for a current feed differential stage |
| DE3032703C2 (de) * | 1980-08-30 | 1982-12-30 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Rückgekoppelter Verstärker oder Schwellwertschalter für eine stromgespeiste Differenzstufe |
| JPS58138111A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 差動検出回路 |
| US4622475A (en) * | 1984-03-05 | 1986-11-11 | Tektronix, Inc. | Data storage element having input and output ports isolated from regenerative circuit |
| FR2581809A1 (fr) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Radiotechnique Compelec | Amplificateur pour hautes frequences |
| US4634993A (en) * | 1985-08-23 | 1987-01-06 | Burr-Brown Corporation | High gain, low drift operational amplifier for sample and hold circuit |
| GB2211044A (en) * | 1987-10-08 | 1989-06-21 | Plessey Co Plc | Linear differential amplifier |
| DE3812711C1 (ja) * | 1988-04-16 | 1989-08-24 | Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De | |
| US5021744A (en) * | 1989-02-14 | 1991-06-04 | U.S. Philips Corporation | Differential amplifier with differential or single-ended output |
| JPH06196945A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Toshiba Corp | 差動増幅回路 |
| DE69422010T2 (de) * | 1993-12-22 | 2000-07-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Phasenschiebverstärker und seine Verwendung in einer Zusammenführungsschaltung |
| JP3258202B2 (ja) * | 1995-06-12 | 2002-02-18 | シャープ株式会社 | 差動回路 |
| FR2785107A1 (fr) * | 1998-10-27 | 2000-04-28 | Koninkl Philips Electronics Nv | Amplificateur de courant a faible impedance d'entree |
| US7865164B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and methods for downconverting radio frequency signals |
| RU2422981C1 (ru) * | 2010-05-24 | 2011-06-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Дифференциальный усилитель переменного тока |
| US8872587B2 (en) * | 2013-03-06 | 2014-10-28 | International Business Machines Corporation | Generating negative impedance compensation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1319174A (fr) * | 1962-04-05 | 1963-02-22 | Rotax Ltd | Amplificateur |
| US3408533A (en) * | 1966-03-21 | 1968-10-29 | Tekronix Inc | Low-loss amplification circuit |
| DE3032703C2 (de) * | 1980-08-30 | 1982-12-30 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Rückgekoppelter Verstärker oder Schwellwertschalter für eine stromgespeiste Differenzstufe |
-
1980
- 1980-06-02 NL NL8003197A patent/NL8003197A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-05-27 SE SE8103355A patent/SE450445B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-05-28 US US06/268,047 patent/US4547744A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-05-28 CA CA000378543A patent/CA1165829A/en not_active Expired
- 1981-05-29 IT IT22051/81A patent/IT1136766B/it active
- 1981-05-29 GB GB8116464A patent/GB2077542B/en not_active Expired
- 1981-05-29 AU AU71149/81A patent/AU544412B2/en not_active Ceased
- 1981-05-29 IE IE1201/81A patent/IE51754B1/en not_active IP Right Cessation
- 1981-05-29 DE DE19813121314 patent/DE3121314A1/de active Granted
- 1981-05-29 DK DK236481A patent/DK150774C/da not_active IP Right Cessation
- 1981-05-29 JP JP8125581A patent/JPS5725711A/ja active Granted
- 1981-06-01 FR FR8110768A patent/FR2483706A1/fr active Granted
-
1984
- 1984-02-07 SG SG109/84A patent/SG10984G/en unknown
- 1984-06-07 HK HK482/84A patent/HK48284A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE8103355L (sv) | 1981-12-03 |
| AU544412B2 (en) | 1985-05-23 |
| DE3121314C2 (ja) | 1989-12-14 |
| DE3121314A1 (de) | 1982-04-22 |
| US4547744A (en) | 1985-10-15 |
| AU7114981A (en) | 1981-12-10 |
| NL8003197A (nl) | 1982-01-04 |
| IE51754B1 (en) | 1987-03-18 |
| DK236481A (da) | 1981-12-03 |
| SE450445B (sv) | 1987-06-22 |
| IT1136766B (it) | 1986-09-03 |
| IE811201L (en) | 1981-12-02 |
| GB2077542A (en) | 1981-12-16 |
| SG10984G (en) | 1985-01-04 |
| HK48284A (en) | 1984-06-15 |
| DK150774B (da) | 1987-06-15 |
| GB2077542B (en) | 1983-11-23 |
| IT8122051A0 (it) | 1981-05-29 |
| DK150774C (da) | 1987-12-21 |
| FR2483706A1 (fr) | 1981-12-04 |
| CA1165829A (en) | 1984-04-17 |
| FR2483706B1 (ja) | 1984-12-14 |
| JPS5725711A (en) | 1982-02-10 |
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