JPH0143863Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0143863Y2 JPH0143863Y2 JP1985060409U JP6040985U JPH0143863Y2 JP H0143863 Y2 JPH0143863 Y2 JP H0143863Y2 JP 1985060409 U JP1985060409 U JP 1985060409U JP 6040985 U JP6040985 U JP 6040985U JP H0143863 Y2 JPH0143863 Y2 JP H0143863Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- etched
- jetted
- rotating body
- Prior art date
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- Weting (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、被エツチング基板の片面エツチング
を行うエツチング装置に関するものである。
を行うエツチング装置に関するものである。
(ロ) 従来の技術
従来、Si，SiO2，GaSaなどの半導体基板、金
属、プラステイツクなどの被エツチング基板、特
にSiの半導体基板（以下単に基板という）の片面
エツチングを行エツチング装置は、エツチング面
に気泡が付着してエツチングムラが生じる。その
様子を第２図、第３図に示すエツチング装置につ
いて説明する。
属、プラステイツクなどの被エツチング基板、特
にSiの半導体基板（以下単に基板という）の片面
エツチングを行エツチング装置は、エツチング面
に気泡が付着してエツチングムラが生じる。その
様子を第２図、第３図に示すエツチング装置につ
いて説明する。
第３図ａは従来のエツチング装置の一例を示す
側面図、第３図ｂは第３図ａに示すＸ−X′矢視
方向断面図、第４図は従来の他の例を示す縦断面
図である。
側面図、第３図ｂは第３図ａに示すＸ−X′矢視
方向断面図、第４図は従来の他の例を示す縦断面
図である。
第３図ａ，ｂにおいて、一方が図示されていな
い側板２で挟持された２本の棒状の治具３の上に
は基板１が乗せられ、その上には、側板２に設け
られている切り込み部分に挿入されると共に、基
板１を固定する治具４が乗せられている。更に、
治具４を固定するために、断面台形状の固定治具
５が側板２に嵌挿されている。そして、エツチン
グ液６が基板１の表面を矢印Ａのごとく一方向に
噴流する。なおこの装置は、回転体（図示せず）
に連結され矢印Ｒのごとく回動するように構成さ
れている。
い側板２で挟持された２本の棒状の治具３の上に
は基板１が乗せられ、その上には、側板２に設け
られている切り込み部分に挿入されると共に、基
板１を固定する治具４が乗せられている。更に、
治具４を固定するために、断面台形状の固定治具
５が側板２に嵌挿されている。そして、エツチン
グ液６が基板１の表面を矢印Ａのごとく一方向に
噴流する。なおこの装置は、回転体（図示せず）
に連結され矢印Ｒのごとく回動するように構成さ
れている。
また第４図において、基板１を取着したチヤツ
ク８ａを具備する回転体８の上部には、基板１の
平面に対して等距離の位置にノズル９の噴出口が
配設されている。そして、エツチング液６がノズ
ル９の噴出口から基板１に向つて垂直方向すなわ
ち矢印Ｂ方向に噴流する。また、基板１は、回転
体８によつて矢印Ｒのごとく回動する。
ク８ａを具備する回転体８の上部には、基板１の
平面に対して等距離の位置にノズル９の噴出口が
配設されている。そして、エツチング液６がノズ
ル９の噴出口から基板１に向つて垂直方向すなわ
ち矢印Ｂ方向に噴流する。また、基板１は、回転
体８によつて矢印Ｒのごとく回動する。
かくして、基板１のエツチング加工を行う場
合、第３図ａ，ｂにおいては、装置を回転させな
がらポンプ（図示せず）などによつて、エツチン
グ液を矢印Ａ方向に噴流させる。この装置は、基
板１の全面エツチングを行う際仕上がりの良好な
ものが得られる。なお、エツチング加工を行わな
い部分にはSiO2膜が設けられている。
合、第３図ａ，ｂにおいては、装置を回転させな
がらポンプ（図示せず）などによつて、エツチン
グ液を矢印Ａ方向に噴流させる。この装置は、基
板１の全面エツチングを行う際仕上がりの良好な
ものが得られる。なお、エツチング加工を行わな
い部分にはSiO2膜が設けられている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
しかしながら、いずれのエツチング加工におい
ても片面エツチングを行う場合問題点があつた。
以下その問題点を図面を参照して詳述する。
ても片面エツチングを行う場合問題点があつた。
以下その問題点を図面を参照して詳述する。
まず第３図について説明すると、エツチング液
６を矢印Ａ方向に噴流せしめて基板１を選択エツ
チングする場合（第５図にその様子を示す）、エ
ツチングが進行するに従つて堀り込みが深くな
り、エツチング液６が円滑に流れなくなり、気泡
がエツチング面に付着して気泡の切れが悪くな
る。そこで、気泡を除去するために回転体の回転
速度を増すことがあるが、エツチング液中で汚れ
た液ときれいな液との流れ模様ができ、均一な深
さのエツチング仕上がりとはならない。なお、第
５図は基板１の選択エツチングの一部分を示す断
面図であり、基板１の表面にはSiO2膜１０によ
るパターンが形成されており、破線で囲まれた深
さの部分１ａがエツチング加工される。
６を矢印Ａ方向に噴流せしめて基板１を選択エツ
チングする場合（第５図にその様子を示す）、エ
ツチングが進行するに従つて堀り込みが深くな
り、エツチング液６が円滑に流れなくなり、気泡
がエツチング面に付着して気泡の切れが悪くな
る。そこで、気泡を除去するために回転体の回転
速度を増すことがあるが、エツチング液中で汚れ
た液ときれいな液との流れ模様ができ、均一な深
さのエツチング仕上がりとはならない。なお、第
５図は基板１の選択エツチングの一部分を示す断
面図であり、基板１の表面にはSiO2膜１０によ
るパターンが形成されており、破線で囲まれた深
さの部分１ａがエツチング加工される。
更に、上述の気泡に関し、第６図、第７図を参
照して説明する。
照して説明する。
第６図ａ−１，ｂ−１，ｃ−１はエツチング加
工のときエツチング面に気泡が付着した状態を示
しており、ａ−１図は後述する本考案のエツチン
グ装置によるもの、ｂ−１図は従来の第３図に示
すもの、ｃ−１図は従来の第４図に示すものであ
り、第６図ａ−２，ｂ−２，ｃ−２は第６図に示
す複数個の気泡のうち中央部分に付着する一個を
取り上げた断面図であり、ａ−２図はａ−１図、
ｂ−２図はｂ−１図、ｃ−２図はｃ−１図にそれ
ぞれ対応する。また第７図は気泡により生じる問
題点を説明するための説明図である。
工のときエツチング面に気泡が付着した状態を示
しており、ａ−１図は後述する本考案のエツチン
グ装置によるもの、ｂ−１図は従来の第３図に示
すもの、ｃ−１図は従来の第４図に示すものであ
り、第６図ａ−２，ｂ−２，ｃ−２は第６図に示
す複数個の気泡のうち中央部分に付着する一個を
取り上げた断面図であり、ａ−２図はａ−１図、
ｂ−２図はｂ−１図、ｃ−２図はｃ−１図にそれ
ぞれ対応する。また第７図は気泡により生じる問
題点を説明するための説明図である。
すなわち、第６図ｂ−１は、第５図に示す選択
エツチングを行うために矢印Ａ方向にHF，
HNO3系などのエツチング液６が噴流されてい
る。そして、エツチングが進行するにつれて基板
１１の堀り込み部分１１ａには、直径１mm以下の
小さい複数個の気泡１２ａ，１２ｂが付着してい
る。
エツチングを行うために矢印Ａ方向にHF，
HNO3系などのエツチング液６が噴流されてい
る。そして、エツチングが進行するにつれて基板
１１の堀り込み部分１１ａには、直径１mm以下の
小さい複数個の気泡１２ａ，１２ｂが付着してい
る。
ここに、ｂ−２図に示すごとく、エツチング液
６が矢印A′方向に噴流されるので、堀り込み部
分１１ａに付着する中央部分の気泡１２ａは除去
されるが、堀り込み部分１１ａに付着する隅の気
泡１２ｂは、エツチング液６の流れが悪いので除
去され難い。このために、第７図に示すごとく、
気泡１２ｂの直下の基板１１は堀り込まれず回り
の部分１１ｂが堀り込まれる。
６が矢印A′方向に噴流されるので、堀り込み部
分１１ａに付着する中央部分の気泡１２ａは除去
されるが、堀り込み部分１１ａに付着する隅の気
泡１２ｂは、エツチング液６の流れが悪いので除
去され難い。このために、第７図に示すごとく、
気泡１２ｂの直下の基板１１は堀り込まれず回り
の部分１１ｂが堀り込まれる。
次に第４図に示すエツチング装置において、そ
の様子は第６図ｃ−１，ｃ−２に示したが、この
場合においても堀り込み部分１１ａの中央部分の
気泡１２ａは矢印方向Ｂの噴流によつて除去され
るが、隅の部分の気泡１２ｂは矢印Ｂ，B′方向
からの噴流によつて静止した状態のものが生じ除
去され難い。従つて、第７図に示したようなエツ
チングムラが発出し易い。
の様子は第６図ｃ−１，ｃ−２に示したが、この
場合においても堀り込み部分１１ａの中央部分の
気泡１２ａは矢印方向Ｂの噴流によつて除去され
るが、隅の部分の気泡１２ｂは矢印Ｂ，B′方向
からの噴流によつて静止した状態のものが生じ除
去され難い。従つて、第７図に示したようなエツ
チングムラが発出し易い。
そこで本考案は、以上のような点にかんがみて
なされたもので、その目的とするところは、気泡
がエツチング面に付着せず、エツチングムラのな
いエツチング装置を提供することにある。
なされたもので、その目的とするところは、気泡
がエツチング面に付着せず、エツチングムラのな
いエツチング装置を提供することにある。
(ニ) 問題点を解決するための手段
その手段は、
(1) エツチング機構、すなわち
(1)−１ 被エツチング基板を取着するチヤツク
を具備した回転体と、 (1)−２ 被エツチング基板の平面に対して等距
離で且つ噴流する流路が回転体の軸方向に対
して斜め方向に傾斜させ、エツチング液が被
エツチング基板の全表面に対して斜め方向に
噴流する傾斜ノズルと、 (1)−３ 回転体または傾斜ノズルのいずれか一
方あるいは両者全体を振動させる振動体と のそれぞれからなるエツチング機構と、 (2) エツチング機構を固定する固定台とから構成
され、エツチング機構の回転体の軸方向を固定
台の水平面に対して垂直方向あるいは被エツチ
ング基板表面でのエツチング液の噴流を防げな
いように傾斜せしめた方向のいずれかの方向に
するという技術的手段を講じている。
を具備した回転体と、 (1)−２ 被エツチング基板の平面に対して等距
離で且つ噴流する流路が回転体の軸方向に対
して斜め方向に傾斜させ、エツチング液が被
エツチング基板の全表面に対して斜め方向に
噴流する傾斜ノズルと、 (1)−３ 回転体または傾斜ノズルのいずれか一
方あるいは両者全体を振動させる振動体と のそれぞれからなるエツチング機構と、 (2) エツチング機構を固定する固定台とから構成
され、エツチング機構の回転体の軸方向を固定
台の水平面に対して垂直方向あるいは被エツチ
ング基板表面でのエツチング液の噴流を防げな
いように傾斜せしめた方向のいずれかの方向に
するという技術的手段を講じている。
以下、その作用を、実施例に示す図面基づき詳
述する。
述する。
(ホ) 実施例
第１図は本考案にかかるエツチング装置の一実
施例を示す縦断面図、第２図は他の実施例を示す
縦断面図であり、図中、第４図と同符号のものは
同じ機能を有する部分である。
施例を示す縦断面図、第２図は他の実施例を示す
縦断面図であり、図中、第４図と同符号のものは
同じ機能を有する部分である。
第１図において、エツチング機構は、回転体８
と、傾斜ノズル１３と、振動体（図示せず）から
なる。そして、回転体８には被エツチング基板と
しての第４図に示す基板１を取着するチヤツク８
ａが具備されている。また傾斜ノズル１３の噴出
口は、基板１の平面に対して等距離ｌで、且つ噴
流するエツチング液６の流路が回転体８の軸方向
に対して例えば傾斜角度θ1が45゜となるように複
数の整流板１７で仕切られている。故に、エツチ
ング液６は基板１の全表面に対して矢印Ｃ方向に
噴流される。また、振動体は傾斜ノズル１３また
は回転体８あるいはその両者が振動できるような
構造となつている。
と、傾斜ノズル１３と、振動体（図示せず）から
なる。そして、回転体８には被エツチング基板と
しての第４図に示す基板１を取着するチヤツク８
ａが具備されている。また傾斜ノズル１３の噴出
口は、基板１の平面に対して等距離ｌで、且つ噴
流するエツチング液６の流路が回転体８の軸方向
に対して例えば傾斜角度θ1が45゜となるように複
数の整流板１７で仕切られている。故に、エツチ
ング液６は基板１の全表面に対して矢印Ｃ方向に
噴流される。また、振動体は傾斜ノズル１３また
は回転体８あるいはその両者が振動できるような
構造となつている。
更にこのエツチング機構は固定台１４に固定さ
れ、固定台１４の水平面に対して回転体８の軸方
向の傾斜角度θ2が90°になるよう備えられている。
れ、固定台１４の水平面に対して回転体８の軸方
向の傾斜角度θ2が90°になるよう備えられている。
また第２図においては、第１図に示す構成部品
とほぼ同じであるが、固定台１４の水平面に対し
て被エツチング基板表面でのエツチング液６の噴
流を防げない方向に回転体１６の軸が傾斜してい
る。すなわち、回転体１６の軸方向と傾斜ノズル
１５の流路方向との傾斜角度θ1と、固定台１４の
水平面に対する回転体１６の軸方向の傾斜角度θ3
とは、ほぼ等しい45゜の角度となつている。なお、
回転体の軸方向に対する傾斜ノズルの内の流路の
傾斜角度は45゜が望ましいが、これに限定された
ものでない。また、固定台１４に対する軸方向の
傾斜角度は、上限が90゜で下限が45゜近傍であるこ
とが望ましいが、これに限定されない。更に、第
２図においては、座標の第１象限の位置での説明
を行つているが、他の象限の位置においても同様
のことがいえる。
とほぼ同じであるが、固定台１４の水平面に対し
て被エツチング基板表面でのエツチング液６の噴
流を防げない方向に回転体１６の軸が傾斜してい
る。すなわち、回転体１６の軸方向と傾斜ノズル
１５の流路方向との傾斜角度θ1と、固定台１４の
水平面に対する回転体１６の軸方向の傾斜角度θ3
とは、ほぼ等しい45゜の角度となつている。なお、
回転体の軸方向に対する傾斜ノズルの内の流路の
傾斜角度は45゜が望ましいが、これに限定された
ものでない。また、固定台１４に対する軸方向の
傾斜角度は、上限が90゜で下限が45゜近傍であるこ
とが望ましいが、これに限定されない。更に、第
２図においては、座標の第１象限の位置での説明
を行つているが、他の象限の位置においても同様
のことがいえる。
かくして、第１図、第２図に示すごとくなるエ
ツチング装置において、傾斜ノズル１３または１
５からエツチング液６を噴流させた場合、第６図
ａ−１に示すごとくエツチングが進行して堀り込
み部分１１ａが形成される。そして、従来のエツ
チング装置と同様に堀り込み部分１１ａの中央部
分の気泡１２ａはもちろん除去され、更に隅に付
着する気泡１２ｂも除去される。すなわち、第６
図ａ−２に示されるごとく、隅の気泡１２ｂに対
してはエツチング液６が矢印C′方向に噴流され
る。一方、チヤツク１６ａに取着した基板１１は
回転体１６によつて所定周期でもつて回動してい
るので、エツチング液６は、第６図ａ−１に示す
矢印C″方向にも噴流される。更に、第１図およ
び第２図に図示していないが、振動体の振動によ
つて隅の気泡１２ｂの除去は更に効果を増す。
ツチング装置において、傾斜ノズル１３または１
５からエツチング液６を噴流させた場合、第６図
ａ−１に示すごとくエツチングが進行して堀り込
み部分１１ａが形成される。そして、従来のエツ
チング装置と同様に堀り込み部分１１ａの中央部
分の気泡１２ａはもちろん除去され、更に隅に付
着する気泡１２ｂも除去される。すなわち、第６
図ａ−２に示されるごとく、隅の気泡１２ｂに対
してはエツチング液６が矢印C′方向に噴流され
る。一方、チヤツク１６ａに取着した基板１１は
回転体１６によつて所定周期でもつて回動してい
るので、エツチング液６は、第６図ａ−１に示す
矢印C″方向にも噴流される。更に、第１図およ
び第２図に図示していないが、振動体の振動によ
つて隅の気泡１２ｂの除去は更に効果を増す。
(ヘ) 考案の効果
以上説明したごとく本考案によれば、基板１１
の堀り込み部分１１ａに付着する中央部分の気泡
１２ａはもちろんのこと、隅の部分の気泡１２ｂ
も除去される。
の堀り込み部分１１ａに付着する中央部分の気泡
１２ａはもちろんのこと、隅の部分の気泡１２ｂ
も除去される。
例えばSiO2パターンを使用してSi基板の選択
的エツチングを行つた場合、30μmエツチング加
工で他の堀り込み部分と対比してその精度は±
1μm以内に納まつた。また、パターンなしの場合
には、30μmエツチング加工で±0.5μm以内の精
度が得られた。
的エツチングを行つた場合、30μmエツチング加
工で他の堀り込み部分と対比してその精度は±
1μm以内に納まつた。また、パターンなしの場合
には、30μmエツチング加工で±0.5μm以内の精
度が得られた。
よつて本考案にかかるエツチング装置は、実用
上極めて有用性の高いものである。
上極めて有用性の高いものである。
第１図は本考案にかかるものの一実施例を示す
縦断面図、第２図は本考案の他の実施例を示す縦
断面図、第３図ａは従来のエツチング装置の一例
を示す側面図、第３図ｂは第３図ａに示すＸ−
X′矢視方向断面図、第４図は従来の他の例を示
す縦断面図、第５図は基板の選択エツチングの一
部分を示す断面図、第６図ａ−１，ｂ−１，ｃ−
１はエツチング加工のときエツチング面に気泡が
付着した状態を示し、第６図ａ−２，ｂ−２，ｃ
−２は第６図に示す複数個の気泡のうち中央部分
に付着する一個を取り上げた断面図、第７図は気
泡によつて生ずるエツチングムラを示す断面図で
ある。 １，１１……被エツチング基板、６……エツチ
ング液、７……チヤツク、８，１６……回転体、
１３，１５……傾斜ノズル、１４……固定台、ｌ
……等距離、θ1〜3……傾斜角度。
縦断面図、第２図は本考案の他の実施例を示す縦
断面図、第３図ａは従来のエツチング装置の一例
を示す側面図、第３図ｂは第３図ａに示すＸ−
X′矢視方向断面図、第４図は従来の他の例を示
す縦断面図、第５図は基板の選択エツチングの一
部分を示す断面図、第６図ａ−１，ｂ−１，ｃ−
１はエツチング加工のときエツチング面に気泡が
付着した状態を示し、第６図ａ−２，ｂ−２，ｃ
−２は第６図に示す複数個の気泡のうち中央部分
に付着する一個を取り上げた断面図、第７図は気
泡によつて生ずるエツチングムラを示す断面図で
ある。 １，１１……被エツチング基板、６……エツチ
ング液、７……チヤツク、８，１６……回転体、
１３，１５……傾斜ノズル、１４……固定台、ｌ
……等距離、θ1〜3……傾斜角度。
Claims (1)
- エツチング液の噴流により被エツチング基板の
片面エツチングを行うエツチング装置において、
エツチング機構とエツチング機構を固定せしめる
固定台とから構成され、前記エツチング機構は、
前記被エツチング基板を取着せしめるチヤツクを
具備する回転体と、前記エツチング液が噴流する
噴出口が被エツチング基板の平面に対して等距離
で且つ噴流する流路が前記回転体の軸方向に対し
て斜め方向に傾斜し前記エツチング液が被エツチ
ング基板の全表面に対して斜め方向から噴流せし
める傾斜ノズルと、前記回転体または傾斜ノズル
のいずれか一方あるいは両者全体を振動せしめる
振動体のそれぞれからなり、前記エツチング機構
の回転体の軸方向を前記固定台の水平面に対して
垂直方向あるいは被エツチング基板表面でのエツ
チング液の噴流を防げないように傾斜せしめた方
向のいずれかの方向にすることを特徴とするエツ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985060409U JPH0143863Y2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985060409U JPH0143863Y2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177443U JPS61177443U (ja) | 1986-11-05 |
| JPH0143863Y2 true JPH0143863Y2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=30587730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985060409U Expired JPH0143863Y2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0143863Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101308352B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2013-09-17 | 주식회사 엘지실트론 | 매엽식 웨이퍼 에칭장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585342U (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | 富士通株式会社 | ウェハ−表面処理装置 |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP1985060409U patent/JPH0143863Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61177443U (ja) | 1986-11-05 |
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