JPH0143947B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は新規なレジストのストリツピング組成
物と、上記ストリツピング組成物を使用するレジ
ストのストリツピング方法に関する。より詳しく
はジメチルアセトアミド、又はジメチルホルムア
ミド又はそれらの混合物とテトラヒドロチオフエ
ン１，１―ジオキシド化合物を組合せて含み、ポ
リエチレングリコール及び／又はジエチレングリ
コールモノアルキルエーテルをも含み得る新規な
レジストストリツピング組成物、及び上記ストリ
ツピング組成物を有するストリツピングレジスト
に本発明は関するものである。 最新の技術は、模様が後にエツチングにより、
又は他の方法で基体材料に形成されるように、基
体上にリソグラフ（石版印刷）的に模様を描くた
めにポジチブレジスト材料を使用する。レジスト
材料はフイルムとして沈着させ、望む模様をレジ
ストフイルムをエネルギー照射に露出させること
によつて規定する。その後に露出した領域を適当
な展開液によつて溶解させる。模様をこのように
して基体上に決めた後、レジスト材料は後の操作
又は処理段階に悪影響を与えること又は防げるこ
とを避けるために基体から完全に除去されなくて
はならない。 その様なフオトリソグラフイー的方法に於ては
模様を描いた後に続いてフオトレジスト材料がそ
れ以後のリソグラフイー操作を行ないうるように
未露出領域のすべてから均一かつ完全に除かれる
ことが必要である。更に模様がつけられるべき区
域でのレジストの部分的な残存すら望ましくない
のである。また模様の線の間の望ましくないレジ
ストの残りは金属化などの後の工程に悪い影響を
及ぼし得るし、また望ましくない表面状態又は変
化を生じ得る。 これまで、レジスト材料は以下の一つ又はそれ
以上を含むストリツピング試薬によつて除かれて
きた。即ち、ハロゲン化炭化水素例えば塩化メチ
レン又はテトラクロロエチレン；アミン及びそれ
らの誘導体、例えばジメチルホルムアミド、Ｎ―
メチル―２―ピロリドン、ジエタノールアミン及
びトリエタノールアミン；グリコールエーテル類
例えばエチレングリコールモノエチルエーテル、
２―ブトキシエタノール、２―（２―ブトキシエ
トキシ）エタノール及びそのアセテート；ケトン
類例えばメチルエチルケトン、アセトン、メチル
イソブチルケトン、及びシクロヘキサノン、並び
にジオキサン、ナトリウムフエノラート、イソプ
ロピルアルコール、硫酸／硝酸混合物、過硫酸混
合物例えばカロ酸及び硫酸／過硫酸アンモニウ
ム、及び苛性ソーダーとフエノール誘導体の混合
物並びに種々の他の物質である。 しかしながら、これらの種々の材料には種々の
そして数多くの欠点及び不利な点がある。その様
なストリツピング試薬の各々の使用によつてわか
る１又はそれ以上の欠点のうち、次の様なことが
挙げられる。望ましくない易燃性、揮発性、臭い
及び毒性、すべてのレジストフイルムを除くこと
が不完全なこと、或るレジストフイルムのみにつ
き有効であること、レジスト材料以外の成分への
攻撃、例えばストリツピング試薬による金属基体
への攻撃、取扱いの安全性及びストリツパーの処
分の安全性、ある選ばれたレジストがストリツピ
ングされるとき特定の高温での使用が必要といつ
た望ましくないこと。更にストリツピング試薬の
限られたストリツピング能力は非常に決定的な欠
点である。それに加えて、多くのその様なストリ
ツピング剤は苛酷な後焼き操作に供されるレジス
ト材料に対しては十分に有効ではなく、そのため
それらの有用性が制限される。ストリツピング剤
のあるものでは水の存在は非常に害となる。更に
金属基体に対する試薬の不活性であることが要求
されるストリツピングの適要については取り扱い
中の毒性於び処理することの困難さが第１の欠点
である。 前に述べた不利な点及び欠点が除かれ、又は実
質的に減少し、ストリツピング組成物の有用な範
囲が非常にのばされた適当なフオトレジストスト
リツピング組成物が本発明の教えるところに従つ
て得られることがわかつた。新規なストリツピン
グ組成物は相乗的に強められたストリツピング作
用も示し、フオトレジストストリツパーとして単
独で使用される個々の成分の使用では可能でない
レジストストリツプ能力をも与える。本発明の新
規なストリツピング組成物は約30ないし約90重量
パーセントのジメチルアセトアミド又はジメチル
ホルムアミド又はそれらの混合物と約10ないし約
70重量パーセントのテトラヒドロチオフエン―
１，１―ジオキシド化合物の混合物からなる。 もしも上記基本の混合物に次の物質の一方又は
両方を加えれば更により効果的なストリツピング
組成物が得られる。即ち、約３〜約20重量パーセ
ントのポリエチレングリコール及び／又は約10な
いし約30重量パーセントのジエチレングリコール
モノアルキルエーテルである。本発明のストリツ
ピング組成物中に水が存在するのは害とはなら
ず、不適当な悪影響を生じることなく約０ないし
約10重量パーセントの量で存在することが出来
る。 本発明はまた基体表面からフオトレジスト物質
を除くためのその様なストリツピング組成物の使
用にも関するものである。 本発明のストリツピング組成物は約30〜約90重
量パーセント、好ましくは約45ないし約90重量パ
ーセント、より好ましくは約60〜約70重量パーセ
ント、そして最も好ましくは約70重量パーセント
のジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド
又はこれらの混合物、及び約10〜約70重量パーセ
ント、好ましくは約10〜約55重量パーセント、よ
り好ましくは約30〜約40重量パーセント、そして
最も好ましくは約30重量パーセントのテトラヒド
ロチオフエン―１，１―ジオキシド化合物の下記
一般式のものからなる。 （式中R¹は水素、メチル又はエチルである。） 本発明の組成物に使用するに適した上記式のテ
トラヒドロチオフエン―１，１―ジオキシドの例
として、例えばテトラヒドロチオフエン―１，１
―ジオキシド、メチルテトラヒドロチオフエン―
１，１―ジオキシド、及びエチルテトラヒドロチ
オフエン―１，１―ジオキシドが挙げられる。特
に好ましいのはテトラヒドロチオフエン―１，１
―ジオキシドである。 上記ストリツピング混合物に約３〜約20重量パ
ーセント、好ましくは約５〜約15重量パーセン
ト、そして最も好ましくは約６重量パーセントの
ポリエチレングリコールが加えられるときはより
一層効果的で望ましいストリツピング組成物が提
供される。別の効果的かつ望ましいストリツピン
グ組成物が、約10〜約30重量パーセント、好まし
くは約15〜約20重量パーセント、そして最も好ま
しくは約17重量パーセントのジエチレングリコー
ルモノアルキルエーテル、好ましくは２―（２―
エトキシエトキシ）エタノールをジメチルアセト
アミド又はジメチルホルムアミドとテトラヒドロ
チオフエン―１，１―ジオキシド化合物の混合物
に加えることによつて提供される。本発明の組成
物中に使用出来るジエチレングリコールモノアル
キルエーテルは式 HOCH₂CH₂−Ｏ−CH₂CH₂−Ｏ−R² （式中R²は炭素原子１〜４のアルキル）であ
るものである。その様な本発明組成物中に使用さ
れる化合物の例はジエチレングリコールのモノメ
チル―、モノエチル―、及びモノブチル―エーテ
ルである。特に好ましいのは２―（２―エトキシ
エトキシ）エタノールである。 本発明のもつと好ましいストリツピング組成物
は前に述べた物質のすべて四つともが前に述べた
重量パーセントで組成物中に存在するストリツピ
ング組成物からなる。 本発明の最も好ましいストリツピング組成物は
約51％のジメチルアセトアミド又はジメチルホル
ムアミド、約26％のテトラヒドロチオフエン―
１，１―ジオキシド、約17％の２―（２―エトキ
シエトキシ）エタノール及び約６％のポリエチレ
ングリコールの混合物からなる。 本発明の組成物には水がなくてもよいが、これ
は必須のことではなく、水は約10重量パーセント
までの量で存在することが出来る。 本発明の例示的なストリツピング組成物とし
て、次の表の組成物が挙げられる。

【表】 本発明の組成物中に任意の適当なポリエチレン
グリコールを使用することが出来るが、分子量約
200のポリエチレングリコールが好ましい。 本発明のストリツピング組成物は広いかつ種々
の範囲のポジチブフオトレジストをストリツピン
グするのに有効である。多くのポジチブフオトレ
ジストはオルソナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル又はアミドセンシタイザー又は光活性成
分とノボラツク、レゾール、ポリアクリルアミド
又はアクリル共重合体型結合剤又は樹脂からな
る。その様なポジチブフオトレジストはこの技術
で良く知られている。その様なレジスト及びセン
シタイザーは例えば米国特許第3046118，
3046121，3106465，3201239，3538137，3666473，
3934057，3984582，及び4007045に記されている。
本発明のストリツピング組成物を使用することの
出来るその様なポジチブフオトレジスト組成物の
例はイーストマン コダツク カンパニー フオ
トレジスト コダツク809；ジエーテイー ベー
カー ケミカル カンパニー フオトレジスト
PR―20；フイリツプ エー ハント ケミカル
コーポレーシヨン ウエイコート HPR104，
HPR106，HPR204，HPR206フオトレジスト；
シプレーカンパニー インコーポレーテツド フ
オトレジストAZ―1350，AZ―1350B，AZ―
1350H，AZ―1350J，AZ―1370，AZ―1450B，
AZ―1450J，AZ―1470，AZ―2400及びAZ―
111；ポリクローム コーポレーシヨン フオト
レジスト PC―129，PC―129SF及びPC―138；
フジ ケミカル インダストリーズカンパニー
フオトレジスト FPR―200；及びトーキヨー
オーカ コーギヨウ カンパニー リミテツド
フオトレジスト OFPR―800を挙げることが出
来る。 本発明のストリツピング組成物は約150℃で約
１時間後焼処理をする場合においてさえ、基体か
らフオトレジスト材料を完全に除くのに有効であ
る。 本発明のストリツピング組成物は数多くの理由
で特に有利であるが、なかでも次のことが挙げら
れる。ストリツピング組成物は基体を攻撃するこ
となしに金属及び他の基体からポジチブのフオト
レジスト材料を除く。これらの組成物は本質的に
無毒性で水混和性である。ストリツピング操作の
間の水の存在はストリツピング組成物の作用にと
つて害はない。フエノール系のストリツパーとは
違い、本発明の組成物は特別な取扱いを要せず、
通常の下水処理施設で容易に処分出来る。そのう
え、組成物の浴寿命及びストリツピング効果はお
おかた温度に依存しない。本発明のストリツピン
グ組成物の使用は単に後で脱イオン水ですすぐこ
とが要求されるだけだが、多くの先行技術のスト
リツピング剤は追加の有機溶媒の使用を必要とす
る。本発明のストリツプ組成物は約75℃又はそれ
以下で取り除くのが困難なポジチブフオトレジス
トを完全に除くが、いくつかの先行技術のストリ
ツピング剤は約95〜100℃の浴温度を必要とする。
またほとんどのポジチブフオトレジストは約１分
又はそれ以下で完全に取れるが、多くの市販スト
リツピング組成物にはストリツピング時間５〜20
分が勧められている。 本発明の組成物の個々の成分によつては有効か
つ完全には除くことが出来なかつたポジチブフオ
トレジスト材料を本発明のストリツピング組成物
によつて基体から効果的かつ完全に取り除くこと
が出来るということが予想外にも発見されたので
ある。 本発明のストリツピング組成物のストリツピン
グ作用の効果及び予想外の性質は次の表の中に
示されるデーターで説明される。 ウエハー基体は当技術で認められている手順で
ポジチブフオトレジスト材料が被覆され、約150
℃で約45分〜１時間後焼された。ストリツピング
浴を水浴で一定温度に保ち、後焼きした被覆ウエ
ハーを特定した時間間けつ的撹拌をしつつ定温の
ストリツピング組成物を含む600mlのビーカーに
浸漬し、その後ウエハーを除き、流れる脱イオン
水中ですすぎ、3000回／分でスピン乾操した。 ストリツピング能力はどんな残りでも存在する
かどうかを確かめるようにウエハーを調べること
によつて判断した。 表で指定した組成に対応する組成ＡないしＣ
と呼ぶ本発明の組成物を３つの一般に除くのが困
難なフオトレジスト、即ちシプレイのAZ―1350J
フオトレジスト、トーキヨー オカ コウギヨウ
カンパニー リミテツドのOFPR―800フオト
レジスト、及びフイリツプ エー ハント ケミ
カル コーポレーシヨンHPR204フオトレジスト
について単独成分のみについて得た結果と比較し
た。

【表】 上記実施例は単に説明のために与えられるもの
で本発明を制限するものとは考えない。 本発明のストリツピング組成物は基体上の未露
出フオトレジストにストリツピング組成物を種々
の手段、例えばストリツピング浴に浸漬させるか
又はストリツピング組成物を未露出フオトレジス
ト表面にスプレーすることによつて接触させるこ
とによりポジチブフオトレジストのストリツピン
グ剤として使用出来ることが考えられる。 基体からフオトレジスト材料をストリツピング
するための上記組成物の用途だけを説明したが、
本発明のストリツピング組成物は当業者にとつて
明らかである他の用途にも適していることが認め
られる。例えば反応又は硬化容器から重合体残留
物をストリツピングすることなど、又は表面から
例えばペンキやニス等の塗料をストリツピングす
ることなどである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
   ド、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる
   化合物約30〜約90重量パーセント、及び 式 （式中R¹は水素、メチル又はエチルからなる
   群から選ばれる）のテトラヒドロチオフエン―
   １，１―ジオキシド化合物約10〜約70重量パーセ
   ントを上記の両方の化合物の合計重量に対し含ん
   でいることを特徴とするストリツピング組成物。 ２ 約45〜約90重量パーセントのジメチルアセト
   アミド、ジメチルホルムアミド、及びそれらの混
   合物からなる群から選ばれる化合物と約10〜約55
   重量パーセントのテトラヒドロチオフエン―１，
   １―ジオキシドを上記の化合物の合計重量に対し
   て含んでいる第１項の組成物。 ３ 約70％のジメチルアセトアミドと30％のテト
   ラヒドロチオフエン―１，１―ジオキシドを上記
   の化合物の合計重量に対して含んでいる第２項の
   組成物。 ４ 約70％のジメチルホルムアミドと30％のテト
   ラヒドロチオフエン―１，１―ジオキシドを上記
   の化合物の合計重量に対して含んでいる第２項の
   組成物。 ５ 式 HOCH₂CH₂−Ｏ−CH₂CH₂−Ｏ−R² （式中R₂は炭素原子１〜４個のアルキル）の
   ジエチレングリコールモノアルキルエーテル約10
   ないし約30重量パーセントを全組成物重量に対し
   て含んでいる特許請求の範囲第１項の組成物。 ６ ２―（２―エトキシエトキシ）エタノールを
   約15ないし約30重量パーセント上記ジエチレング
   リコールモノアルキルエーテルとして組成物中に
   含んでいる第５項の組成物。 ７ ポリエチレングリコールを全組成物重量に対
   して約３〜約20重量パーセント含んでいる第１項
   の組成物。 ８ 約３〜約20重量パーセントのポリエチレング
   リコールを組成物中に含んでいる第６項の組成
   物。 ９ 約51％のジメチルアセトアミド、約26％のテ
   トラヒドロチオフエン―１，１―ジオキシド、約
   17％の２―（２―エトキシエトキシ）エタノール
   及び約６％のポリエチレングリコールからなる第
   ８項の組成物。 １０ 約50％のジメチルホルムアミド、約26％の
   テトラヒドロチオフエン―１，１―ジオキシド、
   約17％の２―（２―エトキシエトキシ）エタノー
   ル及び約６％のポリエチレングリコールからなる
   第８項の組成物。 １１ ポリエチレングリコールが約分子量200の
   ポリエチレングリコールである第７項の組成物。 １２ ポリエチレングリコールが約分子量200の
   ポリエチレングリコールである第８項の組成物。 １３ ポリエチレングリコールが約分子量200の
   ポリエチレングリコールである第９項の組成物。 １４ ポリエチレングリコールが約分子量200の
   ポリエチレングリコールである第１０項の組成
   物。