JPH0147009B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0147009B2 JPH0147009B2 JP59074690A JP7469084A JPH0147009B2 JP H0147009 B2 JPH0147009 B2 JP H0147009B2 JP 59074690 A JP59074690 A JP 59074690A JP 7469084 A JP7469084 A JP 7469084A JP H0147009 B2 JPH0147009 B2 JP H0147009B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- methacrylate
- sensitive material
- resist
- monomer group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体集積回路などのパタン形成にお
いて、微細かつ高精度なパタン形成を行なう方法
に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 半導体集積回路などのパタン形成は半導体基板
に光あるいは電子線などの高エネルギー線に感応
するレジストを塗布し、これに該高エネルギー線
を照射し、その後現象を行ないパタン形成する。
例えば、ポジ形レジストの場合、高エネルギー線
の照射によりレジストがエネルギーを吸収し、こ
れによつてレジストの主鎖あるいは側鎖の切断が
起つて分解し現像溶媒に可溶となる。このため、
現像後に高エネルギー線を照射した部分のレジス
トが除去されパタンが形成される。 パタンが微細化すると、光露光では回折現象に
より形成パタンの解像性が低下するため、電子線
やＸ線などの高エネルギー線が有利となる。しか
し、これらの高エネルギー線にも解像性を劣化さ
せる要因がある。第１図ａ，ｂ，ｃに電子線を用
いた従来のパタン形成方法について示す。第１図
ａにおいて、電子線１で基板３に塗布された感応
材料（レジスト２）を照射すると、レジストおよ
び基板内に進入した電子は分子や原子と衝突し、
後方散乱電子４となつて基板外に放出される。後
方散乱電子の飛程は電子線のエネルギーや基板の
密度によつて決るが、通常数ないし十数ミクロン
に及ぶ。この過程でレジストは後方散乱電子によ
り再び感応し、第１図ｂの点線で示したごとく、
レジスト分解領域は照射した電子線の寸法（ビー
ム寸法）よりも広い範囲に及ぶ。このようにレジ
スト中の電子線によつてもたらされる蓄積エネル
ギー量は、レジストの上層部程ビーム寸法からの
広がりが小さくビーム寸法を反映したものとな
る。現像工程では、レジストの上層部からレジス
トの溶解がすすむため現像溶媒が基板に到達した
時には、第１図ｃのごとくパタン幅はビーム寸法
に較べ大きく広がつてしまう。すなわち、レジス
トの上層部における蓄積エネルギー量はレジスト
の下層部に比して少ないが、現像溶媒に浸漬され
る時間が長く横方向にレジストの溶解がすすむ。
一方、レジストの下層部はレジスト中の蓄積エネ
ルギー量が大きく、レジストの溶解が急速に進行
するため溶解領域は短時間のうちに広がる。この
ことにより、ビーム寸法よりも広がつたレジスト
パタンが形成される。特に、パタン密度が高い場
合には隣接したパタン部を照射した時に発生する
後方散乱電子の作用によりパタンの解像性は著し
く低下するという欠点があつた。かかる事情はＸ
線露光における二次電子の発生がもたらす解像性
の低下、あるいは光露光における定在波の介在に
よるパタンエツジの不均一性など基板の影響によ
る解像性の劣化という観点からは共通した問題で
ある。 〔発明の目的〕 本発明は、電子線描画での後方散乱電子、Ｘ線
露光での二次電子および光露光での定在波の介在
による解像性や寸法精度の低下を除くため、レジ
ストの上層部に形成したパタンをレジストの下層
部に転写することを特徴としたもので、その目的
は所望の微細パタンを高精度に得ることにある。 〔発明の実施例〕 第２図ａ〜ｅは本発明の一実施例示す。第２図
ａに示すように、基板３に塗布した感応材料（レ
ジスト２）に電子線１で描画する。この時、照射
量は十分に少なく、例えば適正照射量の1/5〜1/1
０とする。これにより、該レジスト現像すると第
２図ｂに示したごとくレジスト２の上層部にビー
ム寸法を反映した凹形のパタンが形成される。該
パタンに第２図ｃに示すごとくレジスト２よりエ
ツチング速度の遅い材料５を塗布する。これに
は、レジストとのエツチング選択比の大きい材
料、例えばシロキサン樹脂やスピンオングラスな
どを用いる。これらの材料はスピンコータで手軽
に、しかも均一性よく塗布できるので非常にプロ
セスを簡略化できる。例えばシロキサン樹脂を塗
布した場合、CF4ガス雰囲気中でエツチングする
とシロキサン樹脂は均一にエツチングされる。エ
ツチング時間を適切に設定すると第２図ｄで示す
ように、レジストの上層部に形成したパタンの凹
部のほぼ中央までシロキサン樹脂はエツチングさ
れる。その後、異方性エツチング装置を用いて
O2ガス雰囲気中でエツチングすると第２図ｅに
示すようにシロキサン樹脂の下部以外のレジスト
はすべて除去され、シロキサン樹脂の下部にビー
ム寸法を反映したパタンが形成される。 本実施例でCF4ガスによるシロキサン樹脂のエ
ツチングをレジストの上層部に形成したパタンの
凹部の中央よりさらに深くすると、ビーム寸法よ
りも小さいパタン形成も可能である。また、後方
散乱電子の影響が少ないレジストの上層部に形成
したパタンを使用しているので、弧立パタンで
も、隣接したパタンでも同一条件で描画できる。
さらに、パタン形成のために必要となる照射量も
大幅に減るため生産性の向上にもつながる。 つぎに、本発明の具体的な実施例を示す。シリ
コンウエハ基板に膜厚1μmのポジ形レジスト、フ
エニールメタクリレート−メタクリル酸共重合体
（φ−MAC）を塗布し、200℃で一時間のプリベ
ークをする。この試料に0.2μm寸法の電子線
（30keV）を照射する。照射量は従来のパタン形
成法で必要となる照射量の約1/10の10μC／cm2と
した。これを１，４−ジオキサン25％とジイソブ
チルケトン75％の混合液に浸漬し現像すると電子
線照射部にビーム寸法を反映した深さ0.15μm〜
0.2μmの凹パタンが得られた。この上にシロキサ
ン樹脂をスピンコータにより膜厚0.6μm塗布する
と、試料表面は平坦となる。この試料を反応性イ
オンエツチング装置により、流量50sccmのCF4
ガスを流して、パワー密度0.3W／cm2で12分間エ
ツチングする。その結果、シロキサン樹脂はレジ
ストパタン凹部のほぼ中央までエツチングされ
た。その後、再び反応性イオンエツチング装置に
より流量50sccmのO2ガスを用いて、パワー密度
0.3W／cm2で10分間エツチングすると、シロキサ
ン樹脂の下部にアスペクト比の高いレジストパタ
ンが形成できた。この場合、シロキサン樹脂はほ
とんどエツチングされず、φ−MACのみがエツ
チングされる。得られたパタン寸法はビーム寸法
を極めて忠実に反映しており、0.05μm以下の寸
法精度であつた。第１図に示す従来の方法では、
後方散乱電子のため0.2μmものパタン寸法の広が
りがあるのに対して、、本方法では高精度なパタ
ン形成が可能であつた。 光露光を用いた実施例について示す。1μm幅の
パタンを有するマスクを介してポジ形レジスト
AZ1350Jに凹形パタン転写をした。光の照射量と
しては通常の約1/10の6mJ／cm2に設定した。光の
波長としてはｇライン（0.436μm）を用いた。こ
の試料に前述と同様にシロキサン樹脂をを塗布
し、反応性イオンエツチング装置によりシロキサ
ン樹脂をエツチングした。シロキサン樹脂のエツ
チング工程では少しオーバにエツチングし、レジ
ストに形成されている凹部の先端から約500Åの
ところまでシロキサン樹脂をエツチングした。こ
の試料について前述と同じ方法でレジストをエツ
チングした。その結果得られたパタン寸法はマス
ク寸法よりも小さい0.8μm幅のパタンであつた。
本方法では、付着材料のエツチング条件を制御す
ることにより、設計パタンより微細なパタンを形
成することが可能であつた。また、これらの実施
例では従来法の約1/10の照射量でパタン形成を行
つており、照射時間も大幅に短縮できた。 感応材料を変えた実施例を示す。シリコンウエ
ハに1μm膜厚のポリα，α−ジメチルベンジルメ
タクリレートからなる高分子膜を塗布する。これ
に20μC／cm2の電子線を照射すると該高分子膜の
表面に深さ0.2μmの凹パタンが形成される。これ
に、シロキサン樹脂を付着させ、前述の方法によ
つてシロキサン樹脂およびポリα，α−ジメチル
ベンジルメタクリレートからなる高分子膜のエツ
チングを行い、ビーム寸法と同じ1μmパタンを得
た。このような感応材料では、公知のように電子
線の照射により高分子の主鎖や側鎖の切断が起つ
て分解し、分子が蒸発するため、現像工程が省略
できパタン形成プロセスが簡略化できる。電子線
照射だけで高分子が分解し、現像液を用いる現像
をせずに凹状パタン形成が可能な材料としては上
記ポリα，α−ジメチルベンジルメタクリレート
以外に、M1モノマ群から選ばれるホモポリマま
たはコポリマまたはM1モノマ群とM2モノマ群の
組合せからなるコポリマを用いるもので、M1モ
ノマ群としてはα，α−ジメチルベンジルメタク
リレート、α−メチルベンジルメタクリレート、
ジフエニルメタクリレート、トリフエニルメタク
リレート、フエニルメタクリレートなどのアリー
ルメタクリレートおよび第三ブチルメタクリレー
ト、M2モノマ群としては、CH2＝Ｃ（CH3）
COORで表わされ、アルキル基またはハロアルキ
ル基Ｒが炭素数５以下であるアルキルメタクリレ
ートおよびハロアルキルメタクリレートを用いて
も、本発明の作用を実現できる。第一表は本実施
例と同じ作用が得られる感応材料の例を示したも
のである。深さ0.2μmの凹パタンを形成するのに
必要な照射量を示してある。これらは高エネルギ
ー線照射により感応材料の上層部のみに凹パタン
を形成すればよいため、材料選択の範囲も広い特
徴がある。
いて、微細かつ高精度なパタン形成を行なう方法
に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 半導体集積回路などのパタン形成は半導体基板
に光あるいは電子線などの高エネルギー線に感応
するレジストを塗布し、これに該高エネルギー線
を照射し、その後現象を行ないパタン形成する。
例えば、ポジ形レジストの場合、高エネルギー線
の照射によりレジストがエネルギーを吸収し、こ
れによつてレジストの主鎖あるいは側鎖の切断が
起つて分解し現像溶媒に可溶となる。このため、
現像後に高エネルギー線を照射した部分のレジス
トが除去されパタンが形成される。 パタンが微細化すると、光露光では回折現象に
より形成パタンの解像性が低下するため、電子線
やＸ線などの高エネルギー線が有利となる。しか
し、これらの高エネルギー線にも解像性を劣化さ
せる要因がある。第１図ａ，ｂ，ｃに電子線を用
いた従来のパタン形成方法について示す。第１図
ａにおいて、電子線１で基板３に塗布された感応
材料（レジスト２）を照射すると、レジストおよ
び基板内に進入した電子は分子や原子と衝突し、
後方散乱電子４となつて基板外に放出される。後
方散乱電子の飛程は電子線のエネルギーや基板の
密度によつて決るが、通常数ないし十数ミクロン
に及ぶ。この過程でレジストは後方散乱電子によ
り再び感応し、第１図ｂの点線で示したごとく、
レジスト分解領域は照射した電子線の寸法（ビー
ム寸法）よりも広い範囲に及ぶ。このようにレジ
スト中の電子線によつてもたらされる蓄積エネル
ギー量は、レジストの上層部程ビーム寸法からの
広がりが小さくビーム寸法を反映したものとな
る。現像工程では、レジストの上層部からレジス
トの溶解がすすむため現像溶媒が基板に到達した
時には、第１図ｃのごとくパタン幅はビーム寸法
に較べ大きく広がつてしまう。すなわち、レジス
トの上層部における蓄積エネルギー量はレジスト
の下層部に比して少ないが、現像溶媒に浸漬され
る時間が長く横方向にレジストの溶解がすすむ。
一方、レジストの下層部はレジスト中の蓄積エネ
ルギー量が大きく、レジストの溶解が急速に進行
するため溶解領域は短時間のうちに広がる。この
ことにより、ビーム寸法よりも広がつたレジスト
パタンが形成される。特に、パタン密度が高い場
合には隣接したパタン部を照射した時に発生する
後方散乱電子の作用によりパタンの解像性は著し
く低下するという欠点があつた。かかる事情はＸ
線露光における二次電子の発生がもたらす解像性
の低下、あるいは光露光における定在波の介在に
よるパタンエツジの不均一性など基板の影響によ
る解像性の劣化という観点からは共通した問題で
ある。 〔発明の目的〕 本発明は、電子線描画での後方散乱電子、Ｘ線
露光での二次電子および光露光での定在波の介在
による解像性や寸法精度の低下を除くため、レジ
ストの上層部に形成したパタンをレジストの下層
部に転写することを特徴としたもので、その目的
は所望の微細パタンを高精度に得ることにある。 〔発明の実施例〕 第２図ａ〜ｅは本発明の一実施例示す。第２図
ａに示すように、基板３に塗布した感応材料（レ
ジスト２）に電子線１で描画する。この時、照射
量は十分に少なく、例えば適正照射量の1/5〜1/1
０とする。これにより、該レジスト現像すると第
２図ｂに示したごとくレジスト２の上層部にビー
ム寸法を反映した凹形のパタンが形成される。該
パタンに第２図ｃに示すごとくレジスト２よりエ
ツチング速度の遅い材料５を塗布する。これに
は、レジストとのエツチング選択比の大きい材
料、例えばシロキサン樹脂やスピンオングラスな
どを用いる。これらの材料はスピンコータで手軽
に、しかも均一性よく塗布できるので非常にプロ
セスを簡略化できる。例えばシロキサン樹脂を塗
布した場合、CF4ガス雰囲気中でエツチングする
とシロキサン樹脂は均一にエツチングされる。エ
ツチング時間を適切に設定すると第２図ｄで示す
ように、レジストの上層部に形成したパタンの凹
部のほぼ中央までシロキサン樹脂はエツチングさ
れる。その後、異方性エツチング装置を用いて
O2ガス雰囲気中でエツチングすると第２図ｅに
示すようにシロキサン樹脂の下部以外のレジスト
はすべて除去され、シロキサン樹脂の下部にビー
ム寸法を反映したパタンが形成される。 本実施例でCF4ガスによるシロキサン樹脂のエ
ツチングをレジストの上層部に形成したパタンの
凹部の中央よりさらに深くすると、ビーム寸法よ
りも小さいパタン形成も可能である。また、後方
散乱電子の影響が少ないレジストの上層部に形成
したパタンを使用しているので、弧立パタンで
も、隣接したパタンでも同一条件で描画できる。
さらに、パタン形成のために必要となる照射量も
大幅に減るため生産性の向上にもつながる。 つぎに、本発明の具体的な実施例を示す。シリ
コンウエハ基板に膜厚1μmのポジ形レジスト、フ
エニールメタクリレート−メタクリル酸共重合体
（φ−MAC）を塗布し、200℃で一時間のプリベ
ークをする。この試料に0.2μm寸法の電子線
（30keV）を照射する。照射量は従来のパタン形
成法で必要となる照射量の約1/10の10μC／cm2と
した。これを１，４−ジオキサン25％とジイソブ
チルケトン75％の混合液に浸漬し現像すると電子
線照射部にビーム寸法を反映した深さ0.15μm〜
0.2μmの凹パタンが得られた。この上にシロキサ
ン樹脂をスピンコータにより膜厚0.6μm塗布する
と、試料表面は平坦となる。この試料を反応性イ
オンエツチング装置により、流量50sccmのCF4
ガスを流して、パワー密度0.3W／cm2で12分間エ
ツチングする。その結果、シロキサン樹脂はレジ
ストパタン凹部のほぼ中央までエツチングされ
た。その後、再び反応性イオンエツチング装置に
より流量50sccmのO2ガスを用いて、パワー密度
0.3W／cm2で10分間エツチングすると、シロキサ
ン樹脂の下部にアスペクト比の高いレジストパタ
ンが形成できた。この場合、シロキサン樹脂はほ
とんどエツチングされず、φ−MACのみがエツ
チングされる。得られたパタン寸法はビーム寸法
を極めて忠実に反映しており、0.05μm以下の寸
法精度であつた。第１図に示す従来の方法では、
後方散乱電子のため0.2μmものパタン寸法の広が
りがあるのに対して、、本方法では高精度なパタ
ン形成が可能であつた。 光露光を用いた実施例について示す。1μm幅の
パタンを有するマスクを介してポジ形レジスト
AZ1350Jに凹形パタン転写をした。光の照射量と
しては通常の約1/10の6mJ／cm2に設定した。光の
波長としてはｇライン（0.436μm）を用いた。こ
の試料に前述と同様にシロキサン樹脂をを塗布
し、反応性イオンエツチング装置によりシロキサ
ン樹脂をエツチングした。シロキサン樹脂のエツ
チング工程では少しオーバにエツチングし、レジ
ストに形成されている凹部の先端から約500Åの
ところまでシロキサン樹脂をエツチングした。こ
の試料について前述と同じ方法でレジストをエツ
チングした。その結果得られたパタン寸法はマス
ク寸法よりも小さい0.8μm幅のパタンであつた。
本方法では、付着材料のエツチング条件を制御す
ることにより、設計パタンより微細なパタンを形
成することが可能であつた。また、これらの実施
例では従来法の約1/10の照射量でパタン形成を行
つており、照射時間も大幅に短縮できた。 感応材料を変えた実施例を示す。シリコンウエ
ハに1μm膜厚のポリα，α−ジメチルベンジルメ
タクリレートからなる高分子膜を塗布する。これ
に20μC／cm2の電子線を照射すると該高分子膜の
表面に深さ0.2μmの凹パタンが形成される。これ
に、シロキサン樹脂を付着させ、前述の方法によ
つてシロキサン樹脂およびポリα，α−ジメチル
ベンジルメタクリレートからなる高分子膜のエツ
チングを行い、ビーム寸法と同じ1μmパタンを得
た。このような感応材料では、公知のように電子
線の照射により高分子の主鎖や側鎖の切断が起つ
て分解し、分子が蒸発するため、現像工程が省略
できパタン形成プロセスが簡略化できる。電子線
照射だけで高分子が分解し、現像液を用いる現像
をせずに凹状パタン形成が可能な材料としては上
記ポリα，α−ジメチルベンジルメタクリレート
以外に、M1モノマ群から選ばれるホモポリマま
たはコポリマまたはM1モノマ群とM2モノマ群の
組合せからなるコポリマを用いるもので、M1モ
ノマ群としてはα，α−ジメチルベンジルメタク
リレート、α−メチルベンジルメタクリレート、
ジフエニルメタクリレート、トリフエニルメタク
リレート、フエニルメタクリレートなどのアリー
ルメタクリレートおよび第三ブチルメタクリレー
ト、M2モノマ群としては、CH2＝Ｃ（CH3）
COORで表わされ、アルキル基またはハロアルキ
ル基Ｒが炭素数５以下であるアルキルメタクリレ
ートおよびハロアルキルメタクリレートを用いて
も、本発明の作用を実現できる。第一表は本実施
例と同じ作用が得られる感応材料の例を示したも
のである。深さ0.2μmの凹パタンを形成するのに
必要な照射量を示してある。これらは高エネルギ
ー線照射により感応材料の上層部のみに凹パタン
を形成すればよいため、材料選択の範囲も広い特
徴がある。
以上説明したように本発明は、レジストの上層
部に形成されたパタンをレジストの下層部に転写
するので電子線描画での後方散乱電子、Ｘ線露光
での二次電子および光露光での定在波などの影響
が軽減でき、設計パタンに忠実なパタン形成が可
能となる利点がある。また、照射量を大幅に減少
することができるため、パタン形成時間が短縮で
きる利点がある。
部に形成されたパタンをレジストの下層部に転写
するので電子線描画での後方散乱電子、Ｘ線露光
での二次電子および光露光での定在波などの影響
が軽減でき、設計パタンに忠実なパタン形成が可
能となる利点がある。また、照射量を大幅に減少
することができるため、パタン形成時間が短縮で
きる利点がある。
第１図は従来のパタン形成方法の説明図、第２
図は本発明の一実施例を示すパタン形成工程図で
ある。 １…電子線、２…レジスト、３…基板、４…後
方散乱電子、５…感応材料とはエツチング速度の
異なる付着材料。
図は本発明の一実施例を示すパタン形成工程図で
ある。 １…電子線、２…レジスト、３…基板、４…後
方散乱電子、５…感応材料とはエツチング速度の
異なる付着材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光．電子線．Ｘ線もしくはイオンビームなど
の高エネルギー線を用いて、パタンを形成する方
法において、該高エネルギー線を、これに感応す
る感応材料に照射して、感応材料の上層部に凹状
のパタン形成を行い、該パタン形成部に該感応材
料とのエツチング選択比がとれる材料を付着せし
めて上記感応材料表層部全体を平坦化し、該付着
材料を均一にエツチングした後、上記凹部に残存
する該付着材料をマスクとして該感応材料の下層
部に該マスクパタンを転写することを特徴とする
パタン形成方法。 ２ 上記感応材料としてポジ形レジストを使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
パタン形成方法。 ３ 上記付着材料としてシリコンまたはシリコン
化合物を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のパタン形成方法。 ４ 上記感応材料として、高エネルギー線の照射
だけで、現像液を用いる現像をせずに凹状パタン
が形成できるM1モノマ群から選ばれるホモポリ
マまたはコポリマまたはM1モノマ群とM2モノマ
群の組合せからなるコポリマを用いるもので、
M1モノマ群としてはα，α−ジメチルベンジル
メタクリレート、α−メチルベンジルメタクリレ
ート、ジフエニルメタクリレート、トリフエニル
メタクリレート、フエニルメタクリレートなどの
アリールメタクリレートおよび第三ブチルメタク
リレート、M2モノマ群としては、CH2＝Ｃ
（CH3）COORで表わされ、アルキル基またはハ
ロアルキル基Ｒが炭素数５以下であるアルキルメ
タクリレートおよびハロアルキルメタクリレート
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のパタン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074690A JPS60218843A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | パタン形成方法 |
| US06/721,306 US4634645A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-09 | Method of forming resist micropattern |
| CA000478690A CA1264596A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-10 | Method of forming resist micropattern |
| EP85104417A EP0158357B1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-11 | Method of forming resist micropattern |
| DE8585104417T DE3581822D1 (de) | 1984-04-13 | 1985-04-11 | Verfahren zur herstellung von mikroschutzlack-bildern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074690A JPS60218843A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | パタン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218843A JPS60218843A (ja) | 1985-11-01 |
| JPH0147009B2 true JPH0147009B2 (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13554462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074690A Granted JPS60218843A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218843A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136307A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 低吸湿性メタクリル系樹脂 |
| JPS6450425A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Toshiba Corp | Formation of fine pattern |
| JP5655443B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2015-01-21 | 住友電気工業株式会社 | 無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155929A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59074690A patent/JPS60218843A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60218843A (ja) | 1985-11-01 |
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