JPH0149699B2 - - Google Patents

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JPH0149699B2
JPH0149699B2 JP21826688A JP21826688A JPH0149699B2 JP H0149699 B2 JPH0149699 B2 JP H0149699B2 JP 21826688 A JP21826688 A JP 21826688A JP 21826688 A JP21826688 A JP 21826688A JP H0149699 B2 JPH0149699 B2 JP H0149699B2
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JP
Japan
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general formula
represented
phthalic acid
acid monoamide
formula
Prior art date
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JP21826688A
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English (en)
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JPS6485955A (en
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Hiroyasu Koyama
Masahiro Tsuji
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Nisshin Seifun Group Inc
Original Assignee
Nisshin Seifun Group Inc
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Publication date
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式 (式中、Rは低級アルキル基を示し、R′はア
ルキル基を示す)で表わされるフタル酸モノアミ
ド誘導体ジアルキルエステルおよびその製法に関
する。
本発明により得られる一般式()で表わされ
る化合物は医薬品の製造中間体として有用な物質
である。例えば狭心症および抗不整脈の治療剤と
して優れた作用をもつ次式 (式中、RおよびR′は前記と同じである)で
表わされるイソカルボスチリル誘導体は本発明方
法により得られる一般式()で表わされる化合
物を原料として下記の製造工程に従つて製造する
ことができる(「J.Heterocyclic Chem.」第7巻
第1057頁(1970)および特公昭53−41673号明細
書参照)。
(式中、RおよびR′は前記と同じである) すなわち、まず一般式()で表わされる原料
化合物にメタノール中でナトリウムメチラートを
反応させて一般式()で表わされる4−ヒドロ
キシイソカルボスチリル誘導体のナトリウム塩と
する。次いで得られた前記ナトリウム塩を水/メ
タノールの混合溶媒中で塩酸と共に加熱還流して
一般式()で表わされる4−ヒドロキシ−2−
低級アルキルイソカルボスチリルが得られる。こ
のようにして得られた一般式()で表わされる
4−ヒドロキシ−2−低級アルキルイソカルボス
チリルを常法により処理すると一般式()で表
わされるイソカルボスチリル誘導体を製造するこ
とができる。
従来、前記一般式()で表わされるフタル酸
モノアミド誘導体ジアルキルエステルの合成法と
してはフタル酸モノメチルエステルを塩化オキザ
リルと反応させて酸クロライドとし、次にこれを
サルコシンメチルエステル塩酸塩とトリエチルア
ミンの存在下に反応させてフタル酸モノアミド誘
導体のジメチルエステルを製造している(「J.
Heterocyclic Chem.」第7巻第1057頁(1970)
参照)。しかしながら、この方法は原料の塩化オ
キザリルおよび中間体の塩クロライドが湿気に対
して非常に不安定で工業的に扱いにくく、しかも
過剰に使用した塩化オキザリルの処理が煩雑であ
り、また塩化オキザリルと反応させる際に一酸化
炭素および塩化水素の有毒ガスが発生するために
公害処理装置等を必要とするという欠点があつ
た。さらにこの方法は前記文献によると収率も低
いものである。ちなみに、文献方法によつて得ら
れた前記一般式()で表わされるフタル酸モノ
アミド誘導体のジメチルエステルを単離せずに更
にナトリウムメチラートと反応させて前記一般式
()で表わされる4−ヒドロキシイソカルボス
チリル誘導体のナトリウム塩として単離した際の
通算収率は70%にすぎない。
本発明者は、このような従来法における欠点を
解決すべく種々検討の結果、有毒ガスの発生がな
く、操作が容易でしかも高収率を与えうる製造方
法を完成するに至つた。
すなわち本発明によれば、一般式 RNHCH2COOH () (式中Rは前記と同じである)で表わされるN
−アルキルグリシンを無水フタル酸と反応させて
一般式 (式中Rは前記と同じである)で表わされるフ
タル酸モノアミド誘導体となし、次いで得られた
フタル酸モノアミド誘導体を塩基の存在下にアル
キル化剤でエステル化することよりなる、一般式 (式中RおよびR′は前記と同じである)で表
わされるフタル酸モノアミド誘導体のジアルキル
エステルの製造が提供される。
前記一般式()で表わされるN−アルキルグ
リシンと無水フタル酸との反応は通常両者を等モ
ルかまたは一方をやや過剰に用いて溶媒の存在下
または不存在下に撹拌しながら行なう。使用され
る触媒としては例えばアセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド等のアミド類、メタノール、
エタノール等のアルコール類、あるいは前記溶媒
と水との混合溶媒が挙げられる。反応温度として
は、室温から溶媒の沸点近くでよく、好ましくは
40〜60℃である。反応時間は反応温度により異な
るが、数十分から数時間である。このようにして
得られる前記一般式()で表わされるフタル酸
モノアミド誘導体は高純度を有するので何ら精製
操作を行なわずそのまま次の反応に用いることが
できる。次に行なわれる前記一般式()で表わ
されるフタル酸モノアミド誘導体のエステル化反
応は前反応液をそのままかまたは適当な溶媒で希
釈して塩基の存在下にジアルキル硫酸、ハロゲン
化アルキル、スルホン酸アルキルまたはリン酸ト
リアルキル等のアルキル化剤と充分撹拌しつつ反
応させる。塩基としてはアルカリ金属またはアル
カリ土類金属の水酸化物、炭酸塩あるいは炭酸水
素塩等が好ましい。より具体的にアルキル化剤と
してジアルキル硫酸を使用した場合について詳述
すると、ジアルキル硫酸の量はカルボキシル基1
個に対して等モル以上、通常1.2〜1.4倍モルを用
いる。溶媒に水またはアルコールが含まれる場合
はアルキル化剤を増量する必要がある。反応は室
温ないし溶媒の沸点近くの温度好ましくは50〜
100℃で行なう。塩基としては例えば水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等を使用
し、その量はジアルキル硫酸と等モルまたは小過
剰とする。反応時間は数時間から十数時間であ
る。反応終了後、過剰のジアルキル硫酸が残存し
ている場合は、適当量の水を加えて加熱撹拌する
ことにより分解し、溶媒を減圧下に留去した後、
常法により抽出処理を行なう。抽出物は通常充分
な純度を有するのでそのまま次の反応原料に用い
ることができる。このようにして得られた一般式
()で表わされるフタル酸モノアミド誘導体の
ジアルキルエステルよりなる抽出物から、例えば
既知の方法に従つて前記一般式()で表わされ
る4−ヒドロキシイソカルボスチリル誘導体のナ
トリウム塩を製造することができる。すなわち、
油状の前記抽出物をメタノール等のアルコール溶
媒に溶解し、還流撹拌下に前記抽出物のジアルキ
ルエステルと等モル量またはやや過剰量のナトリ
ウムアルコラートを5〜10分かけて加え、更に2
〜5分反応させた後直ちに冷却し、析出した結果
を別する。
本発明方法は、従来法と比較して出発原料の前
記一般式()で表わされるN−アルキルグリシ
ンより前記一般式()で表わされるフタル酸モ
ノアミド誘導体のジアルキルエステルを中間体で
ある前記一般式()で表わされるフタル酸モノ
アミド誘導体を単離することなく一釜(ワン・ポ
ツト)で反応を行なうことができるために工業的
に有利であり、また出発原料のN−アルキルグリ
シンより前記一般式()で表わされる4−ヒド
ロキシイソカルボスチリル誘導体のナトリウム塩
までの通算収率で10〜15%高い等の利点を有して
いる。
次に本発明を実施例により説明するが本発明は
これに限定されるものではない。
参考例 無水フタル酸7.0g、サルコシン4gおよびアセト
ン16mlを53〜56℃で2時間撹拌する。分析を行な
うために得られた反応液を放冷し、析出した結晶
を別し、少量のアセトンで洗うとN−(o−カ
ルボキシ)ベンゾイルサルコシンが得られた。融
点124℃ IR ν max (Nujol) 1715,1645cm-1
実施例 1 無水フタル酸10.5g、サルコシン6gおよびアセ
トン24mlを50〜55℃で2時間撹拌する。次いで得
られた反応液にジメチル硫酸17.9ml、炭酸カリウ
ム(無水)26gおよびアセトン80mlを加えて4.5時
間還流撹拌する。次に水30mlを加えそして約50℃
で2時間撹拌する。次いでアセトンを減圧下に留
去し、析出した油状物を酢酸エチルで3回抽出す
る。抽出液を飽和食塩水で洗つた後、減圧下に溶
媒を留去するとN−(o−メトキシカルボニル)
ベンゾイルサルコシンメチルエステルの油状残渣
17.5gが得られた。
IR ν max (film) 1740,1720,1640cm
-1
このようにして得られた油状残渣17.5gをメタ
ノール50mlに加熱溶解させ、そして還流撹拌下に
28%ナトリウムメチラート−メタノール溶液14g
を約5分間で滴下した。更に2分間還流撹拌し
た。直ちに氷冷し、析出した黄色結晶を別し、
少量の氷冷メタノールで洗つた後、真空乾燥し
た。高純度の4−ヒドロキシ−3−メトキシカル
ボニル−2−メチルイソカルボスチリルナトリウ
ム塩14.5g(84%)を得た。このものの赤外線吸収
スペクトルおよび核磁気共鳴吸収スペクトルは標
準品のそれとよく一致した。
IR ν max (Nujol) 1690、1605cm-1
NMR(D2O)δ3.5(s,3H,N−CH3)、4.0
(s,3H,O−CH3)、7.3〜8.2(m,4H、ベンゼ
ン環上のH)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Rは低級アルキル基を示しそして
    R′はアルキル基を示す)で表わされるフタル酸
    モノアミド誘導体ジアルキルエステル。 2 一般式 RNHCH2COOH (式中、Rは低級アルキル基を示す)で表わさ
    れるN−アルキルグリシンを無水フタル酸と反応
    させて一般式 (式中、Rは前記と同じである)で表わされる
    フタル酸モノアミド誘導体となし、次いで得られ
    た前記フタル酸モノアミド誘導体を塩基の存在下
    にアルキル化剤でエステル化することを特徴とす
    る、一般式 (式中、Rは前記と同じでありそしてR′はア
    ルキル基を示す)で表わされるフタル酸モノアミ
    ド誘導体ジアルキルエステルの製法。
JP21826688A 1988-09-02 1988-09-02 Dialkyl ester of phthalic acid monoamide derivative and production thereof Granted JPS6485955A (en)

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JPS6485955A JPS6485955A (en) 1989-03-30
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