JPH01503002A - 硬取付け用ストレス分離を有する圧力変換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 硬取付は用ストレス分離を有する圧力変換器発明の背景 １、発明の分野 この発明は、支持面上においてストレスまたはひずみによって影響されることな しに、偏向ダイアフラムタイプのセンサーを、支持面と物理的に接触して取付け ることのできるストレス分離取付は部を有する圧力変換器に関する。

２、先行技術の説明 先行技術においては、圧力を感知するための偏向ダイアフラムを有し、バッチ処 理で形成することができるセンサーを使用する種々のソリッドステート（固体） 圧力変換器が改善されてきた。半導体材料のような比較的剛性の材料でソリッド ステートセンサーが製造され、しかもそれらが、支持面上に非弾性的に取付けら れる取付は面を有することを意味する“硬取付け°をされていることが望ましい 。

センサーに対して影響を与えるばかりでなく、さらには測定ダイアフラムにも望 ましくないストレスを引き起す、支持表面内の外部ひずみをできる限り少くする に当っては、多くの困難性があった。

バッチ製造技術は、先行技術においても開示されてきており、半導体圧力変換器 組立体（アセンブリ）を作るのに望ましいものである。バッチ製造技術を使用す るストレス分離部材の製造は、価格を安くし、より良い結果を保証する。

発明の要約 この発明は、変形を受ける支持面に非弾性的に、すなわち“硬取付け”された圧 力変換器に関する。この圧力変換器は、ストレス分離層を有し、このストレス分 離層はダイアフラムを支持し、かつストレス分離層が取付けられている支持面上 のストレスで誘起されたひずみによって影響されない基準位置にダイアフラムを 保持する。ひずみ分離層は、硬取付けされたセンサーにおいて、センサー出力と して通常あられれる支持面のストレスまたはひずみによる誤差の量を減じ、この ようにして、感知されている圧力に直接に関係する、より正確な出力を与える。

種々の形態の変換器が利用できるが、すべての場合、細くて、ストレス分離層上 に一体的に形成されたネックと、周囲のリムとが使用されている。ストレス分離 層は、支持面に直かにセンサーを硬取付けするために用いられる取付は面を有す る。“板ばね°部分は、取付は面と、その上にダイアフラムが支持される本体と の間のストレス分離エレメントを構成する。

ストレス分離層は、ネックをリムからひずみ的に分離するためのひずみ分離スロ ットすなわち溝を備えることができる。

ダイアフラムを支持する本体はストレス分離層に直接に取付けてもよく、または 偏向（振れ）に抵抗する剛性ベース層がストレス分離層上に取付けられてから、 ダイアフラムを支持する本体がその剛性ベース層に取付けられてもよい。

感知ダイアフラムにはまた、感知ダイアフラムの一方の側に、室の排気ができる ようなカバーカップが備えられることができる。そして、ダイアフラムの前記の 側には基準圧力が与えられる。カップのベース壁は内側にくぼむことができ、こ れによって真空が基準圧力室内に維持されていることを示す。

感知ダイアフラム上の感知エレメントは、公知の方法で感知ダイアフラム上の適 当な位置に形成された後、同様に公知である適当な回路に接続されたストレンゲ ージ抵抗とすることもできる。その代りに、ダイアフラムがキャパシター板より なり、このキャパシター板が第２のキャパシター板から間隔をおいて配置され、 ダイアフラムの偏向（振れ）の関数として容量性出力を与えるものであってもよ い。

図面の簡単な説明 第１図は代表的シリコンウェーハーの部分図であり、その上にバッチ製造された ストレス分離層の輪郭を示す平面図である。

第２図は第１図の線２−２に沿った断面図である。

第３図は分離層上に取付けられた、分離層の外部形態に調和する感知ダイアフラ ム本体を有するセンサーの部分断面図である。

第４図は変更を加えられたストレス分離層上に取付けられたセンサーの変形例を 示す、センサー組立体の断面図である。

第５図は、第４図とは上下を逆にし、この発明によって作られたストレス分離層 を用いる、更に他の変形例を示すセンサーの断面図である。

第６図はこの発明のストレス分離層を利用するセンサーのさらに別の変形を含み 、圧力マニフォルド上に取付けたセンサーの代表的応用を示す変換器組立体の断 面図である。

第７図は分離溝を含む代表的なストレス分離層の底面図である。

第８図は第７図に示すストレス分離層を利用するセンサーの断面図である。

な分離溝を有するストレス分離層の底面図である。

第１０図は、センサーを形成するように所定位置に取付けられた感知ダイアフラ ム本体を有し、第９図に示されたストレス分離層の中心を通して見た断面図であ る。

好ましい実施例の詳細な説明 この発明のストレス分離層はバッチ製造技術を利用して作られる。シリコンウェ ーハーまたは層はストレス分離の特徴を形成するように、従来の方法でエツチン グされ、それから適当な材料の付加的層と共にサンドイッチ構造にしてセンサー を形成する。ウェーハーまたは層形成後にそれらは個々のセンサーに切り分けら れる。このようなバッチ製造技術が、一般には望ましい。

現在知られている処理技術は、ガラスや金属および、シリコンや他の適当な半導 体の様な半導体を、陽極ボンディングによるか、またはガラスフリットを有する 材料を用いるかのいずれかで一体に接合する能力を含んでいる。適当なエポキ高 性能センサーを作るのに好ましい。材料層の接着を論するに当り、特定形態の接 着に言及する必要は必ずしもなく、上記の公知形態のものが含まれている。

さらにミダイアフラムの縁の周りに一体的なリムをつけて、シリコンウェーハー 内に、より薄いダイアフラムを形成することは、よく知られたエツチング技術を 必要とする。

エツチングまたはその他の既知の技術によって、このようなウェーハーに開口お よび開口部の周りのネック部を形成することは、技術水準内で十分可能なことで ある。

第１図には、シリコンウェーハー１０が断片的に示されている。ストレス分離層 １５の外部輪郭は周囲線１１で定められる。周囲線１１は、センサーを作るため に、必要な層に仕上げられた後に、分離層がウェーハーから切り出される場所を 示している。この正方形は、バッチ処理法において、種々の圧力センサーに使用 される外形である。第１および第２図に示す分離層は、例えば符号１６の部分で 、１つの面をエツチングされ、中心から外側の周囲支持リム１８へひろがるうす い板ばね部分１７を形成する。

中心ポストすなわち突起１９が、第２図に示すように、層の下側に設けられてお り、大多数の用途の場合に、分離層１５の反対側にある凹部１６にそれを通して 圧力がかかるのを可能とする開口２０（第１図に、点線で示す）を有するもので ある。第２図、第３図には開口２０は示してないが、その他の図には示されてい る。

ポスト１９と凹部１６を形成し、さらにうすい板ばね部１７を形成するエツチン グ技術はよく知られているところである。

簡単な圧力センサーは、分離層１５（開口２０なしで）と、支持面２６上に分離 層１５を支持するための取付はポスト１９とを利用することにより、第３図に符 号２５で示すように形成される。ポスト１９の端の取付は面１９Ａは支持面２６ に接着される。圧力センサー２５を形成するのに、ダイアフラム組立体すなわち 本体２７が、符号２８で示すようにリム１８に接着される。

ダイアフラム組立体２７は、リム１８と一線にならぶ外側リム部分３０上に縁が 支持されている、うすい中心偏向ダイアフラム部分２９を有する。うすいダイア フラム部分２９は、図示のように、その表面上に（拡散、蒸着、エツチングその 他のような半導体処理技術によって）形成されたピエゾ抵抗ストレンゲージ抵抗 ３２を有し、適当な接点およびリード線３３および３４を抵抗３２から取り出す ことができる。

これらリード線は、ダイアフラム２９の基準位置に対する振れを判定するための 適当な回路に接続される。この振れは、ダイアフラム部分に形成された抵抗３２ の抵抗値に変化を引き起す。さらにダイアフラムアセンブリ２７は、薄いダイア フラム部分２９および周囲リム３０を形成するために、選定した場所でシリコン 、水晶、サファイアまたはその他の適当な材料をエツチングして形成される。こ れらの層は線１１に沿ってセンサーを切取る前に一体に接着される。

ポストすなわち突起１９には、第３図に示すように、そこを貫通する開口はない 。したがって、凹部１６とダイアフラム部分２９に向って開いている凹部によっ て形成される内室３５は、排気されてダイアフラム２９の一側に基準圧力を与え ることができる。ダイアフラム部２９は、第３図に示すように、その上表面には たらく圧力または力（支持された負荷のような）を感知できる。

板ばね部１７はストレス分離をする単一板ばね型スプリング（実際には、ベルヴ イル：　Ｂｅ１ｌｅｖｉｌｌｅ　ニスプリングに似ている）を形成するので、ハ ウジング壁等であることのできる支持面２６の中のストレスはダイアフラム組立 体に伝達されず、かえってむしろダイアフラム組立体は面２６内のひずみによっ て誘導される負荷から絶縁されることになるであろう。

ここに用いられる“ひずみ”とは、もしも層１５の全下面が面２６上に接触して そこに支持されている場合に、層１５に取付けられたセンサーのダイアフラムの ストレスに変化を招来するような、支持面２６の外部負荷により誘導された運動 を意味する。

突起またはネック１９はさらに、ストレスからダイアフラムを絶縁するのに役立 ち、板ばね部１７はさらにこういう絶縁を助ける。ダイアフラム組立体２７は、 その縁で支持された一体構成のダイアフラムを有する本体部を形成する。そして 出力は、ストレンゲージ抵抗３２．３２で感知されるような、ダイアフラムの振 れの関数として変化する。

第４図は、同様に分離層１５を利用するセンサー変形例を示す。この変形例に示 すように、センサー組立体４０は中間剛性ベース層４１に接着された分離層１５ を有する。この層４１は、ガラス製でもよい。発明のこの形態においては、ポス ト１９は貫通口２０を有し、圧力開口４２が支持部体４３に設けられている。ポ スト１９は支持部体４３の支持面に固定的に、かつ非弾性的に取付けられている 。

分離層１５のリム部分１８はベース層４１に接着される。

ベース層４１には貫通開口４４がある。符号２５で示した組立体と実際上同一構 成であるダイアフラム組立体４５が、ベース層４１の上表面に接着され、前記ダ イアフラム組立体４５は周囲リム４８と一体に形成されているうすいダイアフラ ム部分４７上に形成されたストレンゲージ抵抗４６．４６を有する。ダイアフラ ム部分４７は、開口４２．２０および４４を通って入って来た圧力の下で振れる （偏向する）のに十分な、薄い部分を有する。

適当なリード線４９がこのダイアフラム組立体４５に付けてあり、感知回路に信 号を送る。

ストレス分離層１５は、ポストすなわち突起１９および、支持面４３内のひずみ が取付けられたセンサー組立体の振れを引き起させる時に振れる板ばね部１７を 備えている。リム１８に取付けられた剛性ベース層４１は、その周辺近くに分離 層１５を支持することにより、分離層１５を剛性化する傾向を有し、さらに外部 ストレスがダイアフラム４７に伝えられないことを保証する。

開口４２．２０および４４を通してダイアフラム４７に作用する圧力はダイアフ ラムを振れさせる。この振れはひずみ感知抵抗４６に変化を生じさせてセンサー 出力を発生させる。

第５図は更に別の変形例であるセンサーを示す。第５図において、ストレス分離 層１５は、第４図に示した分離層を上下ひっくり返したものであり、ストレス分 離層のリム部分１８は、感知されるべき圧力の通路のための貫通口５１をも有す る支持面５０に接着された取付は面を構成する表面を有する。

分離層１５のリム１８は周辺支持を形成し、板ばね部分１７は支持面５１から一 定間隔をおいて配置されると共に、リム１８を介して支持面５０に対して支持さ れている。ポストすなわち突起１９は貫通口２０を有しており、第５図に示すよ うに上方にのびていると共に、剛性ベース層５４はポスト１９の外部端取付は面 １９Ａに接着されている。ベース層５４はガラスでもよく、感知されるべき圧力 用の中心開口５５を有する。

ダイアフラム組立体４５および２５と本質的に類似に構成されたダイアフラム組 立体５６はベース層５４に接着された外部リム５７を有する。偏向ダイアフラム 部５８は、適当な技術を用いてリム５７と一体に形成された薄い部分である。

符号６０のような適切なリード線が偏向感知ストレンゲージを適切な回路に接続 する。

この発明のこの実施形態においては、偏向ダイアフラム部分５８は、選択的にそ の上に取付けられた表示カップ６１を備えている。表示カップ６１は周囲壁６２ および、比較的薄くて圧力印加時に振れる中心すなわちベース壁６３を有する。

周囲壁６２の縁が、例えば６２Ａでダイアフラム組立体５６の表面に接着された 時、カップ６１は密封室６３Ａを形成する。

カップが真空中で所定位置に接着されると、カップ６１の上方のベース壁６３は 、第５図に点線で誇張して示しであるように、大気圧によって下方に振られるこ とになり、ベース６３の底面に形成され、かつ壁６２で囲まれた室６２Ａに真空 が存在することを表示する。この真空表示カップ６１は、ダイアフラムのリム５ ７上の壁６３により支持されるので、センサー組立体をさらに剛性化する偏向を 有する、別個の部材である。これは更に、ダイアフラムのストレス分離を助長す る。

基準圧力もまた室６３Ａに確立され、偏向ダイアフラム部５８の取り囲まれた表 面に作用するので、リム５７によって取囲まれ、ベース層５４に関連して形成さ れた感知室６６内の任意の圧力が、基準圧力に関して感知されることになる。

ベース６３がくぼんでいる（ｉｎｄｅｎｔｅｄ）ことが判る時には、基準圧力が 存在することが判定できる。

室６６内の圧力（開口５１を経て加えられる）によりダイアフラム部５８に何ら かの振れを生ずると、これはストレンゲージ抵抗５９とリード線６０に接続され た適当な回路によって感知される。リム１８と支持５０の接触面は公知の技術で 接着されるので、支持面５０に対する硬取付け（ｈａｒｄｍｏｕｎｔｉｇ）がで きる。リム１８で支持される板ばね部１７と、分離層１５のポスト１９とは、こ のようにして、支持５０内のひずみによって引き起されたストレスを分離し、感 知ダイアフラム部５８に作用することがないようにする。

第６図は、圧力マニフォールドに関して取付けられた外部ハウジング内に収納さ れた代表的なセンサー組立体を示す。

センサー組立体７０は第３図に示すセンサー本体と類似しており、センサーハウ ジング７４のベース７３に硬取付けされた端取付は面？２Ａを有するストレス分 離ポスト、すなわち突起７２を持っているストレス分離層７１を具備している。

ポスト７２を貫通する開ロア５は圧力感知室７６に開いている。

ダイアフラム組立体すなわち本体７７は、適当な方法により、ダイアフラム組立 体のリム部分７８で分離層７１上に取付けられている。ダイアフラム組立体７７ には、偏向ダイアフラム部の運動を感知するための、ストレンゲージ抵抗８０を 有する偏向ダイアフラム部７９を備えている。

真空表示カップ８２はダイアフラム部７９を覆うように、その上に取付けられて いる。カップ８２は表示壁であるベース壁８３と、その縁がリム７８に整合する ようにダイアフラム組立体７７に接着されている周囲壁８４を有する。カップ８ ２の壁８４が真空中で、ダイアフラム組立体７７に溶着または接着される場合に は、カップ壁８３は、点線で示すように、大気圧の下で内方に振れることになる 。

かくして、ベース壁８３の下の室における基準圧力が真空である場合の指示（表 示）が得られる。

ハウジングベース壁７３は、その上に固定された周囲ハウジング壁８５を備え、 カバー８６はセンサー組立体７０を囲む囲み８７を形成する。符号８８で示す適 当な貫通電気接続リードを、抵抗８０から適当な感知回路への接続のために、ハ ウジング７４に取付けることができる。

図に示すように、ハウジングベース壁７３は感知されるべき圧力を保持する圧力 マユフォールド９０上に取付けられ、ストレス分離層７１内の開ロア５と一列に 並ぶ壁７３内の開口９２に通ずる圧力出口開口９１を有する。適当な０型リング ９４を使用して一列に並ぶ開口９１および９２をシールすることができる。

それ故に、圧力がマユフォールド９０中に存在すると、それは感知室７６へ通過 させられ、カップ８２で形成される基準圧力に対してダイアフラム部７９を振れ させる。

センサーハウジング・ベース７３に加わるどんなストレスも、分離層７１によっ て、特に、分離層の中間部？２Ａを経てダイアフラムリム７８に結合されるネッ ク７２によってダイアフラムから分離される。

第７〜１０図には、バッチ製造法で製造されるストレス分離層の更に他の変形例 を示す。これらは、先に述べたのと本質的には同じように作用する分離層を具備 しているが、これらは、感知ダイアフラムから取付はポストすなわち突起をスト レス分離するための、ばねまたはヒンジ部を形成するひずみ分離スリットで実現 される。

第７図には、分離層１００の底面図が示される。それは、前述の様に、シリコン ウェーハーから形成されている。形成に当っては、適当な圧力開口１０２をもっ た突起１０１が、中心部に作られる。１対の一定間隔だけ離れて平行な、分離ス リットまたはスロット１０３が、層１００の表面に形成されて、層の端から端ま で延びている。

スロット１０３に垂直な方向に延びる、１対の交さするスリットまたはスロット １０４が、さらに分離層の底面に形成される。

ポスト１０１を囲む分離層の中心部（符号１０５で示す）を分離するため、スロ ットは周囲分離スロットを形成する。

ポストすなわち突起１０１は、分離層１００のリム部１０７から実質的に厚さを 減じであるスプリング・ヒンジ部分１０６を通じてのみ、分離層の残りの部分に 接続される（第８図参照）。

第８図で、ポストすなわち突起１０１は下方にのびている。

ダイアフラム組立体すなわち本体１１０は、薄い偏向ダイアフラム部１１１およ び一体構成のリム１１２を有する。リム１１２は分離層１００の周囲リム１０７ に接着される。所望ならば、適当な真空表示カップを、前に示したように、この ダイアフラム組立体すなわち本体上に設けることができる。

この発明のこの実施形態においては、ダイアフラム組立体は、公知の方法でダイ アフラムの振れを感知するため、その上にストレンゲージビエゾ抵抗１１３を備 えている。適当なリード線１１４が抵抗１１３に接続され、適当な感知回路に接 続される。

ポスト１０１は取付は面１０２Ａを有し、この面はひずみを受けることのある適 当な支持面１１５上に硬（非弾性的に）取付けされる。しかし、ダイアフラム１ １１内のひずみで誘導されたストレスは、ポストすなわち突起１０１がダイアフ ラムにストレスを伝達しないように分離する分離スロット１０３および１０４に よって、ダイアフラム１１１から分離される。せまい部分１０６は、ポスト１０ １にとってはスプリング・ヒンジの役目をし、ダイアフラムにストレスを伝達し て抵抗１１３の値に影響を与えることなしに、動くことができる。

第９図は、シリコンウェーハー製の分離層１２０よりなり、中心ボストすなわち 突起１２１を有する、ストレス分離層のさらに別の変形例を示す。

突起１２１には、センサー組立体に圧力を導入するための開口１２２が、前と同 じように形成される。第１の方向にのびる、１対の一定間隔で配置した分離スロ ットまたはスリット１２３が、ポストの２側面を決定し、第２の垂直方向にのび る第２の対のスロットまたはスリット１２４が、ポスト１２１の２つの反対側面 を定めて、取り囲み溝１２５を形成する。

ポストの範囲を限定するスロット１２３および１２４は、エツチングではじめに 形成された突起の部分であるが、スロットが作られる時に分離形成された４つの 壁１２６を分離形成する。スロットは、分離層がエツチングされた後に、通常は 鋸で切って作られる。ストレス分離層１２０が支持面１２７上に取付けられる場 合（第１０図参照）、それは２つの領域で（すなわち、１つはポスト１２１の端 面１２１Ａに直接に、またもう１つは周囲壁１２６の端上で）支持される。

分離スロット１２８がスロット１２３に平行に形成され、周囲の方へ一定間隔を おいて配置されて分離層の外縁部を更に分離することになる。スロット１２９は スロット１２４に平行であり、スロット１２４から外方に間隔をおいて配置され る。スロット１２８および１２９は、突起１２１とリム部分１３５との間に、こ れらのスロット１２８および１２９で形成された可撓性のある、または間隔をお いた分離部を形成する。

偏向ダイアフラム１３１が圧力下で分離層に対して振れるように、ダイアフラム 組立体１３０が、第１０図のように、分離層１２０上に取付けられるとき、支持 面１２７内のどんなひずみもダイアフラムから分離され、感知ダイアフラム部の 感知出力に実質的に影響を与えないようになる。

感知ダイアフラム組立体１３０にはリム１３２があり、これは分離層のリム１３ ５の上表面に接着されている。分離層の外縁にある分離溝１２８および１２９は 、第１０図に示すように、リム１３２のすぐ内側に位置されている。スロットは 、ストレス分離に必要な弾性すなわちスプリング効果を与えるような、厚みの減 ぜられた部分を形成する。

第７ないし第１０図に示す切込み（ｃｕｔｓ）は鋸で行うことができるが、機械 的な鋸作業の後に化学的エツチングを行なうことは、図示の切込みの底端での微 小クラックを除去するのに推奨できるかもしれない。第７ないし第１０図に開示 した構造は、取付は用突起とダイアフラムのリムの間にスプリング部を有してお り、ひずみで誘起されたストレスが伝わるのを減少させる。

リムは剛性に維持されるが、一方では、分離層用の支持面とリムとの間では振れ が許容される。第６図に示すように、突起またはポストが均一の厚さの層を支持 する場合には、ポストまたは突起の寸法は、それが可撓性を持ち、かつストレス を分離し、取付けによって誘導されるストレスがダイアフラムに影響を与えるこ とを防止できるように選定される。

ダイアフラムの振れ検知のために、容量性または抵抗性の感知技術を使用できる 。硬取付けされたセンサーのためのストレス分離は簡単な方法で達成される。

センサーは比較的小さく、バッチ製造技術を用いて、２００もの装置を３インチ のウェーハーから作り出すことができる。このウェーハーは感知ダイアフラム、 およびもしも所望ならば、ガラス中間層を提供するのに必要とされる付加的層と 積み重ねられ、またはサンドイッチにされる。

国際調査報告

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. １．取付け面と、 縁を支持されたダイアフラム部分を有する第１体部と、ダイアフラム部分の振れ の関数として変化する出力を与えるための手段と、 ストレスが取付け面からダイアフラム部分に伝達されるのを防止するため、取付 け面と第１体部との間に接続されたストレス分離手段とを具備したことを特徴と する圧力センサー。
2. ２．ストレス分離手段は、層の第１表面から延びて、中心に位置された突起上に 支持された部材の層と、周囲の縁部と、突起および縁部の間の偏向（振れ）可能 な部分とよりなることを特徴とする請求の範囲１記載の圧力センサー。
3. ３．前記ストレス分離手段は、そこから延びている突起を有する部材の層を具備 し、 第１体部の縁は、前記突起から一定間隔をおいて配置された縁において、前記ス トレス分離層上に支持されており、前記突起は取付け面を定める突起表面を有し 、前記ストレス分離手段は、突起表面と第１体部を支持する縁との間に弾力性の スプリング部分を備えるように構成されたことを特徴とする請求の範囲１記載の 圧力センサー。
4. ４．前記ストレス分離手段は板ばね部分よりなることを特徴とする請求の範囲１ 記載の圧力センサー。
5. ５．前記の部材の層は、第１体部のダイアフラム部分を支持する縁と実質的に一 列をなす周囲リム部、ならびに前記ストレス分離層部材のボスおよび周囲リム部 分間に形成された板ばね手段を具備したことを特徴とする請求の範囲３記載の圧 力センサー。
6. ６．前記弾力性のあるスプリング部分は、前記突起をかこむ前記部材層内の、厚 さを減じた部分よりなり、前記厚さを減じた部分は前記層を通して部分的に延び 、かつ前記突起の周囲を囲むスロットによって形成されていることを特徴とする 請求の範囲３記載の圧力センサー。
7. ７．前記ストレス分離手段は、その１表面から延びるリム部を有する層で構成さ れる第１のストレス分離層および、その他方の表面から延びる突起部分を具備し 、前記リム部は前記ストレス分離層の周囲に実質的にひろがり、 突起部分は前記ストレス分離層の実質上中心に位置しており、リム部と突起部の 間に弾性的コンプライアンスを呈するように、板ばね手段はリム部と突起部を接 続し、前記部分の１つは前記取付け面を構成し、前記第１体部は前記部分の他方 に取付けられていることを特徴とする請求の範囲１記載の圧力センサー。
8. ８．前記第１体部は剛性部材層および前記剛性層上に取付けられた別個のダイア フラム層を具備し、前記ダイアフラム層は、前記剛性層から一定間隔をおいて配 置された関係でダイアフラム部を支持するリムを有することを特徴とする請求の 範囲７記載の圧力センサー。
9. ９．さらに、カップ部体が剛性層とは反対側の面上で前記ダイアフラム部分上に 配設され、前記カップ部は前記ダイアフラムのための支持リムと実質的に一列に ならぶ周囲壁を有し、かつ前記ダイアフラムから一定間隔で置かれたベース壁を 有することを特徴とする請求の範囲８記載の圧力センサー。
10. １０．縁を支持されたダイアフラム部を有する第１体部と、静止位置からのダイ アフラム部分の振れの関数として変化する出力を発生する手段と、 周囲壁および、支持面に第１体部を接続するための取付け面を形成する手段を備 えるストレス分離層とを具備し、前記ストレス分離層は、スプリング部をその周 囲縁および取付け面を形成する手段の間に有しており、前記取付け面からダイア フラム部へのストレスの伝達を減ずるようにされたことを特徴とする圧力センサ ー。
11. １１．取付け面を形成する手段はストレス分離層の第１表面からのびる突起を備 え、 ストレス分離層は周囲リム部および、突起とリム部間にあって振れることのでき る部分を備えていることを特徴とする請求の範囲１記載の圧力センサー。
12. １２．さらにカップ部体がストレス分離層とは反対の側の面で、前記ダイアフラ ム部上に横たわり、前記カップ部は前記ダイアフラムを支持する縁と実質的に一 列に並び、かつ第１体部にシール結合された周囲壁と、前記ダイアフラムから隔 離されたベース壁とを有し、前記カップ部のベース壁は、カップ部ベース壁とダ イアフラムとの間の空間が真空である場合に、前記ダイアフラムの方へ振れるこ とができることを特徴とする請求の範囲１１記載の圧力センサー。