JPH0150925B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0150925B2 JPH0150925B2 JP14125281A JP14125281A JPH0150925B2 JP H0150925 B2 JPH0150925 B2 JP H0150925B2 JP 14125281 A JP14125281 A JP 14125281A JP 14125281 A JP14125281 A JP 14125281A JP H0150925 B2 JPH0150925 B2 JP H0150925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- base
- npn transistor
- power supply
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
- G05F1/571—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overvoltage detector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザーダイオードやInSbホール
素子など、過電圧によつて破壊され易い半導体の
ための電源装置に関し、きわめて簡単な構成で、
しかもモノシリツクIC化に適した回路構成を提
供するものである。
素子など、過電圧によつて破壊され易い半導体の
ための電源装置に関し、きわめて簡単な構成で、
しかもモノシリツクIC化に適した回路構成を提
供するものである。
従来、例えばInSbホール素子をロータの回転
位置検出素子として用いるブラシレスモータの駆
動回路などにおいては、前記ホール素子に定電圧
を印加して使用した方が周囲温度の変化に対して
好ましい出力特性が得られるため、前記駆動回路
を構成するモノシリツクICの内部に第１図の破
線部で示す様な簡単な電源回路が構成されてい
た。
位置検出素子として用いるブラシレスモータの駆
動回路などにおいては、前記ホール素子に定電圧
を印加して使用した方が周囲温度の変化に対して
好ましい出力特性が得られるため、前記駆動回路
を構成するモノシリツクICの内部に第１図の破
線部で示す様な簡単な電源回路が構成されてい
た。
第１図において、１はホール素子であり、２は
回路全体のバイアス電源であり、３は前記ホール
素子１に印加する電圧を決定するための安定化さ
れた電源であり、もともと前記電源２が安定化さ
れておれば前記電源２と前記電源３は作用される
が、前記電源２が安定化されていない場合には専
用の外部電源が用いられたり、IC１００Ａの内
部で作られたりする。
回路全体のバイアス電源であり、３は前記ホール
素子１に印加する電圧を決定するための安定化さ
れた電源であり、もともと前記電源２が安定化さ
れておれば前記電源２と前記電源３は作用される
が、前記電源２が安定化されていない場合には専
用の外部電源が用いられたり、IC１００Ａの内
部で作られたりする。
前記電源３の出力電圧は抵抗４と抵抗５によつ
て分割され、一方、IC１００Ａの内部のトラン
ジスタ６のベース・エミツタ間電圧とダイオード
７の順方向電圧が相殺し合うので出力端子ｂには
入力端子ｃと同じ電圧が現われる。
て分割され、一方、IC１００Ａの内部のトラン
ジスタ６のベース・エミツタ間電圧とダイオード
７の順方向電圧が相殺し合うので出力端子ｂには
入力端子ｃと同じ電圧が現われる。
この種の電源回路に誤差増幅器を備えた帰還型
の定電圧回路が用いられない理由は２つある。
の定電圧回路が用いられない理由は２つある。
まず第１に、帰還型の定電圧回路は素子数が多
くなり、ICのチツプサイズの増大を招くという
不都合のためであり、第２には、帰還型の定電圧
回路は高周波発振を起こし易く、それを防止する
ためのコンデンサが必要となるためである。
くなり、ICのチツプサイズの増大を招くという
不都合のためであり、第２には、帰還型の定電圧
回路は高周波発振を起こし易く、それを防止する
ためのコンデンサが必要となるためである。
ところで第１図の回路において、工場において
抵抗４あるいは抵抗５として抵抗値の違うものが
取り付けられたり、あるいは抵抗５の挿入洩れな
どがあつたりすると、ホール素子１には予期せぬ
電圧が印加されることになり、過大電圧が印加さ
れて前記ホール素子が破壊されてしまうという問
題があつた。
抵抗４あるいは抵抗５として抵抗値の違うものが
取り付けられたり、あるいは抵抗５の挿入洩れな
どがあつたりすると、ホール素子１には予期せぬ
電圧が印加されることになり、過大電圧が印加さ
れて前記ホール素子が破壊されてしまうという問
題があつた。
本発明はエミツタフオロワータイプの電源回路
に負荷を過電圧の印加から保護する保護機能をも
たせることにより、上述の様な問題を解消するも
のである。第２図は本発明の一実施例を示す回路
結線図である。第２図において、IC１００Ｂの
内部にはコレクタ側から電流制限用抵抗９を介し
て受電し、エミツタ側からホール素子１に給電す
るNPNトランジスタ６０と、該NPNトランジス
タ６０のベースにバイアス電流を供給するための
電流供給回路８０と、前記電流供給回路８０から
前記NPNトランジスタ６０のベースに至る線路、
具体的には最大出力電圧調節のためのダイオード
１０と前記NPNトランジスタ６０のベースの接
続点にエミツタが接続され、コレクタがマイナス
側給電線路ｄに接続されたPNPトランジスタ７
０（前記NPNトランジスタ６０と同様にダーリ
ントン接続されている。）と、前記電流供給回路
８０から前記NPNトランジスタのベースに至る
線路、具体的には前記ダイオード１０のアノード
側とマイナス側給電線路ｄの間に接続された定電
圧ダイオード１１を含めて構成されている。
に負荷を過電圧の印加から保護する保護機能をも
たせることにより、上述の様な問題を解消するも
のである。第２図は本発明の一実施例を示す回路
結線図である。第２図において、IC１００Ｂの
内部にはコレクタ側から電流制限用抵抗９を介し
て受電し、エミツタ側からホール素子１に給電す
るNPNトランジスタ６０と、該NPNトランジス
タ６０のベースにバイアス電流を供給するための
電流供給回路８０と、前記電流供給回路８０から
前記NPNトランジスタ６０のベースに至る線路、
具体的には最大出力電圧調節のためのダイオード
１０と前記NPNトランジスタ６０のベースの接
続点にエミツタが接続され、コレクタがマイナス
側給電線路ｄに接続されたPNPトランジスタ７
０（前記NPNトランジスタ６０と同様にダーリ
ントン接続されている。）と、前記電流供給回路
８０から前記NPNトランジスタのベースに至る
線路、具体的には前記ダイオード１０のアノード
側とマイナス側給電線路ｄの間に接続された定電
圧ダイオード１１を含めて構成されている。
また、定電圧電源３の出力電圧は抵抗４と抵抗
５によつて構成された電圧分割回路９０によつて
分圧され、さらに入力端子ｃを介して前記PNP
トランジスタ７０のベースに印加されている。
５によつて構成された電圧分割回路９０によつて
分圧され、さらに入力端子ｃを介して前記PNP
トランジスタ７０のベースに印加されている。
第２図の構成において、出力端子ｂには2.5V
程度の出力電圧が現われる様に抵抗４と抵抗５の
抵抗比が決定され、定電圧ダイオード１１には
6V前後の降伏電圧を有するものが用いられる。
程度の出力電圧が現われる様に抵抗４と抵抗５の
抵抗比が決定され、定電圧ダイオード１１には
6V前後の降伏電圧を有するものが用いられる。
この状態において、前記抵抗４，５に正規の抵
抗値のものが用いられたときには、出力電圧はも
ちろん2.5Vであり、また、トランジスタのベー
ス・エミツタ間電圧、ダイオードの順方向電圧は
いずれも約0.7Vであるので、ダイオード１０の
アノード側の電位は4.6Vになり、定電圧ダイオ
ード１１には電流が流れず、したがつて前記定電
圧ダイオードを付加したことによる電力損失は生
じない。
抗値のものが用いられたときには、出力電圧はも
ちろん2.5Vであり、また、トランジスタのベー
ス・エミツタ間電圧、ダイオードの順方向電圧は
いずれも約0.7Vであるので、ダイオード１０の
アノード側の電位は4.6Vになり、定電圧ダイオ
ード１１には電流が流れず、したがつて前記定電
圧ダイオードを付加したことによる電力損失は生
じない。
一方、抵抗５が続接したとすると、前記定電圧
ダイオード１１には電流が流れ、ダイオード１０
のアノード側の電位は前記定電圧ダイオードによ
つて6V前後にクランプされる。
ダイオード１１には電流が流れ、ダイオード１０
のアノード側の電位は前記定電圧ダイオードによ
つて6V前後にクランプされる。
このとき、出力端子ｂに現われる電圧は4V前
後となり、定常時の２倍以下の値である。
後となり、定常時の２倍以下の値である。
InSbホール素子では定格の２倍以下の電圧で
はよほど長期にわたつて使用しない限り破壊する
ことはない。
はよほど長期にわたつて使用しない限り破壊する
ことはない。
したがつて第２図の回路は負荷への過電圧印加
に対する保護機能を備えていることになり、しか
も、保護機能をもたせることによる電流消費の増
大は皆無である。
に対する保護機能を備えていることになり、しか
も、保護機能をもたせることによる電流消費の増
大は皆無である。
なお、負荷として接続される半導体素子は
InSbホール素子に限定される訳ではなく、同様
の保護を必要とするレーザダイオードや他の半導
体素子であつても良い。
InSbホール素子に限定される訳ではなく、同様
の保護を必要とするレーザダイオードや他の半導
体素子であつても良い。
また、第２図において、電流供給回路８０は抵
抗などの他の電流供給手段であつても良し、
NPNトランジスタ６０、PNPトランジスタ７０
は必らずしもダーリントン接続される必要はな
く、最大出力電圧がさらに高くても良い場合には
ダイオード１０を省くことも出来る。
抗などの他の電流供給手段であつても良し、
NPNトランジスタ６０、PNPトランジスタ７０
は必らずしもダーリントン接続される必要はな
く、最大出力電圧がさらに高くても良い場合には
ダイオード１０を省くことも出来る。
以上の様に本発明の電源装置は、コレクタ側か
ら受電してエミツタ側から負荷に給電するNPN
トランジスタ６０と、該NPNトランジスタのベ
ースにバイアス電流を供給する電流供給手段（電
流供給回路８０に相当）と、前記電流供給手段か
ら前記NPNトランジスタのベースに至る線路上
にエミツタが接続され、コレクタがマイナス側給
電線路に接続されたPNPトランジスタ７０と、
定電位点の電圧（安定化された電圧）を分圧して
前記PNPトランジスタのベースに印加する電圧
分割手段（電圧分割回路９０に相当）と、前記電
流供給手段から前記NPNトランジスタのベース
に至る線路とマイナス側給電線路の間に接続され
た定電圧ダイオード１１を備え、前記電圧分割手
段の分割比が誤まつて設定されたときには出力電
圧が前記定電圧ダイオードでクランプされて負荷
に過電圧が供給されない様に構成するとともに、
正常動作時には前記定電圧ダイオードに電流が流
れない様に前記分割比を設定したことを特徴とす
るもので、その結果、きわめて簡単な回路構成
で、しかも消費電流を増大させることなく過電圧
に対する保護機能をもたせることが出来るなど、
大なる効果を奏する。
ら受電してエミツタ側から負荷に給電するNPN
トランジスタ６０と、該NPNトランジスタのベ
ースにバイアス電流を供給する電流供給手段（電
流供給回路８０に相当）と、前記電流供給手段か
ら前記NPNトランジスタのベースに至る線路上
にエミツタが接続され、コレクタがマイナス側給
電線路に接続されたPNPトランジスタ７０と、
定電位点の電圧（安定化された電圧）を分圧して
前記PNPトランジスタのベースに印加する電圧
分割手段（電圧分割回路９０に相当）と、前記電
流供給手段から前記NPNトランジスタのベース
に至る線路とマイナス側給電線路の間に接続され
た定電圧ダイオード１１を備え、前記電圧分割手
段の分割比が誤まつて設定されたときには出力電
圧が前記定電圧ダイオードでクランプされて負荷
に過電圧が供給されない様に構成するとともに、
正常動作時には前記定電圧ダイオードに電流が流
れない様に前記分割比を設定したことを特徴とす
るもので、その結果、きわめて簡単な回路構成
で、しかも消費電流を増大させることなく過電圧
に対する保護機能をもたせることが出来るなど、
大なる効果を奏する。
第１図は従来例を示す回路結線路、第２図は本
発明の一実施例を示す回路結線図である。 １……ホール素子（負荷）、２，３……電源、
１１……定電圧ダイオード、６０……NPNトラ
ンジスタ、７０……PNPトランジスタ、８０…
…電流供給回路、９０……電圧分割回路、１００
Ｂ……IC。
発明の一実施例を示す回路結線図である。 １……ホール素子（負荷）、２，３……電源、
１１……定電圧ダイオード、６０……NPNトラ
ンジスタ、７０……PNPトランジスタ、８０…
…電流供給回路、９０……電圧分割回路、１００
Ｂ……IC。
Claims (1)
- １ コレクタ側から受電してエミツタ側から負荷
に給電するNPNトランジスタと、該NPNトラン
ジスタのベースにバイアス電流を供給する電流供
給手段と、前記電流供給手段から前記NPNトラ
ンジスタのベースに至る線路にエミツタが接続さ
れたPNPトランジスタと、定電位点の電圧を分
圧して前記PNPトランジスタのベースに印加す
る電圧分割手段と、前記電流供給手段から前記
NPNトランジスタのベースに至る線路とマイナ
ス側給電線路の間に接続された定電圧ダイオード
を備え、前記電圧分割手段の分割比が誤まつて設
定されたときには出力電圧が前記定電圧ダイオー
ドでクランプされて負荷に過電圧が供給されない
様に構成するとともに、正常動作時には前記定電
圧ダイオードに電流が流れない様に前記電圧分割
手段の分割比を設定したことを特徴とする電源装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141252A JPS5843014A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141252A JPS5843014A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843014A JPS5843014A (ja) | 1983-03-12 |
| JPH0150925B2 true JPH0150925B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=15287597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141252A Granted JPS5843014A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843014A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335118U (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-07 | ||
| JPH01177716A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Nec Corp | 出力回路 |
| JPH0420426U (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-20 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP56141252A patent/JPS5843014A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5843014A (ja) | 1983-03-12 |
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