JPH0151933B2 - - Google Patents
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- JPH0151933B2 JPH0151933B2 JP57221169A JP22116982A JPH0151933B2 JP H0151933 B2 JPH0151933 B2 JP H0151933B2 JP 57221169 A JP57221169 A JP 57221169A JP 22116982 A JP22116982 A JP 22116982A JP H0151933 B2 JPH0151933 B2 JP H0151933B2
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- Japan
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- temperature
- light
- cdingas
- optical
- semiconductor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/12—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance
- G01K11/18—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance of materials which change translucency
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- G—PHYSICS
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- G01K11/12—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance
- G01K11/14—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance of inorganic materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体光学結晶の光吸収が温度に依
存することを利用して温度測定を行なう光学的温
度測定方法に関する。
存することを利用して温度測定を行なう光学的温
度測定方法に関する。
この種の光温度測定装置には、一般に使用可能
な温度が広範囲に選べ、かつ使用温度範囲におい
て長期信頼性を確保することが望まれている。
な温度が広範囲に選べ、かつ使用温度範囲におい
て長期信頼性を確保することが望まれている。
従来提案されている光温度測定装置としては、
大別して、放射温度計に光フアイバを接続しこ
の光フアイバによつて測定対象の放出する熱輻射
線を伝達させるもの、温度によつて何らかの形
で光の伝搬状態が変化する検出素子を有し、測定
対象に接触させ光フアイバを介して温度により変
調された信号光を伝達する接触型のものがある。
大別して、放射温度計に光フアイバを接続しこ
の光フアイバによつて測定対象の放出する熱輻射
線を伝達させるもの、温度によつて何らかの形
で光の伝搬状態が変化する検出素子を有し、測定
対象に接触させ光フアイバを介して温度により変
調された信号光を伝達する接触型のものがある。
の型式の温度測定装置においては、一般に赤
外吸収のため測定可能な温度範囲は約500゜C以上
となり、高温の測定には適するが、工業計測の領
域である500゜C以下では精度が悪い。
外吸収のため測定可能な温度範囲は約500゜C以上
となり、高温の測定には適するが、工業計測の領
域である500゜C以下では精度が悪い。
の接触型温度測定装置には、現在まで次のよ
うな方式が報告されている。(a)バイメタルまたは
熱電対起電力により光を遮断して伝送パワーを変
えるもの。(b)複屈折性結晶の温度依存性を利用す
るもの。(c)液晶の屈折率温度依存性を利用するも
の。(d)燐光物質からの各励起光強度が温度によつ
て異なる現象を利用するもの。(e)光吸収の温度依
存性を利用するもの。これらの方式を利用した光
温度測定装置においては、検出器を構成する検出
素子、各種光学部品、スペーサ・ケース等の構造
部品の耐熱性、機械的安定性等に問題があり、現
在まで実現あるいは提案されている光温度測定装
置の使用温度測定装置の使用温度上限はほぼ
350゜Cにとどまつている。
うな方式が報告されている。(a)バイメタルまたは
熱電対起電力により光を遮断して伝送パワーを変
えるもの。(b)複屈折性結晶の温度依存性を利用す
るもの。(c)液晶の屈折率温度依存性を利用するも
の。(d)燐光物質からの各励起光強度が温度によつ
て異なる現象を利用するもの。(e)光吸収の温度依
存性を利用するもの。これらの方式を利用した光
温度測定装置においては、検出器を構成する検出
素子、各種光学部品、スペーサ・ケース等の構造
部品の耐熱性、機械的安定性等に問題があり、現
在まで実現あるいは提案されている光温度測定装
置の使用温度測定装置の使用温度上限はほぼ
350゜Cにとどまつている。
このように、現状で工業計測においても最も需
要および用途の多い中低温領域において満足出来
る性能を有する温度計測装置はほとんど見当らな
い。比較的構造が簡単で実用に近いものとして(e)
の光吸収方式があり、特に半導体のエネルギーバ
ンドギヤツプの温度変化を利用するものが供され
ている。光源としては主として半導体レーザが用
いられ、光源のスペクトルと合う光学吸収端波長
を持つ半導体または化合物半導体が選択される。
代表的な列としてはGaAsまたはCdTeとAlGaAs
系半導体レーサ（〜0.8μｍ）との組み合わせがあ
る。しかし、これらの組み合わせでは光源スペク
トル幅との関係から測定温度上限はそれぞれ
200゜C、300゜Cと限定される。その上、これらの化
合物半導体は300゜C以上の温度領域で固溶体領域
が存在し、長期安定性に問題がある。
要および用途の多い中低温領域において満足出来
る性能を有する温度計測装置はほとんど見当らな
い。比較的構造が簡単で実用に近いものとして(e)
の光吸収方式があり、特に半導体のエネルギーバ
ンドギヤツプの温度変化を利用するものが供され
ている。光源としては主として半導体レーザが用
いられ、光源のスペクトルと合う光学吸収端波長
を持つ半導体または化合物半導体が選択される。
代表的な列としてはGaAsまたはCdTeとAlGaAs
系半導体レーサ（〜0.8μｍ）との組み合わせがあ
る。しかし、これらの組み合わせでは光源スペク
トル幅との関係から測定温度上限はそれぞれ
200゜C、300゜Cと限定される。その上、これらの化
合物半導体は300゜C以上の温度領域で固溶体領域
が存在し、長期安定性に問題がある。
本発明は、上述の欠点を除去して、よりコスト
の安い、信頼性のある光温度測定方法を提供する
ことを目的とする。本発明は、前記ｅ光吸収の温
度依存性を利用するもので、温度検出素子として
４元化合物半導体CdInGaS4を使用することを特
徴とする。本発明者等が種々の研究および実験を
重ねた結果、４元化合物半導体CdInGaS4を使用
することで、広い温度範囲にわたつて安定かつ信
頼性ある光温度測定装置を構成することが出来る
ことが見出された。CdInGaS4はブリツジマン法
で容易に良質の層状単結晶を得ることが出来る。
さらに簡単な気相成長法で光学的に均一な層状単
結晶が得られ、膜厚を任意にコントロールするこ
とが出来、研磨の工程無しで所定の温度検出素子
が得られる長所がある。
の安い、信頼性のある光温度測定方法を提供する
ことを目的とする。本発明は、前記ｅ光吸収の温
度依存性を利用するもので、温度検出素子として
４元化合物半導体CdInGaS4を使用することを特
徴とする。本発明者等が種々の研究および実験を
重ねた結果、４元化合物半導体CdInGaS4を使用
することで、広い温度範囲にわたつて安定かつ信
頼性ある光温度測定装置を構成することが出来る
ことが見出された。CdInGaS4はブリツジマン法
で容易に良質の層状単結晶を得ることが出来る。
さらに簡単な気相成長法で光学的に均一な層状単
結晶が得られ、膜厚を任意にコントロールするこ
とが出来、研磨の工程無しで所定の温度検出素子
が得られる長所がある。
第１図にCdInGaS4の、光吸収スペクトル、第
２図にスペクトルから求まるエネルギー・ギヤツ
プの温度変化を示す。第１図に示すように、ある
温度Ｔでλg（Ｔ）＝1.24／Eg（Ｔ）で与えられるエ
ネルギー・ギヤツプEg（Ｔ）に対応する波長λg
（Ｔ）を吸収端として、λg（Ｔ）より短い波長域
の光に対して急激にその吸収係数αが増大する。
吸収領域は第１図に示すように500〜600nmの間
の可視光領域であり、温度が上昇するにつれて吸
収端λg（Ｔ）はは長波長側へ移行する。その依存
性は第２図のエネルギー・ギヤツプの温度変化に
対応する。GaAsでは−150゜C以上で直線的に変
化することが知られているが、本発明による
CdInGaS4では第２図に示すように−200゜C以上で
直線的に変化する。さらに温度変化率は約
0.16nm／degで、GaAsの値の約半分であり、広
い温度領域での温度測定が可能となる。本発明に
おけるCdInGaS4は500゜C以上の高温で安定であ
り、酸化、吸湿性の反応も示さず長期安定性を保
持する。
２図にスペクトルから求まるエネルギー・ギヤツ
プの温度変化を示す。第１図に示すように、ある
温度Ｔでλg（Ｔ）＝1.24／Eg（Ｔ）で与えられるエ
ネルギー・ギヤツプEg（Ｔ）に対応する波長λg
（Ｔ）を吸収端として、λg（Ｔ）より短い波長域
の光に対して急激にその吸収係数αが増大する。
吸収領域は第１図に示すように500〜600nmの間
の可視光領域であり、温度が上昇するにつれて吸
収端λg（Ｔ）はは長波長側へ移行する。その依存
性は第２図のエネルギー・ギヤツプの温度変化に
対応する。GaAsでは−150゜C以上で直線的に変
化することが知られているが、本発明による
CdInGaS4では第２図に示すように−200゜C以上で
直線的に変化する。さらに温度変化率は約
0.16nm／degで、GaAsの値の約半分であり、広
い温度領域での温度測定が可能となる。本発明に
おけるCdInGaS4は500゜C以上の高温で安定であ
り、酸化、吸湿性の反応も示さず長期安定性を保
持する。
第３図に本発明による方法を実施するための透
過型光温度測定装置を示す。光源１より出射した
光は光フアイバ２を経て４元化合物半導体CdIn
−GaS4温度検出素子３に入射する。広い温度領
域測定には光源１として白色光を用いる。光源出
射部にフイルターを押入することで任意の温度範
囲を設定することも可能である。また、光ダイオ
ードや半導体レーザを使用することで、狭い温度
領域の精度測定も可能である。温度検出素子３
は、熱伝導の良い材料（図示されていない）に密
着され、温度の応答性を良くしてある。検出素子
３を透過した光は光フアイバ２０を経て受光器４
で受光される。光源変動を補償するため、光源１
からの光を直接受光器５で受け、その出力と受光
器４の比を信号処理部６で求める。さらに信号処
理部６ではその信号出力を温度に変換し、温度表
示部７で温度の値が表示される。
過型光温度測定装置を示す。光源１より出射した
光は光フアイバ２を経て４元化合物半導体CdIn
−GaS4温度検出素子３に入射する。広い温度領
域測定には光源１として白色光を用いる。光源出
射部にフイルターを押入することで任意の温度範
囲を設定することも可能である。また、光ダイオ
ードや半導体レーザを使用することで、狭い温度
領域の精度測定も可能である。温度検出素子３
は、熱伝導の良い材料（図示されていない）に密
着され、温度の応答性を良くしてある。検出素子
３を透過した光は光フアイバ２０を経て受光器４
で受光される。光源変動を補償するため、光源１
からの光を直接受光器５で受け、その出力と受光
器４の比を信号処理部６で求める。さらに信号処
理部６ではその信号出力を温度に変換し、温度表
示部７で温度の値が表示される。
次に、本発明による方法を実施するための反射
型光温度測定装置を第４図に示す。光源１より出
射した光は、光フアイバ２、ビーム・スプリツタ
８、光フアイバ２０を経て４元化合物半導体
CdInGaS4温度検出素子３に入射する。温度検出
素子３の一面に設けられた反射膜３０で反射され
た光は、再度、温度検出素子３および光フアイバ
２０を通り、ビーム・スプリツタ８で反射され、
光フアイバ２１を経て受光器４で受光される。受
光器４から後の処理は第３図の実施例の場合と同
様である。
型光温度測定装置を第４図に示す。光源１より出
射した光は、光フアイバ２、ビーム・スプリツタ
８、光フアイバ２０を経て４元化合物半導体
CdInGaS4温度検出素子３に入射する。温度検出
素子３の一面に設けられた反射膜３０で反射され
た光は、再度、温度検出素子３および光フアイバ
２０を通り、ビーム・スプリツタ８で反射され、
光フアイバ２１を経て受光器４で受光される。受
光器４から後の処理は第３図の実施例の場合と同
様である。
第３図および第４図の実施例の変形として、温
度変化を光強度に変換するのでなく、光吸収波長
を直接読み取り温度に換算することが出来る。第
５図に透過型光温度測定装置、第６図に反射型光
温度測定装置の構成例を示す。構成は第３図およ
び第４図の実施例の場合とはほとんど同様である
が、受光器４に入射する入射光は分波器９で分け
られ、一方は受光器４に他方は受光器４０に入射
する。また、光源変動を補償するため、光源１か
らの光を直接受光器５で受け、その出力と受光器
４の比を信号処理部６で求め、表示部７０に出力
が直接表示される。出力を常に一定に保つように
受光器４０の波長を変換し、その時の波長の値が
温度に変換され温度表示部７に表示される。
度変化を光強度に変換するのでなく、光吸収波長
を直接読み取り温度に換算することが出来る。第
５図に透過型光温度測定装置、第６図に反射型光
温度測定装置の構成例を示す。構成は第３図およ
び第４図の実施例の場合とはほとんど同様である
が、受光器４に入射する入射光は分波器９で分け
られ、一方は受光器４に他方は受光器４０に入射
する。また、光源変動を補償するため、光源１か
らの光を直接受光器５で受け、その出力と受光器
４の比を信号処理部６で求め、表示部７０に出力
が直接表示される。出力を常に一定に保つように
受光器４０の波長を変換し、その時の波長の値が
温度に変換され温度表示部７に表示される。
以上説明した４元化合物半導体CdInGaS4を温
度検出素子として使用した本発明による光温度測
定方法は、従来の方法に比べ次の優れた利点があ
る。
度検出素子として使用した本発明による光温度測
定方法は、従来の方法に比べ次の優れた利点があ
る。
(1) CdInGaS4は高温で安定で、長期信頼に優れ
ている。
ている。
(2) CdInGaS4は広い温度範囲で安定である。
(3) CdInGaS4は容易に良質の単結晶を得ること
が出来て安価であり、素子化が容易である。
が出来て安価であり、素子化が容易である。
(4) CdInGaS4は気相成長法により平面度の良い
良質の箔状単結晶を育成することが出来るの
で、研磨加工の必要が無い。
良質の箔状単結晶を育成することが出来るの
で、研磨加工の必要が無い。
(5) 白色光光源を用いることで広い温度範囲の測
定が出来る。さらにフイルターを用いることに
より測定温度範囲を設定出来る。
定が出来る。さらにフイルターを用いることに
より測定温度範囲を設定出来る。
第１図は４元化合物半導体CdInGaS4の光吸収
係数のスペクトラムの温度変化を示す図、第２図
は４元化合物半導体のCdInGaS4の光吸収端エネ
ルギーギヤツプの温度変化を示す図、第３図ない
し第６図は本発明による温度測定方法を実施する
ためのそれぞれ異なる実施例の概略構成図であ
る。 １：光源、２，２０，２１：光フアイバ、３：
４元化合物CdInGaS4温度検出素子、４，５：受
光器、６：信号処理部、７：温度表示部、８：ビ
ームスプリツタ、３０：反射膜、４０：分光器、
７０：出力表示部。
係数のスペクトラムの温度変化を示す図、第２図
は４元化合物半導体のCdInGaS4の光吸収端エネ
ルギーギヤツプの温度変化を示す図、第３図ない
し第６図は本発明による温度測定方法を実施する
ためのそれぞれ異なる実施例の概略構成図であ
る。 １：光源、２，２０，２１：光フアイバ、３：
４元化合物CdInGaS4温度検出素子、４，５：受
光器、６：信号処理部、７：温度表示部、８：ビ
ームスプリツタ、３０：反射膜、４０：分光器、
７０：出力表示部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体光学結晶の光吸収が温度に依存するこ
とを利用して温度測定を行なう測定方法におい
て、前記半導体として４元化合物半導体
CdInGaS4を用いることを特徴とする温度測定方
法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の測定方法におい
て、温度変化に伴なつて、前記半導体の光透過強
度が変化することを利用することを特徴とする温
度測定方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の測定方法におい
て、温度変化に伴なつて、前記半導体の光吸収波
長が変化することを利用することを特徴とする温
度測定方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221169A JPS59111027A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 温度測定方法 |
| EP83112420A EP0111853B1 (en) | 1982-12-17 | 1983-12-09 | Temperature measuring apparatus |
| DE8383112420T DE3376032D1 (en) | 1982-12-17 | 1983-12-09 | Temperature measuring apparatus |
| US06/562,881 US4671651A (en) | 1982-12-17 | 1983-12-19 | Solid-state optical temperature measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221169A JPS59111027A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 温度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111027A JPS59111027A (ja) | 1984-06-27 |
| JPH0151933B2 true JPH0151933B2 (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=16762549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57221169A Granted JPS59111027A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 温度測定方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4671651A (ja) |
| EP (1) | EP0111853B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59111027A (ja) |
| DE (1) | DE3376032D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011040588A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | イマジニアリング株式会社 | 温度感応体、光学式温度センサ、温度計測装置及び熱流束計測装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133826A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光計測装置 |
| FI860632A7 (fi) * | 1986-02-12 | 1987-11-18 | Soundek Oy | Kuituoptinen lämpötilahälytin. |
| US4790669A (en) * | 1986-04-08 | 1988-12-13 | Cv Technology, Inc. | Spectroscopic method and apparatus for optically measuring temperature |
| US4841150A (en) * | 1987-12-28 | 1989-06-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Reflection technique for thermal mapping of semiconductors |
| US5098199A (en) * | 1988-02-17 | 1992-03-24 | Itt Corporation | Reflectance method to determine and control the temperature of thin layers or wafers and their surfaces with special application to semiconductors |
| US5167452A (en) * | 1988-02-17 | 1992-12-01 | Itt Corporation | Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors |
| US4890933A (en) * | 1988-02-17 | 1990-01-02 | Itt Corporation | Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors |
| GB2216652B (en) * | 1988-03-09 | 1992-09-02 | British Aerospace | Apparatus and method for determining the wavelength of optical radiation and optical apparatus employing said apparatus and method |
| GB2238868A (en) * | 1989-11-22 | 1991-06-12 | Res Corp Technologies Inc | Silicon wafer temperature measurement by optical transmission monitoring. |
| US5221142A (en) * | 1991-05-20 | 1993-06-22 | Peak Systems, Inc. | Method and apparatus for temperature measurement using thermal expansion |
| DE19654773C1 (de) * | 1996-12-31 | 1998-04-23 | Schott Glaswerke | Verfahren und Vorrichtung zur betrieblichen Messung der Temperatur in mindestens einer Kochzone eines Kochfeldes mit einer Glaskeramikplatte |
| US6116779A (en) * | 1997-03-10 | 2000-09-12 | Johnson; Shane R. | Method for determining the temperature of semiconductor substrates from bandgap spectra |
| US6595685B2 (en) * | 1998-10-13 | 2003-07-22 | National Research Laboratory Of Metrology | Method and apparatus for measuring thermophysical properties |
| US6168311B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-01-02 | Checkpoint Technologies Llc | System and method for optically determining the temperature of a test object |
| TW523850B (en) * | 2000-10-13 | 2003-03-11 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for measuring temperatures of plural physically separated locations on a substrate in a plasma processing system |
| WO2003081193A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Council Of Scientific And Industrial Research | Intensity modulated fiber optic temperature switching immersion probe |
| US6776522B2 (en) | 2002-10-09 | 2004-08-17 | Steven J. Syracuse | Apparatus and system for monitoring temperature of high voltage conductors |
| US7951632B1 (en) * | 2005-01-26 | 2011-05-31 | University Of Central Florida | Optical device and method of making |
| US8277119B2 (en) * | 2006-12-19 | 2012-10-02 | Vibrosystm, Inc. | Fiber optic temperature sensor |
| US8629411B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-01-14 | First Solar, Inc. | Photoluminescence spectroscopy |
| US11359972B2 (en) * | 2020-09-15 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Temperature calibration with band gap absorption method |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU574631A1 (ru) * | 1975-07-22 | 1977-09-30 | Предприятие П/Я В-2763 | Устройство дл измерени температуры в электрических аппаратах |
| US4140393A (en) * | 1976-02-23 | 1979-02-20 | University Of Arizona | Birefringent crystal thermometer |
| US4136566A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-30 | University Of Utah | Semiconductor temperature sensor |
| US4355910A (en) * | 1979-01-22 | 1982-10-26 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for an optical sensor utilizing semiconductor filters |
| SE431259B (sv) * | 1979-10-10 | 1984-01-23 | Asea Ab | Fiberoptisk temperaturgivare baserad pa fotoluminiscens hos ett fast material |
| US4338516A (en) * | 1980-09-12 | 1982-07-06 | Nasa | Optical crystal temperature gauge with fiber optic connections |
| JPH111437A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Horiuchi:Kk | モズクエキスの製造方法 |
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1982
- 1982-12-17 JP JP57221169A patent/JPS59111027A/ja active Granted
-
1983
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011040588A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | イマジニアリング株式会社 | 温度感応体、光学式温度センサ、温度計測装置及び熱流束計測装置 |
| US9395251B2 (en) | 2009-09-30 | 2016-07-19 | Imagineering, Inc. | Temperature sensitive body, optical temperature sensor, temperature measurement device, and heat flux measurement |
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