JPH0153577B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0153577B2 JPH0153577B2 JP59074703A JP7470384A JPH0153577B2 JP H0153577 B2 JPH0153577 B2 JP H0153577B2 JP 59074703 A JP59074703 A JP 59074703A JP 7470384 A JP7470384 A JP 7470384A JP H0153577 B2 JPH0153577 B2 JP H0153577B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- light
- wavelength
- reactions
- gas
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- Expired
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/121—Coherent waves, e.g. laser beams
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、反応ガスに光を照射することにより
ひき起こされる光化学反応あるいは光分解反応の
ような光誘起反応が複数の反応の組合せで起こる
場合の光による反応誘起方法に関する。
ひき起こされる光化学反応あるいは光分解反応の
ような光誘起反応が複数の反応の組合せで起こる
場合の光による反応誘起方法に関する。
（従来技術とその問題点〕
光によつてひき起こされる反応を利用して各種
の加工あるいは処理を行うことは特にレーザの開
発に伴なつて注目されている。光誘起反応は被処
理物体の温度を高くする必要がないこと、あるい
は電子ビーム、イオンビームを用いる場合のよう
に被処理物体に損傷を与えないことなどの利点が
ある。このような光誘起反応においては、二つ以
上の光化学反応あるいは光分解反応の組合せで起
こることが多いが、光の照射により主として一方
の反応が誘起されることにより進行する。一方光
誘起反応の利用にあたつては反応速度の向上ある
いは反応制御範囲の拡大などがつねに望まれてい
る。
の加工あるいは処理を行うことは特にレーザの開
発に伴なつて注目されている。光誘起反応は被処
理物体の温度を高くする必要がないこと、あるい
は電子ビーム、イオンビームを用いる場合のよう
に被処理物体に損傷を与えないことなどの利点が
ある。このような光誘起反応においては、二つ以
上の光化学反応あるいは光分解反応の組合せで起
こることが多いが、光の照射により主として一方
の反応が誘起されることにより進行する。一方光
誘起反応の利用にあたつては反応速度の向上ある
いは反応制御範囲の拡大などがつねに望まれてい
る。
本発明は、これに対して複数の反応の組合せか
らなる光誘起反応の反応速度の向上、あるいは制
御範囲が拡大できる光による反応誘起方法を提供
することを目的とする。
らなる光誘起反応の反応速度の向上、あるいは制
御範囲が拡大できる光による反応誘起方法を提供
することを目的とする。
本発明は、複数の反応の組合せによる光誘起反
応を個々の反応に適応した波長を有する光の同時
照射により進行させることにより上記の目的を達
成する。
応を個々の反応に適応した波長を有する光の同時
照射により進行させることにより上記の目的を達
成する。
以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。第１図において、シリコン基板１を反応室
２の底部の上に置き、反応室２内を真空ポンプ３
により排気したのち、マスフローメータ４により
流量制御してボンベ５よりSiH4ガスを70ml／
min、ボンベ６よりNH3ガス700ml／minの割合
で反応室２内に導入する。そこへ波長10.6μmの
CO2ガスレーザあるいは波長5144ÅのAr+レーザ
の発振光７を鏡８、レンズ９を介して、また、よ
り波長の短い1930ÅのArFエキシマレーザ光１７
を鏡８、レンズ９を介して基板１の上に入射させ
る。この結果長波長の光７によりSiH4の光分解
反応、短波長の光１７によりNH3の光化学反応
が起こり、活性化したSiとＮのイオンが生ずる。
これにより短波長の光の照射のみで活性化Ｎを生
成し、それをSiH4に作用させて反応させる場合
に比して反応速度が向上し、短時間にSi3N4膜を
基板１の上に形成することができる。
する。第１図において、シリコン基板１を反応室
２の底部の上に置き、反応室２内を真空ポンプ３
により排気したのち、マスフローメータ４により
流量制御してボンベ５よりSiH4ガスを70ml／
min、ボンベ６よりNH3ガス700ml／minの割合
で反応室２内に導入する。そこへ波長10.6μmの
CO2ガスレーザあるいは波長5144ÅのAr+レーザ
の発振光７を鏡８、レンズ９を介して、また、よ
り波長の短い1930ÅのArFエキシマレーザ光１７
を鏡８、レンズ９を介して基板１の上に入射させ
る。この結果長波長の光７によりSiH4の光分解
反応、短波長の光１７によりNH3の光化学反応
が起こり、活性化したSiとＮのイオンが生ずる。
これにより短波長の光の照射のみで活性化Ｎを生
成し、それをSiH4に作用させて反応させる場合
に比して反応速度が向上し、短時間にSi3N4膜を
基板１の上に形成することができる。
次にシリコン基板１上にりんガラス層を形成す
る実施例について述べる。この場合は反応室２に
ボンベ５よりSiH4ガス、ボンベ１０よりP2O5ガ
ス、ボンベ１１よりN2Oガスを導入し、CO2ガス
レーザあるいはAr+レーザからの光７と、例えば
3600Åの波長のXeFエキシマレーザ光１７とを照
射する。長波長の光７の照射によりSiH4の光分
解反応が起こつて活性化したSiイオン、短波長の
光１７の照射によりP2O5およびN2Oの光分解反
応が起こつて活性化したＰイオンおよびＯイオン
が生じ、これからりんけい酸ガラス膜が基板表面
に形成される。この場合光７，１８の光源の光度
比の調整によりガラスの組成を調整することがで
きる。たとえば光７の光源の光度を最初低く、後
に高くして第２図に示すように基板１に接する下
層１２のＰの含有量を１〜3mol％、上層１３の
Ｐの含有量を5mol％以上にし、レジスト膜１４
で被覆して弗酸系のエツチング液による湿式エツ
チング、あるいはCF4ガスを光の局部照射により
イオン化して行う局部的乾式エツチングを施せ
ば、上層１３が下層１２に比してエツチングされ
やすいため、点線１５に示したようにテーパが生
ずる。従つてこのようなりんガラス膜１２，１３
の上に配線を被着する場合には、段差被覆性が良
好で断線の虞がなくなる。あるいは逆に上層１３
のＰ含有量を下層１２のそれより少なくすれば、
レジストの下側へのサイドエツチの防止に役立
ち、精密なりんガラスパターンを形成できる。ま
たAlはＰによつて腐食されやすいので、短波長
の光１７のビームによつて基板１の上面を走査す
る場合に、Al配線の被着されない領域では光１
７の光源の光度を高くして、Ｐ含有量が多くパツ
シベーシヨン効果の大きいりんガラス膜を形成
し、Al配線の被着される領域では光１７の光源
の光度を低くして、Ｐ含有量が少なくAlに対す
る腐食性の弱いりんガラス膜を形成することもで
きる。
る実施例について述べる。この場合は反応室２に
ボンベ５よりSiH4ガス、ボンベ１０よりP2O5ガ
ス、ボンベ１１よりN2Oガスを導入し、CO2ガス
レーザあるいはAr+レーザからの光７と、例えば
3600Åの波長のXeFエキシマレーザ光１７とを照
射する。長波長の光７の照射によりSiH4の光分
解反応が起こつて活性化したSiイオン、短波長の
光１７の照射によりP2O5およびN2Oの光分解反
応が起こつて活性化したＰイオンおよびＯイオン
が生じ、これからりんけい酸ガラス膜が基板表面
に形成される。この場合光７，１８の光源の光度
比の調整によりガラスの組成を調整することがで
きる。たとえば光７の光源の光度を最初低く、後
に高くして第２図に示すように基板１に接する下
層１２のＰの含有量を１〜3mol％、上層１３の
Ｐの含有量を5mol％以上にし、レジスト膜１４
で被覆して弗酸系のエツチング液による湿式エツ
チング、あるいはCF4ガスを光の局部照射により
イオン化して行う局部的乾式エツチングを施せ
ば、上層１３が下層１２に比してエツチングされ
やすいため、点線１５に示したようにテーパが生
ずる。従つてこのようなりんガラス膜１２，１３
の上に配線を被着する場合には、段差被覆性が良
好で断線の虞がなくなる。あるいは逆に上層１３
のＰ含有量を下層１２のそれより少なくすれば、
レジストの下側へのサイドエツチの防止に役立
ち、精密なりんガラスパターンを形成できる。ま
たAlはＰによつて腐食されやすいので、短波長
の光１７のビームによつて基板１の上面を走査す
る場合に、Al配線の被着されない領域では光１
７の光源の光度を高くして、Ｐ含有量が多くパツ
シベーシヨン効果の大きいりんガラス膜を形成
し、Al配線の被着される領域では光１７の光源
の光度を低くして、Ｐ含有量が少なくAlに対す
る腐食性の弱いりんガラス膜を形成することもで
きる。
以上述べたように本発明は反応ガスに波長の異
なる光を同時に照射して複数の光化学反応あるい
は光分解反応をそれぞれ誘起するもので、１種類
の光だけの照射にくらべ反応速度を向上させるこ
とができる。また各光の光源の光度比の制御によ
り各反応の進行の割合を変化させることができる
ため、時間的あるいは場所的に異なる組成の反応
生成物を形成することができ、半導体装置の製造
をはじめ多くの場合に有効に適用できる。
なる光を同時に照射して複数の光化学反応あるい
は光分解反応をそれぞれ誘起するもので、１種類
の光だけの照射にくらべ反応速度を向上させるこ
とができる。また各光の光源の光度比の制御によ
り各反応の進行の割合を変化させることができる
ため、時間的あるいは場所的に異なる組成の反応
生成物を形成することができ、半導体装置の製造
をはじめ多くの場合に有効に適用できる。
第１図は本発明の実施例のための装置の断面
図、第２図は本発明の一実施例によるりんガラス
膜被覆シリコン基板の断面図である。 １…シリコン基板、２…反応室、５…SiH4ボ
ンベ、６…NH3ボンベ、７…長波長レーザ光、
１０…P2O5ボンベ、１１…N2Oボンベ、１２…
りんガラス下層、１３…りんガラス上層、１７…
短波長レーザ光。
図、第２図は本発明の一実施例によるりんガラス
膜被覆シリコン基板の断面図である。 １…シリコン基板、２…反応室、５…SiH4ボ
ンベ、６…NH3ボンベ、７…長波長レーザ光、
１０…P2O5ボンベ、１１…N2Oボンベ、１２…
りんガラス下層、１３…りんガラス上層、１７…
短波長レーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の異なる反応ガスを反応室に導入し、該
反応ガスに光を照射して光誘起反応を生じさせる
光による反応誘起方法において、個々の反応ガス
の反応に対応した波長を有する光の同時照射によ
り、各反応ガスを個々に励起することを特徴とす
る光による反応誘起方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
各光の光源の光度比を変化させることにより時間
的または場所的に組成の異なる反応生成物を形成
することを特徴とする光による反応誘起方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7470384A JPS60220139A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光による反応誘起方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7470384A JPS60220139A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光による反応誘起方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220139A JPS60220139A (ja) | 1985-11-02 |
| JPH0153577B2 true JPH0153577B2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=13554850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7470384A Granted JPS60220139A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光による反応誘起方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220139A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075146B2 (en) | 2004-02-24 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | 4F2 EEPROM NROM memory arrays with vertical devices |
| US7095075B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance |
| US7157771B2 (en) | 2004-01-30 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Vertical device 4F2 EEPROM memory |
| US7241654B2 (en) | 2003-12-17 | 2007-07-10 | Micron Technology, Inc. | Vertical NROM NAND flash memory array |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3750091T2 (de) * | 1986-12-25 | 1994-09-22 | Kawasaki Steel Co | Optisches cvd-verfahren. |
| JP5468835B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2014-04-09 | リンテック株式会社 | 光照射装置および光照射方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59216629A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-06 | Nec Corp | 光気相成長法 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7470384A patent/JPS60220139A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095075B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance |
| US7241654B2 (en) | 2003-12-17 | 2007-07-10 | Micron Technology, Inc. | Vertical NROM NAND flash memory array |
| US7339239B2 (en) | 2003-12-17 | 2008-03-04 | Micron Technology, Inc. | Vertical NROM NAND flash memory array |
| US7157771B2 (en) | 2004-01-30 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Vertical device 4F2 EEPROM memory |
| US7332773B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Vertical device 4F2 EEPROM memory |
| US7075146B2 (en) | 2004-02-24 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | 4F2 EEPROM NROM memory arrays with vertical devices |
| US7282762B2 (en) | 2004-02-24 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | 4F2 EEPROM NROM memory arrays with vertical devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60220139A (ja) | 1985-11-02 |
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