JPH0155589B2 - - Google Patents
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- JPH0155589B2 JPH0155589B2 JP57057269A JP5726982A JPH0155589B2 JP H0155589 B2 JPH0155589 B2 JP H0155589B2 JP 57057269 A JP57057269 A JP 57057269A JP 5726982 A JP5726982 A JP 5726982A JP H0155589 B2 JPH0155589 B2 JP H0155589B2
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- Japan
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- layer
- optical waveguide
- region
- optical
- active layer
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、活性領域と反射鏡領域との結合を容
易に行なうことができる分布ブラツグ反射型半導
体レーザ装置の製造方法に関する。
易に行なうことができる分布ブラツグ反射型半導
体レーザ装置の製造方法に関する。
近時、光通信や光記録等の技術分野において、
小型軽量でかつ高速変調が可能である半導体レー
ザ装置が広く用いられている。この種の用途に用
いられる半導体レーザ装置では、単色性および波
長安定性に劣るため、その波長制御技術が重要な
課題となつている。
小型軽量でかつ高速変調が可能である半導体レー
ザ装置が広く用いられている。この種の用途に用
いられる半導体レーザ装置では、単色性および波
長安定性に劣るため、その波長制御技術が重要な
課題となつている。
レーザ光を波長制御するためには、回折格子の
応用が最も有効であり、従来分布ブラツグ反射型
（DBR）レーザ装置、分布帰還型（DFB）レーザ
装置および回折格子結合型（GC）レーザ装置等
が開発されている。これらの中で、特にDBRレ
ーザ装置は、活性領域と反射鏡の領域とを分離で
きるため光集積回路への応用が期待されている。
応用が最も有効であり、従来分布ブラツグ反射型
（DBR）レーザ装置、分布帰還型（DFB）レーザ
装置および回折格子結合型（GC）レーザ装置等
が開発されている。これらの中で、特にDBRレ
ーザ装置は、活性領域と反射鏡の領域とを分離で
きるため光集積回路への応用が期待されている。
しかしながら、DBRレーザ装置にあつては、
活性領域と反射鏡領域との結合が難しいと云う問
題がある。従来この種の結合方法としては、テー
パ結合や２重導波路結合等の手法が提案されてい
る。これらの結合方法は、それぞれ結合定数の整
合によつて高い結合効率が得られるが、テーパ結
合においてはテーパ部の形成が難しく、さらに２
重導波路結合においては２つの導波路の伝搬定数
を整合させることが難しいと云う欠点をそれぞれ
有している。また、これらの結合方法にあつて
は、活性領域においても光導波路が存在するた
め、この点からも結合が難しくなると云う欠点が
あつた。
活性領域と反射鏡領域との結合が難しいと云う問
題がある。従来この種の結合方法としては、テー
パ結合や２重導波路結合等の手法が提案されてい
る。これらの結合方法は、それぞれ結合定数の整
合によつて高い結合効率が得られるが、テーパ結
合においてはテーパ部の形成が難しく、さらに２
重導波路結合においては２つの導波路の伝搬定数
を整合させることが難しいと云う欠点をそれぞれ
有している。また、これらの結合方法にあつて
は、活性領域においても光導波路が存在するた
め、この点からも結合が難しくなると云う欠点が
あつた。
本発明の目的は、活性領域と反射鏡領域との結
合を容易に行なうことができ、且つ活性領域外で
の損失を極めて小さくし得るDBR型の半導体レ
ーザ装置を容易に製造できる方法を提供すること
にある。
合を容易に行なうことができ、且つ活性領域外で
の損失を極めて小さくし得るDBR型の半導体レ
ーザ装置を容易に製造できる方法を提供すること
にある。
本発明の要旨は、電流注入によりレーザを励起
する励起領域と上記レーザの分布反射鏡となる周
期的凹凸を備えた非励起領域とを半導体基板上に
形成してなる分布ブラツグ反射型の半導体レーザ
装置の製造方法において、上記半導体基板上にそ
の上部或いは下部に接して前記分布反射鏡を有す
る光導波路層をストライプ状に形成した後、第１
の光閉じ込め層、活性層、第２の光閉じ込め層を
順次結晶成長させ、これにより上記活性層が前記
光導波路層の存在する領域上の厚みが前記光導波
路層の存在しない領域上の厚みより薄く形成さ
れ、且つ光導波路層の存在する領域の境界部にお
いてテーパ形状に形成されるようにしたものであ
る。
する励起領域と上記レーザの分布反射鏡となる周
期的凹凸を備えた非励起領域とを半導体基板上に
形成してなる分布ブラツグ反射型の半導体レーザ
装置の製造方法において、上記半導体基板上にそ
の上部或いは下部に接して前記分布反射鏡を有す
る光導波路層をストライプ状に形成した後、第１
の光閉じ込め層、活性層、第２の光閉じ込め層を
順次結晶成長させ、これにより上記活性層が前記
光導波路層の存在する領域上の厚みが前記光導波
路層の存在しない領域上の厚みより薄く形成さ
れ、且つ光導波路層の存在する領域の境界部にお
いてテーパ形状に形成されるようにしたものであ
る。
すなわち本発明は、光導波路を選択的に形成し
て活性領域から分離させるものであり、最初に半
導体基板上に光導波路を結晶成長および選択エツ
チングにより形成する。その後、第１の光閉じ込
め層、活性層および第２の光閉じ込め層を順次結
晶成長せしめる。このとき、光導波路の存在する
領域上においては結晶成長層の成長厚みが基板凸
部の結晶成長特性により薄く形成される。このた
め、活性層の厚さ変化が光導波路上で薄く、他の
平坦部で厚くなる。さらに、活性層の光導波路上
と半導体基板上との境界部はテーパ形状を成す。
また、光導波路上の結晶成長層を活性層に至る深
さまで選択エツチングすることにより、活性層を
光導波路の存在しない領域上のみに形成すること
もできる。次いで、電流注入部を光導波路と光軸
とが一致する前記平坦部に設けることにより、電
流注入部を設けた平坦部、つまり活性領域では光
導波路が存在せず活性層での光閉じ込めが良好と
なる。また、光導波路との境域においては活性層
がテーパ形状を成し、活性層と光導波路との結合
がスムーズに行われる。さらに、光導波路上では
活性層が薄くなつている、或いは全く存在しない
ことにより、光伝搬の殆んどが光導波路内で行わ
れ吸収損失が低減されることになる。
て活性領域から分離させるものであり、最初に半
導体基板上に光導波路を結晶成長および選択エツ
チングにより形成する。その後、第１の光閉じ込
め層、活性層および第２の光閉じ込め層を順次結
晶成長せしめる。このとき、光導波路の存在する
領域上においては結晶成長層の成長厚みが基板凸
部の結晶成長特性により薄く形成される。このた
め、活性層の厚さ変化が光導波路上で薄く、他の
平坦部で厚くなる。さらに、活性層の光導波路上
と半導体基板上との境界部はテーパ形状を成す。
また、光導波路上の結晶成長層を活性層に至る深
さまで選択エツチングすることにより、活性層を
光導波路の存在しない領域上のみに形成すること
もできる。次いで、電流注入部を光導波路と光軸
とが一致する前記平坦部に設けることにより、電
流注入部を設けた平坦部、つまり活性領域では光
導波路が存在せず活性層での光閉じ込めが良好と
なる。また、光導波路との境域においては活性層
がテーパ形状を成し、活性層と光導波路との結合
がスムーズに行われる。さらに、光導波路上では
活性層が薄くなつている、或いは全く存在しない
ことにより、光伝搬の殆んどが光導波路内で行わ
れ吸収損失が低減されることになる。
また、本発明では、光導波路層をストライプ状
にしているため、横モードが抑制され、単一横モ
ード発振が可能となる。
にしているため、横モードが抑制され、単一横モ
ード発振が可能となる。
本発明によれば、比較的容易な製造工程により
DBRレーザ装置の吸収損失および反射損失を極
めて小さくすることができる。このため、動作電
流の低減化および素子動作の高効率化をはかり得
て、これにより集積回路への効果的な応用が可能
となる。
DBRレーザ装置の吸収損失および反射損失を極
めて小さくすることができる。このため、動作電
流の低減化および素子動作の高効率化をはかり得
て、これにより集積回路への効果的な応用が可能
となる。
第１図乃至第４図ａ〜ｃはそれぞれ本発明の第
１の実施例に係わるDBR半導体レーザ装置の概
略構造を説明するためのもので第１図は平面図、
第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は第
１図の矢視Ｂ−Ｂ断面図、第４図ａは第１図の矢
視Ｃ−Ｃ断面図、第４図ｂ，ｃは垂直方向の屈折
率分布を示す模式図である。図中１はＮ−InP基
板（半導体基板）であり、この基板１上には該基
板１との境界で周期的凹凸を成すInGaAsP層
（光導波路層）２が選択的に形成されている。そ
して、基板１および光導波路層２上にはＮ−InP
クラツド層（第１の光閉じ込め層）３，Ｐ−
InGaAsP層（活性層）４、Ｐ−InPクラツド層
（第２の光閉じ込め層）５およびＰ−InGaAsP層
（オーミツクコンタクト層）６が上記順に成長形
成されている。なお、図中７は電流狭窄を行うた
めの絶縁膜、８，９はそれぞれ電極を示してい
る。そして、第４図ａに１点鎖線Ｐ，Ｑで示す方
向の屈折率分布は、同図ｂ，ｃに示す如く活性層
４および光導波路層２の領域で高くなつている。
１の実施例に係わるDBR半導体レーザ装置の概
略構造を説明するためのもので第１図は平面図、
第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は第
１図の矢視Ｂ−Ｂ断面図、第４図ａは第１図の矢
視Ｃ−Ｃ断面図、第４図ｂ，ｃは垂直方向の屈折
率分布を示す模式図である。図中１はＮ−InP基
板（半導体基板）であり、この基板１上には該基
板１との境界で周期的凹凸を成すInGaAsP層
（光導波路層）２が選択的に形成されている。そ
して、基板１および光導波路層２上にはＮ−InP
クラツド層（第１の光閉じ込め層）３，Ｐ−
InGaAsP層（活性層）４、Ｐ−InPクラツド層
（第２の光閉じ込め層）５およびＰ−InGaAsP層
（オーミツクコンタクト層）６が上記順に成長形
成されている。なお、図中７は電流狭窄を行うた
めの絶縁膜、８，９はそれぞれ電極を示してい
る。そして、第４図ａに１点鎖線Ｐ，Ｑで示す方
向の屈折率分布は、同図ｂ，ｃに示す如く活性層
４および光導波路層２の領域で高くなつている。
上記構成の半導体レーザ装置の製造工程は次の
通りである。まず、第５図ａに示す如く半導体基
板１上に、例えば２光束干渉法を用いて一定周期
の回折格子を形成したのち、同図ｂに示す如く基
板１上に光導波路層２を結晶成長せしめる。次い
で、第５図ｃに示す如く光導波路層２をストライ
プ状に残し、基板１に至る深さまでメサエツチン
グを行う。続いて、第５図ｄに示す如く基板１お
よび光導波路層２上に第１の光閉じ込め層３、活
性層４、第２の光閉じ込め層５およびオーミツク
コンタクト層６を順次結晶成長せしめる。ここ
で、光導波路層２の存在しない領域における活性
層４は、その高さが光導波路層２のメサの高さよ
り低いか、或いは同じ程度にする。これにより、
活性層４の厚さが光導波路層２の存在する領域に
おいて他の部分より薄く形成されるので、光導波
路層２の存在する領域では等価的な屈折率分布の
中心が導波層側に移動することになる。さらに、
活性層４の厚みが徐々に変化していることから上
記屈折率分布の中心移動がスムーズに行われ、こ
れにより活性層４から光導波路層２への伝搬定数
の整合が容易となる。なお、第５図ｄに示した工
程の後、前記絶縁膜７および電極８，９の被着工
程を施すことによつて、前記第１図乃至第４図ａ
〜ｃに示した構造の半導体レーザ装置が形成され
ることになる。
通りである。まず、第５図ａに示す如く半導体基
板１上に、例えば２光束干渉法を用いて一定周期
の回折格子を形成したのち、同図ｂに示す如く基
板１上に光導波路層２を結晶成長せしめる。次い
で、第５図ｃに示す如く光導波路層２をストライ
プ状に残し、基板１に至る深さまでメサエツチン
グを行う。続いて、第５図ｄに示す如く基板１お
よび光導波路層２上に第１の光閉じ込め層３、活
性層４、第２の光閉じ込め層５およびオーミツク
コンタクト層６を順次結晶成長せしめる。ここ
で、光導波路層２の存在しない領域における活性
層４は、その高さが光導波路層２のメサの高さよ
り低いか、或いは同じ程度にする。これにより、
活性層４の厚さが光導波路層２の存在する領域に
おいて他の部分より薄く形成されるので、光導波
路層２の存在する領域では等価的な屈折率分布の
中心が導波層側に移動することになる。さらに、
活性層４の厚みが徐々に変化していることから上
記屈折率分布の中心移動がスムーズに行われ、こ
れにより活性層４から光導波路層２への伝搬定数
の整合が容易となる。なお、第５図ｄに示した工
程の後、前記絶縁膜７および電極８，９の被着工
程を施すことによつて、前記第１図乃至第４図ａ
〜ｃに示した構造の半導体レーザ装置が形成され
ることになる。
かくして本実施例によれば、光導波路層２の存
在しない領域、つまり選択的な電流注入を行う活
性領域では活性層４の近傍に屈折率の高い領域が
存在しないことになり、これにより活性層４での
光閉じ込めを良好に行うことができる。しかも、
光導波路層２との境域において活性層４をテーパ
形状を成すようにしているので、活性層４と光導
波路層２との結合をスムーズに行うことができ
る。さらに、光導波路層２上では活性層４が薄く
なることから、光伝搬を殆んど光導波路層２内で
行うことができ、吸収損失を低減し得る等の効果
を奏する。また、上述した理由から吸収損失およ
び反射損失の小さい半導体レーザ装置を、比較的
容易な工程で実現し得る等の利点がある。
在しない領域、つまり選択的な電流注入を行う活
性領域では活性層４の近傍に屈折率の高い領域が
存在しないことになり、これにより活性層４での
光閉じ込めを良好に行うことができる。しかも、
光導波路層２との境域において活性層４をテーパ
形状を成すようにしているので、活性層４と光導
波路層２との結合をスムーズに行うことができ
る。さらに、光導波路層２上では活性層４が薄く
なることから、光伝搬を殆んど光導波路層２内で
行うことができ、吸収損失を低減し得る等の効果
を奏する。また、上述した理由から吸収損失およ
び反射損失の小さい半導体レーザ装置を、比較的
容易な工程で実現し得る等の利点がある。
第６図は第２の実施例に係わるDBR半導体レ
ーザ装置の概略構造を示す断面図である。なお、
第４図ａと同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明し
た実施例と異なる点は、前記活性層４の前記光導
波路層２上の部分を選択的に除去するようにした
ことである。すなわち、前記第１の光閉じ込め層
３からオーミツクコンタクト層６までを成長形成
したのち、光導波路層２の結晶成長層を第１の光
閉じ込め層３に至る深さまで選択エツチングす
る。しかるのち、絶縁膜７および電極８，９を被
着することによつて、その構造が実現される。
ーザ装置の概略構造を示す断面図である。なお、
第４図ａと同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明し
た実施例と異なる点は、前記活性層４の前記光導
波路層２上の部分を選択的に除去するようにした
ことである。すなわち、前記第１の光閉じ込め層
３からオーミツクコンタクト層６までを成長形成
したのち、光導波路層２の結晶成長層を第１の光
閉じ込め層３に至る深さまで選択エツチングす
る。しかるのち、絶縁膜７および電極８，９を被
着することによつて、その構造が実現される。
このような構造であれば、先の実施例と同様の
効果を奏するのは勿論、次のような効果を奏す
る。すなわち、先の実施例にあつては、光導波路
層２の長さを長くした場合に活性領域から遠くな
るに従つて非励起な活性層４、つまり光導波路層
２上の活性層４による光吸収を受けることがあ
る。本実施例によれば、前述した構造によつて上
述した問題を未然に防止することができる。
効果を奏するのは勿論、次のような効果を奏す
る。すなわち、先の実施例にあつては、光導波路
層２の長さを長くした場合に活性領域から遠くな
るに従つて非励起な活性層４、つまり光導波路層
２上の活性層４による光吸収を受けることがあ
る。本実施例によれば、前述した構造によつて上
述した問題を未然に防止することができる。
第７図は第３の実施例に係わるDBRレーザ装
置の概略構造を示す断面図である。なお、第４図
ａと同一部分には同一符号を付して、その詳しい
説明は省略する。この実施例は先の第２の実施例
における回折格子作成の改良をはかつたものであ
る。通常、回折格子上への結晶成長を行う場合、
結晶組成に差があるもののメルトバツクによる形
状損失が生じ易い。この形状損失による歩留り低
下を防ぐために、回折格子の作成を最後に行うよ
うにしたものである。
置の概略構造を示す断面図である。なお、第４図
ａと同一部分には同一符号を付して、その詳しい
説明は省略する。この実施例は先の第２の実施例
における回折格子作成の改良をはかつたものであ
る。通常、回折格子上への結晶成長を行う場合、
結晶組成に差があるもののメルトバツクによる形
状損失が生じ易い。この形状損失による歩留り低
下を防ぐために、回折格子の作成を最後に行うよ
うにしたものである。
したがつて本実施例によれば、先の第２の実施
例と同様の効果に加えて、上記メルトバツクによ
る形状損失に起因する歩留り低下を未然に防止し
得る等の効果を奏する。
例と同様の効果に加えて、上記メルトバツクによ
る形状損失に起因する歩留り低下を未然に防止し
得る等の効果を奏する。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。前記第１の実施例では光導波路層
２および回折格子を片側のみに構成しているが、
これらを第８図に示すように両側に構成するよう
にしてもよい。さらに、回折格子は必ずしも基板
１上或いは第１の光閉じ込め層３上に形成する必
要はなく、第９図に示す如く光導波路層２上に形
成するようにしてもよい。また、実施例では特に
記載していないが、本発明はそのまま埋め込み構
造や垂直PN接構造等の採用により、横方向に対
する光閉じ込め機構を設けることもできるのは勿
論のことである。さらに、第１の実施例において
は一部に分布帰還型の光帰還構造を採用すること
により、構造最適化をはかることも可能である。
また、回折格子の形状および周期は、その製作条
件やその他の仕様に応じて適宜定めればよい。要
するに本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することができる。
ものではない。前記第１の実施例では光導波路層
２および回折格子を片側のみに構成しているが、
これらを第８図に示すように両側に構成するよう
にしてもよい。さらに、回折格子は必ずしも基板
１上或いは第１の光閉じ込め層３上に形成する必
要はなく、第９図に示す如く光導波路層２上に形
成するようにしてもよい。また、実施例では特に
記載していないが、本発明はそのまま埋め込み構
造や垂直PN接構造等の採用により、横方向に対
する光閉じ込め機構を設けることもできるのは勿
論のことである。さらに、第１の実施例において
は一部に分布帰還型の光帰還構造を採用すること
により、構造最適化をはかることも可能である。
また、回折格子の形状および周期は、その製作条
件やその他の仕様に応じて適宜定めればよい。要
するに本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することができる。
第１図乃至第４図ａ〜ｃはそれぞれ本発明の第
１の実施例に係わるDBR半導体レーザ装置の概
略構造を説明するためのもので第１図は平面図、
第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は第
１図の矢視Ｂ−Ｂ断面図、第４図ａは第１図の矢
視Ｃ−Ｃ断面図、第４図ｂ，ｃは垂直方向の屈折
率分布を示す模式図、第５図ａ〜ｄは上記実施例
装置の製造工程を示す断面図、第６図は第２の実
施例の概略構造を示す断面図、第７図は第３の実
施例の概略構造を示す断面図、第８図および第９
図はそれぞれ変形例を説明するための断面図であ
る。 １……Ｎ−InP基板（半導体基板）、２……
InGaAsP層（光導波路層）、３……Ｎ−InPクラ
ツド層（第１の光閉じ込め層）、４……Ｐ−
InGaAsP層（活性層）、５……Ｐ−InPクラツド
層（第２の光閉じ込め層）、６……Ｐ−InGaAsP
層（オーミツクコンタクト層）、７……絶縁膜、
８，９……電極。
１の実施例に係わるDBR半導体レーザ装置の概
略構造を説明するためのもので第１図は平面図、
第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は第
１図の矢視Ｂ−Ｂ断面図、第４図ａは第１図の矢
視Ｃ−Ｃ断面図、第４図ｂ，ｃは垂直方向の屈折
率分布を示す模式図、第５図ａ〜ｄは上記実施例
装置の製造工程を示す断面図、第６図は第２の実
施例の概略構造を示す断面図、第７図は第３の実
施例の概略構造を示す断面図、第８図および第９
図はそれぞれ変形例を説明するための断面図であ
る。 １……Ｎ−InP基板（半導体基板）、２……
InGaAsP層（光導波路層）、３……Ｎ−InPクラ
ツド層（第１の光閉じ込め層）、４……Ｐ−
InGaAsP層（活性層）、５……Ｐ−InPクラツド
層（第２の光閉じ込め層）、６……Ｐ−InGaAsP
層（オーミツクコンタクト層）、７……絶縁膜、
８，９……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電流注入によりレーザを励起する励起領域と
前記レーザの分布反射鏡となる周期的凹凸を備え
た非励起領域とを半導体基板上に形成してなる分
布ブラツグ反射型の半導体レーザ装置の製造方法
において、前記半導体基板上にその上部或いは下
部に接して前記分布反射鏡を有する光導波路層を
ストライプ状に形成した後、第１の光閉じ込め
層、活性層、第２の光閉じ込め層を順次結晶成長
させて、これにより前記活性層が前記光導波路層
の存在する領域上の厚みが前記光導波路層の存在
しない領域上の厚みより薄く形成され、且つ光導
波路層の存在する領域の境界部においてテーパ形
状に形成されるようにしたことを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法。 ２ 前記光導波路層の存在する領域上において第
２の光閉じ込め層及び活性層までの結晶を選択的
に除去する特許請求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057269A JPS58175885A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057269A JPS58175885A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175885A JPS58175885A (ja) | 1983-10-15 |
| JPH0155589B2 true JPH0155589B2 (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=13050805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57057269A Granted JPS58175885A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175885A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5121487A (ja) * | 1974-08-16 | 1976-02-20 | Hitachi Ltd | Handotaireeza |
| JPS52144989A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor light emitting device |
| JPS53144693A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57057269A patent/JPS58175885A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58175885A (ja) | 1983-10-15 |
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