JPH0157885B2 - - Google Patents
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- JPH0157885B2 JPH0157885B2 JP12994082A JP12994082A JPH0157885B2 JP H0157885 B2 JPH0157885 B2 JP H0157885B2 JP 12994082 A JP12994082 A JP 12994082A JP 12994082 A JP12994082 A JP 12994082A JP H0157885 B2 JPH0157885 B2 JP H0157885B2
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Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/36—Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学的な観察装置や計測装置等におい
て、対物レンズの焦点位置を自動制御して、常に
鮮明な結像状態を得るための焦点制御装置に関
し、特にコヒーレント光を対象レンズで集光し、
微小スポツト光として対象物に照射して、その反
射光に基づいて焦点位置を制御する装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a focus control device for automatically controlling the focal position of an objective lens in an optical observation device, measurement device, etc. to always obtain a clear imaging state. is focused by the target lens,
The present invention relates to a device that irradiates an object with minute spot light and controls the focal position based on the reflected light.
従来よりカメラ等においては、最適な合焦面
(予定焦点面)の前後の前側ピント面、後側ピン
ト面との2ケ所に光電素子を配置して、その光電
出力に基づいて、撮像レンズ(対物レンズ)を透
過した被写体光の像面(又はその共役面)が、最
適な合焦面と一致するように焦点位置を制御する
装置が知られている。ところが、このような自動
焦点制御装置を、ウエハやマスク上のパターン線
幅等を精密測定する装置、ICパターンの欠陥を
検査する装置、あるいは縮小投影露光装置等に適
用する場合は、さらに高い精度とより広い作動領
域が必要とされる。 Traditionally, in cameras, etc., photoelectric elements are placed in two places, the front focusing plane and the rear focusing plane, before and after the optimal focusing plane (planned focal plane), and based on the photoelectric output, the imaging lens ( A device is known that controls the focal position so that the image plane (or its conjugate plane) of object light transmitted through an objective lens coincides with the optimal focusing plane. However, when such automatic focus control devices are applied to devices that precisely measure pattern line widths on wafers or masks, devices that inspect IC pattern defects, or reduction projection exposure devices, even higher accuracy is required. and a wider working area is required.
一般にこの種の各装置は極めて解像力の高い対
物レンズや投影レンズを備えている。そして高解
像レンズでは、固有のレンズ収差のために前側ピ
ント面と後側ピント面とでのボケ像は非対称にな
つてしまう。このため単に前側ピント面と後側ピ
ント面からの光電情報に基づいて焦点位置を制御
しても、必要とされる精度、例えば対物レンズの
焦点深度内に精密に制御することができない、と
いつた欠点があつた。 Generally, each type of device is equipped with an objective lens or a projection lens with extremely high resolution. In a high-resolution lens, the blurred image between the front focal plane and the rear focal plane becomes asymmetrical due to inherent lens aberrations. For this reason, simply controlling the focal position based on photoelectric information from the front focal plane and the rear focal plane cannot achieve the required precision, for example, precisely within the focal depth of the objective lens. There were some shortcomings.
そこで本発明は、これらの欠点を解決し、高精
度で広い作動領域を備えた焦点制御装置を得るこ
とを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve these drawbacks and provide a focus control device with high precision and a wide operating range.
次に本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第1図は半導体ウエハやマスク上をレーザ光
のスポツトで走査して、パターンの線幅やエツジ
間隔を測定する線幅測定装置の斜視図である。こ
の装置はパターンエツジにスポツト光を照射した
とき、エツジから生じる回折光や散乱光を光電検
出して線幅を測定するものである。この装置につ
いて詳しくは特公昭56−25964号、「パターン線幅
測定装置」に開示されているので、本発明と直接
関係のない線幅測定の説明は省略する。第1図に
おいて、レーザ光源1からのレーザ光は、ビーム
コリメータ2によつて拡大されて平行光束にな
り、ハーフミラー3を介して反射ミラー4で対物
レンズ5に反射される。対物レンズ5に入射した
平行なレーザ光は、微小なスポツト光(直径1μ
m程度)に収束されて、観察や測定の対象物とし
ての試料6を照射する。試料6の試料面からの反
射光は対物レンズ5を逆入射して再び平行光束に
なり、反射ミラー4で反射された後、ハーフミラ
ー3で反射されて、対物レンズ5の焦点ずれを検
出する検出光学系に入射する。この検出光学系に
ついて、さらに第2図と共に説明する。ハーフミ
ラー3からの光束はビームスプリツタ7によつて
2つの光束に分けられ、一方の光束はミラー8を
介して短焦点距離のレンズ9(第1結像手段)に
入射し、他方の光束は長焦点距離のレンズ10
(第2、第3結像手段)に入射する。レンズ9を
通つた光束はビームスプリツタ13に入射し、さ
らに2つの光束に分割される。そしてビームスプ
リツタ13のスプリツト面13bを透過した光束
は、光路長補正ガラス14を通つて、1次元のフ
オトアレイ、例えば電荷結合デバイス(以下、
CCDとする)15の受光面を素子の配列方向に
3分割したうちの中央部分に達する。一方、ビー
ムスプリツタ13のスプリツト面13bで反射し
た光束は、反射面13cで反射されて、CCD1
5の左側部分(第2図では下方)に達する。さら
にレンズ10を通つた光束は光路長補正ガラス1
1を通りミラー12で反射された後、ビームスプ
リツタ13の反射面13aで反射されて、CCD
15の右側部分(第2図では上方)に達する。
尚、ここでCCD15の受光面上において、レン
ズ10を通つた光束を受光する領域を合焦検出領
域15aとし、ビームスプリツタ13を通つた2
光束を受光する領域を、各々後ピン検出領域15
b、前ピン検出領域15cと呼ぶことにする。ま
た合焦検出領域15aの受光面は、対物レンズ5
の焦点位置が試料面と合致したとき、対物レンズ
5を逆入射したスポツト光が結像される位置、す
なわち最適な合焦面(予定焦点面)上に配置され
ている。この際、後ピン検出領域15bは対物レ
ンズ5の光軸方向に沿つて最適な合焦面の後側に
位置するように定められ、前ピン検出領域15c
は最適な合焦面の前側に位置するように定めら
れ、領域15bと15cは、領域15aからの光
路長が共に等しく定められている。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a line width measuring device that scans a semiconductor wafer or mask with a spot of laser light to measure the line width and edge spacing of a pattern. This device measures the line width by photoelectrically detecting the diffracted light and scattered light generated from the edge when a spot light is irradiated onto the edge of the pattern. The details of this device are disclosed in Japanese Patent Publication No. 56-25964, ``Pattern Line Width Measuring Apparatus,'' so a description of the line width measurement, which is not directly related to the present invention, will be omitted. In FIG. 1, a laser beam from a laser light source 1 is expanded by a beam collimator 2 to become a parallel beam of light, which is reflected by a reflection mirror 4 to an objective lens 5 via a half mirror 3. The parallel laser light incident on the objective lens 5 is a minute spot light (1μ in diameter).
m), and irradiates the sample 6 as an object to be observed or measured. The reflected light from the sample surface of the sample 6 enters the objective lens 5 in the reverse direction, becomes a parallel beam again, is reflected by the reflection mirror 4, and then is reflected by the half mirror 3, and the defocus of the objective lens 5 is detected. incident on the detection optical system. This detection optical system will be further explained with reference to FIG. The beam from the half mirror 3 is split into two beams by the beam splitter 7, one beam enters a short focal length lens 9 (first imaging means) via the mirror 8, and the other beam is split into two beams. is a long focal length lens 10
(second and third imaging means). The light beam passing through the lens 9 enters the beam splitter 13 and is further split into two light beams. The light beam transmitted through the splitting surface 13b of the beam splitter 13 passes through the optical path length correction glass 14, and then passes through a one-dimensional photo array, such as a charge-coupled device (hereinafter referred to as
It reaches the center of the 15 light-receiving surfaces (CCD) divided into three in the element arrangement direction. On the other hand, the luminous flux reflected by the splitting surface 13b of the beam splitter 13 is reflected by the reflecting surface 13c, and the beam is reflected by the CCD 1.
5 (lower part in Figure 2). Furthermore, the light beam passing through the lens 10 is transmitted through the optical path length correction glass 1
1, is reflected by mirror 12, is reflected by reflection surface 13a of beam splitter 13, and is reflected by CCD
15 (upper part in FIG. 2).
Here, on the light receiving surface of the CCD 15, the area that receives the light beam that has passed through the lens 10 is defined as the focus detection area 15a, and the area that receives the light beam that has passed through the beam splitter 13 is defined as the focus detection area 15a.
The areas that receive the light flux are respectively designated as rear focus detection areas 15.
b. This will be referred to as the front focus detection area 15c. The light receiving surface of the focus detection area 15a is the objective lens 5.
When the focal position of the spot light coincides with the sample surface, the spot light entering the objective lens 5 in the opposite direction is located at the position where the image is formed, that is, on the optimal focal plane (planned focal plane). At this time, the rear focus detection area 15b is determined to be located behind the optimal focusing plane along the optical axis direction of the objective lens 5, and the front focus detection area 15c
is determined to be located in front of the optimal focusing plane, and regions 15b and 15c are determined to have equal optical path lengths from region 15a.
また、レンズ9,10は、一例として焦点距離
が約300mmと900mmに定められている。 Furthermore, the lenses 9 and 10 have focal lengths of approximately 300 mm and 900 mm, for example.
次に、CCD15の光電出力に基づいて焦点制
御する制御回路を第3図により説明する。CCD
15の各受光エレメントの光強度に対応した測光
情報としての蓄積電荷量は、CCD駆動回路16
からのタイミングパルスに応答して順次時系列に
取り出される。掃き出された各受光エレメントの
電荷量はアンプ17によつて増幅された後、サン
プルホールド回路18に入力する。サンプルホー
ルド回路18はCCD駆動回路16のタイミング
パルス毎に、アンプ17の出力電圧のピーク値を
サンプレして保持する。割算器19は、サンプル
ホールド回路18の出力電圧を次のA/D変換器
20の入力レベル範囲に対して最適化するもので
ある。割算器19で最適化された出力電圧はA/
D変換器20により、CCD駆動回路16のタイ
ミングパルスに応答してデジタル値に変換され、
そのデジタル値は高速I/O転送(例えばダイレ
クト・メモリ・アクセス(DMA)方式)によ
り、ランダム・アクセス形式のメモリ21に順次
記憶される。このとき、メモリ21には、CCD
15の各受光エレメントに対応して番地付けされ
た蓄積電荷量のデジタル値が順次記憶される。 Next, a control circuit for controlling the focus based on the photoelectric output of the CCD 15 will be explained with reference to FIG. CCD
The amount of accumulated charge as photometric information corresponding to the light intensity of each light-receiving element 15 is determined by the CCD drive circuit 16.
The data are sequentially extracted in chronological order in response to timing pulses from. The amount of electric charge swept out from each light-receiving element is amplified by an amplifier 17 and then input to a sample-and-hold circuit 18 . The sample and hold circuit 18 samples and holds the peak value of the output voltage of the amplifier 17 at every timing pulse of the CCD drive circuit 16. The divider 19 optimizes the output voltage of the sample and hold circuit 18 for the next input level range of the A/D converter 20. The output voltage optimized by the divider 19 is A/
is converted into a digital value by the D converter 20 in response to the timing pulse of the CCD drive circuit 16,
The digital values are sequentially stored in memory 21 in a random access format by high speed I/O transfer (eg, direct memory access (DMA) method). At this time, the memory 21 contains the CCD
Digital values of accumulated charge amounts assigned corresponding to each of the 15 light receiving elements are sequentially stored.
さて、メモリ21に記憶されたデジタル値はマ
イクロ・プロセツサ22、及び乗除算専用の高速
プロセツサ23によつて、特定のアルゴリズムに
従つて演算処理される。このとき、マイクロ・プ
ロセツサ22は、CCD15の電荷量を掃き出し
た時点の対物レンズ5の焦点位置と試料面とのず
れ量を求め、そのずれ量に対応した対物レンズ5
の駆動装置D/A変換器24に出力する。そして
モータ等による駆動装置25はD/A変換器24
の出力信号に応答して、対物レンズ5を光軸方向
に所定量だけ移動させる。 Now, the digital values stored in the memory 21 are processed by a microprocessor 22 and a high-speed processor 23 dedicated to multiplication and division according to a specific algorithm. At this time, the microprocessor 22 determines the amount of deviation between the focal position of the objective lens 5 and the sample surface at the time when the amount of charge on the CCD 15 is swept out, and adjusts the amount of the objective lens 5 corresponding to the amount of deviation.
The output signal is output to the drive device D/A converter 24. A drive device 25 using a motor etc. is a D/A converter 24.
In response to the output signal, the objective lens 5 is moved by a predetermined amount in the optical axis direction.
尚、割算器19はマイクロ・プロセツサ22の
出力データをD/A変換器26でアナログ化した
ものを分母として、サンプル・ホールド回路18
の出力電圧をアナログ的に除算する。この割算器
19はマイクロ・プロセツサ22を介して、いわ
ゆるオート・ゲイン・コントロール(AGC)と
して作用する。また、マイクロ・プロセツサ22
には所定の動作を行なわせるためのプログラムを
常駐するメモリ部と、各種演算や比較等を行なう
演算レジスタ部と、外部の各回路とのやり取りを
行なうI/Oポート部等が含まれている。 Note that the divider 19 uses the output data of the microprocessor 22 converted into analog data by the D/A converter 26 as the denominator, and divides the data into the sample and hold circuit 18.
Divide the output voltage in an analog way. This divider 19 functions via a microprocessor 22 as a so-called automatic gain control (AGC). In addition, the microprocessor 22
It includes a memory section that stores programs for performing predetermined operations, an arithmetic register section that performs various calculations and comparisons, and an I/O port section that communicates with external circuits. .
次に、この装置の動作を第4図のフローチヤー
ト図に基づいて説明する。このフローチヤート図
はマイクロ・プロセツサ22の動作シーケンスを
示すものである。線幅を測定しようとする試料6
を対物レンズ5の下に載置する。この際、対物レ
ンズ5と試料6とは、試料6の厚さを考慮して予
め定められた間隔に設定される。焦点制御動作が
開始されると、ステツプ100の「CCDRD1」
で、CCD15の測光情報が各受光エレメント毎
に全て読み出され、A/D変換器20を介してメ
モリ21に順次記憶される。そしてマイクロ・プ
ロセツサ22はメモリ21に記憶された測光情報
のうち、CCD15の前ピン検出領域15cと後
ピン検出領域15bとに相当する測光情報を読み
出して、ステツプ101の「エリア検出」の処理
を実行する。この「エリア検出」は対物レンズ5
の焦点位置と試料面とのずれ量が、読み出した測
光情報に基づいて、ただちに求められるか否かを
検出するものである。ずれ量が極めて大きいと
CCD15の受光面上の光強度分布は第5図aの
ように、各検出領域15a〜15bに渡つてほぼ
フラツトになつてしまう。尚、第5図でDsは
A/D変換器20かデジタル変換し得る最大の値
に相当する。この「エリア検出」は前ピン、後ピ
ン検出領域15c,15bの光強度分布に所定の
大きさのピーク(又はデイツプ)があるか否かを
検出する。もし、第5図aのように光強度分布が
フラツトであれば、マイクロ・プロセツサ22は
次のステツプ102でエリア外と判断して、ステ
ツプ103の「レンズ駆動A」に実行を移す。
「レンズ駆動A」の処理は、対物レンズ5を光軸
方向に一定量だけ駆動させるものである。具体的
には、マイクロ・プロセツサ22がD/A変換器
24に、予め定められた一定値、例えば対物レン
ズ5の移動量として20μmに相当する値を出力す
る。この値に応じて駆動装置25は対物レンズ5
を移動する。この移動が終了すると、マイクロ・
プロセツサ22は再びステツプ100から上述の
動作を繰り返す。 Next, the operation of this device will be explained based on the flowchart shown in FIG. This flowchart shows the operation sequence of the microprocessor 22. Sample 6 whose line width is to be measured
is placed under the objective lens 5. At this time, the objective lens 5 and the sample 6 are set at a predetermined interval in consideration of the thickness of the sample 6. When the focus control operation starts, “CCDRD1” in step 100
All the photometric information from the CCD 15 is read out for each light receiving element and sequentially stored in the memory 21 via the A/D converter 20. Then, the microprocessor 22 reads the photometric information corresponding to the front focus detection area 15c and the rear focus detection area 15b of the CCD 15 from among the photometry information stored in the memory 21, and performs the "area detection" process in step 101. Execute. This "area detection" is performed using the objective lens 5.
This is to detect whether the amount of deviation between the focal point position and the sample surface can be immediately determined based on the read photometric information. If the amount of deviation is extremely large
As shown in FIG. 5a, the light intensity distribution on the light receiving surface of the CCD 15 becomes substantially flat over each of the detection areas 15a to 15b. In FIG. 5, Ds corresponds to the maximum value that can be digitally converted by the A/D converter 20. This "area detection" detects whether there is a peak (or dip) of a predetermined size in the light intensity distribution of the front focus and rear focus detection areas 15c and 15b. If the light intensity distribution is flat as shown in FIG. 5a, the microprocessor 22 determines that it is out of the area in the next step 102, and moves on to ``lens drive A'' in step 103.
The "lens drive A" process is to drive the objective lens 5 by a certain amount in the optical axis direction. Specifically, the microprocessor 22 outputs a predetermined constant value to the D/A converter 24, for example, a value corresponding to 20 μm as the amount of movement of the objective lens 5. According to this value, the driving device 25 controls the objective lens 5.
move. Once this movement is complete, the micro
Processor 22 repeats the above-described operations from step 100 again.
さて、ステツプ102でエリア内と判断される
と、マイクロ・プロセツサ22は再びステツプ1
00と同様にステツプ104の「CCDRD2」を
実行する。ただし、ステツプ104の
「CCDRD2」は、割算器19の分母となる定数を
決定して、A/D変換器20の入力電圧を最適化
する処理も行なう。 Now, if it is determined in step 102 that the area is within the area, the microprocessor 22 returns to step 1.
Step 104 "CCDRD2" is executed in the same way as in step 00. However, "CCDRD2" in step 104 also performs a process of determining a constant that becomes the denominator of the divider 19 and optimizing the input voltage of the A/D converter 20.
そこで、この最適化について第5図bを用いて
説明する。今、初めに読み込んだCCD15の光
強度分布が割算器19の出力電圧として分布iの
ように、最大値Dsに対して全体的に低い場合は、
メモリ21に記憶された各受光エレメント毎の測
光値(電荷量)をサーチして、分布i中のピーク
値を見つける。そしてこのピーク値と最大値Ds
との比を求めて、その比に応じた定数をD/A変
換器26に出力する。これにより割算器19の分
母は小さな値に更新され、次に同一焦点位置で
CCD15の測光情報を読み込んだとき、割算器
19の出力電圧は分布jのようにピーク値が最大
値Dsに近いものとなる。このように、測光情報
のピーク成分を検出して最適化することによつ
て、A/D変換の際のデジタル誤差が減少し、十
分なS/N比で処理できるので、再現性が極めて
向上する。 Therefore, this optimization will be explained using FIG. 5b. Now, if the light intensity distribution of the CCD 15 read first is generally lower than the maximum value Ds, as shown in distribution i as the output voltage of the divider 19, then
The photometric value (charge amount) for each light-receiving element stored in the memory 21 is searched to find the peak value in the distribution i. And this peak value and maximum value Ds
and outputs a constant corresponding to the ratio to the D/A converter 26. As a result, the denominator of the divider 19 is updated to a small value, and then at the same focal position,
When the photometric information of the CCD 15 is read, the output voltage of the divider 19 has a peak value close to the maximum value Ds as shown in distribution j. In this way, by detecting and optimizing the peak component of photometric information, digital errors during A/D conversion are reduced and processing can be performed with a sufficient S/N ratio, resulting in extremely improved reproducibility. do.
さて、ステツプ105の「焦点演算A」では、
最適化されてメモリ21に記憶された測光情報の
うち、CCD15の前ピン、後ピン検出領域15
c,15bの両測光情報(以後、前ピン情報、後
ピン情報とする。)にのみ基づいて、対物レンズ
5の焦点位置のずれ量を演算する。この演算は基
本的には前ピン情報と後ピン情報とのちがいを求
めて、ずれ量に換算するものである。「焦点演算
A」で、マイクロ・プロセツサ22はメモリ21
中の前ピン情報を読み取つて、前ピン検出領域1
5cの各受光エレメントの測光強度の総和を求め
る。これは、第5図cに斜線で示すように前ピン
情報の分布j上の面積S1を求めることに相当す
る。次に、前ピン情報中のピーク値P1を求め、
総和(S1とする)で除算する。この時、演算専用
プロセツサ23を用いて、P1/S1を実数演算し、
その結果を保存しておく。次にマイクロ・プロセ
ツサ22は後ピン情報をメモリ21から読み取
り、上記と同様に、第5図cに斜線で示した総和
S2とピーク値P2とを求め、プロセツサ23で
P2/S2を実数演算する。そして、先に求めた演
算結果P1/S2と、このP2/S2との減算を行なう。
この減算値は前ピン、後ピンを含めた焦点位置の
ずれ量に対応しており、理想的には減算値が零に
なればずれ量も零となり、ほぼ合焦したことにな
る。また減算値の正負は、対物レンズ5で形成さ
れた後(又は共役像)が所定の合焦面に対して、
前側に位置しているか、後側に位置しているかを
表わす。このように、前ピン、後ピン情報を演算
処理するとき、測光強度の総和で規格化(除算
P1/S2、P2/S2)することによつて、試料毎の
反射率のちがいに対して、精度が低下しないとい
う利点がある。 Now, in step 105 "Focus calculation A",
Among the photometric information optimized and stored in the memory 21, the front focus and rear focus detection areas 15 of the CCD 15
The amount of shift in the focal position of the objective lens 5 is calculated based only on the photometric information of c and 15b (hereinafter referred to as front focus information and rear focus information). This calculation basically involves determining the difference between the front focus information and the rear focus information and converting it into a deviation amount. In "focus calculation A", the microprocessor 22 uses the memory 21
Read the front pin information inside and set the front pin detection area 1.
The sum of the photometric intensities of each light-receiving element 5c is determined. This corresponds to finding the area S 1 on the distribution j of the front focus information as shown by diagonal lines in FIG. 5c. Next, find the peak value P 1 in the previous pin information,
Divide by the sum (take S 1 ). At this time, a real number calculation is performed on P 1 /S 1 using the calculation-dedicated processor 23,
Save the results. Next, the microprocessor 22 reads the rear pin information from the memory 21 and, in the same way as above, calculates the summation value shown by diagonal lines in FIG.
S 2 and peak value P 2 are determined, and the processor 23 calculates
Perform real number calculation on P 2 /S 2 . Then, the previously obtained calculation result P 1 /S 2 and this P 2 /S 2 are subtracted.
This subtraction value corresponds to the amount of shift in the focus position including the front focus and back focus, and ideally, if the subtraction value becomes zero, the shift amount also becomes zero, which means that the object is almost in focus. Furthermore, the sign of the subtraction value is determined by the fact that the conjugate image formed by the objective lens 5 is relative to a predetermined focal plane.
Indicates whether it is located at the front or rear. In this way, when processing the front focus and rear focus information, it is normalized (divided) by the sum of the photometric intensities.
P 1 /S 2 , P 2 /S 2 ) has the advantage that the accuracy does not deteriorate due to differences in reflectance from sample to sample.
さて、こうして演算された減算値は、そのまま
焦点位置のずれ量を表わすものではない。そこで
マイクロ・プロセツサ22は、減算値をずれ量へ
換算するために、予め記憶回路(ROM等)に用
意された変換テーブルをサーチして、対応するず
れ量を求める。この変換テーブルは対物レンズ5
の光学特性を含めて、装置毎に作成しておくとよ
い。マイクロ・プロセツサ22は以上の処理をス
テツプ105の「焦点演算A」で行ない、次のス
テツプ106を実行する。ステツプ106は、求
めたずれ量が所定値以下か否かを判断する。その
所定値とは、例えば対物レンズ5の光軸方向の上
下動で、最適な焦点位置に対して±1μmのずれ
量に相当する。ステツプ106で所定値以上と判
断されると、ステツプ107の「レンズ駆動B」
が実行される。ここでマイクロ・プロセツサ22
は、ステツプ105で求めたずれ量に対応した対
物レンズ5の移動量を求める。このずれ量と移動
量との対応はROM等の記憶回路に予め参照テー
ブルとして作成されている。従つてマイクロ・プ
ロセツサ22は、この参照テーブルをサーチする
だけで、対応した移動量をただちに引き出すこと
ができる。この移動量はD/A変換器24に出力
され、駆動装置25を介して対物レンズ5を光軸
方向に移動量分だけ駆動する。「レンズ駆動B」
が終了すると、マイクロ・プロセツサ22は再び
ステツプ104の「CCDRD2」から同様の操作
を繰り返す。 Now, the subtraction value calculated in this way does not directly represent the amount of deviation of the focal position. Therefore, in order to convert the subtraction value into a deviation amount, the microprocessor 22 searches a conversion table prepared in advance in a storage circuit (ROM, etc.) to find the corresponding deviation amount. This conversion table is for objective lens 5
It is best to create one for each device, including its optical characteristics. The microprocessor 22 performs the above processing in step 105 "focus calculation A", and executes the next step 106. In step 106, it is determined whether the calculated amount of deviation is less than or equal to a predetermined value. The predetermined value corresponds to, for example, a vertical movement of the objective lens 5 in the optical axis direction, and a deviation amount of ±1 μm from the optimal focal position. If it is determined in step 106 that the value is greater than or equal to the predetermined value, the "lens drive B" step is performed in step 107.
is executed. Here, the microprocessor 22
In step 105, the amount of movement of the objective lens 5 corresponding to the amount of deviation determined in step 105 is determined. The correspondence between the amount of shift and the amount of movement is created in advance as a reference table in a storage circuit such as ROM. Therefore, the microprocessor 22 can immediately retrieve the corresponding movement amount simply by searching this reference table. This amount of movement is output to the D/A converter 24, which drives the objective lens 5 in the optical axis direction by the amount of movement via the drive device 25. "Lens drive B"
When the process is completed, the microprocessor 22 repeats the same operation from step 104 "CCDRD2".
以上、ステツプ104,105,106,10
7で、対物レンズ5の焦点位置が粗調整される。
粗調整の完了はステツプ106で判断されるが、
その判断基準は、前ピン、後ピン情報から得られ
る減算値(差動情報)のみで、対物レンズ5を駆
動できる最小の限界か否かで定められている。こ
れは、焦点位置が正確に合致したとしても対物レ
ンズ5固有のボケ像が前側と後側とのピント面で
非対称になるためである。 Above, steps 104, 105, 106, 10
At step 7, the focal position of the objective lens 5 is roughly adjusted.
Completion of the coarse adjustment is determined in step 106, but
The criterion for this determination is determined by whether the subtraction value (differential information) obtained from the front focus and rear focus information is the minimum limit at which the objective lens 5 can be driven. This is because even if the focal positions match accurately, the blurred image inherent to the objective lens 5 will be asymmetrical between the front and rear focal planes.
さて、ステツプ106で粗調整(合焦位置に対
して、例えば±1μm以内)の完了が判断される
と、次にステツプ108の「CCDRD3」が実行
される。「CCDRD3」は「CCDRD2」と同様に、
CCD15の測光情報をメモリ21に読み込む。
尚、「CCDRD3」では割算器19による最適化を
行なつてもよいが、処理時間がその分長くなるた
め、あえて行なわなくてもよい。このときメモリ
21に記憶された測光情報の光強度分布は、第5
図dに示すようになる。すなわち、粗調整によつ
て、CCD15の前ピン、後ピン検出領域15c,
15b上のレーザスポツト光のボケ像はほぼ等し
いガウス分布形状になる。また、合焦検出領域1
5a上のスポツト光の光強度は極めて鋭いピーク
Pmを持つたガウス分布になる。尚、領域15a
上のスポツト光の像の大きさは、CCD15の1
つの受光エレメントよりも十分大きい。そして領
域15aに対する結像倍率は他の2つの領域15
b,15cに対する結像倍率よりも大きく定めら
れているから、焦点位置のわずかな変動に対し
て、ピークPmの大きさは極めて敏感に変化す
る。 Now, when it is determined in step 106 that the coarse adjustment (for example, within ±1 .mu.m from the in-focus position) has been completed, "CCDRD3" in step 108 is executed. "CCDRD3" is similar to "CCDRD2",
The photometric information of the CCD 15 is read into the memory 21.
In addition, in "CCDRD3", optimization by the divider 19 may be performed, but since the processing time becomes correspondingly longer, it is not necessary to perform optimization. At this time, the light intensity distribution of the photometric information stored in the memory 21 is
The result is as shown in Figure d. That is, by rough adjustment, the front focus detection area 15c, the rear focus detection area 15c of the CCD 15,
The blurred image of the laser spot light on 15b has a substantially equal Gaussian distribution shape. In addition, focus detection area 1
The light intensity of the spot light on 5a has an extremely sharp peak.
It becomes a Gaussian distribution with Pm. Furthermore, the area 15a
The size of the spot light image above is 1 of CCD15.
sufficiently larger than two light receiving elements. The imaging magnification for the area 15a is the same as that for the other two areas 15a.
Since the imaging magnification is set to be larger than the imaging magnification for pixels b and 15c, the magnitude of the peak Pm changes extremely sensitively to slight fluctuations in the focal position.
そこで、次のステツプ109「焦点演算B」
で、マイクロ・プロセツサ22は、メモリ21中
の合焦検出領域15aの測光情報(以後、合焦情
報とする)を読み込み、合焦情報(第5図の斜線
部)中のピークPmの値を求める。このピーク
Pmの値はマイクロ・プロセツサ22に記憶され
る。ステツプ110は、求められたピークPmが
対物レンズ5のわずかな上下動範囲内において最
大となつたか否かを判断する。ステツプ110で
最大でないと判断されると、マイクロ・プロセツ
サ22はステツプ111の「レンズ駆動C」を実
行する。「レンズ駆動C」は対物レンズ5を微小
量、例えば0.1μmだけ光軸方向に移動させる。そ
してマイクロ・プロセツサ22で再び
「CCDRD3」からの実行を繰り返す。ステツプ1
10でピークPmが最も大きくなつたと判断され
ると、次のステツプ112の「位置記憶」に進
む。この「位置記憶」で、マイクロ・プロセツサ
22は試料6を載置した基台に対する対物レンズ
5の位置を、不図示のポテンシヨ・メータ等で読
み取つて記憶する。 Therefore, the next step 109 "Focus calculation B"
Then, the microprocessor 22 reads the photometric information (hereinafter referred to as focus information) of the focus detection area 15a in the memory 21, and calculates the value of the peak Pm in the focus information (the shaded area in FIG. 5). demand. this peak
The value of Pm is stored in microprocessor 22. In step 110, it is determined whether or not the obtained peak Pm has reached a maximum within a slight vertical movement range of the objective lens 5. If it is determined in step 110 that it is not the maximum, the microprocessor 22 executes "lens drive C" in step 111. "Lens drive C" moves the objective lens 5 by a minute amount, for example, 0.1 μm, in the optical axis direction. Then, the microprocessor 22 repeats execution from "CCDRD3" again. Step 1
When it is determined in step 10 that the peak Pm has become the largest, the process proceeds to the next step 112, ``position storage''. In this "position storage", the microprocessor 22 reads and stores the position of the objective lens 5 with respect to the base on which the sample 6 is placed using a potentiometer (not shown) or the like.
尚、上記ステツプ108,109,110,1
11によつて焦点位置の微調整が行なわれる。こ
の微調整は、上記実施例では合焦情報のピーク
Pmが最大となるように、対物レンズ5を微小量
ずつ移動させる、いわゆるサーボ制御的な動作で
あつた。しかし、その他の方法として、対物レン
ズ5を微小量だけ移動させては、ピークPmの値
をサンプリングし、対物レンズ5の微調整範囲内
(例えば±1μm以内)でピークPmの変化を順次
記憶する。そしたて、ソフトウエア的な処理によ
り、ピークPmの最大値に対応した対物レンズ5
の位置を求め、その位置にただちに対物レンズ5
を移動させることもできる。 Note that the above steps 108, 109, 110, 1
11 performs fine adjustment of the focal position. In the above embodiment, this fine adjustment is performed at the peak of the focusing information.
This was a so-called servo control operation in which the objective lens 5 was moved minute by minute so that Pm was maximized. However, as another method, the objective lens 5 is moved by a minute amount, the peak Pm value is sampled, and the changes in the peak Pm are sequentially stored within the fine adjustment range of the objective lens 5 (for example, within ±1 μm). . Then, through software processing, the objective lens 5 corresponding to the maximum value of peak Pm is adjusted.
, and immediately place the objective lens 5 at that position.
You can also move it.
さて、ステツプ112の「位置記憶」で記憶さ
れた位置情報は、次の試料が載置されたときに、
対物レンズ5をただちに焦点制御するために使わ
れる。一般に、同一処理、同一ロツト内のウエハ
間においては、厚みの差がほとんどない。従つ
て、そのようなウエハを多数検査する場合、記憶
された位置情報に基づいて対物レンズ5を、移動
すれば極めて高速な焦点制御が可能となる。この
際、位置情報に基づく対物レンズ5の移動を粗調
整とし、次いて前述の如く微調整を行なえば、ウ
エハのわずかな湾曲やそりに対しても正確な焦点
位置制御ができる。また、その位置情報を使え
ば、何らかの事態で焦点が大幅にずれた場合でも
すぐに元にもどせる機能、すなわち自動復帰機能
も粗み込める。 Now, the position information stored in "position storage" in step 112 will be used when the next sample is placed.
It is used to immediately control the focus of the objective lens 5. Generally, there is almost no difference in thickness between wafers in the same process and in the same lot. Therefore, when inspecting a large number of such wafers, extremely high-speed focus control becomes possible by moving the objective lens 5 based on the stored position information. At this time, if the movement of the objective lens 5 is coarsely adjusted based on the position information and then finely adjusted as described above, accurate focal position control can be achieved even for slight curvature or warpage of the wafer. In addition, by using this position information, it is possible to implement an automatic return function, which allows the camera to quickly return to its original state even if the focus shifts significantly due to some circumstances.
また、対物レンズ5のかわりに試料6を上下動
させてもよいことは言うまでもない。さらに、対
物レンズ5に焦点調整機構(フオーカス環等)が
組み込まれている場合でも、この機構を上記実施
例と同様に駆動装置25で駆動すれば、同様の効
果が得られる。 Furthermore, it goes without saying that the sample 6 may be moved up and down instead of the objective lens 5. Further, even if the objective lens 5 includes a focus adjustment mechanism (focus ring, etc.), if this mechanism is driven by the drive device 25 in the same manner as in the above embodiment, the same effect can be obtained.
また、実施例では、対物レンズ5からの光束は
2つに分割されて、それぞれレンズ9と10に入
射していた。しかしながら、レンズ10の後にビ
ームスプリツタ等を設けて光束を2つに分け、そ
の一方の光路を通つた光束はCCD15の領域1
5aに達するようにし、他方の光路を通つた光束
は新たに設けたレンズを介して領域15b,15
cに達するように構成してもよい。もちろん、こ
の場合も、レンズ10単独の結像倍率は、レンズ
10と新たに設けたレンズとの合成によつて決ま
る結像倍率より大きく定められる。 Further, in the embodiment, the light beam from the objective lens 5 is divided into two parts and enters the lenses 9 and 10, respectively. However, a beam splitter or the like is provided after the lens 10 to split the light beam into two, and the light beam that passes through one of the optical paths enters the area 1 of the CCD 15.
5a, and the light beam passing through the other optical path passes through a newly provided lens to areas 15b and 15.
It may be configured to reach c. Of course, also in this case, the imaging magnification of the lens 10 alone is set to be larger than the imaging magnification determined by the combination of the lens 10 and the newly provided lens.
もちろん、CCD15の2つの領域15b,1
5cの夫々に対して独立に焦点距離の短いレンズ
を設けてもよいことは言うまでもない。 Of course, the two areas 15b and 1 of the CCD 15
It goes without saying that a lens with a short focal length may be provided independently for each of the lenses 5c.
以上、本発明の実施例では、CCD15上に結
像される像をレーザ光のスポツトとしたが、必ら
ずしもレーザ光、いわゆるコヒーレント光である
必要はない。また試料6として製造工程中のウエ
ハを検査する場合、アルミ蒸着処理された表面は
極めて反射率が高く、CCD15の蓄積電荷量が
飽和してしまうこともある。そこでウエハの表面
状態(フオトレジスト、酸化シリコン、ポリシリ
コン又はアルミニウム)に応じて、CCD駆動回
路16を制御して、CCD15の読出しサイクル
を可変にしたり、蓄積時間を変えたりすればよ
い。 As described above, in the embodiment of the present invention, the image formed on the CCD 15 is a spot of laser light, but it does not necessarily have to be laser light, so-called coherent light. Further, when inspecting a wafer in the manufacturing process as sample 6, the aluminum vapor-deposited surface has extremely high reflectance, and the amount of accumulated charge in the CCD 15 may become saturated. Therefore, depending on the surface condition of the wafer (photoresist, silicon oxide, polysilicon, or aluminum), the CCD drive circuit 16 may be controlled to make the read cycle of the CCD 15 variable or to change the storage time.
また、割算器19による最適化において、A/
D変換器20の入力電圧が最大値Dsを越えると、
変換されるデジタル値はビツト数により定まる最
も大きなデジタル値に制限されてしまう。そこで
マイクロ・プロセツサ22がメモリ21中の測光
情報に基づいて、割算器19の分母を決定する
際、メモリ21中に1つで最大のデジタル値があ
つたときは、分母を大きな値に更新して、A/D
変換器20のデジタル的な飽和を防止すればよ
い。このようにすれば、メモリ21に読み込まれ
る測光情報は飽和のない、S/N比の良いものと
なり、焦点制御の精度や再現性が向上する。 In addition, in the optimization by the divider 19, A/
When the input voltage of the D converter 20 exceeds the maximum value Ds,
The digital value to be converted is limited to the largest digital value determined by the number of bits. Therefore, when the microprocessor 22 determines the denominator of the divider 19 based on the photometric information in the memory 21, if there is one maximum digital value in the memory 21, the denominator is updated to a larger value. Then, A/D
Digital saturation of the converter 20 may be prevented. In this way, the photometric information read into the memory 21 is free from saturation and has a good S/N ratio, improving the accuracy and reproducibility of focus control.
以上説明したように本発明では、焦点整合すべ
き対象物からの反射光を2光束に分離し、一方は
前ピン、後ピン検出用の光電検出器に導き、他方
は合検出用の光電検出器に導くと共に、合焦検出
用の光電検出器に対する結像倍率を他の光電検出
器に対する結像倍率よりも大きくした。このた
め、焦点位置の制御範囲が広くなると共に、極め
て高精度の自動焦点制御が実現できるという効果
を有する。 As explained above, in the present invention, reflected light from an object to be focused is separated into two beams, one of which is guided to a photoelectric detector for detecting front focus and rear focus, and the other is guided to a photoelectric detector for detecting alignment. At the same time, the imaging magnification for the photoelectric detector for focus detection was made larger than the imaging magnification for other photoelectric detectors. This has the effect of widening the control range of the focus position and realizing extremely high-precision automatic focus control.
第1図は本発明の実施例による焦点制御装置を
組み込んだ線幅測定装置の斜視図、第2図は焦点
検出光学系を示す配置図、第3図は焦点制御を行
なうための制御回路のブロツク図、第4図は、焦
点制御の動作を説明するフローチヤート図、第5
図は焦点制御の動作に伴つて変化するCCD15
の光強度分布を説明するための図である。
〔主要部分の符号の説明〕、1……レーザ光源、
5……対物レンズ、9……短焦点距離のレンズ、
10……長焦点距離のレンズ、15……一次元電
荷結合デバイス(フオトアレイ)。
FIG. 1 is a perspective view of a line width measuring device incorporating a focus control device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout diagram showing a focus detection optical system, and FIG. 3 is a diagram of a control circuit for performing focus control. The block diagram, Figure 4, is a flowchart diagram explaining the focus control operation, Figure 5.
The figure shows CCD15 changing with focus control operation.
FIG. 3 is a diagram for explaining the light intensity distribution of FIG. [Explanation of symbols of main parts], 1... Laser light source,
5...Objective lens, 9...Short focal length lens,
10... Long focal length lens, 15... One-dimensional charge-coupled device (photo array).
Claims (1)
対物レンズの予定焦点面における結像状態を検出
する第1光電検出器と;該予定焦点面を挾んだ前
後2つの位置における結像状態を各々検出する第
2及び第3光電検出器と;前記対物レンズからの
光を前記第1、第2、第3光電検出器の夫々に導
く第1、第2、第3結像手段と;前記3つの光電
検出器の各出力信号に基づいて、前記対物レンズ
による像が予定焦点面上に結像される如く制御す
る制御回路とを備え、前記第1結像手段の結像倍
率を他の結像手段の結像倍率よりも大きく定めた
ことを特徴とする焦点制御装置。 2 前記第2と第3結像手段は、前記対物レンズ
からの光を前記第2、第3光電検出器の両方に導
びくように、1つのレンズ手段9で兼用したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の焦点制
御装置。 3 特許請求の範囲第1項記載の装置において、
前記3つの光電検出器は、複数の受光素子を一次
元に配列した1つのフオトアレイ15で構成さ
れ、該フオトアレイ上の受光面を素子配列方向に
3つの領域に分け、各領域を夫々、前記第1、第
2、第3光電検出器として使うことを特徴とする
焦点制御装置。 4 特許請求の範囲第1項記載の装置において、
前記制御回路は前記第2と第3光電検出器の両出
力信号がほぼ等しくなるように前記対物レンズと
対象物との間隔を粗調整した後に、前記第1光電
検出器の出力信号が最大になるように前記間隔を
微調整するマイクロ・プロセツサ22を有するこ
とを特徴とする焦点制御装置。[Scope of Claims] 1. An objective lens into which light from an object enters; a first photoelectric detector that detects an image formation state at a predetermined focal plane of the objective lens; 2 front and rear sensors that sandwich the predetermined focal plane second and third photoelectric detectors each detecting an imaging state at two positions; first, second, and third photoelectric detectors that guide light from the objective lens to the first, second, and third photodetectors, respectively; a control circuit for controlling an image formed by the objective lens to be formed on a predetermined focal plane based on output signals of the three photoelectric detectors; A focus control device characterized in that the imaging magnification of is set to be larger than the imaging magnification of other imaging means. 2. A patent characterized in that the second and third imaging means are combined by one lens means 9 so as to guide the light from the objective lens to both the second and third photoelectric detectors. A focus control device according to claim 1. 3. In the device according to claim 1,
The three photoelectric detectors are composed of one photo array 15 in which a plurality of light receiving elements are arranged in one dimension, and the light receiving surface on the photo array is divided into three regions in the element arrangement direction, and each region is divided into three A focus control device characterized in that it is used as a first, second, and third photoelectric detector. 4. In the device according to claim 1,
The control circuit roughly adjusts the distance between the objective lens and the object so that the output signals of the second and third photoelectric detectors are approximately equal, and then adjusts the output signal of the first photoelectric detector to a maximum value. A focus control device comprising a microprocessor 22 that finely adjusts the interval so that
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12994082A JPS5919913A (en) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | focus control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12994082A JPS5919913A (en) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | focus control device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919913A JPS5919913A (en) | 1984-02-01 |
| JPH0157885B2 true JPH0157885B2 (en) | 1989-12-07 |
Family
ID=15022190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12994082A Granted JPS5919913A (en) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | focus control device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919913A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12317042B2 (en) | 2022-04-26 | 2025-05-27 | Panasonic Automotive Systems Co., Ltd. | Sub cone and loudspeaker |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0163394B1 (en) * | 1984-04-16 | 1991-10-09 | Image Recognition Systems, Ltd. | An automatic focussing device |
| JPH0610694B2 (en) * | 1985-04-12 | 1994-02-09 | 株式会社日立製作所 | Automatic focusing method and device |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP12994082A patent/JPS5919913A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12317042B2 (en) | 2022-04-26 | 2025-05-27 | Panasonic Automotive Systems Co., Ltd. | Sub cone and loudspeaker |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5919913A (en) | 1984-02-01 |
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