JPH0161243B2 - - Google Patents
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- JPH0161243B2 JPH0161243B2 JP6503382A JP6503382A JPH0161243B2 JP H0161243 B2 JPH0161243 B2 JP H0161243B2 JP 6503382 A JP6503382 A JP 6503382A JP 6503382 A JP6503382 A JP 6503382A JP H0161243 B2 JPH0161243 B2 JP H0161243B2
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 50
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 26
- 230000005574 cross-species transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010397 one-hybrid screening Methods 0.000 description 2
- 238000010396 two-hybrid screening Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q25/00—Antennas or antenna systems providing at least two radiating patterns
- H01Q25/02—Antennas or antenna systems providing at least two radiating patterns providing sum and difference patterns
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反射鏡型モノパルス空中線に関し、特
にモノパルス放射特性の改善に関連する一次放射
素子に対する給電方式の改良に関する。
にモノパルス放射特性の改善に関連する一次放射
素子に対する給電方式の改良に関する。
従来移動目標体の自動追尾用方向センサとし
て、モノパルス空中線が良く用いられる。第１図
Ａは特定の平面内における方向センサとしての反
射鏡型モノパルス空中線の第１の例の概要構成図
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ、ハイブリツド回路３から構成されている。
この空中線の一次放射素子２ａ，２ｂにおける一
次励振電界の和信号チヤンネルおよび差信号チヤ
ネルに対応する概念分布図が第１図Ｂ，Ｃに示さ
れる。このような構成のモノパルス空中線が、開
口能率が高く且つスピルオーバを含む副ローブ・
レベルの低いモノパルス放射特性を得るために
は、和信号チヤネルにおける一次放射特性につい
て、反射鏡１の周辺部に対する放射レベルを主方
向のレベルに対して所定の低位レベルに設定する
必要がある。このため一次放射素子における励振
電界分布および一次放射素子間の間隔Ｌを調整す
る必要があるが、一般に一次放射素子はその構造
によつて固有の特性をもつので、その励振電界分
布を調整することは困難で、通常は一次放射素子
間の間隔Ｌの調整によりその目的を達成してい
る。
て、モノパルス空中線が良く用いられる。第１図
Ａは特定の平面内における方向センサとしての反
射鏡型モノパルス空中線の第１の例の概要構成図
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ、ハイブリツド回路３から構成されている。
この空中線の一次放射素子２ａ，２ｂにおける一
次励振電界の和信号チヤンネルおよび差信号チヤ
ネルに対応する概念分布図が第１図Ｂ，Ｃに示さ
れる。このような構成のモノパルス空中線が、開
口能率が高く且つスピルオーバを含む副ローブ・
レベルの低いモノパルス放射特性を得るために
は、和信号チヤネルにおける一次放射特性につい
て、反射鏡１の周辺部に対する放射レベルを主方
向のレベルに対して所定の低位レベルに設定する
必要がある。このため一次放射素子における励振
電界分布および一次放射素子間の間隔Ｌを調整す
る必要があるが、一般に一次放射素子はその構造
によつて固有の特性をもつので、その励振電界分
布を調整することは困難で、通常は一次放射素子
間の間隔Ｌの調整によりその目的を達成してい
る。
この間隔Ｌの調整により良好な和信号チヤネル
における一次放射特性を得た一例を第１図Ｄに示
す。図において横軸は一次放射素子特性の主方向
を零度として表示した方向角度で、縦軸は相対電
力で表示した一次放射素子特性を示す。和信号チ
ヤネルの一次放射特性２１は、反射鏡周辺部の方
向角度２３に対しては、主方向のレベルに対して
望ましい所定の低位レベルにあり、反射鏡１によ
る二次放射特性も第１図Ｅの３１にて示されるよ
うに低サイド・ローブの良好の放射特性が得られ
る。勿論一次放射特性２１によるスピルオーバも
低レベルに保たれる。
における一次放射特性を得た一例を第１図Ｄに示
す。図において横軸は一次放射素子特性の主方向
を零度として表示した方向角度で、縦軸は相対電
力で表示した一次放射素子特性を示す。和信号チ
ヤネルの一次放射特性２１は、反射鏡周辺部の方
向角度２３に対しては、主方向のレベルに対して
望ましい所定の低位レベルにあり、反射鏡１によ
る二次放射特性も第１図Ｅの３１にて示されるよ
うに低サイド・ローブの良好の放射特性が得られ
る。勿論一次放射特性２１によるスピルオーバも
低レベルに保たれる。
しかしながら、第１図Ｄ，Ｅの特性図において
差信号チヤネルの一次および二次放射特性に着目
して見ると、和信号チヤネルの場合に比較してス
ピルオーバが大きく、従つて二次放射特性におけ
る角度検出利得も低下し、総合的に見てモノパル
ス放射特性としては必ずしも良好とは言い難い結
果となる。これは、和信号チヤネルの放射特性に
重点をおいた結果、一次放射素子間の間隔Ｌを小
さく設定したことに帰因している。
差信号チヤネルの一次および二次放射特性に着目
して見ると、和信号チヤネルの場合に比較してス
ピルオーバが大きく、従つて二次放射特性におけ
る角度検出利得も低下し、総合的に見てモノパル
ス放射特性としては必ずしも良好とは言い難い結
果となる。これは、和信号チヤネルの放射特性に
重点をおいた結果、一次放射素子間の間隔Ｌを小
さく設定したことに帰因している。
この欠点を改善するために第２図Ａの構成図に
示されるモノパルス空中線が良く用いられる。こ
の構成例においては、一次放射素子による和信号
および差信号の両チヤネルの一次放射特性が合理
的に反射鏡を照射するように４個の一次放射素子
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが線状に配列され、これ
にハイブリツド回路３ａ，３ｂと電力分配器４と
が組合されている。この場合和信号チヤネルの放
射特性は中央部に配置された一次放射素子２ｂ，
２ｃの同相給電より、また差信号チヤネルの放射
特性は一次放射素子２ａ，２ｂおよび一次放射素
子２ｃ，２ｄの各組合せに対する逆相給電により
得られる。
示されるモノパルス空中線が良く用いられる。こ
の構成例においては、一次放射素子による和信号
および差信号の両チヤネルの一次放射特性が合理
的に反射鏡を照射するように４個の一次放射素子
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが線状に配列され、これ
にハイブリツド回路３ａ，３ｂと電力分配器４と
が組合されている。この場合和信号チヤネルの放
射特性は中央部に配置された一次放射素子２ｂ，
２ｃの同相給電より、また差信号チヤネルの放射
特性は一次放射素子２ａ，２ｂおよび一次放射素
子２ｃ，２ｄの各組合せに対する逆相給電により
得られる。
一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄにおける
和信号および差信号の各チヤネルに対応する一次
励振電界分布図を、それぞれ概念的に第２図Ｂ，
Ｃに示す。これらの図から明らかなように、和信
号チヤネルにおける励振電界分布は第１図の場合
と同等であるが、差信号チヤネルについては、一
次放射素子２ａ，２ｄによる付加的な励振電界分
布が重畳されているため、等価的な正負逆位相の
一次放射素子間の間隔Ｌは第１図の場合よりも大
きくなり、結果として第２図Ｄ，Ｅに示されるよ
うに、和信号および差信号の両チヤネルとも合理
的な一次および二次の放射特性を得ることができ
る。
和信号および差信号の各チヤネルに対応する一次
励振電界分布図を、それぞれ概念的に第２図Ｂ，
Ｃに示す。これらの図から明らかなように、和信
号チヤネルにおける励振電界分布は第１図の場合
と同等であるが、差信号チヤネルについては、一
次放射素子２ａ，２ｄによる付加的な励振電界分
布が重畳されているため、等価的な正負逆位相の
一次放射素子間の間隔Ｌは第１図の場合よりも大
きくなり、結果として第２図Ｄ，Ｅに示されるよ
うに、和信号および差信号の両チヤネルとも合理
的な一次および二次の放射特性を得ることができ
る。
しかしながら、この構成例においては、特定の
一平面内における方向センサであるにも拘らずハ
イブリツド回路３ａ，３ｂが２個必要となり、ハ
イブリツド回路および電力分配器等を含む給電系
が複雑となる。特に２個のハイブリツド回路の零
位特性を含むモノパルス角度検出特性を均一化す
る必要があるという点で調整上の問題点を内在し
ている。
一平面内における方向センサであるにも拘らずハ
イブリツド回路３ａ，３ｂが２個必要となり、ハ
イブリツド回路および電力分配器等を含む給電系
が複雑となる。特に２個のハイブリツド回路の零
位特性を含むモノパルス角度検出特性を均一化す
る必要があるという点で調整上の問題点を内在し
ている。
以上説明したように、従来の反射鏡型モノパル
ス空中線においては、和信号および差信号の両チ
ヤネルについて良好な一次および二次の放射特性
を得ることは困難であり、またこの改善策として
一次放射素子の組合せ数を多くしてゆくと、給電
回路が複雑になり、特に複数のハイブリツド回路
については、調整上の問題も生じるという欠点が
ある。
ス空中線においては、和信号および差信号の両チ
ヤネルについて良好な一次および二次の放射特性
を得ることは困難であり、またこの改善策として
一次放射素子の組合せ数を多くしてゆくと、給電
回路が複雑になり、特に複数のハイブリツド回路
については、調整上の問題も生じるという欠点が
ある。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、反射鏡型
モノパルス空中線の構成要素の一つである一次放
射素子に対する給電方式を改良することにより、
和信号および差信号の両チヤネルについて一次お
よび二次放射特性を改善し且つハイブリツド回路
を含む給電系を簡易化したモノパルス空中線を提
供することにある。
モノパルス空中線の構成要素の一つである一次放
射素子に対する給電方式を改良することにより、
和信号および差信号の両チヤネルについて一次お
よび二次放射特性を改善し且つハイブリツド回路
を含む給電系を簡易化したモノパルス空中線を提
供することにある。
本発明のモノパルス空中線は、線状または面状
に配列された一次放射素子を含む反射鏡型モノパ
ルス空中線において、前記一次放射素子が、その
配列の中央部に配置されて和信号チヤネルの入出
力信号にのみ拘わる第１の一次放射素子と、この
第１の一次放射素子の外側周辺部に配置されて和
信号および差信号の両チヤネルの入出力信号に拘
わる第２の一次放射素子とを備えて構成される。
に配列された一次放射素子を含む反射鏡型モノパ
ルス空中線において、前記一次放射素子が、その
配列の中央部に配置されて和信号チヤネルの入出
力信号にのみ拘わる第１の一次放射素子と、この
第１の一次放射素子の外側周辺部に配置されて和
信号および差信号の両チヤネルの入出力信号に拘
わる第２の一次放射素子とを備えて構成される。
以下、本発明について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第３図Ａは本発明の第１の実施例の概要構成図
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ，２ｃ、ハイブリツド回路３および電力分配
器４から構成されている。この場合和信号チヤネ
ルの放射特性は、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ
の同相給電により、また差信号チヤネルの放射特
性は、一次放射素子２ａ，２ｃの逆相給電により
得られる。即ち、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ
において、その中央部に配置された一次放射素子
２ｂは和信号チヤネルのみに拘わり、この一次放
射素子２ｂの外側周辺部に配置された一次放射素
子２ａ，２ｃは和信号および差信号の両チヤネル
に拘わつている。
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ，２ｃ、ハイブリツド回路３および電力分配
器４から構成されている。この場合和信号チヤネ
ルの放射特性は、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ
の同相給電により、また差信号チヤネルの放射特
性は、一次放射素子２ａ，２ｃの逆相給電により
得られる。即ち、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ
において、その中央部に配置された一次放射素子
２ｂは和信号チヤネルのみに拘わり、この一次放
射素子２ｂの外側周辺部に配置された一次放射素
子２ａ，２ｃは和信号および差信号の両チヤネル
に拘わつている。
この場合の一次放射素子における和信号および
差信号の各チヤネルに対応する一次励振電界分布
図を、それぞれ概念的に第３図Ｂ，Ｃに示す。同
図Ｂにおいて、和信号チヤネルに対応する励振電
界分布は一次放射素子２ｂによる相対励振電界振
幅値２０６ｂが、両側の一次放射素子２ａ，２ｃ
の相対励振電界振幅値２０６ａ，２０６ｃに対し
て電力換算で２倍に相当している。この励振電界
分布における一次放射特性は第１図Ｂの場合に比
較して更に副ローブが低減される傾向となり、よ
り良い一次および二次の放射特性が期待できる。
差信号の各チヤネルに対応する一次励振電界分布
図を、それぞれ概念的に第３図Ｂ，Ｃに示す。同
図Ｂにおいて、和信号チヤネルに対応する励振電
界分布は一次放射素子２ｂによる相対励振電界振
幅値２０６ｂが、両側の一次放射素子２ａ，２ｃ
の相対励振電界振幅値２０６ａ，２０６ｃに対し
て電力換算で２倍に相当している。この励振電界
分布における一次放射特性は第１図Ｂの場合に比
較して更に副ローブが低減される傾向となり、よ
り良い一次および二次の放射特性が期待できる。
また、第３図Ｃの差信号チヤネルに対応する励
振電界分布としては、一次放射素子２ａ，２ｃに
相対励振電界振幅値２０７ａ，２０７ｃを逆相給
電しており、その素子間隔Ｌは第１図Ｃの場合に
比較してより大きく設定される。この結果、第３
図Ｄ，Ｅに示されるような、和信号および差信号
の両チヤネルとも合理的な一次および二次の放射
特性が得られる。しかもこの実施例のハイブリツ
ド回路は１個を含むのみであり、給電系も簡易化
される。
振電界分布としては、一次放射素子２ａ，２ｃに
相対励振電界振幅値２０７ａ，２０７ｃを逆相給
電しており、その素子間隔Ｌは第１図Ｃの場合に
比較してより大きく設定される。この結果、第３
図Ｄ，Ｅに示されるような、和信号および差信号
の両チヤネルとも合理的な一次および二次の放射
特性が得られる。しかもこの実施例のハイブリツ
ド回路は１個を含むのみであり、給電系も簡易化
される。
第４図Ａは本発明の第２の実施例の概要構成図
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄ、ハイブリツド回路３および電
力分配器４ａ，４ｂから構成されている。この場
合和信号チヤネルの放射特性は、一次放射素子２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの同相給電により、また差
信号チヤネルの放射特性は、一次放射素子２ａ，
２ｃの逆相給電により得られる。即ち、一次放射
素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄにおいて、その中央
部に配置された一次放射素子２ｂ，２ｃは和信号
チヤネルのみに拘わり、またこの一次素子２ｂ，
２ｃの外側周辺部に配置された一次放射素子２
ａ，２ｄは和信号および差信号の両チヤネルに拘
わつている。この場合の一次放射素子における和
信号および差信号の各チヤネルに対応する一次励
振電界分布図を、それぞれ概念的に第４図Ｂ，Ｃ
に示す。明らかに差信号チヤネルの放射特性を形
成する一次放射素子２ａ，２ｂの素子間間隔Ｌは
第１図Ｃの場合に比較して相当大きく設定するこ
とが可能となる。しかもハイブリツド回路は１個
を含むのみであるから給電系も簡易化される。
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄ、ハイブリツド回路３および電
力分配器４ａ，４ｂから構成されている。この場
合和信号チヤネルの放射特性は、一次放射素子２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの同相給電により、また差
信号チヤネルの放射特性は、一次放射素子２ａ，
２ｃの逆相給電により得られる。即ち、一次放射
素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄにおいて、その中央
部に配置された一次放射素子２ｂ，２ｃは和信号
チヤネルのみに拘わり、またこの一次素子２ｂ，
２ｃの外側周辺部に配置された一次放射素子２
ａ，２ｄは和信号および差信号の両チヤネルに拘
わつている。この場合の一次放射素子における和
信号および差信号の各チヤネルに対応する一次励
振電界分布図を、それぞれ概念的に第４図Ｂ，Ｃ
に示す。明らかに差信号チヤネルの放射特性を形
成する一次放射素子２ａ，２ｂの素子間間隔Ｌは
第１図Ｃの場合に比較して相当大きく設定するこ
とが可能となる。しかもハイブリツド回路は１個
を含むのみであるから給電系も簡易化される。
第５図Ａは本発明の第３の実施例の構成概要図
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、ハイブリツド回路３お
よび電力分配器４ａ，４ｂ，４ｃから構成されて
いる。この場合和信号チヤネルの放射特性は、一
次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの同相
給電により、また差信号チヤネルの放射特性は一
次放射素子２ａ，２ｂと一次放射素子２ｄ，２ｅ
の各組合せに対する逆相給電により得られる。即
ち、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ
において、その中央部に配置された一次放射素子
２ｃは和信号チヤネルのみに拘わり、またこの一
次素子２ｃの外側周辺部に配置された一次放射素
子２ａ，２ｂ，２ｄ，２ｅは和信号および差信号
の両チヤネルに拘わつている。この場合の一次放
射素子における和信号および差信号の各チヤネル
に対応する一次励振電界分布図を、それぞれ概念
的に第５図Ｂ，Ｃに示す。明らかに差信号チヤネ
ルの放射特性を形成する一次放射素子２ａ，２ｂ
と一次放射素子２ｄ，２ｅとの等価的な素子間隔
Ｌは第１図Ｃの場合に比較して拡大して設定する
ことが可能となり、かつハイブリツド回路は１個
を含むのみで相給電も簡易化される。
で、その主要部は反射鏡１、一次放射素子２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、ハイブリツド回路３お
よび電力分配器４ａ，４ｂ，４ｃから構成されて
いる。この場合和信号チヤネルの放射特性は、一
次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの同相
給電により、また差信号チヤネルの放射特性は一
次放射素子２ａ，２ｂと一次放射素子２ｄ，２ｅ
の各組合せに対する逆相給電により得られる。即
ち、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ
において、その中央部に配置された一次放射素子
２ｃは和信号チヤネルのみに拘わり、またこの一
次素子２ｃの外側周辺部に配置された一次放射素
子２ａ，２ｂ，２ｄ，２ｅは和信号および差信号
の両チヤネルに拘わつている。この場合の一次放
射素子における和信号および差信号の各チヤネル
に対応する一次励振電界分布図を、それぞれ概念
的に第５図Ｂ，Ｃに示す。明らかに差信号チヤネ
ルの放射特性を形成する一次放射素子２ａ，２ｂ
と一次放射素子２ｄ，２ｅとの等価的な素子間隔
Ｌは第１図Ｃの場合に比較して拡大して設定する
ことが可能となり、かつハイブリツド回路は１個
を含むのみで相給電も簡易化される。
第６図Ａ，Ｂは本発明の第４の実施例の概要構
成図およびその一次放射素子の平面配置図であ
る。この実施例の一次放射素子は、一次放射素子
２ａを中心として一次放射素子２ｂ，２ｃ，２
ｄ，２ｅが方形に配列したものである。この実施
例は、三次元の空間に存在する移動目標体を自動
追尾する場合に適用されるモノパルス空中線に対
応し、一次放射素子２ｂ，２ｃは方位AZ角にお
ける角度誤差検出用として、また一次放射素子２
ｄ，２ｅは高低EL角における角度誤差検出用と
して機能する。この実施例の主要部は反射鏡１、
一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、ハ
イブリツド回路３ａ，３ｂ、電力分配器４ａ，４
ｂから構成される。この場合和信号チヤネルの放
射特性は、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２
ｄ，２ｅの同相給電により、また差信号チヤネル
の放射特性は、方位角については一次放射素子２
ｂおよび２ｃの逆相給電により、高低角について
は一次放射素子２ｄ，２ｅの逆相給電により得ら
れる。即ち、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２
ｄ，２ｅにおいて、その中央部に配電された一次
放射素子２ａは和信号チヤネルのみに拘わり、ま
たこの一次素子２ａの外側周辺部に配置された一
次放射素子２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅは和信号およ
び差信号の両チヤネルに拘わつている。この場合
の一次放射素子における和信号および差信号の各
チヤネルに対応する一次励振電界分布図を、概念
的に第６図Ｃ，Ｄ，Ｅに示す。同図Ｃは水平角度
面および高低角度面に対応する和信号チヤネルに
対する励振電界分布をまとめてを示し、また同図
Ｄ，Ｅはそれぞれ方位角度面および高低角度面に
対応する差信号チヤネルに対する励振電界分布を
示している。これらの図から明らかなように、差
信号チヤネルに対応する素子間隔Ｌは、第１図Ｃ
に比較してより大きく設定することが可能であ
り、合理的な放射特性が得られ、またハイブリツ
ド回路は水平角度面および高低角度面に対応して
最小限の２個を含むのみであり、給電系も簡易化
して実現することが可能である。
成図およびその一次放射素子の平面配置図であ
る。この実施例の一次放射素子は、一次放射素子
２ａを中心として一次放射素子２ｂ，２ｃ，２
ｄ，２ｅが方形に配列したものである。この実施
例は、三次元の空間に存在する移動目標体を自動
追尾する場合に適用されるモノパルス空中線に対
応し、一次放射素子２ｂ，２ｃは方位AZ角にお
ける角度誤差検出用として、また一次放射素子２
ｄ，２ｅは高低EL角における角度誤差検出用と
して機能する。この実施例の主要部は反射鏡１、
一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、ハ
イブリツド回路３ａ，３ｂ、電力分配器４ａ，４
ｂから構成される。この場合和信号チヤネルの放
射特性は、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２
ｄ，２ｅの同相給電により、また差信号チヤネル
の放射特性は、方位角については一次放射素子２
ｂおよび２ｃの逆相給電により、高低角について
は一次放射素子２ｄ，２ｅの逆相給電により得ら
れる。即ち、一次放射素子２ａ，２ｂ，２ｃ，２
ｄ，２ｅにおいて、その中央部に配電された一次
放射素子２ａは和信号チヤネルのみに拘わり、ま
たこの一次素子２ａの外側周辺部に配置された一
次放射素子２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅは和信号およ
び差信号の両チヤネルに拘わつている。この場合
の一次放射素子における和信号および差信号の各
チヤネルに対応する一次励振電界分布図を、概念
的に第６図Ｃ，Ｄ，Ｅに示す。同図Ｃは水平角度
面および高低角度面に対応する和信号チヤネルに
対する励振電界分布をまとめてを示し、また同図
Ｄ，Ｅはそれぞれ方位角度面および高低角度面に
対応する差信号チヤネルに対する励振電界分布を
示している。これらの図から明らかなように、差
信号チヤネルに対応する素子間隔Ｌは、第１図Ｃ
に比較してより大きく設定することが可能であ
り、合理的な放射特性が得られ、またハイブリツ
ド回路は水平角度面および高低角度面に対応して
最小限の２個を含むのみであり、給電系も簡易化
して実現することが可能である。
以上詳細に説明したように、本発明は反射鏡型
モノパルス空中線の一次放射素子に対する給電方
式を改良することにより、和信号および差信号の
両チヤネルについて一次および二次の放射特性を
改善し且つハイブリツド回路を含む給電系を簡易
化できるという効果を有する。
モノパルス空中線の一次放射素子に対する給電方
式を改良することにより、和信号および差信号の
両チヤネルについて一次および二次の放射特性を
改善し且つハイブリツド回路を含む給電系を簡易
化できるという効果を有する。
第１図Ａは従来の反射鏡型モノパルス空中線の
概要構成図、第１図Ｂ，Ｃは第１図Ａの空中線の
一次放射系における励振電界分布概念図、第１図
Ｄ，Ｅはそれぞれ第１図Ａの空中線の一次および
二次の放射特性図、第２図Ａは従来の反射鏡型モ
ノパルス空中線の他の例の概要構成図、第２図
Ｂ，Ｃは第２図Ａの空中線の一次放射系における
励振電界分布概念図、第２図Ｄ，Ｅはそれぞれ第
２図Ｂの空中線の一次および二次の放射特性図、
第３図Ａは本発明の第１の実施例の概要構成図、
第３図Ｂ，Ｃはこの実施例の一次放射素子におけ
る励振電界分布概念図、第３図Ｄ，Ｅはそれぞれ
この実施例の一次よび二次の放射特性図、第４図
Ａは本発明の第２の実施例の概要構成図、第４図
Ｂ，Ｃはこの実施例の一次放射素子における励振
電界分布概念図、第５図Ａは本発明の第３の実施
例の概要構成図、第５図Ｂ，Ｃはこの実施例の一
次放射素子における励振電界分布概念図、第６図
Ａ，Ｂは本発明の第４の実施例の概要構成図およ
びその一次放射素子の平面配置図、第６図Ｃ，
Ｄ，Ｅはこの実施例の一次放射素子における励振
電界分布概念図である。図において、 １……反射鏡、２……一次放射素子、３……ハ
イブリツド回路、４……電力分配器、５……擬似
負荷、１１……和信号チヤネル端子、１２……差
信号チヤネル端子、２１……和信号チヤネルの一
次放射特性、２２……差信号チヤネルの一次放射
特性、２３……反射鏡周辺部の方向角度、３１…
…和信号チヤネルの二次放射特性、３２……差信
号チヤネルの二次放射特性、２０１〜２１４……
一次放射素子の相対励振電界振幅値。
概要構成図、第１図Ｂ，Ｃは第１図Ａの空中線の
一次放射系における励振電界分布概念図、第１図
Ｄ，Ｅはそれぞれ第１図Ａの空中線の一次および
二次の放射特性図、第２図Ａは従来の反射鏡型モ
ノパルス空中線の他の例の概要構成図、第２図
Ｂ，Ｃは第２図Ａの空中線の一次放射系における
励振電界分布概念図、第２図Ｄ，Ｅはそれぞれ第
２図Ｂの空中線の一次および二次の放射特性図、
第３図Ａは本発明の第１の実施例の概要構成図、
第３図Ｂ，Ｃはこの実施例の一次放射素子におけ
る励振電界分布概念図、第３図Ｄ，Ｅはそれぞれ
この実施例の一次よび二次の放射特性図、第４図
Ａは本発明の第２の実施例の概要構成図、第４図
Ｂ，Ｃはこの実施例の一次放射素子における励振
電界分布概念図、第５図Ａは本発明の第３の実施
例の概要構成図、第５図Ｂ，Ｃはこの実施例の一
次放射素子における励振電界分布概念図、第６図
Ａ，Ｂは本発明の第４の実施例の概要構成図およ
びその一次放射素子の平面配置図、第６図Ｃ，
Ｄ，Ｅはこの実施例の一次放射素子における励振
電界分布概念図である。図において、 １……反射鏡、２……一次放射素子、３……ハ
イブリツド回路、４……電力分配器、５……擬似
負荷、１１……和信号チヤネル端子、１２……差
信号チヤネル端子、２１……和信号チヤネルの一
次放射特性、２２……差信号チヤネルの一次放射
特性、２３……反射鏡周辺部の方向角度、３１…
…和信号チヤネルの二次放射特性、３２……差信
号チヤネルの二次放射特性、２０１〜２１４……
一次放射素子の相対励振電界振幅値。
Claims (1)
- １ 線状または面状に配列された一次放射素子と
ハイブリツド回路とを含む反射鏡型モノパルス空
中線において、差信号チヤンネルを前記一次放射
素子配列の周辺部の素子とハイブリツド回路でも
つて構成し、かつ、和信号チヤンネルを、前記周
辺部の素子と前記ハイブリツド回路による和信号
出力と前記一次放射素子配列の中央部の素子の和
信号出力とを合成する電力合成器でもつて構成す
ることを特徴とするモノパルス空中線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6503382A JPS58182306A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | モノパルス空中線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6503382A JPS58182306A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | モノパルス空中線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182306A JPS58182306A (ja) | 1983-10-25 |
| JPH0161243B2 true JPH0161243B2 (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=13275254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6503382A Granted JPS58182306A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | モノパルス空中線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182306A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308011A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-21 | Sekisui House Ltd | プレキャストコンクリート布基礎の据付用スペーサ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5030960A (en) * | 1986-11-17 | 1991-07-09 | Hughes Aircraft Company | Monopulse antenna with improved sidelobe suppression |
| JPH0644689B2 (ja) * | 1987-01-14 | 1994-06-08 | 三菱電機株式会社 | アンテナ装置 |
| JPH0738332A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Nec Corp | 簡易モノパルス追尾アンテナ |
| JP6304868B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2018-04-04 | 日本電信電話株式会社 | アンテナ装置 |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6503382A patent/JPS58182306A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308011A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-21 | Sekisui House Ltd | プレキャストコンクリート布基礎の据付用スペーサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58182306A (ja) | 1983-10-25 |
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