JPH017726Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （考案の技術分野） 本考案は、基台およびこの上に載置されたベル
ジヤーによつて被薄膜形成部材を収容する反応室
を構成するとともに前記反応室を開放すべくベル
ジヤーを昇降装置によつて昇降させるようにした
気相成長装置の改良に関する。

（考案の技術的背景とその問題点） 通常、半導体製造装置のうち前工程で使用され
る気相成長装置においては、被薄膜形成部材とし
ての半導体ウエハーを反応室（反応炉）内部に配
置されたサセプタなどの基台上に載置したり、あ
るいは取出したりする為に、反応室形成部材を変
位自在として反応室を開放できる構成となつてい
る。

一方、半導体製造装置は年々大型化してきてい
るが、気相成長装置においても例えば縦型エピタ
キシヤル装置においては、1983年現在、既にベル
ジヤーの外径900ないし1000mm、同重量150Kgとい
う大型のものが開発されている。

また、この種、装置においてはベルジヤーの開
閉の為に昇降装置が設けられているが、従来の構
成である片持構造を用いた場合、ベルジヤーの重
量の増加、基台の水平度の調整難等の為、Ｏリン
グを介したベルジヤーフランジ面と基台との平行
度が悪くなり、シールが不完全になつて、ベルジ
ヤー内部からのガス漏が生じ危険であるとともに
反応室内に大気が流入して良好かつ高品質の気相
成長が行なえなくなるという重大な問題があつ
た。

これは、昇降装置のアームとベルジヤーの被支
持部とを完全に密着固定して剛体化している事に
原因しており、この構造である限り定期的に調整
加工を必要とせざるを得なかつた。

〔考案の目的〕

本考案は前記事情にもとずきなされたもので、
その目的とするところは、比較的簡単な構成であ
りながら、長期に亙つてベルジヤーと基台との間
のシールを確実に行なえ、保守性、安全性に優
れ、しかも高品質の気相成長が行なえるようにし
た気相成長装置を提供しようとするものである。

〔考案の概要〕

本考案は、前記目的を達成すべく、ベルジヤー
の上方に伸びる昇降装置のアームとベルジヤーの
頂部に形成された被支持部とを、揺動可能でかつ
上下方向に隙間が生じるように形成された嵌合部
によつて遊嵌させベルジヤーを下降させた時、そ
のシール面が自重で基台に載置されるように自由
度をもたせる状態に吊持させる構成としたもので
ある。

〔考案の実施例〕

以下、本考案の一実施例を図面を参照して説明
する。第１図は薄膜形成装置としての縦型気相成
長装置の構成を示すものであり、ここで１は基台
２上に載置されたベルジヤーであり、３は被薄膜
形成部材としての半導体基板（以後ウエハーとい
う）、４はカーボン製のサセプタ、５は熱源とし
ての渦巻き状の高周波コイル、６は反応ガスを噴
出するノズル、７は反応ガスを外部に漏らさない
ようにシールするためのＯリングである。また、
８はベルジヤー１と基台２によつて形成された反
応室である。

しかして、高周波発振機（図示しない）より高
周波コイル５に高周波電力を送りサセプタ４を高
周波誘導加熱する。この場合、反応ガスによつて
加熱温度は違うが最高1300℃程度に高周波誘導加
熱する。サセプタ４が加熱されるとサセプタ４上
に置かれているウエハー３が伝導加熱される。一
方、反応ガスは図示しないガスコントロール装置
でガス量が制御されてノズル６より反応室内８へ
送られる。

そして、ガス内に含まれているシリコン（Si）
化合物から熱により化学反応、熱分解等によりシ
リコン（Si）が分離されウエハー３上へシリコン
が付着し、シリコンの薄膜が成長するようになつ
ている。

また、前記ベルジヤー１は昇降装置９によつて
反応室８を開放すべく昇降される構成となつてい
る。

すなわち、１０は支持部材としてのアーム１１
が取付けられた昇降軸であり、図示しない駆動源
により旋回、昇降が行なえるようになつている。
前記アーム１１の先端部はベルジヤー１の頂部に
形成された被支持部としてのコ字状保持枠の１２
に、アーム１１に対してベルジヤー１が揺動可能
でかつ上下方向に隙間が生じるように形成された
嵌合部１２ａに遊嵌された状態になつていてベル
ジヤー１を吊持するようになつている。

また、アーム１１とベルジヤー１に形成された
保持枠１２との相互接触部にはアーム１１と直角
にかつ水平に伸びる位置合せ用の断面Ｖ型の凹凸
線部１３ａ，１３ｂからなる係合部１３が形成さ
れていてベルジヤー１の基台２に対する位置合せ
が確実に行なえると共に、アーム１１が伸びてい
る方向に沿つてベルジヤー１が振り子のように容
易に揺動できるようになつている。

なお、図中、１４…はベルジヤー１の下端開口
周縁に沿つて形成されたフランジ部１ａを基台２
に対して押付け固定するためのクランパーであ
る。

しかして、被薄膜形成部材としてのウエハー３
をサセプタ４上に載置したり、あるいは取出した
りすべく反応室８を開放する場合には、クランパ
ー１４…の押え動作を解除した後、昇降装置９の
昇降軸１０を上昇させることによつてベルジヤー
１を上方へ持ち上げることになる。このとき、ア
ーム１１とベルジヤー１とはその相互接触部に形
成された係合部１３によつてその支持位置が変つ
てしまうようなことがない。

また、上記反応室８を閉じようとする場合に
は、昇降装置９の昇降軸１０を下降させることに
よつてベルジヤー１を基台２上に降すことにな
る。このとき、昇降軸１０と一体のアーム１１と
ベルジヤー１とはその相互接触部に形成された係
合部１３によつてその支持位置が変る事なく基台
２の所定位置に載かれることになる。このとき、
ベルジヤー１の重量によりアーム１１がたわんで
いても、ベルジヤー１はアーム１１のたわみに関
係なく、係合部１３を支点として略鉛直状に吊持
され、基台２上に載かれる。そして、ベルジヤー
１が完全に基台２上に載置された状態においては
昇降軸１０と一体のアーム１１と保持枠１２との
間の係合面間に隙間が形成されて、ベルジヤー１
に自由度が生じることとなりベルジヤー１の下端
開口周縁に沿つて形成されたフランジ部１０ａの
下面と基台２との平行度は常に最良の状態にある
ことになる。

なお、前述の一実施例において、アームとベル
ジヤーに形成された被支持部の嵌合部との相互接
触部に形成された位置合せ用の係合部を断面Ｖ型
の凹凸線部で形成したが、本考案はこれに限らず
他の形状であつても良い事は勿論である。

その他、本考案は本考案の要旨を変えないで
種々変形実施可能なことは勿論である。

〔考案の効果〕

本考案は、以上説明したように、昇降装置のア
ームを、ベルジヤーの頂部に形成された被支持部
とを、揺動可能でかつ上下方向に隙間が生じるよ
うに形成された嵌合部によつて遊嵌させてベルジ
ヤーを昇降させるようにしたため、比較的簡単な
構成でありながらアームのたわみなどに関係な
く、ベルジヤーと基台との間のシールを確実に行
なえ、保守性、安全性に優れ、しかも高品質の気
相成長が行なえるようにした気相成長装置を提供
できるといつた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

図面は本考案の一実施例を示すもので、第１図
は概略的平面図、第２図は一部切欠して示す概略
的正面図である。 １……ベルジヤー（反応室形成部材）、２……
基台、３……被薄膜形成部材（ウエハー）、８…
…反応室、９……昇降装置、１０……昇降軸、１
１……アーム、１２……被支持部（保持枠）、１
２ａ……嵌合部、１３……係合部、１３ａ……位
置合せ用の凹線部、１３ｂ……位置合せ用の凸線
部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基台およびこの上に載置されたベルジヤーに
   よつて被薄膜形成部材を収容する反応室を構成
   するとともに前記反応室を開放すべくベルジヤ
   ーを昇降装置によつて昇降させるようにした気
   相成長装置であつて、ベルジヤーの上方に伸び
   る前記昇降装置のアームとベルジヤーの頂部に
   形成された被支持部とを、移動可能でかつ上下
   方向に隙間が生じるように形成された嵌合部に
   よつて遊嵌させ、前記アームの昇降動作に伴つ
   てベルジヤーを昇降させる構成としたことを特
   徴とする気相成長装置。 (2) アームとベルジヤーに形成された被支持部の
   嵌合部との相互接触部にアームと直角で水平に
   伸びる位置合せ用の凹凸線部からなる係合部が
   形成されていることを特徴とする実用新案登録
   請求の範囲第１項記載の気相成長装置。 (3) 凹凸線部が断面Ｖ型であることを特徴とする
   実用新案登録請求の範囲第２項記載の気相成長
   装置。