JPH018080Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH018080Y2 JPH018080Y2 JP1981181323U JP18132381U JPH018080Y2 JP H018080 Y2 JPH018080 Y2 JP H018080Y2 JP 1981181323 U JP1981181323 U JP 1981181323U JP 18132381 U JP18132381 U JP 18132381U JP H018080 Y2 JPH018080 Y2 JP H018080Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- back electrode
- gate terminal
- conversion element
- impedance conversion
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はエレクトレツトコンデンサマイクロホ
ンに関する。
ンに関する。
従来のエレクトレツトコンデンサマイクロホン
について第１図により説明する。１は面布、２は
ケース、３は膜張りリング、４は振動膜（エレク
トレツトフイルム）、５はスペーサ、６は背電極、
７は絶縁体、８はプリント基板（以下基板と称
す）、９は例えば電界効果トランジスタ等の電気
インピーダンス変換用素子（以下FETと称す）、
９ａは前記FET９のゲート端子である。この構
成において、FET９のゲート端子９ａを背電極
６に接触にて接続する場合、第２図イ，ロに示す
ように、絶縁体７の背電極６挿入部の一部に凹部
７ａを設け、この凹部７ａにゲート端子９ａを挿
入し、背電極６を絶縁体７に圧入することによ
り、背電極６と絶縁体７との間にゲート端子９ａ
を挾み込んで固定していた。しかしながらこのよ
うな構成では、絶縁体７の凹部７ａの溝深さや
FET９のゲート端子９ａの厚さの寸法公差に注
意を払わなければならなかつた。
について第１図により説明する。１は面布、２は
ケース、３は膜張りリング、４は振動膜（エレク
トレツトフイルム）、５はスペーサ、６は背電極、
７は絶縁体、８はプリント基板（以下基板と称
す）、９は例えば電界効果トランジスタ等の電気
インピーダンス変換用素子（以下FETと称す）、
９ａは前記FET９のゲート端子である。この構
成において、FET９のゲート端子９ａを背電極
６に接触にて接続する場合、第２図イ，ロに示す
ように、絶縁体７の背電極６挿入部の一部に凹部
７ａを設け、この凹部７ａにゲート端子９ａを挿
入し、背電極６を絶縁体７に圧入することによ
り、背電極６と絶縁体７との間にゲート端子９ａ
を挾み込んで固定していた。しかしながらこのよ
うな構成では、絶縁体７の凹部７ａの溝深さや
FET９のゲート端子９ａの厚さの寸法公差に注
意を払わなければならなかつた。
本考案は上記の点に鑑み、電気インピーダンス
変換用素子のゲート端子と背電極との結合を容易
にかつ確実におこなうことのできるエレクトレツ
トコンデンサマイクロホンの提供を目的とする。
変換用素子のゲート端子と背電極との結合を容易
にかつ確実におこなうことのできるエレクトレツ
トコンデンサマイクロホンの提供を目的とする。
本考案は、上記目的を達成するために、背電極
の圧入部ならびに電気インピーダンス変換用素子
の収容部を有する絶縁体に、前記電気インピーダ
ンス変換用素子収容部の上部付近（背電極圧入
側）もしくは下部付近（プリント基板側）の内側
壁に固定されて、前記背電極側に湾曲して前記収
容部内に突設され、前記湾曲部が前記電気インピ
ーダンス変換用素子のゲート端子または前記電気
インピーダンス変換用素子のゲート端子とは反対
側端部に弾性圧接して、前記ゲート端子を前記背
電極に圧接させる肉薄部を一体に設けたものであ
る。
の圧入部ならびに電気インピーダンス変換用素子
の収容部を有する絶縁体に、前記電気インピーダ
ンス変換用素子収容部の上部付近（背電極圧入
側）もしくは下部付近（プリント基板側）の内側
壁に固定されて、前記背電極側に湾曲して前記収
容部内に突設され、前記湾曲部が前記電気インピ
ーダンス変換用素子のゲート端子または前記電気
インピーダンス変換用素子のゲート端子とは反対
側端部に弾性圧接して、前記ゲート端子を前記背
電極に圧接させる肉薄部を一体に設けたものであ
る。
以下本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第３図イは本考案の一実施例を示す要部の断面
図、同図ロはイにおけるＢ−Ｂ線に沿う断面図で
あり、第１図に示す構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付してその説明を省略する。第３
図イ，ロに示す実施例において、従来の構成との
相違点は、絶縁体７のFET９収容部内側壁の背
電極６近傍位置に厚さ１mm以下の肉薄部１０ａが
固定されて、かつ背電極側に湾曲してFET９の
収容部内に突設され、この肉薄部１０ａと背電極
６との間にFET９のゲート端子９ａを挾み込み、
肉薄部１０ａの湾曲部のバネ性によりゲート端子
９ａを背電極６に圧接させた点である。
図、同図ロはイにおけるＢ−Ｂ線に沿う断面図で
あり、第１図に示す構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付してその説明を省略する。第３
図イ，ロに示す実施例において、従来の構成との
相違点は、絶縁体７のFET９収容部内側壁の背
電極６近傍位置に厚さ１mm以下の肉薄部１０ａが
固定されて、かつ背電極側に湾曲してFET９の
収容部内に突設され、この肉薄部１０ａと背電極
６との間にFET９のゲート端子９ａを挾み込み、
肉薄部１０ａの湾曲部のバネ性によりゲート端子
９ａを背電極６に圧接させた点である。
上記構成によれば、肉薄部１０ａの湾曲部のバ
ネ性を利用してFET９のゲート端子９ａを背電
極６に圧接させるので、各部の寸法公差を吸収で
き、従来のように背電極６等に傾きを生じること
がない。
ネ性を利用してFET９のゲート端子９ａを背電
極６に圧接させるので、各部の寸法公差を吸収で
き、従来のように背電極６等に傾きを生じること
がない。
また温度変化により各部の収縮や膨張があつて
も極薄部１０ａのバネ性で充分吸収可能であり、
温度変化に対しても高安定性、高信頼性を得るこ
とができる。
も極薄部１０ａのバネ性で充分吸収可能であり、
温度変化に対しても高安定性、高信頼性を得るこ
とができる。
第４図イ，ロは別の実施例を示しており、この
ように、FET９を絶縁体７の背電極６側から挿
入するようにしてもよい。この場合、絶縁体７の
FET９収容部内側壁の基板８近傍位置に肉薄部
１０ｂが固定されて、かつ、背電極側に湾曲して
FET９の収容部内に突設され、この肉薄部１０
ｂの湾曲部のバネ性によりFET９のゲート端子
９ａとは反対側のモールドの下面を押上げ、ゲー
ト端子９ａと背電極６とをＡ点で接触させてい
る。このような構成においても第３図イ，ロに示
す実施例と同様の効果が得られる。
ように、FET９を絶縁体７の背電極６側から挿
入するようにしてもよい。この場合、絶縁体７の
FET９収容部内側壁の基板８近傍位置に肉薄部
１０ｂが固定されて、かつ、背電極側に湾曲して
FET９の収容部内に突設され、この肉薄部１０
ｂの湾曲部のバネ性によりFET９のゲート端子
９ａとは反対側のモールドの下面を押上げ、ゲー
ト端子９ａと背電極６とをＡ点で接触させてい
る。このような構成においても第３図イ，ロに示
す実施例と同様の効果が得られる。
なお上記実施例においては、FET９収容部を
絶縁体７の中心部に設けた例について説明した
が、FET９収容部は絶縁体７の外周部に設けて
もよい。
絶縁体７の中心部に設けた例について説明した
が、FET９収容部は絶縁体７の外周部に設けて
もよい。
また上記実施例においては、FET９を縦方向
に設置した例について説明したが、FET９は横
方向に設置してもよく、この場合はさらに薄形の
エレクトレツトコンデンサマイクロホンを提供で
きる。
に設置した例について説明したが、FET９は横
方向に設置してもよく、この場合はさらに薄形の
エレクトレツトコンデンサマイクロホンを提供で
きる。
以上説明したように、本考案にかかるエレクト
レツトコンデンサマイクロホンによれば、電気イ
ンピーダンス変換用素子のゲート端子と背電極と
の結合を容易にかつ確実におこなうことができ、
温度変化に対しても高度の安定性を有し、高い信
頼性を得ることができる。
レツトコンデンサマイクロホンによれば、電気イ
ンピーダンス変換用素子のゲート端子と背電極と
の結合を容易にかつ確実におこなうことができ、
温度変化に対しても高度の安定性を有し、高い信
頼性を得ることができる。
第１図は従来のエレクトレツトコンデンサマイ
クロホンの断面図、第２図イは同要部拡大断面
図、同図ロはイにおけるＡ−Ａ線に沿う断面図、
第３図イは本考案の一実施例におけるエレクトレ
ツトコンデンサマイクロホンの要部の断面図、同
図ロはイにおけるＢ−Ｂ線に沿う断面図、第４図
イは別の実施例におけるエレクトレツトコンデン
サマイクロホンの要部の断面図、同図ロはイにお
けるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 ６……背電極、７……絶縁体、８……基板、９
……電気インピーダンス変換用素子、９ａ……ゲ
ート端子、１０ａ，１０ｂ……肉薄部。
クロホンの断面図、第２図イは同要部拡大断面
図、同図ロはイにおけるＡ−Ａ線に沿う断面図、
第３図イは本考案の一実施例におけるエレクトレ
ツトコンデンサマイクロホンの要部の断面図、同
図ロはイにおけるＢ−Ｂ線に沿う断面図、第４図
イは別の実施例におけるエレクトレツトコンデン
サマイクロホンの要部の断面図、同図ロはイにお
けるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 ６……背電極、７……絶縁体、８……基板、９
……電気インピーダンス変換用素子、９ａ……ゲ
ート端子、１０ａ，１０ｂ……肉薄部。
Claims (1)
- 背電極の圧入部ならびに電気インピーダンス変
換用素子の収容部を有する絶縁体に、前記電気イ
ンピーダンス変換用素子収容部の上部付近（背電
極圧入側）もしくは下部付近（プリント基板側）
の内側壁に固定されて、前記背電極側に湾曲して
前記収容部内に突設され、前記湾曲部が前記電気
インピーダンス変換用素子のゲート端子または前
記電気インピーダンス変換用素子のゲート端子と
は反対側端部に弾性圧接して、前記ゲート端子を
前記背電極に圧接させる肉薄部を一体に設けたエ
レクトレツトコンデンサマイクロホン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18132381U JPS5885894U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | エレクトレツトコンデンサマイクロホン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18132381U JPS5885894U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | エレクトレツトコンデンサマイクロホン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885894U JPS5885894U (ja) | 1983-06-10 |
| JPH018080Y2 true JPH018080Y2 (ja) | 1989-03-02 |
Family
ID=29978699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18132381U Granted JPS5885894U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | エレクトレツトコンデンサマイクロホン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885894U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2556616B (en) | 2016-07-21 | 2019-09-25 | Cipher Surgical Ltd | Scope assembly |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915199Y2 (ja) * | 1977-09-17 | 1984-05-04 | 日本ケミコン株式会社 | コンデンサマイクロホンの内部接続構造 |
| JPS5586298A (en) * | 1978-12-23 | 1980-06-28 | Toshiba Corp | Condenser type microphone |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP18132381U patent/JPS5885894U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5885894U (ja) | 1983-06-10 |
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