JPH0191443A - Package for microwave integrated circuit - Google Patents
Package for microwave integrated circuitInfo
- Publication number
- JPH0191443A JPH0191443A JP24815587A JP24815587A JPH0191443A JP H0191443 A JPH0191443 A JP H0191443A JP 24815587 A JP24815587 A JP 24815587A JP 24815587 A JP24815587 A JP 24815587A JP H0191443 A JPH0191443 A JP H0191443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- integrated circuit
- package
- microwave integrated
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、マイクロ波増幅器などを収容するためのマイ
クロ波集積回路用セラミックパッケージに関するもので
ある。。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a ceramic package for a microwave integrated circuit for accommodating a microwave amplifier or the like. .
(従来の技術)
従来、マイクロ波集積回路を構成している増幅器等を収
容するセラミックパッケージとしては、例えば第3図に
示すように信号電極およびバイアス電圧供給用電極をパ
ターンニングした第1層セラミック基板2Aと、絶縁層
としての第2層のセラミック基板2Bとを積層してセラ
ミック枠体2を構成し、該セラミック枠体2の上には封
止用導体パターン6が設けられている。金属基体1はマ
イクロ波集積回路を装着する基板となるだけでなく、不
図示のケース等に固定するための基板を兼ねる。(Prior Art) Conventionally, as a ceramic package for accommodating an amplifier or the like constituting a microwave integrated circuit, a first-layer ceramic package with patterned signal electrodes and bias voltage supply electrodes is used, for example, as shown in FIG. A ceramic frame 2 is constructed by laminating the substrate 2A and a second layer ceramic substrate 2B as an insulating layer, and a sealing conductor pattern 6 is provided on the ceramic frame 2. The metal base 1 not only serves as a substrate on which a microwave integrated circuit is mounted, but also serves as a substrate for fixing it to a case (not shown) or the like.
セラミック枠体2の外部回路等と接続する側の外壁には
前記電極パターン周囲を除き、前記金属基体1と封止用
金属蓋体(不図示)と導通をとるための導体パターン7
が形成される。集積回路増幅器(不図示)は、枠体2で
囲まれた金属基体1の一領域5に取り付けられていて、
一方、枠体2には高周波入出力用電極パターン3A、
3Bやバイアス電圧供給用電極パターン4A、 4Bが
複数個、図示のように配置されている。すなわち枠体2
を構成する第1層のセラミック板2Aは、高周波用マイ
クロストリップ線路8、バイアス電圧供給用マイクロス
トリップ線路9および接地用導体パターン7Aを備えた
セラミック基板であり、枠体2を構成する第2層のセラ
ミック板2Bは接地用導体パターン7Bを備えた絶縁体
としてのセラミック基板である。On the outer wall of the ceramic frame 2 on the side connected to an external circuit, etc., except for the area around the electrode pattern, there is a conductor pattern 7 for establishing electrical continuity between the metal base 1 and the sealing metal lid (not shown).
is formed. An integrated circuit amplifier (not shown) is attached to a region 5 of the metal substrate 1 surrounded by the frame 2,
On the other hand, the frame body 2 includes a high frequency input/output electrode pattern 3A,
A plurality of electrode patterns 3B and bias voltage supply electrode patterns 4A and 4B are arranged as shown. That is, frame body 2
The first layer ceramic plate 2A constituting the frame 2 is a ceramic substrate equipped with a high frequency microstrip line 8, a bias voltage supply microstrip line 9, and a grounding conductor pattern 7A, and the second layer constituting the frame 2 The ceramic board 2B is a ceramic substrate as an insulator provided with a grounding conductor pattern 7B.
このようにして、マイクロ波集積回路増幅器と、高周波
出力用電極パターン3B、バイアス電圧供給用電極パタ
ーン4Bとはボンディングワイヤや金リボンによって電
気的に接続される。6は枠体2の上面に覆蓋される蓋部
材(不図示)を用いて、ハーメチックシールするための
封止用導体パターン、lOは金属基体lを不図示のケー
スに固定するためのねじ用の穴である。11は導体パタ
ーン3A、 3Bに接続され、不図示の外部回路等に接
続されるためのリードである。In this way, the microwave integrated circuit amplifier, the high frequency output electrode pattern 3B, and the bias voltage supply electrode pattern 4B are electrically connected by bonding wires or gold ribbons. 6 is a sealing conductor pattern for hermetic sealing using a lid member (not shown) that covers the upper surface of the frame 2; lO is a sealing conductor pattern for fixing the metal base l to a case (not shown); It's a hole. A lead 11 is connected to the conductor patterns 3A and 3B and is connected to an external circuit (not shown).
上記説明のようにセラミックを積層形成した枠体からな
るパッケージでは、高周波用マイクロストリップ線路8
と、高周波入出力用電極パターン3A、 3Bと、リー
ド端子11とからなる高周波入力端子12(または高周
波出力端子13)から漏れたマイクロ波がセラミック枠
体2を介して高周波出力端子13 (または高周波入力
端子12)に発生したり、セラミック枠体2によるリン
グ共振により、高周波入出力端子間のアイソレーション
が劣化し、増幅回路の利得の低下や発振現象を招くなど
、特に数GHz以上で使用するマイクロ波集積回路を構
成している増幅器等の収容パッケージとしては不十分で
あった。さらに、セラミック枠体2の外壁に設けた接地
用導体パターン7は蓋部材を接地する上では効果がある
ものの、セラミックリングによる共振現象を助長するの
で、逆に設けない方がよいなど、上記説明の形態では、
パッケージの高周波化を図る上で困難を生じていた。As explained above, in a package consisting of a frame made of laminated ceramic, the high-frequency microstrip line 8
Microwaves leaking from the high frequency input terminal 12 (or high frequency output terminal 13) consisting of the high frequency input/output electrode patterns 3A, 3B and the lead terminal 11 are transmitted through the ceramic frame 2 to the high frequency output terminal 13 (or high frequency output terminal 13). Ring resonance generated at the input terminal 12) or caused by the ceramic frame 2 deteriorates the isolation between the high-frequency input and output terminals, leading to a decrease in the gain of the amplifier circuit and oscillation, especially when used at frequencies above several GHz. This was insufficient as a package for accommodating amplifiers and the like that make up a microwave integrated circuit. Furthermore, although the grounding conductor pattern 7 provided on the outer wall of the ceramic frame 2 is effective in grounding the lid member, it promotes the resonance phenomenon caused by the ceramic ring, so it is better not to provide it as explained above. In the form of
Difficulties have arisen in increasing the frequency of the package.
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、前述した従来の欠点を除去し、複雑な工程を
使用することなく、導電性材料を介して填め合わせ固着
一体化形成する簡単な構成と、接地用導体パターンを併
用することにより電磁シールド性を高めて30GHz帯
の超高周波まで高周波化した安価なマイクロ波集積回路
用パッケージを提供することにある。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention eliminates the above-mentioned conventional drawbacks, and has a simple structure in which the conductive materials are fitted and integrally formed without using a complicated process. The object of the present invention is to provide an inexpensive package for a microwave integrated circuit that can be used in combination with a grounding conductor pattern to improve electromagnetic shielding and operate at a high frequency up to an ultra-high frequency of 30 GHz band.
(問題点を解決するための手段)
本発明は、マイクロ波集積回路を取り付けた基体と、該
基体上に前記マイクロ波集積回路を取り囲んで設けられ
たセラミック枠体とを有するマイクロ波集積回路用パッ
ケージにおいて、尚記セラミック枠体が少なくとも一つ
の信号線路導体が貫通した第1セラミック部材と該第1
セラミック部材を挟む二つの第2のセラミック部材とか
ら成り、前記信号線路導体の両側に、前記セラミック枠
体の断面内に導電性材料を設ける。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a microwave integrated circuit which has a base body to which a microwave integrated circuit is attached, and a ceramic frame body provided on the base body to surround the microwave integrated circuit. In the package, the ceramic frame includes a first ceramic member through which at least one signal line conductor passes, and the first ceramic member.
It consists of two second ceramic members sandwiching a ceramic member, and a conductive material is provided within the cross section of the ceramic frame on both sides of the signal line conductor.
また前記第2のセラミック部材の上面および側面に導電
パターンを設け、該導電パターンと、セラミック枠体の
断面に設けられた前記導電性材料と、前記金属基体とが
互いに導通接続する。Further, a conductive pattern is provided on the upper and side surfaces of the second ceramic member, and the conductive pattern, the conductive material provided on the cross section of the ceramic frame, and the metal base are conductively connected to each other.
本発明のマイクロ波集積回路用パッケージによれば、高
周波信号端子部材とバイアス供給用端子を具備するセラ
ミック部材を、導電性材料を介して填め合わせ固着一体
化形成した単純なセラミック枠体構成と、接地用導電性
パターンを併用することによって、複雑な工程を使用す
ることなく、高周波入出力端子の電磁シールド性を高め
、セラミック枠体を介したマイクロ波の漏れに起因する
高周波特性の劣化を防止して、30GHz帯の超高周波
まで高周波化した安価なマイクロ波集積回路用パッケー
ジを提供できる。According to the package for a microwave integrated circuit of the present invention, a simple ceramic frame structure in which a ceramic member having a high frequency signal terminal member and a bias supply terminal is fitted and integrally formed through a conductive material; By using a conductive grounding pattern, the electromagnetic shielding properties of the high-frequency input/output terminals are improved without using complicated processes, and the deterioration of high-frequency characteristics caused by microwave leakage through the ceramic frame is prevented. As a result, it is possible to provide an inexpensive package for a microwave integrated circuit that can operate at ultra-high frequencies up to the 30 GHz band.
(実施例)
以下に、図面を参照して本発明の実施例を具体的に説明
する。第1図(a)は本発明の一実施例の斜視図、第1
図(b)は第1図(a)のP−Qから見た側面図、第2
図は本発明の高周波特性の測定結果を示す図である。(Example) Examples of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 1(a) is a perspective view of one embodiment of the present invention;
Figure (b) is a side view seen from P-Q in Figure 1 (a),
The figure is a diagram showing measurement results of high frequency characteristics of the present invention.
第1図(a)において、26は金属基体、14は高周波
用セラミック部材、23A、 23Bは高周波入出力用
マイクロストリップ線路の導体パターン、24A。In FIG. 1(a), 26 is a metal base, 14 is a high frequency ceramic member, 23A and 23B are conductor patterns of a high frequency input/output microstrip line, and 24A.
24Bはバイアス電圧供給用マイクロストリップ線路の
導体パターン、18は高周波用セラミック部材14を除
いた枠体用セラミック部材、19はセラミック部材断面
に設けられた導電性材料、2OA、 208゜20Cは
導体パターン、21はマイクロ波集積回路搭載部、23
はシールリング、25はねじ穴、11はリード端子であ
る。24B is a conductor pattern of a microstrip line for bias voltage supply, 18 is a ceramic member for the frame excluding the high frequency ceramic member 14, 19 is a conductive material provided on the cross section of the ceramic member, 2OA, 208° 20C is a conductor pattern , 21 is a microwave integrated circuit mounting section, 23
25 is a seal ring, 25 is a screw hole, and 11 is a lead terminal.
高周波用セラミック部材14は、50Ωインピ一ダンス
整合されたマイクロストリップ線路の導体パターン23
Aおよび23Bに導通接続され、マイクロ波集積回路搭
載部21側に通じた導体パターン23Bを具備した方形
のセラミック基板15Aと、前記セラミック基板より小
さい方形の絶縁体としてのセラミック基板15Bとを線
路導体23A、 23Bの一部が露出するように積層し
て形成される。枠体18はバイアス電圧供給用導体パタ
ーン24Aおよび24Bに導通接続され、マイクロ波集
積回路搭載部21側に通じた導体パターン24Bを具備
したL字形の第1層のセラミック基板18Aに、絶縁体
としての第2層のセラミック基板18Bを導体パターン
24A、 24Bの一部が露出するように積層して形成
される。L字形のセラミック部材18には、あらかじめ
導体パターン24A、 24Bとセラミック基板18A
、 18Bとリード端子11とから成るバイアス供給
用端子22の絶縁を有する部分を除いたセラミックの面
を各面とも導通がとれるようにタングステン等の導電性
ペースト材料を用いて導電パターン2OA、 20B、
20Cを形成する。The high frequency ceramic member 14 includes a conductor pattern 23 of a microstrip line with 50Ω impedance matching.
A rectangular ceramic substrate 15A having a conductive pattern 23B conductively connected to A and 23B and communicating with the microwave integrated circuit mounting section 21 side, and a rectangular ceramic substrate 15B serving as an insulator smaller than the ceramic substrate are used as line conductors. 23A and 23B are laminated so that a portion thereof is exposed. The frame 18 is electrically connected to bias voltage supply conductor patterns 24A and 24B, and is attached to an L-shaped first layer ceramic substrate 18A having a conductor pattern 24B connected to the microwave integrated circuit mounting section 21 side as an insulator. It is formed by laminating the second layer of ceramic substrates 18B such that conductor patterns 24A and 24B are partially exposed. The L-shaped ceramic member 18 has conductive patterns 24A, 24B and a ceramic substrate 18A in advance.
, 18B and lead terminals 11, conductive patterns 2OA, 20B are formed using a conductive paste material such as tungsten so that conductivity can be established between the ceramic surfaces of the bias supply terminal 22, excluding the insulated portion, on each surface.
Form 20C.
また、高周波用セラミック部材14には、あらかじめマ
イクロストリップ線路導体23A、 23Bの両側の端
子側面のセラミック面とセラミック基板15Bの上面と
をメタライズする。Furthermore, in the high-frequency ceramic member 14, the ceramic surfaces of the side surfaces of the terminals on both sides of the microstrip line conductors 23A and 23B and the upper surface of the ceramic substrate 15B are metalized in advance.
高周波用セラミック部材14とL字形のセラミック部材
18との端面に、導電材料、例えばモリブデン・マンガ
ン合金の導電ペーストを塗布し、填め合わせ接合するこ
とによって方形の枠体を形成する。この後、焼成しセラ
ミック化してハーメチックシールする。これによって、
高周波用セラミック部材14は、L字形のセラミック部
材18から導電性材料19および導電パターン2OA、
20B、 20Cによってシールドされた形状となる
。A rectangular frame is formed by applying a conductive material, for example, a conductive paste of molybdenum-manganese alloy, to the end faces of the high-frequency ceramic member 14 and the L-shaped ceramic member 18, and fitting and joining them. Thereafter, it is fired to form a ceramic and hermetically sealed. by this,
The high frequency ceramic member 14 includes an L-shaped ceramic member 18, a conductive material 19, a conductive pattern 2OA,
It has a shielded shape by 20B and 20C.
この方形形状となった枠体27は、マイクロ波集積回路
(不図示)を搭載する領域である搭載部21を有するよ
うに金属基体26にろう付けされる。This rectangular frame 27 is brazed to the metal base 26 so as to have a mounting portion 21 which is a region for mounting a microwave integrated circuit (not shown).
次に、ハーメチックシールするために金属性のシールリ
ング23を枠体27の上面にろう付けする。Next, a metal seal ring 23 is brazed to the upper surface of the frame 27 for hermetic sealing.
線路導体23A、 24Bには外部回路等と接続される
ためのリード11がろう付けされている。Leads 11 for connection to an external circuit, etc. are brazed to the line conductors 23A and 24B.
このようにして、マイクロ波集積回路の信号端子やバイ
アス端子はワイヤやリボンによって線路導体238.2
4Bに接続され、金属性蓋部材によってハーメチック封
止され、不図示のケース等にねじ穴を利用して固定され
る。その結果、蓋部材(不図示)、シールリング23、
導電パターン2OA、 20B。In this way, the signal terminals and bias terminals of the microwave integrated circuit are connected to the line conductors 238.2 by wires or ribbons.
4B, hermetically sealed with a metal lid member, and fixed to a case (not shown) or the like using a screw hole. As a result, a lid member (not shown), a seal ring 23,
Conductive patterns 2OA, 20B.
20Cおよび導電性材料19は接地基板としての金属基
体26にすべて導通ずることになる。20C and the conductive material 19 are all electrically connected to the metal base 26 as a grounded substrate.
(発明の効果)
以上説明したように、セラミック枠体を使用しているに
もかかわらず、高周波用セラミック部材14とL字形の
セラミック部材1日の誘電体部が、導電性材料19と導
体パターン2OA、 20B、 20Cと電磁的にシー
ルドされるので、従来のセラミックパッケージで問題で
あった高周波入力端子Aからの漏洩電磁波がセラミック
枠体を介して、またはセラミック枠体のリング形状に起
因して高周波用セラミック部材14に不要な電磁波が発
生する現象を抑止できるので、パッケージの高周波化が
期待される。(Effects of the Invention) As explained above, although the ceramic frame is used, the dielectric portion of the high-frequency ceramic member 14 and the L-shaped ceramic member 1 is connected to the conductive material 19 and the conductive pattern. 2OA, 20B, and 20C are electromagnetically shielded, so leakage electromagnetic waves from the high frequency input terminal A, which was a problem with conventional ceramic packages, are prevented from leaking through the ceramic frame or due to the ring shape of the ceramic frame. Since the generation of unnecessary electromagnetic waves in the high-frequency ceramic member 14 can be suppressed, it is expected that the package will be able to operate at higher frequencies.
そこで、上記説明に従って製作したパッケージの特性を
第2図に示す。本発明のパッケージは、30GHz帯に
おいても、挿入損失が劣化せず、信号端子間アイソレー
ションが30数dB以上と高アイソレーシヨン化を達成
していることがわかる。Therefore, the characteristics of the package manufactured according to the above explanation are shown in FIG. It can be seen that even in the 30 GHz band, the package of the present invention exhibits no deterioration in insertion loss and achieves high isolation with signal terminal isolation of more than 30 dB or more.
従来のセラミックパッケージをマイクロ波集積回路増幅
器に適用した場合では、数GHzになるとパッケージの
信号端子間アイソレーション低化により発振等の問題を
生じた。When a conventional ceramic package is applied to a microwave integrated circuit amplifier, problems such as oscillation occur due to poor isolation between signal terminals of the package when the frequency reaches several GHz.
本発明のパッケージをマイクロ波集債回路増幅器に適用
すると、上記問題が生ぜず、マイクロ波集積回路増幅器
の特性を損なうことなくパッケージングでき、上記説明
の電磁シールド効果が有効であることがわかる。It can be seen that when the package of the present invention is applied to a microwave integrated circuit amplifier, the above problem does not occur, packaging can be performed without impairing the characteristics of the microwave integrated circuit amplifier, and the electromagnetic shielding effect described above is effective.
したがって、本発明のパッケージを用いれば、複雑な工
程を使用することなく、高周波入出力端子およびセラミ
ック誘電体枠体の電磁シールド性を高め、セラミック枠
体を介したマイクロ波の漏れに起因する高周波特性の劣
化を防止して、306H2帯の超高周波まで高周波化し
た安価なマイクロ波集積回路用パッケージを提供できる
。Therefore, by using the package of the present invention, the electromagnetic shielding properties of the high frequency input/output terminal and the ceramic dielectric frame can be improved without using complicated processes, and the high frequency It is possible to provide an inexpensive package for microwave integrated circuits that can operate at high frequencies up to ultra-high frequencies in the 306H2 band while preventing deterioration of characteristics.
ここでは、高周波端子2箇所とバイアス供給端子2箇所
を有するパッケージについて説明したが、発振器等に適
用した高周波端子1箇所、バイアス供給端子1箇所を有
するパッケージの場合や、ミキサー等に適用した高周波
端子3箇所、バイアス供給端子1箇所から2箇所の場合
についても、同様の効果が期待できることは明らかであ
る。Here, we have described a package with two high-frequency terminals and two bias supply terminals, but there is also a package with one high-frequency terminal and one bias supply terminal applied to an oscillator, etc., or a package with a high-frequency terminal applied to a mixer etc. It is clear that similar effects can be expected in the case of three locations, or one to two bias supply terminals.
また、バイアス供給用端子を兼ねた入出力高周波端子を
有するパッケージの場合についても、同様の効果が期待
できることは明らかである。Furthermore, it is clear that similar effects can be expected in the case of a package having an input/output high frequency terminal that also serves as a bias supply terminal.
第1図(a)は本発明のパッケージの構成を示す斜視図
、
第1図(b)は第1図(a)に示す本発明のパッケージ
のP−Qから見た、すなわち高周波入力端子側から見た
側面図、
第2図は本発明パッケージの高周波特性の測定結果を示
す図、
第3図は従来のパッケージの斜視図である。
1・・・金属基体 2・・・セラミック枠体
2A・・・第1層のセラミック板
2B・・・第2層のセラミック板
3A、 3B・・・高周波入出力用電極パターン4^、
4B・・・バイアス電圧供給用電極パターン5・・・
金属基本1の一領域
6・・・封止導体パターン 7・・・導体パターン7
^、 7B・・・接地用導体パターン8・・・高周波マ
イクロストリップ線路9・・・マイクロストリップ線路
10・・・ねじ穴 11・・・リード端子1
2・・・高周波入力端子 13・・・高周波出力端子
14A・・・高周波入力端子用セラミック部材14B・
・・高周波出力端子用セラミック部材15A、 15B
・・・セラミック基板18・・・L字形のセラミック部
材
18A・・・第1層のセラミック基板
18B・・・第2層のセラミック基板
19・・・導電性材料
2OA、 20B、 20C・・・導電パターン21・
・・マイクロ波集積回路搭載部
22・・・バイアス供給用端子
23・・・シールリング
23A、 23B・・・高周波用入出力用導体パターン
24A、 24B・・・バイアス電圧供給用導体パター
ン25・・・ねじ 26・・・金属基体
27・・・枠体FIG. 1(a) is a perspective view showing the structure of the package of the present invention, and FIG. 1(b) is a view of the package of the present invention shown in FIG. 1(a) from P-Q, that is, the high frequency input terminal side. 2 is a diagram showing the measurement results of the high frequency characteristics of the package of the present invention, and FIG. 3 is a perspective view of the conventional package. 1... Metal base 2... Ceramic frame 2A... First layer ceramic plate 2B... Second layer ceramic plate 3A, 3B... High frequency input/output electrode pattern 4^,
4B...Bias voltage supply electrode pattern 5...
One area of metal basic 1 6...Sealing conductor pattern 7...Conductor pattern 7
^, 7B...Grounding conductor pattern 8...High frequency microstrip line 9...Microstrip line 10...Screw hole 11...Lead terminal 1
2... High frequency input terminal 13... High frequency output terminal 14A... Ceramic member for high frequency input terminal 14B.
...Ceramic members for high frequency output terminals 15A, 15B
Ceramic substrate 18 L-shaped ceramic member 18A First layer ceramic substrate 18B Second layer ceramic substrate 19 Conductive material 2OA, 20B, 20C Conductive Pattern 21・
...Microwave integrated circuit mounting section 22...Bias supply terminal 23...Seal rings 23A, 23B...High frequency input/output conductor patterns 24A, 24B...Bias voltage supply conductor pattern 25...・Screw 26...Metal base 27...Frame
Claims (1)
に前記マイクロ波集積回路を取り囲んで設けられたセラ
ミック枠体とを有するマイクロ波集積回路用パッケージ
において、前記セラミック枠体が少なくとも一つの信号
線路導体が貫通した第1セラミック部材と該第1セラミ
ック部材を挟む二つの第2のセラミック部材とから成り
、前記信号線路導体の両側に、前記セラミック枠体の断
面内に導電性材料を設けたことを特徴とするマイクロ波
集積回路用パッケージ。 2、前記第2のセラミック部材の上面および側面に導電
パターンを設け、該導電パターンと、セラミック枠体の
断面に設けられた前記導電性材料と、前記金属基体とが
互いに導通接続することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のマイクロ波集積回路用パッケージ。[Scope of Claims] 1. A microwave integrated circuit package having a base to which a microwave integrated circuit is attached, and a ceramic frame provided on the base to surround the microwave integrated circuit, wherein the ceramic frame The body includes a first ceramic member through which at least one signal line conductor passes, and two second ceramic members sandwiching the first ceramic member, and a ceramic frame is provided on both sides of the signal line conductor within the cross section of the ceramic frame. A microwave integrated circuit package characterized by being provided with a conductive material. 2. A conductive pattern is provided on the top and side surfaces of the second ceramic member, and the conductive pattern, the conductive material provided on the cross section of the ceramic frame, and the metal base are electrically connected to each other. A package for a microwave integrated circuit according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24815587A JPH0191443A (en) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | Package for microwave integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24815587A JPH0191443A (en) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | Package for microwave integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191443A true JPH0191443A (en) | 1989-04-11 |
Family
ID=17174038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24815587A Pending JPH0191443A (en) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | Package for microwave integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0191443A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091339A (en) * | 1990-07-23 | 1992-02-25 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Trenching techniques for forming vias and channels in multilayer electrical interconnects |
| US5221860A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | High speed laser package |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP24815587A patent/JPH0191443A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091339A (en) * | 1990-07-23 | 1992-02-25 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Trenching techniques for forming vias and channels in multilayer electrical interconnects |
| US5221860A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | High speed laser package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3500268B2 (en) | High frequency input / output terminal and high frequency semiconductor element storage package using the same | |
| US5235208A (en) | Package for microwave integrated circuit | |
| EP0835534A1 (en) | Microwave circuit, capped microwave circuit and use thereof in a circuit arrangement | |
| JP2001085569A (en) | High frequency circuit device | |
| JPH11214556A (en) | High frequency input / output terminals and high frequency semiconductor element storage package | |
| JP3305589B2 (en) | Mounting structure of high frequency semiconductor device | |
| JP2603310B2 (en) | High frequency integrated circuit package | |
| JP3178452B2 (en) | Package for semiconductor device and its mounting structure | |
| JPH0191443A (en) | Package for microwave integrated circuit | |
| JP3618046B2 (en) | High frequency circuit package | |
| JPH05199019A (en) | High frequency circuit package | |
| JP3071761B2 (en) | Mounting structure of high frequency semiconductor device | |
| JP2004214584A (en) | High frequency package | |
| JPH11204690A (en) | Surface mount type package and semiconductor device | |
| JPH02135802A (en) | Hybrid integrated circuit device | |
| JPH02234501A (en) | Connection structure between strip line and coaxial connector | |
| JP3600729B2 (en) | High frequency circuit package | |
| JP2000183230A (en) | Mounting structure of high frequency circuit package | |
| JP3395290B2 (en) | High frequency circuit board | |
| JPH043121B2 (en) | ||
| JP3112253B2 (en) | High frequency semiconductor device | |
| JP2001230342A (en) | Mounting structure of high frequency circuit component mounting board | |
| JP2000164764A (en) | Mounting structure of high frequency wiring board | |
| JP2001203290A (en) | Microwave package | |
| JP4563980B2 (en) | Surface mount type package and semiconductor device |