JPH0193082A - ア−ク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サ−ジ吸収素子 - Google Patents
ア−ク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サ−ジ吸収素子Info
- Publication number
- JPH0193082A JPH0193082A JP12808787A JP12808787A JPH0193082A JP H0193082 A JPH0193082 A JP H0193082A JP 12808787 A JP12808787 A JP 12808787A JP 12808787 A JP12808787 A JP 12808787A JP H0193082 A JPH0193082 A JP H0193082A
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- Japan
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- arc discharge
- micro
- type surge
- electrode
- gap
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子に関し、
特にインパルス繰り返し印加に対しての寿命特性の向−
ヒしたマイクロギャップ式のサージ吸収Ｎｒ−に閏する
。
特にインパルス繰り返し印加に対しての寿命特性の向−
ヒしたマイクロギャップ式のサージ吸収Ｎｒ−に閏する
。
［従来の技術］
サージ吸収素子の使用法として一般には、？Ｊｉサージ
吸収素子を取り付ける回路の最大の回路電圧より高い動
作電圧にしたサージ吸収素子を取付け、該回路に雷サー
ジ等の瞬時的な過電圧が侵入した場合のみ該サージ吸収
素子が動作し、該回路に取付けられた電子部品を保護す
るものである。
吸収素子を取り付ける回路の最大の回路電圧より高い動
作電圧にしたサージ吸収素子を取付け、該回路に雷サー
ジ等の瞬時的な過電圧が侵入した場合のみ該サージ吸収
素子が動作し、該回路に取付けられた電子部品を保護す
るものである。
従来のマイクロギャップ式サージ吸収素子は動作時のア
ーク放電がマイクロギャップ要素上の導電性皮膜及びギ
ャップ上を通過するために、アーク放電が導電性皮膜及
びギャップを劣化させ、サージ吸収素子の特性を劣化さ
せる傾向があった。
ーク放電がマイクロギャップ要素上の導電性皮膜及びギ
ャップ上を通過するために、アーク放電が導電性皮膜及
びギャップを劣化させ、サージ吸収素子の特性を劣化さ
せる傾向があった。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子の対重ガ
ラス管内部に、アーク放電吸収Ｎ極を配置することによ
り・、動作時にアーク放電がマイクロギャップ要素の表
面上の導電性皮膜及びギャップから浮トした位置に生じ
るようにし、アーク放電が導電性皮膜及びギャップに与
える影響を最小にし、寿命特性の向上したマイクロギャ
ップ式す−ジ吸収素子を提供することを目的にする。
ラス管内部に、アーク放電吸収Ｎ極を配置することによ
り・、動作時にアーク放電がマイクロギャップ要素の表
面上の導電性皮膜及びギャップから浮トした位置に生じ
るようにし、アーク放電が導電性皮膜及びギャップに与
える影響を最小にし、寿命特性の向上したマイクロギャ
ップ式す−ジ吸収素子を提供することを目的にする。
［発明の構成］
［問題点を解決するための手段］
本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子の封とガ
ラス管内部に、アーク放電吸収金属電極を端子からマイ
クロギャップ要素表面から離れて延びるように設けたこ
とを特徴とするマイクロギャップ式サージ吸収素子であ
る。
ラス管内部に、アーク放電吸収金属電極を端子からマイ
クロギャップ要素表面から離れて延びるように設けたこ
とを特徴とするマイクロギャップ式サージ吸収素子であ
る。
［作用］
本発明によると、マイクロギャップ式サージ吸収素子の
ガラス管内にアーク放電吸収電極を少なくとも１つを備
えた構造を作り、過電圧が印加された場合にサージ吸収
素子のマイクロギャップ要素表面に生じるアーク放電を
吸収し、放電をその表面より離れた空間で行なわせ、そ
の表面に対する悪影響をさけることができるようにした
ものである。
ガラス管内にアーク放電吸収電極を少なくとも１つを備
えた構造を作り、過電圧が印加された場合にサージ吸収
素子のマイクロギャップ要素表面に生じるアーク放電を
吸収し、放電をその表面より離れた空間で行なわせ、そ
の表面に対する悪影響をさけることができるようにした
ものである。
本発明によると、マイクロギヤツブ式サージ吸収素子の
封止ガラス管内にマイク［１ギヤ・／ブ要素のキャップ
又はリード線からガラス管内の空間中に延びる導電性金
属棒電極を設け、これをアーク放電吸収電極とし、１つ
以上設けたものである。
封止ガラス管内にマイク［１ギヤ・／ブ要素のキャップ
又はリード線からガラス管内の空間中に延びる導電性金
属棒電極を設け、これをアーク放電吸収電極とし、１つ
以上設けたものである。
この金属電極は、アーク放電吸収の電極の役目をするも
のである。従来のこのような電極のないマイクロギャッ
プ式サージ吸収素子のガラス管内でのマイクロギャップ
要素上での放電は、先ず。
のである。従来のこのような電極のないマイクロギャッ
プ式サージ吸収素子のガラス管内でのマイクロギャップ
要素上での放電は、先ず。
グロー放電を起こし、最終的にキャップ−キャップ間で
のアーク放電に移行するものである。このアーク放電が
生じると９導電性皮膜及びマイクロギャップに影響を与
え、劣化を生じるものである。しかし２本発明によるア
ーク放電吸収電極を封止ガラス管内に設けた構造では、
アーク放電がキャップとアーク放電吸収電極の間に生じ
、アーク放電がマイク［１ギャップ要素表面から離れた
位置で生じるために、アーク放電がその該表面ヒを通過
しないから、マイクロギャップ要素の皮膜及びギャップ
の劣化を防ぐものである。
のアーク放電に移行するものである。このアーク放電が
生じると９導電性皮膜及びマイクロギャップに影響を与
え、劣化を生じるものである。しかし２本発明によるア
ーク放電吸収電極を封止ガラス管内に設けた構造では、
アーク放電がキャップとアーク放電吸収電極の間に生じ
、アーク放電がマイク［１ギャップ要素表面から離れた
位置で生じるために、アーク放電がその該表面ヒを通過
しないから、マイクロギャップ要素の皮膜及びギャップ
の劣化を防ぐものである。
本発明によるアーク放電吸収電極、即ち。
キャップ或いはリード線から延びた金属電極は。
１つ又はそれ以上である。その形状については。
特に限定されるものでないが、アーク放電が吸収され易
いように、端面が鋭くなっているものが好適である。電
極の端面の位置は、キャップ端面の位置まで延びている
か、又はキャップ端面よりも更に長く延びているもので
ある。
いように、端面が鋭くなっているものが好適である。電
極の端面の位置は、キャップ端面の位置まで延びている
か、又はキャップ端面よりも更に長く延びているもので
ある。
アーク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サージ
吸収素子は、インパルスの繰り返し印加に対して寿命延
長効果がある。即ち、その電極を有しないマイクロギャ
ップ式サージ吸収素子内の放電では、マイクロギャップ
付近でグロー放電を起こし、最終的にキャップ−キャッ
プ間のアーク放電に移行する。このアーク放電によりサ
ージ吸収素子内のギャップ、導電性皮膜などが劣化する
ものである。然し乍ら９本発明によるサージ吸収素子は
アーク放電吸収電極を有する構造であり。
吸収素子は、インパルスの繰り返し印加に対して寿命延
長効果がある。即ち、その電極を有しないマイクロギャ
ップ式サージ吸収素子内の放電では、マイクロギャップ
付近でグロー放電を起こし、最終的にキャップ−キャッ
プ間のアーク放電に移行する。このアーク放電によりサ
ージ吸収素子内のギャップ、導電性皮膜などが劣化する
ものである。然し乍ら９本発明によるサージ吸収素子は
アーク放電吸収電極を有する構造であり。
アーク放電がキャップ要素−アーク放電吸収？Ｉｔ極間
で起こり、アーク放電がギャップ要素及び導電性皮膜よ
り浮上した位置に生じるためにアーク放電が該皮膜上を
通過しないものとなるから、サージ吸収素子の寿命特性
は向上する。
で起こり、アーク放電がギャップ要素及び導電性皮膜よ
り浮上した位置に生じるためにアーク放電が該皮膜上を
通過しないものとなるから、サージ吸収素子の寿命特性
は向上する。
また、アーク放電吸収電極の材質としては、１！気伝導
度のよいＦｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＭＯ等の金属或
いはそれらの合金、若しくはステンレス等の合金を利用
できるが、それらに限定きれるものではない。
度のよいＦｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＭＯ等の金属或
いはそれらの合金、若しくはステンレス等の合金を利用
できるが、それらに限定きれるものではない。
本発明によるアーク放電吸収電極の作製法は。
接続法においても特に限定されるものではないが、スポ
ット溶接、カシメ等によりリード線若しくはキャップに
接続諮れるものである。
ット溶接、カシメ等によりリード線若しくはキャップに
接続諮れるものである。
次に１本発明のアーク放電吸収電極を有するマイクロギ
ャップ式サージ吸収素子を具体的な実施例により、説明
するが９本発明は、その説明により限定されるものでは
ない。
ャップ式サージ吸収素子を具体的な実施例により、説明
するが９本発明は、その説明により限定されるものでは
ない。
［実施例１］
本実施例を第１図に示す６本実施例では、封１ヒガラス
管８の中に封入された２つのキャップ４゜４ａを持つマ
イクロギャップ素子２からなり、そのマイクロギャップ
素子・２のリード６６．６ａ（ｏ 、ｓｍΦのジュメッ
ト線）にカシメ７．７ａ（金属バンド）により、０．５
ａΦのＴａ線よりなるアーク放電吸収電極６．６３を取
り付けたものである。ガラス管８は、長さ３Ｑｎａ、直
径１５ＩΦである０本発明によるアーク放電吸収電極５
．５ａは１図示のように、マイクロギャップ素子２０表
面から離れて一定間隔で延びているものである。
管８の中に封入された２つのキャップ４゜４ａを持つマ
イクロギャップ素子２からなり、そのマイクロギャップ
素子・２のリード６６．６ａ（ｏ 、ｓｍΦのジュメッ
ト線）にカシメ７．７ａ（金属バンド）により、０．５
ａΦのＴａ線よりなるアーク放電吸収電極６．６３を取
り付けたものである。ガラス管８は、長さ３Ｑｎａ、直
径１５ＩΦである０本発明によるアーク放電吸収電極５
．５ａは１図示のように、マイクロギャップ素子２０表
面から離れて一定間隔で延びているものである。
〔実施例２］
第２図ａ、ｂに示す構造のものであり、構造は実施例１
と殆ど同じであるが、９０°互いに変えた２対のアーク
放電吸収電極を備えるものであり、符号は実施例１と同
じものである。即ち、マイクロギャップ式サージ吸収素
子１．マイク［１ギャップ要素２．マイクロギャップ３
．キャップ４．４ａ、アーク放電吸収電極５．５ａ、リ
ード１１（ジュメット線）６．６ａ、封【ヒガラス管（
鉛ガラス）８である。直径０．５ｍのニッケル線よりな
る２つの対アーク放電吸収電極５，５ａをリ−ＦＭ（０
，５ｍｌΦのジュメフｌ−１ｅａ）６ 、６ａに溶接し
たものである。ガラス管は、長さ３０ｍ。
と殆ど同じであるが、９０°互いに変えた２対のアーク
放電吸収電極を備えるものであり、符号は実施例１と同
じものである。即ち、マイクロギャップ式サージ吸収素
子１．マイク［１ギャップ要素２．マイクロギャップ３
．キャップ４．４ａ、アーク放電吸収電極５．５ａ、リ
ード１１（ジュメット線）６．６ａ、封【ヒガラス管（
鉛ガラス）８である。直径０．５ｍのニッケル線よりな
る２つの対アーク放電吸収電極５，５ａをリ−ＦＭ（０
，５ｍｌΦのジュメフｌ−１ｅａ）６ 、６ａに溶接し
たものである。ガラス管は、長さ３０ｍ。
直径１５ＩｌｎΦである。
第２図すは、ガラス管端面方向から見たマイクロギャッ
プ要素のキャップ４にアーク放電吸収電極５．リード線
６との関係を示す説明図である。
プ要素のキャップ４にアーク放電吸収電極５．リード線
６との関係を示す説明図である。
標準衝撃電流インパルス（波頭長８μ秒、波尾長２０μ
秒）を印加したとき、何Ａの波高値で破壊するかを測定
した。即ち、インパルス電流耐量試験を行なった。その
結果を第１表に示す、なお比較例は１本発明によるアー
ク放電吸収電極のないマイクロギャップ式サージ吸収素
子による測定イ４である。
秒）を印加したとき、何Ａの波高値で破壊するかを測定
した。即ち、インパルス電流耐量試験を行なった。その
結果を第１表に示す、なお比較例は１本発明によるアー
ク放電吸収電極のないマイクロギャップ式サージ吸収素
子による測定イ４である。
匹１未
試料 破壊時のインパルス電流値
実施例１ ４０００Ａ
実施例２ ４２００Ａ
比較例 ３４００Ａ
次に標準衝撃電圧インパルス［（波頭長１．２μ秒、波
尾長５０μ秒）、波高値１０ｋＶ］を繰り返し印加して
寿命試験を行なった。その結果を第３図のグラフ橙示す
、縦軸に放電開始電圧をとり、横軸に印加回数をとった
。繰り返しインパルス印加によりサージ吸収素子が劣化
していくが。
尾長５０μ秒）、波高値１０ｋＶ］を繰り返し印加して
寿命試験を行なった。その結果を第３図のグラフ橙示す
、縦軸に放電開始電圧をとり、横軸に印加回数をとった
。繰り返しインパルス印加によりサージ吸収素子が劣化
していくが。
アーク放電吸収電極のない従来品と比べて本発明による
アーク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サージ
吸収素子は、寿命特性が改良されたことが明らかである
。
アーク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サージ
吸収素子は、寿命特性が改良されたことが明らかである
。
［発明の効果］
本発明のサージ吸収素子は、そのサージ吸収素子内部に
配置されたアーク放電吸収電極により。
配置されたアーク放電吸収電極により。
第１に、インパルスを繰り返し印加したときの寿命特性
が向上したマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供で
きること。
が向上したマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供で
きること。
第２に、インパルス電流耐盪が向上したマイクロギャッ
プ式サージ吸収素子が可能になったこと。
プ式サージ吸収素子が可能になったこと。
などの技術的な効果が得られた。
第１図は９本発明によるマイクロギャップ式サージ吸収
素子の構造を示ｒ断面図である。 第２図は１本発明による他の１例のマイクロギャップ式
サージ吸収素子の構造を示す断面図である。 第３図は１本発明による構造のサージ吸収素子によるイ
ンパルス繰り返し印加による放電開始電圧の変化を測定
した結果をグラフに示した図である。 ［主要部分の符号の説明］ １、、、、マイクロギャップ式サージ吸収素子２ 、、
、 、 、マイクロギャップ要素３、、、、マイクロ
ギャップ ４．４ａ、、、、キャップ ５．５ａ、、、、アーク放電吸収電極 ６．６ａ、、、、 リード線 ７．７ａ、、、、カシメ（金属バンド）８、、、、封１
Ｆ用ガラス管 イソ＼０ルス印なルコ牧 第８図 手読補正書 昭和６３年８月２３日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１２８０８７号 ２、発明の名称 アーク放電吸収電極を有するマイ
クロギャップ式サージ吸収素子 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 東京都千代田区丸の内−丁目５番１号名称 三菱
鉱業セメント株式会社 代表者藤村正哉 ４、代理人 住所〒１０１東京都千代１丁１区神田須田町１丁目２番
地日邦・四国ビル３Ｆ ５、補正命令の日付 自発 づ・ ７、補正の内容 （１）明細書の第３頁第１３〜１５行目の［要素表面に
生じるアーク放電を吸収し、放電をその表面より離れた
］を［要素表面に生じるアーク放電を、その表面より離
れた］に訂正する。 （２）第２図を、添付した訂正図面の通りに訂正する。 ８、添付書類の目録 訂正した第２図 手続補正臼 昭和６３年１１月２７−日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１２８０８７号 ２、発明の名称 アーク放電吸収電極を有するマ
イクロギャップ式サージ吸収素子 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 東京都千代田区丸の内−丁目５番１号名称 三菱
鉱業セメント株式会社 代表者藤村正哉 ４、代理人 住所〒１０１東京都千代１Ｈ区神田須田町１丁目２番地
日邦・四国ビル３Ｆ ５、補正命令の日付 昭和６３年１０月１３日昭和６
３年１１月１日（発進口） ６、補正の対象 （１）昭和６３年８月２３日提出の手続補正臼の［補正
７、補正の内容 （２）第２図を、添付した訂正図面の通りに訂正する。 （符号ａ、ｂを加えただけであって、内容に変更はない
、） ８、添付書類の目録 訂正した第２図
素子の構造を示ｒ断面図である。 第２図は１本発明による他の１例のマイクロギャップ式
サージ吸収素子の構造を示す断面図である。 第３図は１本発明による構造のサージ吸収素子によるイ
ンパルス繰り返し印加による放電開始電圧の変化を測定
した結果をグラフに示した図である。 ［主要部分の符号の説明］ １、、、、マイクロギャップ式サージ吸収素子２ 、、
、 、 、マイクロギャップ要素３、、、、マイクロ
ギャップ ４．４ａ、、、、キャップ ５．５ａ、、、、アーク放電吸収電極 ６．６ａ、、、、 リード線 ７．７ａ、、、、カシメ（金属バンド）８、、、、封１
Ｆ用ガラス管 イソ＼０ルス印なルコ牧 第８図 手読補正書 昭和６３年８月２３日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１２８０８７号 ２、発明の名称 アーク放電吸収電極を有するマイ
クロギャップ式サージ吸収素子 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 東京都千代田区丸の内−丁目５番１号名称 三菱
鉱業セメント株式会社 代表者藤村正哉 ４、代理人 住所〒１０１東京都千代１丁１区神田須田町１丁目２番
地日邦・四国ビル３Ｆ ５、補正命令の日付 自発 づ・ ７、補正の内容 （１）明細書の第３頁第１３〜１５行目の［要素表面に
生じるアーク放電を吸収し、放電をその表面より離れた
］を［要素表面に生じるアーク放電を、その表面より離
れた］に訂正する。 （２）第２図を、添付した訂正図面の通りに訂正する。 ８、添付書類の目録 訂正した第２図 手続補正臼 昭和６３年１１月２７−日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１２８０８７号 ２、発明の名称 アーク放電吸収電極を有するマ
イクロギャップ式サージ吸収素子 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 東京都千代田区丸の内−丁目５番１号名称 三菱
鉱業セメント株式会社 代表者藤村正哉 ４、代理人 住所〒１０１東京都千代１Ｈ区神田須田町１丁目２番地
日邦・四国ビル３Ｆ ５、補正命令の日付 昭和６３年１０月１３日昭和６
３年１１月１日（発進口） ６、補正の対象 （１）昭和６３年８月２３日提出の手続補正臼の［補正
７、補正の内容 （２）第２図を、添付した訂正図面の通りに訂正する。 （符号ａ、ｂを加えただけであって、内容に変更はない
、） ８、添付書類の目録 訂正した第２図
Claims (1)
- マイクロギャップ式サージ吸収素子の封止ガラス管内に
、マイクロギャップ要素の少なくとも一方側のリード線
或いはキャップからガラス管内の空間にマイクロギャッ
プ要素表面から離れて延びるアーク放電吸収金属電極を
少なくとも１つ設けたことを特徴とするマイクロギャッ
プ式サージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12808787A JPH0193082A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ア−ク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サ−ジ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12808787A JPH0193082A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ア−ク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サ−ジ吸収素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193082A true JPH0193082A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=14976080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12808787A Pending JPH0193082A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | ア−ク放電吸収電極を有するマイクロギャップ式サ−ジ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193082A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167293A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP12808787A patent/JPH0193082A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167293A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
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