JPH0193731U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0193731U JPH0193731U JP1987191050U JP19105087U JPH0193731U JP H0193731 U JPH0193731 U JP H0193731U JP 1987191050 U JP1987191050 U JP 1987191050U JP 19105087 U JP19105087 U JP 19105087U JP H0193731 U JPH0193731 U JP H0193731U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- power
- gaasfet
- source electrode
- gold ribbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/737—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a laterally-adjacent lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第１図はこの考案のソース電極用金リボンを使
用した高出力ＧａＡｓＦＥＴチツプ表面の平面図
、第２図は従来の高出力ＧａＡｓＦＥＴチツプ表
面の平面図、第３図は従来の金リボンを使用した
高出力ＧａＡｓＦＥＴチツプ表面の平面図、第４
図は第３図のチツプをパツケージにアセンブリし
た状態の断面図である。 図において、１……ゲート電極、２……ソース
電極、３……ドレイン電極、４ａ，４ｂ……ソー
ス電極用金リボン、５……ゲート電極用金リボン
、６……ドレイン電極用金リボン、７……高出力
ＧａＡｓＦＥＴチツプ。なお、図中、同一符号は
同一、または相当部分を示す。
用した高出力ＧａＡｓＦＥＴチツプ表面の平面図
、第２図は従来の高出力ＧａＡｓＦＥＴチツプ表
面の平面図、第３図は従来の金リボンを使用した
高出力ＧａＡｓＦＥＴチツプ表面の平面図、第４
図は第３図のチツプをパツケージにアセンブリし
た状態の断面図である。 図において、１……ゲート電極、２……ソース
電極、３……ドレイン電極、４ａ，４ｂ……ソー
ス電極用金リボン、５……ゲート電極用金リボン
、６……ドレイン電極用金リボン、７……高出力
ＧａＡｓＦＥＴチツプ。なお、図中、同一符号は
同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 高出力ＧａＡｓＦＥＴのソース電極を接地する
金リボンを分割し、その幅をせばめることによつ
て、チツプの表面観察を可能にしたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987191050U JPH0193731U (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987191050U JPH0193731U (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193731U true JPH0193731U (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=31481978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987191050U Pending JPH0193731U (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193731U (ja) |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP1987191050U patent/JPH0193731U/ja active Pending