JPH0194352A - オーバーコート型高感度感光体 - Google Patents
オーバーコート型高感度感光体Info
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- JPH0194352A JPH0194352A JP25161087A JP25161087A JPH0194352A JP H0194352 A JPH0194352 A JP H0194352A JP 25161087 A JP25161087 A JP 25161087A JP 25161087 A JP25161087 A JP 25161087A JP H0194352 A JPH0194352 A JP H0194352A
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- photosensitive layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は電子写真用感光体で、特に、ＬＤを光源とする
複写機プリンターに充分対応できる感度を有するオーバ
ーコート型高感度感光体に関する。
複写機プリンターに充分対応できる感度を有するオーバ
ーコート型高感度感光体に関する。
［従来技術］
従来、導電性支持体上に順にＳｅまたはＳｅＴｅ層、Ａ
ｓｚＳ６３層、ポリウレタン層を有する感光体（特開昭
５４−１３０９ＣＩ８号）が知られているが、この感光
体はＡｓｚＳｅ３層を低温で蒸着するとダングリングボ
ンドが多くなり、感度低下、暗減衰特性の劣化などが起
るので蒸着の際の支持体温度を２００℃以上にする必要
がある。そうするとＳｅやＳ ｅＴｅが結晶化し、特性
が低下するという問題が生じる。
ｓｚＳ６３層、ポリウレタン層を有する感光体（特開昭
５４−１３０９ＣＩ８号）が知られているが、この感光
体はＡｓｚＳｅ３層を低温で蒸着するとダングリングボ
ンドが多くなり、感度低下、暗減衰特性の劣化などが起
るので蒸着の際の支持体温度を２００℃以上にする必要
がある。そうするとＳｅやＳ ｅＴｅが結晶化し、特性
が低下するという問題が生じる。
これとは別に、導電性支持体上に順に
Ａｓ２Ｓｅ３層、Ａ ｓ ２ Ｓ ｅ ３−、 Ｔ ｅ
、１層、ａ−ＳｉＣまたはａ−ＳｉＮのような無機物
質層を設けた感光体（特開昭５９−１５９４０号）が知
られている。この感光体は、表面のａ−ＳｉＣやａ−Ｓ
ｉＮの硬度が高く、耐久性が大きいが、欠陥のないもの
を作製するのが困難であり、その結果、耐湿性が劣ると
いう欠点がある。この傾向はａ−３ｉ悪感光でも同様で
ある。
、１層、ａ−ＳｉＣまたはａ−ＳｉＮのような無機物
質層を設けた感光体（特開昭５９−１５９４０号）が知
られている。この感光体は、表面のａ−ＳｉＣやａ−Ｓ
ｉＮの硬度が高く、耐久性が大きいが、欠陥のないもの
を作製するのが困難であり、その結果、耐湿性が劣ると
いう欠点がある。この傾向はａ−３ｉ悪感光でも同様で
ある。
［目 的］
本発明は、従来技術の上記欠点を改善し、高帯電能で長
期にわたって高画質を維持できるＬＤ対応の感光体、 機械的、高耐久性を有するＬＤ対応の感光体、 耐環境性のよいＬＤ対応の感光体、 外的汚染の影響を受は難いＬＤ対応の感光体、 を提供することを目的としている。
期にわたって高画質を維持できるＬＤ対応の感光体、 機械的、高耐久性を有するＬＤ対応の感光体、 耐環境性のよいＬＤ対応の感光体、 外的汚染の影響を受は難いＬＤ対応の感光体、 を提供することを目的としている。
［構 成膜
上記目的を達成するための本発明の構成は、導電性支持
体上に順次Ｓｅ−Ａｓ感光層、Ａ Ｓ ２ Ｓ ｅ ３
−＊ Ｔ ｅ ＊感光層、中間層および保護層を有する
オーバーコート型感光体において、 １）上記Ａ ｓ ２Ｓ ｅ ３−ｘ Ｔ ｅ ＊感光層
の組成のＸの値が０．２ないし０．７であること、２）
上記中間層は厚さが１００Å〜５０００ Ａであり、そ
の化学組成が酸化珪素からなるオーバーコート型高感度
感光体である。
体上に順次Ｓｅ−Ａｓ感光層、Ａ Ｓ ２ Ｓ ｅ ３
−＊ Ｔ ｅ ＊感光層、中間層および保護層を有する
オーバーコート型感光体において、 １）上記Ａ ｓ ２Ｓ ｅ ３−ｘ Ｔ ｅ ＊感光層
の組成のＸの値が０．２ないし０．７であること、２）
上記中間層は厚さが１００Å〜５０００ Ａであり、そ
の化学組成が酸化珪素からなるオーバーコート型高感度
感光体である。
これを図面を参照して具体的に示すと、第１図に示すよ
うに、導電性支持体１の上に順にＳｅ−Ａｓ層２、Ａｓ
２ Ｓ ｅ、−ｘ Ｔｅ、層３、中間層４、保護層５
を有するものである。
うに、導電性支持体１の上に順にＳｅ−Ａｓ層２、Ａｓ
２ Ｓ ｅ、−ｘ Ｔｅ、層３、中間層４、保護層５
を有するものである。
以下、上記各部分について説明をする。
１）導電性支持体
導電性材料といわれるものは殆ど使用可能であるが、Ｓ
ｅ−Ａｓ層との接合時、支持体からの電荷注入を阻止す
る様な性質を示す材料が特に好ましく具体的にはＳｅ−
Ａｓ材より仕事関数の小さい材料、例えばＣｒ、Ｃｏ、
Ｎｉ５Ｆｅの様な金属もしくは自ら酸素と結合して金属
表面にブロッキング性を示す金属酸化物を形成するＡｌ
材が用いられる。本発明では電気特性、加工性、軽量性
等からＡｌ材、特にはＪ Ｉ Ｓ ３００３系のＡｌ材
が好ましい。
ｅ−Ａｓ層との接合時、支持体からの電荷注入を阻止す
る様な性質を示す材料が特に好ましく具体的にはＳｅ−
Ａｓ材より仕事関数の小さい材料、例えばＣｒ、Ｃｏ、
Ｎｉ５Ｆｅの様な金属もしくは自ら酸素と結合して金属
表面にブロッキング性を示す金属酸化物を形成するＡｌ
材が用いられる。本発明では電気特性、加工性、軽量性
等からＡｌ材、特にはＪ Ｉ Ｓ ３００３系のＡｌ材
が好ましい。
２）第一感光層（Ｓｅ−Ａｓ層）
主な目的は帯電能を維持することであり、第二層目のＡ
ｇ３ Ｓｅ、−、Ｔｅｎ層への光照射で発生したキャリ
アをスムーズに導電性支持体側へ移行させる必要がある
。
ｇ３ Ｓｅ、−、Ｔｅｎ層への光照射で発生したキャリ
アをスムーズに導電性支持体側へ移行させる必要がある
。
第一層目をＳｅ−Ａｓ層とする理由としては第二層目に
形成される Ａ ｓ ２Ｓ ｅ ３−ｘ Ｔ ｅ ｗ層が２００℃以
上の支持体温度で形成されるため高温に耐える必要があ
ること。また耐結晶性、繰り返し電気的、機械的耐久性
が必要なためである。２００〜２５０℃程度の温度にお
ける耐久性はＳｅ−Ａｓ層の結晶化温度で決定され（第
２図）、Ａｓの添加量としてはＳｅに対し約２８ｖｔ％
以上添加すれば良い。望ましくは化学量論に近い３５〜
３７ｖｔ％を添加することが構造的にも電気的安定性の
面からも好ましい。
形成される Ａ ｓ ２Ｓ ｅ ３−ｘ Ｔ ｅ ｗ層が２００℃以
上の支持体温度で形成されるため高温に耐える必要があ
ること。また耐結晶性、繰り返し電気的、機械的耐久性
が必要なためである。２００〜２５０℃程度の温度にお
ける耐久性はＳｅ−Ａｓ層の結晶化温度で決定され（第
２図）、Ａｓの添加量としてはＳｅに対し約２８ｖｔ％
以上添加すれば良い。望ましくは化学量論に近い３５〜
３７ｖｔ％を添加することが構造的にも電気的安定性の
面からも好ましい。
Ｓｅ−Ａｓ層を蒸着する際の支持体温度は前記の様に２
００℃以上が望ましい。その理由として低温で成膜する
とダングリングボンド等の構造欠陥が層中に増加し、ま
た、層構成上のむらが生じるため繰返し表面電位変動が
大きく、残留電位の蓄積感度低下等が生じ、暗減衰特性
の低下が生じる他、ムラの多い画像となるためである。
００℃以上が望ましい。その理由として低温で成膜する
とダングリングボンド等の構造欠陥が層中に増加し、ま
た、層構成上のむらが生じるため繰返し表面電位変動が
大きく、残留電位の蓄積感度低下等が生じ、暗減衰特性
の低下が生じる他、ムラの多い画像となるためである。
一方膜厚は帯電能を確保する意味と繰返し特性から３０
〜１００μｍ１望ましくは５０〜７０μｌがよい。
〜１００μｍ１望ましくは５０〜７０μｌがよい。
３）第二感光層（Ａｓ２Ｓｅｉ−ｘ Ｔｅｎ層）この層
は７６０〜８２０ｎｍのレーザーダイオード（ＬＤ）を
光源とする複写機やプリンターにも使用するため近赤外
領域までも光感度を有する必要がある。Ａｓ２Ｓｅ３材
は電気特性や機械特性、熱特性が良く、さらに感度が高
いため中高速の複写機に多用されるが、長波長感度は約
７８０ｒｖで殆んど無くなるため前記ＬＤ用としては用
いられない。この材料をＬＤ用に対応させるためには増
感材が必要になる。一般に増感材としてＴ ｅ ＳＳ
ｂ −、Ｇ ｅ ｓＢｉ等の元素があるが、この中で比
較的取扱い易く、増感効果が得られ易いのはＴｅである
。
は７６０〜８２０ｎｍのレーザーダイオード（ＬＤ）を
光源とする複写機やプリンターにも使用するため近赤外
領域までも光感度を有する必要がある。Ａｓ２Ｓｅ３材
は電気特性や機械特性、熱特性が良く、さらに感度が高
いため中高速の複写機に多用されるが、長波長感度は約
７８０ｒｖで殆んど無くなるため前記ＬＤ用としては用
いられない。この材料をＬＤ用に対応させるためには増
感材が必要になる。一般に増感材としてＴ ｅ ＳＳ
ｂ −、Ｇ ｅ ｓＢｉ等の元素があるが、この中で比
較的取扱い易く、増感効果が得られ易いのはＴｅである
。
Ａｓ５ＳｅおよびＴｅを合金化する場合にはできるだけ
構造的に安定化することが望ましいので、一般にはＡｓ
２ Ｓ ｅ３−ｘ Ｔｅｎという形で合金化することが
好ましい。
構造的に安定化することが望ましいので、一般にはＡｓ
２ Ｓ ｅ３−ｘ Ｔｅｎという形で合金化することが
好ましい。
上記のＸの値は要求される感度で決まる。
例えば７８０ｎｒＡのＬＤを用いた場合、感光体に必要
な光学的なバンド幅（Ｅｇｏｐｔ）は１．５９ｅＶであ
る。バンド幅と第二感光層の上記Ｘ値との関係は第３図
の通りである。このグラフから １．５９ｅＶに対する
Ｘの値は約０．３となる。
な光学的なバンド幅（Ｅｇｏｐｔ）は１．５９ｅＶであ
る。バンド幅と第二感光層の上記Ｘ値との関係は第３図
の通りである。このグラフから １．５９ｅＶに対する
Ｘの値は約０．３となる。
また８２０ｎｎ＋のＬＤではＥ ｇｏｐｔは１．５１ｅ
Ｖであるので、Ｘの値は０．５となる。したがってＬＤ
領域で使用できる感光体のＡｓ２Ｓｅ３□Ｔｅ、のＸの
値は０．２≦Ｘ≦０．７であればＬＤ用検感光体して対
応可能である。
Ｖであるので、Ｘの値は０．５となる。したがってＬＤ
領域で使用できる感光体のＡｓ２Ｓｅ３□Ｔｅ、のＸの
値は０．２≦Ｘ≦０．７であればＬＤ用検感光体して対
応可能である。
またＡｓ２Ｓｅ３−ｘ Ｔｅｎ層は感度を得るに十分な
キャリアを発生するだけの膜厚があり、かつＳｅ−Ａｓ
層へ影響を与えず、また繰返し電位低下、必要以上の残
留電位の蓄積を与えない膜厚でなければならない。
キャリアを発生するだけの膜厚があり、かつＳｅ−Ａｓ
層へ影響を与えず、また繰返し電位低下、必要以上の残
留電位の蓄積を与えない膜厚でなければならない。
以上の事からＡ ｓ ２ Ｓ ｅ ３−Ｉ Ｔ ｅ １
層の膜厚は１〜２０μｍ好ましくは３〜１０μｍ程度が
望ましい。
層の膜厚は１〜２０μｍ好ましくは３〜１０μｍ程度が
望ましい。
さらに層は構造的にも電気的にも均質でなければならな
いため、蒸着時の支持体温度はできるだけ高い方が望ま
しく支持体温度は２００〜２５０℃、蒸着温度は３８０
〜４５０℃程度に設定するのがよい。ただ第一層目のＳ
ｅ−Ａｓ層と第二層目のＡ ｓ ２ Ｓ ｅ ３−ｘ
Ｔ ｅ ｘとの界面に障壁を作ることは電気特性上好ま
しくないので、この二層の界面はＳｅ−Ａｓ層とＡｓ２
Ｓｅ、−、Ｔｅ、層が混晶状態にするとかあるいは第二
層側〜１μｍないし１．５μ信の間で表層に近い方でＴ
ｅ濃度が高くなる濃度勾配を持つ様に蒸着条件を設定−
するのが特性上有利になる。
いため、蒸着時の支持体温度はできるだけ高い方が望ま
しく支持体温度は２００〜２５０℃、蒸着温度は３８０
〜４５０℃程度に設定するのがよい。ただ第一層目のＳ
ｅ−Ａｓ層と第二層目のＡ ｓ ２ Ｓ ｅ ３−ｘ
Ｔ ｅ ｘとの界面に障壁を作ることは電気特性上好ま
しくないので、この二層の界面はＳｅ−Ａｓ層とＡｓ２
Ｓｅ、−、Ｔｅ、層が混晶状態にするとかあるいは第二
層側〜１μｍないし１．５μ信の間で表層に近い方でＴ
ｅ濃度が高くなる濃度勾配を持つ様に蒸着条件を設定−
するのが特性上有利になる。
４）中間層
中間層はこの感光体に高い帯電能を与えるために重要な
役割を有する層である。
役割を有する層である。
高い帯電能を有するためには帯電時に感光層中へ電荷が
注入されるのを阻止する機能を感光層上に有する必要が
ある。
注入されるのを阻止する機能を感光層上に有する必要が
ある。
阻止機能を形成する手段としては感光層上に＋０１４〜
１０１８Ω・ｃａｔ程度の絶縁性薄膜を形成するか、高
濃度のＡｓやＴｅで合金化したＳｅ−Ａｓ感光体あるい
はＳｅ−Ｔｅ系感光体上をコロナ放電等で表面処理をお
こない、砒素酸化物やテルル酸化物のブロッキング層を
形成する方法があり実用化されている。
１０１８Ω・ｃａｔ程度の絶縁性薄膜を形成するか、高
濃度のＡｓやＴｅで合金化したＳｅ−Ａｓ感光体あるい
はＳｅ−Ｔｅ系感光体上をコロナ放電等で表面処理をお
こない、砒素酸化物やテルル酸化物のブロッキング層を
形成する方法があり実用化されている。
後者の場合比較的簡便な帯電能改善手段であるが、ブロ
ッキング性に均一性が欠けること。環境の影響を受は易
いこと。使用しないと帯電特性が劣化すること。ブロッ
キング層は摩擦で簡単にとれること、ブロッキング層の
体積抵抗が低い（例えばＴｅ濃度が高い）場合には不十
分な帯電能しか得られないことなどの欠点が多い。
ッキング性に均一性が欠けること。環境の影響を受は易
いこと。使用しないと帯電特性が劣化すること。ブロッ
キング層は摩擦で簡単にとれること、ブロッキング層の
体積抵抗が低い（例えばＴｅ濃度が高い）場合には不十
分な帯電能しか得られないことなどの欠点が多い。
したがって高品位な作像性を示し、高耐久で環境変化に
も安定した高帯電能を有する感光体とするためには恒久
的に安定なブロッキング層を形成することが重要である
。
も安定した高帯電能を有する感光体とするためには恒久
的に安定なブロッキング層を形成することが重要である
。
この事に鑑み検討した所、前記第二感光層について一酸
化珪素（Ｓ ｉ Ｏ） ｙＳ−中間層として用いると中
間層が無い場合に較べて大幅に帯電能および（または）
暗減衰特性が改善され、また、コロナ放電等で帯電性改
善をおこなった場合に較べても２０〜３０％の向上がみ
られ、Ｐｈｏｔｏ Ｇａ１ｎ （感度）の損失もない。
化珪素（Ｓ ｉ Ｏ） ｙＳ−中間層として用いると中
間層が無い場合に較べて大幅に帯電能および（または）
暗減衰特性が改善され、また、コロナ放電等で帯電性改
善をおこなった場合に較べても２０〜３０％の向上がみ
られ、Ｐｈｏｔｏ Ｇａ１ｎ （感度）の損失もない。
また、高湿環境下でも殆ど画像特性の劣化が無く、優れ
た材料であることが判明した。
た材料であることが判明した。
ＳｉＯを中間層に用いた場合のＶ−Ｉ特性例を第４図に
示す。ＳｉＯが中間層の場合には第４図中の２に示す様
に感光体の表層側に（＋）を印加した時には表層からの
正電荷（ホール）の注入は殆どないため、十帯電がおこ
なわれ、逆に（＝）印加の場合には、（＋）印加時に較
べ、帯電しにくい、いわゆる中間層側がＮ型、Ａ ｓ
２Ｓ ｅ 、−ｘ Ｔ ｅ 、側がＰ型の構造となり、
Ｎ−Ｐ接合として動作していると考えられる。
示す。ＳｉＯが中間層の場合には第４図中の２に示す様
に感光体の表層側に（＋）を印加した時には表層からの
正電荷（ホール）の注入は殆どないため、十帯電がおこ
なわれ、逆に（＝）印加の場合には、（＋）印加時に較
べ、帯電しにくい、いわゆる中間層側がＮ型、Ａ ｓ
２Ｓ ｅ 、−ｘ Ｔ ｅ 、側がＰ型の構造となり、
Ｎ−Ｐ接合として動作していると考えられる。
ＸＰＳ’やＦＴ−ＩＲ等の分析法でＳｉｏとＡ ｓ ２
Ｓ ｅ ｖ−ｘ Ｔ ｅ ｘ層の接合層を分析すると
、その両者の界面にＡｓ−０（例えばＡｓ２０３、Ａｓ
２０５等）およびわずかではあるが、Ｔｅ−０（例えば
ＴｅＯ２等）の形成が見られ、中間層が無い時に較べ、
大幅に多くなっていることから、中間層を接合すること
により、形成された事が明らかである。
Ｓ ｅ ｖ−ｘ Ｔ ｅ ｘ層の接合層を分析すると
、その両者の界面にＡｓ−０（例えばＡｓ２０３、Ａｓ
２０５等）およびわずかではあるが、Ｔｅ−０（例えば
ＴｅＯ２等）の形成が見られ、中間層が無い時に較べ、
大幅に多くなっていることから、中間層を接合すること
により、形成された事が明らかである。
このＡｓ−０やＴｅ−０は状況から判断してＳｉＣ中の
ＯとＡｓ２Ｓｅ、−、Ｔｅａ層中のＡｓやＴｅと結合す
ることにより形成されたと考えられ、この形態はＡｓ２
Ｓｅ３−ｘ・Ｔｅ、層をコロナ放電で表面処理し、帯電
能改善をおこなった時、感光層表面に形成された物質と
同様なものであることから、前記界面に形成された物質
が帯電能改善に関与していることは間違いないと考えら
れる。
ＯとＡｓ２Ｓｅ、−、Ｔｅａ層中のＡｓやＴｅと結合す
ることにより形成されたと考えられ、この形態はＡｓ２
Ｓｅ３−ｘ・Ｔｅ、層をコロナ放電で表面処理し、帯電
能改善をおこなった時、感光層表面に形成された物質と
同様なものであることから、前記界面に形成された物質
が帯電能改善に関与していることは間違いないと考えら
れる。
中間層としてのＳｉＯの膜厚はＡｓ２
・Ｓｅｉ−ｘＴｅ＠表面に形成されたブロッキング層が
保護層形成時に破損されない程度の膜厚があれば良い。
保護層形成時に破損されない程度の膜厚があれば良い。
Ｓｉ０層は真空蒸着法で形成するため、均一性が得られ
易く、コーティングやディッピング法で膜形成する樹脂
系と違って、さらに薄膜化が可能である。したがって膜
厚としては１００〜５０００ Ｘであれば実用領域であ
り、好ましくは２００〜２０００人の範囲であれば所期
目的を十分達成しうる。
易く、コーティングやディッピング法で膜形成する樹脂
系と違って、さらに薄膜化が可能である。したがって膜
厚としては１００〜５０００ Ｘであれば実用領域であ
り、好ましくは２００〜２０００人の範囲であれば所期
目的を十分達成しうる。
５）保護層
保護層は感光層の機械的耐久性を向上する上で必要不可
欠である。保護層としての必要条件は ■ 機械的耐久性が高いこと ■ 残留電荷を必要以上に保持しないこと■ 近赤外光
において実質的に透明なこと■ 電界・光・オゾン等の
外的要因で劣化が無いこと ■ 表面平滑性がよいこと ■ 耐湿性があり、吸湿性を有しないこと■ トナーフ
ィルミングを生じないこと■ 耐溶剤性を有すること 等があげられる。
欠である。保護層としての必要条件は ■ 機械的耐久性が高いこと ■ 残留電荷を必要以上に保持しないこと■ 近赤外光
において実質的に透明なこと■ 電界・光・オゾン等の
外的要因で劣化が無いこと ■ 表面平滑性がよいこと ■ 耐湿性があり、吸湿性を有しないこと■ トナーフ
ィルミングを生じないこと■ 耐溶剤性を有すること 等があげられる。
８０〜１００万枚のコピーに耐えうる実用的な保護層と
しては、例えばエステル架橋スチレン−ＭＭＡ樹脂に抵
抗制御剤として平均粒径０．０５〜０．２ μｍの５ｎ
ＯｚやＴｉ０ｚその他の導電性微粉末を４０〜８０ｖｔ
％混合し、スプレー法やディッピング法を用いて２〜１
０μ層の厚さになる様に中間層上に塗布したり、光ＣＶ
ＤやプラズマＣＶＤ装置を用いてａ−ＳｉＣ：ＨＳａ−
８ｉＮ：ＨＳａ−８ｉＣ：０ ： Ｈ，ａ−Ｂ ： Ｎ
、 ａ−０層等１０１２〜１０１３Ω・ｅｌｆの無機層
を５００Å〜５μＩの厚さでオーバーコートする方法な
どがある。
しては、例えばエステル架橋スチレン−ＭＭＡ樹脂に抵
抗制御剤として平均粒径０．０５〜０．２ μｍの５ｎ
ＯｚやＴｉ０ｚその他の導電性微粉末を４０〜８０ｖｔ
％混合し、スプレー法やディッピング法を用いて２〜１
０μ層の厚さになる様に中間層上に塗布したり、光ＣＶ
ＤやプラズマＣＶＤ装置を用いてａ−ＳｉＣ：ＨＳａ−
８ｉＮ：ＨＳａ−８ｉＣ：０ ： Ｈ，ａ−Ｂ ： Ｎ
、 ａ−０層等１０１２〜１０１３Ω・ｅｌｆの無機層
を５００Å〜５μＩの厚さでオーバーコートする方法な
どがある。
以下実施例および比較例を示す。なお、実施例および比
較例に記載の各成分の量（部）は重量部である。
較例に記載の各成分の量（部）は重量部である。
実施例ｌ
５ＵＳ製円筒ボート１基（第一ボート）、同角型ボート
１基（第二ボート）を夫々配備した真空蒸着装置におい
て、感光体の支持体として８０φ×３４０文×３ｔ（単
位ＩＩＩＩｌｌ）のＡｌドラムを用意し第一ボートにＳ
ｅ−Ａｓ合金（Ａ ｓ ： ３５．５ｖｔ％） ５５０
ｇｒ 、第二ボートにＡ Ｓ ２ Ｓ ｅ ２，５ Ｔ
ｅ ａ、５２５ｇｒを投入した。そして支持体温度を
２２５℃、第一ボートを４２０℃、第二ボートを４４０
℃にセットし、１×１０’Ｔｏｒｒ以下の真空度でまず
第一ボートに通電しＳｅ−Ａｓ層を約５５μｍ蒸着した
。
１基（第二ボート）を夫々配備した真空蒸着装置におい
て、感光体の支持体として８０φ×３４０文×３ｔ（単
位ＩＩＩＩｌｌ）のＡｌドラムを用意し第一ボートにＳ
ｅ−Ａｓ合金（Ａ ｓ ： ３５．５ｖｔ％） ５５０
ｇｒ 、第二ボートにＡ Ｓ ２ Ｓ ｅ ２，５ Ｔ
ｅ ａ、５２５ｇｒを投入した。そして支持体温度を
２２５℃、第一ボートを４２０℃、第二ボートを４４０
℃にセットし、１×１０’Ｔｏｒｒ以下の真空度でまず
第一ボートに通電しＳｅ−Ａｓ層を約５５μｍ蒸着した
。
ついで第二ボートに通電しＡｓ−８ｅ−Ｔｅ層を約５μ
ｍ蒸着した。この様にして得られた感光体を別の真空蒸
着装置にセットし、１回転／秒速度を与え、蒸発ボート
に一酸化珪素（Ｓ ｉ Ｏ）を約２１４Ｂ投入し、真空
度５Ｘ １０””Ｔｏｒｒ ３〜８人／ｓｅｃの蒸発速
度で、約４分間全量蒸発させ、約９６０人のＳｉＣ膜の
中間層を作製した。
ｍ蒸着した。この様にして得られた感光体を別の真空蒸
着装置にセットし、１回転／秒速度を与え、蒸発ボート
に一酸化珪素（Ｓ ｉ Ｏ）を約２１４Ｂ投入し、真空
度５Ｘ １０””Ｔｏｒｒ ３〜８人／ｓｅｃの蒸発速
度で、約４分間全量蒸発させ、約９６０人のＳｉＣ膜の
中間層を作製した。
さらにエステル架橋型スチレン−ＭＭＡ樹脂２部、トル
エン１４部、平均粒径０．１μｍの５ｎ０２微粉末（三
菱金属製）３部を混合しボールミルにて１２０時間分散
した液をディッピング法で塗布し１２０℃３０分の条件
で乾燥し約５μｍの保護層を設けた。感光体特性を表１
に示す。
エン１４部、平均粒径０．１μｍの５ｎ０２微粉末（三
菱金属製）３部を混合しボールミルにて１２０時間分散
した液をディッピング法で塗布し１２０℃３０分の条件
で乾燥し約５μｍの保護層を設けた。感光体特性を表１
に示す。
実施例２
実施例１と同じ装置を用い、第一ボートにＳｅ−Ａｓ合
金（Ａ ｓ ： ３５．５ｖｔ％） ５５０ｇｒ。
金（Ａ ｓ ： ３５．５ｖｔ％） ５５０ｇｒ。
第二ボートにＡ Ｓ ２ Ｓ ｅ ２．３ Ｔ ｅ Ｏ
，７１５ｇｒを投入した。
，７１５ｇｒを投入した。
そして支持体温度を２２５℃、第一ボートを４２０℃、
第二ボートを４４５℃にセットし、ＩＸ １０’ Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度でまず第一ボートに通電し、Ｓｅ−Ａ
ｓ層を約５５μｍ蒸着した。
第二ボートを４４５℃にセットし、ＩＸ １０’ Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度でまず第一ボートに通電し、Ｓｅ−Ａ
ｓ層を約５５μｍ蒸着した。
ついで第二ボートに通電しＡｓ−８ｅ−Ｔｅ層を約３μ
ｍ蒸着し、感光層を形成した。
ｍ蒸着し、感光層を形成した。
この様にして得られた感光体を別の真空蒸着装置にセッ
トし、１回転／秒の回転速度を与え、蒸発ボートに一酸
化珪素（Ｓ ｉ Ｏ）を約１１０ｍｇ投入し、真空度５
Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ、 ８〜８Ａ ／ｓｅｅの蒸
着速度で約４分間全量蒸発させ、約５２５人のＳｔＯ膜
の中間層を形成した。
トし、１回転／秒の回転速度を与え、蒸発ボートに一酸
化珪素（Ｓ ｉ Ｏ）を約１１０ｍｇ投入し、真空度５
Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ、 ８〜８Ａ ／ｓｅｅの蒸
着速度で約４分間全量蒸発させ、約５２５人のＳｔＯ膜
の中間層を形成した。
保護層の形成は実施例１と同じ方法で約５μｍの中間層
を形成した。感光体特性を表１に示す。
を形成した。感光体特性を表１に示す。
比較例ｌ
５ＵＳ製円筒ボート１基（第一ボート）、同角型ボート
１基（第二ボート）を夫々配備した真空蒸着装置におい
て、感光体の支持体として８０φｘ３４０ ｉｘ ３ｔ
（単位■）のＡ１ドラムを用意し、第一ボートにＳｅ−
Ａｓ合金（Ａ ｓ 二３５．５ｗｔ％） ５５０ｇｒ
、第二ボートにＡ ｓ ２ Ｓ ｅ ２，５ Ｔ ｅ
ｏ、５２５ｇｒを投入した。
１基（第二ボート）を夫々配備した真空蒸着装置におい
て、感光体の支持体として８０φｘ３４０ ｉｘ ３ｔ
（単位■）のＡ１ドラムを用意し、第一ボートにＳｅ−
Ａｓ合金（Ａ ｓ 二３５．５ｗｔ％） ５５０ｇｒ
、第二ボートにＡ ｓ ２ Ｓ ｅ ２，５ Ｔ ｅ
ｏ、５２５ｇｒを投入した。
そして支持体温度を２２５℃、第一ボートを４２０℃、
第二ボートを４４５℃にセットし、Ｉ Ｘ １０’ Ｔ
ｏｒｒ以下の真空度でまず第一ボートに通電しＳｅ−Ａ
ｓ層を約５５μｍ蒸着した。
第二ボートを４４５℃にセットし、Ｉ Ｘ １０’ Ｔ
ｏｒｒ以下の真空度でまず第一ボートに通電しＳｅ−Ａ
ｓ層を約５５μｍ蒸着した。
ついで第二ボートに通電しＡｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層を約５μ
口蒸着し、感光体を形成した。感光体特性を表１に示す
。
口蒸着し、感光体を形成した。感光体特性を表１に示す
。
比較例２
比較例１と同じ条件で作製した感光体に乾燥硬化後の体
積抵抗が７ Ｘ １０”Ω・ｅｌｍであるポリカーボネ
ート樹脂（商品名パンライト、ティジン化成製）をジク
ロ７火エタン−２、ジクロールメタン８の混合溶媒に溶
解し、ディッピング法で１０℃環境で成膜したのち、１
３０℃１時間乾燥し２０００ Ｘの中間層を作製した。
積抵抗が７ Ｘ １０”Ω・ｅｌｍであるポリカーボネ
ート樹脂（商品名パンライト、ティジン化成製）をジク
ロ７火エタン−２、ジクロールメタン８の混合溶媒に溶
解し、ディッピング法で１０℃環境で成膜したのち、１
３０℃１時間乾燥し２０００ Ｘの中間層を作製した。
感光体特性を表１に示す。
表１ 各試料の特性−覧
表１の記号説明
Ｖｓ：＋６ｋＶ印加２０秒後の電位
Ｄｏ：Ｖｓより２０秒後の暗減衰比
ｖ鰐：光減衰２０秒後の残留電位
８７８０ ｉ ７１１Ｏｎ１波長時の光感度（ｌｔｏｏ
−１００Ｖｏｌ ｔ）△ＶＤ：暗部電位のリピート変動
量 △ｖＬ：明部電位のリピート変動ｆｌ（７８０ｎｓ光を
分光光度計で入射）［効 果］ 表１に示すように帯電性が不安定で、耐久性の低いＡｓ
−３ｅ−Ｔｅ系感光体に帯電性を大幅に改善できるブロ
ッキング層を形成する中間層材料を用いた結果、 １）帯電性が大幅に改善され、しかも、耐久性の高いＬ
Ｄ用感光体が可能となった。
−１００Ｖｏｌ ｔ）△ＶＤ：暗部電位のリピート変動
量 △ｖＬ：明部電位のリピート変動ｆｌ（７８０ｎｓ光を
分光光度計で入射）［効 果］ 表１に示すように帯電性が不安定で、耐久性の低いＡｓ
−３ｅ−Ｔｅ系感光体に帯電性を大幅に改善できるブロ
ッキング層を形成する中間層材料を用いた結果、 １）帯電性が大幅に改善され、しかも、耐久性の高いＬ
Ｄ用感光体が可能となった。
２）さらに耐湿性が良く、高湿下でも解像力の低下が殆
ど無い感光体が可能となった。
ど無い感光体が可能となった。
第１図は本発明の感光体の構成を示す説明図、
第２図は第一感光層（Ｓ ｅ−Ａ ｓ層）におけるＡｓ
濃度とこの層の結晶化温度との関係を示すグラフ、 第３図は第二感光層（Ａｓ２Ｓｅ３−＊・Ｔｅ、層）に
おけるＸの値と光学的バンド幅（Ｅ ｇｏｐｔ）との関
係を示すグラフ、第４図は第二感光層上の中間層の有無
による整流性（Ｖ−Ｉ特性）の相違を示すグラフ。 ｒ・・・導電性支持体、２・・・第一感光層、３・・・
第二感光層、４・・・中間層、５・・・保護層。
濃度とこの層の結晶化温度との関係を示すグラフ、 第３図は第二感光層（Ａｓ２Ｓｅ３−＊・Ｔｅ、層）に
おけるＸの値と光学的バンド幅（Ｅ ｇｏｐｔ）との関
係を示すグラフ、第４図は第二感光層上の中間層の有無
による整流性（Ｖ−Ｉ特性）の相違を示すグラフ。 ｒ・・・導電性支持体、２・・・第一感光層、３・・・
第二感光層、４・・・中間層、５・・・保護層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に順次Ｓｅ−Ａｓ感光層、 Ａｓ＿２Ｓｅ＿３＿−＿ｘＴｅ＿ｘ感光層、中間層およ
び保護層を有するオーバーコート型感光体において、 １）上記Ａｓ＿２Ｓｅ＿３＿−＿ｘＴｅ＿ｘ感光層の組
成のＸの値が０．２ないし０．７であること、２）上記
中間層は厚さが１００Å〜５０００Åであり、その化学
組成が酸化珪素からなること、を特徴とするオーバーコ
ート型高感度感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25161087A JPH0194352A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | オーバーコート型高感度感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25161087A JPH0194352A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | オーバーコート型高感度感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194352A true JPH0194352A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17225377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25161087A Pending JPH0194352A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | オーバーコート型高感度感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0194352A (ja) |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP25161087A patent/JPH0194352A/ja active Pending
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