JPH0195115A - 紫外線吸収高分子材料 - Google Patents
紫外線吸収高分子材料Info
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- JPH0195115A JPH0195115A JP62251635A JP25163587A JPH0195115A JP H0195115 A JPH0195115 A JP H0195115A JP 62251635 A JP62251635 A JP 62251635A JP 25163587 A JP25163587 A JP 25163587A JP H0195115 A JPH0195115 A JP H0195115A
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- Japan
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- polymer
- fluorine atom
- ultraviolet absorbing
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はエキシマレーザ加工に適した紫外線吸収高分子
材料に関し、特にレジスト材料作成のために使用したエ
キシマレーザ照射後のエツチング操作に適した紫外線吸
収高分子材料に関する。
材料に関し、特にレジスト材料作成のために使用したエ
キシマレーザ照射後のエツチング操作に適した紫外線吸
収高分子材料に関する。
（従来の技術）
ＬＳＩの作成手段としてはガラス板上に主としてポリメ
チルメタアクリレートよりなるフォトレジスト材料を戴
置し、この上にマスキング板を置き上部よりレーザー光
線を照射したのち、マスキング板を取り除き、溶剤によ
り感光部分若しくは不感光部分を溶出するエツチング操
作を経て作成されている。最近、光源として使用するレ
ーザーにエキシマレーザ−が使用されている。エキシマ
レーザ−（ｅｘｃｉｍｅｒ）とは励起原子または分子と
基底原子または分子の二量体のことであり、このレーザ
ーは高出力で短パルスの紫外線を出すことができるので
、従来の水銀ランプやキセノンランプに比して極めて短
時間で反応が行なわれる。エキシマレーザ−で照射後、
感光部分を除去するエツチング操作が行なおれる。今日
、ＬＳＩ技術で最も重要視されているのがこのエツチン
グの技術である。この理由は、基板表面で化学、物理反
応して出来た反応生成物が溶液のエツチング（Ｗｅｔエ
ツチング）で溶解して取り除かれる。この反応生成物の
除去がうまく行われないと、エツチング速度が時間的に
、あるいは局部的に不均一になる。
チルメタアクリレートよりなるフォトレジスト材料を戴
置し、この上にマスキング板を置き上部よりレーザー光
線を照射したのち、マスキング板を取り除き、溶剤によ
り感光部分若しくは不感光部分を溶出するエツチング操
作を経て作成されている。最近、光源として使用するレ
ーザーにエキシマレーザ−が使用されている。エキシマ
レーザ−（ｅｘｃｉｍｅｒ）とは励起原子または分子と
基底原子または分子の二量体のことであり、このレーザ
ーは高出力で短パルスの紫外線を出すことができるので
、従来の水銀ランプやキセノンランプに比して極めて短
時間で反応が行なわれる。エキシマレーザ−で照射後、
感光部分を除去するエツチング操作が行なおれる。今日
、ＬＳＩ技術で最も重要視されているのがこのエツチン
グの技術である。この理由は、基板表面で化学、物理反
応して出来た反応生成物が溶液のエツチング（Ｗｅｔエ
ツチング）で溶解して取り除かれる。この反応生成物の
除去がうまく行われないと、エツチング速度が時間的に
、あるいは局部的に不均一になる。
この反応生成物だけでなく、エツチングの副反応などに
よって不溶性、不揮発性の反応生成物ができ、これが基
板材料表面を覆ってしまうと、エツチング妨害の原因と
なる。通常シリコーン基板に用いられるエツチング液に
はフッ酸（ＨＦ）と硝酸の混合液（１５：１０：水溶液
３００）が用いられており。
よって不溶性、不揮発性の反応生成物ができ、これが基
板材料表面を覆ってしまうと、エツチング妨害の原因と
なる。通常シリコーン基板に用いられるエツチング液に
はフッ酸（ＨＦ）と硝酸の混合液（１５：１０：水溶液
３００）が用いられており。
これは硝酸でＳｉ表面を酸化し、フッ酸（ＨＦ）水溶液
にて取り除くとの考え方に基ずいているのである。とこ
ろがポリメタクリル酸メチルをレジスト材料として使用
し、ベーキング後上記のＨＦと硝酸の混合液からなるエ
ツチング液で処理すると、該ポリマー表面が侵しよくを
受けるという問題が生じるのである。
にて取り除くとの考え方に基ずいているのである。とこ
ろがポリメタクリル酸メチルをレジスト材料として使用
し、ベーキング後上記のＨＦと硝酸の混合液からなるエ
ツチング液で処理すると、該ポリマー表面が侵しよくを
受けるという問題が生じるのである。
（解決すべき問題点）
そこで本発明者は上記の問題点を解決し、ポリメタクリ
ル酸メチル連鎖を含有するりジグラフイー材料でありな
がら耐エツチング液（ＨＦ：）ＩＮＯ３：Ｈ。
ル酸メチル連鎖を含有するりジグラフイー材料でありな
がら耐エツチング液（ＨＦ：）ＩＮＯ３：Ｈ。
０）性を有する超高分子量ＰＭＭＡを得るべく種々検討
した結果ＰＭＭＡの連鎖骨格に弗素原子導入することに
よって耐エツチング性が改良できることを見出し本発明
を完成したもので、本発明の目的は上記の特性を有する
紫外線吸収高分子材料を提供するにある。
した結果ＰＭＭＡの連鎖骨格に弗素原子導入することに
よって耐エツチング性が改良できることを見出し本発明
を完成したもので、本発明の目的は上記の特性を有する
紫外線吸収高分子材料を提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明はメチルメタクリレートの連鎖骨格中
に繰り返し単位当り弗素原子を少なくとも１個含有せし
めたことを特徴とする紫外線吸収高分子材料であって、
得られた紫外線吸収高分子材料としては次の構造式を有
し、分子量は５×１０７〜５ Ｘ １０’好ましくは５
．×１０５〜５ Ｘ １０’である。５Ｘ１０５以下で
は、紫外線吸収高分子材料としての特性を有することが
難しい、ここでいう繰り返し単位当りというのは、下に
示す（ｍ＋ｎ）を１単位とすることを意味する。
に繰り返し単位当り弗素原子を少なくとも１個含有せし
めたことを特徴とする紫外線吸収高分子材料であって、
得られた紫外線吸収高分子材料としては次の構造式を有
し、分子量は５×１０７〜５ Ｘ １０’好ましくは５
．×１０５〜５ Ｘ １０’である。５Ｘ１０５以下で
は、紫外線吸収高分子材料としての特性を有することが
難しい、ここでいう繰り返し単位当りというのは、下に
示す（ｍ＋ｎ）を１単位とすることを意味する。
ここで、Ｒ１，Ｒ３はＨ又はＣＨ，基、Ｒｚは炭素数１
〜５、好ましくは炭素数１ないし４のアルキル基である
。
〜５、好ましくは炭素数１ないし４のアルキル基である
。
Ｒ４は炭素数１〜８．好ましくは炭素数１ないし４のア
ルキル基であって、少なくとも１個の水素原子を弗素原
子で置換したものである。
ルキル基であって、少なくとも１個の水素原子を弗素原
子で置換したものである。
この−数式においてｎ＋／ｎ（モル比）は０．３−５で
あり、０．３以下では重合反応が進行せず、また５を越
える値では耐エツチング性を示さない。しかして、上記
の弗素原子を含有するポリマーを形成するためにメチル
メタアクリレートと共重合する七ツマ−としてはニー ヘキサフロロイソプロピルメタクリレートＣ）１２＝Ｃ Ｃ００ＣＲ（ＣＦ３ ）２ トリフルオロエチルメタクリレート ＣＨ。
あり、０．３以下では重合反応が進行せず、また５を越
える値では耐エツチング性を示さない。しかして、上記
の弗素原子を含有するポリマーを形成するためにメチル
メタアクリレートと共重合する七ツマ−としてはニー ヘキサフロロイソプロピルメタクリレートＣ）１２＝Ｃ Ｃ００ＣＲ（ＣＦ３ ）２ トリフルオロエチルメタクリレート ＣＨ。
■
Ｃ）Ｉ２＝Ｃ
ＣＯＯＣＲ，ＣＦ３
トリフロロエチルアクリレート
ＣＨ，＝ＣＨ−Ｃ００ＣＩ（、ＣＦ。
ヘキサフロロイソプロピルアクリレートＣＨ２＝ＣＨ−
Ｃ００ＣＨ（ＣＦ、）２などの含弗素ビニル七ツマ−で
ある。或はヘキサフロロブテン ＣＦ、 Ｃ＝ＣＣＦ。
Ｃ００ＣＨ（ＣＦ、）２などの含弗素ビニル七ツマ−で
ある。或はヘキサフロロブテン ＣＦ、 Ｃ＝ＣＣＦ。
ヘキサフロロブタジェン１．３ ＣＦ２＝ＣＦＣＦ＝
ＣＦ。
ＣＦ。
ヘキサフロロプロパン ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ、等の含弗素
オレフイン化合物等である。
オレフイン化合物等である。
しかしてメチルメタアクリレートと弗素原子含有モノマ
ーとは先に述べた範囲内の所望の割合で共重合させれば
よい。
ーとは先に述べた範囲内の所望の割合で共重合させれば
よい。
メチルメタアクリレートと上記弗素含有化合物（モノマ
ー）との共重合手段としては通常のビニル化合物の共重
合手段の何れもが適用できるが、特にラジカル重合開始
剤存在下にプラズマを照射するプラズマ重合法が最も好
ましい。ラジカル重合開始剤としては一般的ラジカル重
合に使用されるものであれば何れでもよいが例えば過酸
化ベンゾイル、ジクミルパーオキサイド、アゾビスイソ
ブチロニトリルである。ラジカル重合開始剤の七ツマ−
への添加量はモノマーの種類、重合温度、得ようとする
ポリマーの重合等に異なり一部にはいえないが必要以上
のラジカル重合開始剤を添加すると重合開始剤が生成し
たポリマー中に残存し好ましくない。
ー）との共重合手段としては通常のビニル化合物の共重
合手段の何れもが適用できるが、特にラジカル重合開始
剤存在下にプラズマを照射するプラズマ重合法が最も好
ましい。ラジカル重合開始剤としては一般的ラジカル重
合に使用されるものであれば何れでもよいが例えば過酸
化ベンゾイル、ジクミルパーオキサイド、アゾビスイソ
ブチロニトリルである。ラジカル重合開始剤の七ツマ−
への添加量はモノマーの種類、重合温度、得ようとする
ポリマーの重合等に異なり一部にはいえないが必要以上
のラジカル重合開始剤を添加すると重合開始剤が生成し
たポリマー中に残存し好ましくない。
又、プラズマ重合法において使用されるプラズマとして
は非平衡プラズマ、特にグロー放電による低温プラズマ
が好ましく、該低温プラズマは減圧下例えば０．１〜１
０ｍｍＨｇの圧力下にある気体に２０〜１００Ｗ好まし
くは３０〜５０ｗの電圧を加えることによって得られる
。使用される電極としては外部または内部平行平板電極
あるいはコイル状電極等があり、好ましくは外部平行平
板電極である。プラズマ発生源の気体は水素、メタン、
窒素、アルゴン、エチレン等の任意の気体あるいはモノ
マーガス自体であってもよい。
は非平衡プラズマ、特にグロー放電による低温プラズマ
が好ましく、該低温プラズマは減圧下例えば０．１〜１
０ｍｍＨｇの圧力下にある気体に２０〜１００Ｗ好まし
くは３０〜５０ｗの電圧を加えることによって得られる
。使用される電極としては外部または内部平行平板電極
あるいはコイル状電極等があり、好ましくは外部平行平
板電極である。プラズマ発生源の気体は水素、メタン、
窒素、アルゴン、エチレン等の任意の気体あるいはモノ
マーガス自体であってもよい。
このようにして得られた紫外線吸収特性は連鎖骨格であ
るポリメチルメタアクリレートの紫外線吸収特性と殆ど
変化はなく、透過率はポリメチルメタアクリレートに比
して極めて大であるばかりでなくエツチング液に対して
は抵抗性を有するのでポジ型レジスト板に適した紫外線
吸収高分子材料である。
るポリメチルメタアクリレートの紫外線吸収特性と殆ど
変化はなく、透過率はポリメチルメタアクリレートに比
して極めて大であるばかりでなくエツチング液に対して
は抵抗性を有するのでポジ型レジスト板に適した紫外線
吸収高分子材料である。
以下、実施例をもって本発明を更に詳細に述べるが本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
実験例１
内径１５ｗｎのパイレックスガラス製重合管（容量４２
ｍ１）にメタクリル酸メチル（ＨＭＡ） ５．３４ｍ１
（５，００ｘｌＯ”ｍｏｌ）、ヘキサフロロイソプロピ
ルメタクリレート（ＨＦＩＰＭＡ）１１．８６ｇ（５，
００Ｘ １０ ”ｍｏｌ）および過酸化ベンゾイル（Ｂ
ＰＯ）０．０１７ｇ（４，１３Ｘ１０ ”ｍｏｌ）を入
れ、重合管を真空ラインに接続し、液体窒素で凍結した
。この系を１０ ”Ｔｏｒｒ以下で脱気し系内の酸素を
送り出し再び融解した。この操作を３回繰り返した後、
コックを閉じ重合管中の千ツマ−の一部が溶解しはじめ
た時点で気相中にプラズマを発生させた。 １３．５６
ＭＨｚの高周波発生装置により５０１ｉ１６０秒間プラ
ズマ処理を行った。重合管を封管し２５℃で静置し、５
日間後重合を行った。得られた重合反応物をテトラヒド
ロフラン１００＋ａｌに溶解し、メタノール２．０Ｑで
再沈殿させて精製し、白色ポリマーを得た。得られたポ
リマーの重合は２．３４ｇ（収率は１３．９重量％）で
あった。このポリマーの融解温度は２６３．０〜２７６
．５℃であった。これは、約８，８ Ｘ １０’の分子
量に相当する。
ｍ１）にメタクリル酸メチル（ＨＭＡ） ５．３４ｍ１
（５，００ｘｌＯ”ｍｏｌ）、ヘキサフロロイソプロピ
ルメタクリレート（ＨＦＩＰＭＡ）１１．８６ｇ（５，
００Ｘ １０ ”ｍｏｌ）および過酸化ベンゾイル（Ｂ
ＰＯ）０．０１７ｇ（４，１３Ｘ１０ ”ｍｏｌ）を入
れ、重合管を真空ラインに接続し、液体窒素で凍結した
。この系を１０ ”Ｔｏｒｒ以下で脱気し系内の酸素を
送り出し再び融解した。この操作を３回繰り返した後、
コックを閉じ重合管中の千ツマ−の一部が溶解しはじめ
た時点で気相中にプラズマを発生させた。 １３．５６
ＭＨｚの高周波発生装置により５０１ｉ１６０秒間プラ
ズマ処理を行った。重合管を封管し２５℃で静置し、５
日間後重合を行った。得られた重合反応物をテトラヒド
ロフラン１００＋ａｌに溶解し、メタノール２．０Ｑで
再沈殿させて精製し、白色ポリマーを得た。得られたポ
リマーの重合は２．３４ｇ（収率は１３．９重量％）で
あった。このポリマーの融解温度は２６３．０〜２７６
．５℃であった。これは、約８，８ Ｘ １０’の分子
量に相当する。
実施例１
実験例１で得られたポリマーの１重量％メチルイソブチ
ルケトン溶液をスピンコーター（ミカサ（株）製ＩＨ−
０２型）を用いてシリコンウェハー上に厚さ３００ｎ＋
ｍポリマーの薄膜のコーティングを行い、そして、ベー
キング（１７０℃、３０分間）を行ったのち、フッ酸に
よる耐エツチング性を調べた。（参考図１−Ａ）耐エツ
チング性は５０％フッ酸水溶液を該ウェハー上に綿棒に
て滴下し、２５℃５分間静置した。水洗後表面を観察し
たが、変性、侵食などはみとめられなかった。また、該
共重合体の紫外吸収スペクトルは、ＰＭＭＡのそれとほ
ぼ同じであり、１９３ｎｍ吸収での透過率は約２０−３
０％の間にある。（第１図の■）これに対し、ＰＭＭＡ
ではほぼ咋である。（第１図の■）比較例１ 実験例１の共重合体（ＭＭＡ−ＨＦＩＰＭＡ）の代わり
にポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）超高分子量（Ｍ
ｖ：粘度平均分子量２．７×１０５）を合成し、実施例
１と同様にして耐酸試験を行ったところ、弗酸水（ＨＦ
）溶液によって浸されることが分った。（参考図１−Ｂ
）比較例２ 実験例１の共重合体（ＭＭＡ−ＨＦＩＤＭＡ）の代わり
にＭ阿Ａ単位６０モル当り、２・ビニルナフタレン１モ
ルを実施例１と同様に反応させ超高分子量（Ｍｖ：約２
．５×１０６）を合成し、実施１と同様に耐酸試験を行
ったところ、弗酸水Ｈ，Ｆ溶液によって浸される。（参
考図１−Ｃ）。
ルケトン溶液をスピンコーター（ミカサ（株）製ＩＨ−
０２型）を用いてシリコンウェハー上に厚さ３００ｎ＋
ｍポリマーの薄膜のコーティングを行い、そして、ベー
キング（１７０℃、３０分間）を行ったのち、フッ酸に
よる耐エツチング性を調べた。（参考図１−Ａ）耐エツ
チング性は５０％フッ酸水溶液を該ウェハー上に綿棒に
て滴下し、２５℃５分間静置した。水洗後表面を観察し
たが、変性、侵食などはみとめられなかった。また、該
共重合体の紫外吸収スペクトルは、ＰＭＭＡのそれとほ
ぼ同じであり、１９３ｎｍ吸収での透過率は約２０−３
０％の間にある。（第１図の■）これに対し、ＰＭＭＡ
ではほぼ咋である。（第１図の■）比較例１ 実験例１の共重合体（ＭＭＡ−ＨＦＩＰＭＡ）の代わり
にポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）超高分子量（Ｍ
ｖ：粘度平均分子量２．７×１０５）を合成し、実施例
１と同様にして耐酸試験を行ったところ、弗酸水（ＨＦ
）溶液によって浸されることが分った。（参考図１−Ｂ
）比較例２ 実験例１の共重合体（ＭＭＡ−ＨＦＩＤＭＡ）の代わり
にＭ阿Ａ単位６０モル当り、２・ビニルナフタレン１モ
ルを実施例１と同様に反応させ超高分子量（Ｍｖ：約２
．５×１０６）を合成し、実施１と同様に耐酸試験を行
ったところ、弗酸水Ｈ，Ｆ溶液によって浸される。（参
考図１−Ｃ）。
（効果）
以上、述べたように本発明はポリメチルメタアクリレー
トよりなる連鎖骨格中に弗素原子を導入することによっ
てポリメチルメタアクリレートと同様にエキシマレーサ
ー照射に適した紫外線領域に吸収スペクトルを有すると
共に耐エツチング性に対して極めて優れた抵抗を有する
のレジスト材として適した効果を奏するのである。
トよりなる連鎖骨格中に弗素原子を導入することによっ
てポリメチルメタアクリレートと同様にエキシマレーサ
ー照射に適した紫外線領域に吸収スペクトルを有すると
共に耐エツチング性に対して極めて優れた抵抗を有する
のレジスト材として適した効果を奏するのである。
第１図は本発明実施例１における共重合体及びＰＭＭＡ
の紫外吸収スペクトルである。 ■ 実施例１における共重合体 ■ ＰＭＭＡ
の紫外吸収スペクトルである。 ■ 実施例１における共重合体 ■ ＰＭＭＡ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）メチルメタアクリレート連鎖骨格中に繰り返し単
位当り弗素原子を少なくとも１個含有せしめた重合体か
らなる紫外線吸収高分子材料。 （２）弗素原子を含有せしめた重合体が次の構造式を有
し、その分子量は５×１０＾５〜５×１０＾７である特
許請求の範囲第１項記載の紫外線吸収高分子材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ここで、Ｒ＿１、Ｒ＿３はＨ又はＣＨ＿３基、Ｒ＿２は
炭素数１〜５のアルキル基である。Ｒ＿４は炭素数１〜
８のアルキル基であって、少なくとも１個の水素原子を
弗素原子で置換したものである。また、ｍ／ｎ＝０・３
〜５である （３）弗素原子を含有せしめた重合体の分子量が５×１
０＾６〜５×１０＾７である特許請求の範囲第１項ない
し第２項のいずれかに記載の紫外線吸収高分子材料。 （４）構造式（１）におけるＲ＿４が炭素数１〜４のア
ルキル基である特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
ずれかに記載の紫外線吸収高分子材料。 （５）メチルメタアクリレートと弗素原子を含有せしめ
たモノマーとを共重合させたことから成る特許請求の範
囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の紫外線吸収高
分子材料。（６）弗素原子を含有せしめたモノマーがヘ
キサフロロイソプロピルメタクリレート、トリフルオロ
エチルメタクリレート、トリフロロエチルアクリレート
及びヘキサフロロイソプロピルアクリレートからなる群
からえらばれた弗素原子を含有したビニルモノマーであ
る特許請求の範囲第５項記載の紫外線吸収高分子材料。 （７）弗素原子を含有せしめたモノマーがヘキサフロロ
ブテン、ヘキサフロロブタジエン１、３及びヘキサフロ
ロプロパンからなる群からえらばれた少なくとも１個の
弗素原子を含有した弗素含有モノマーである特許請求の
範囲第７項記載の紫外線吸収高分子材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251635A JPH0195115A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 紫外線吸収高分子材料 |
| EP19880908743 EP0380667A4 (en) | 1987-10-07 | 1988-10-07 | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
| PCT/JP1988/001028 WO1989003402A1 (fr) | 1987-10-07 | 1988-10-07 | Materiau polymere absorbant les ultraviolets et procede de photogravure |
| US07/469,476 US5157091A (en) | 1987-10-07 | 1988-10-07 | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251635A JPH0195115A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 紫外線吸収高分子材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195115A true JPH0195115A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17225754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251635A Pending JPH0195115A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 紫外線吸収高分子材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0195115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3184560A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-28 | Solvay SA | Photo-curable copolymer, photo-curable resin composition comprising the same, and anti-fingerprint film made therefrom |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56139515A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-31 | Daikin Ind Ltd | Polyfluoroalkyl acrylate copolymer |
| JPS58160951A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-09-24 | マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト・ツ−ル・フエルデルング・デル・ヴイツセンシヤフテン・エ−・フアウ | ポジチブレジスト材料、その製造法および該材料より成る材料面組織形成用ポジチブレジスト |
| JPS58173104A (ja) * | 1982-04-05 | 1983-10-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 放電グラフト重合体膜及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62251635A patent/JPH0195115A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS56139515A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-31 | Daikin Ind Ltd | Polyfluoroalkyl acrylate copolymer |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3184560A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-28 | Solvay SA | Photo-curable copolymer, photo-curable resin composition comprising the same, and anti-fingerprint film made therefrom |
| WO2017108936A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Solvay Sa | Photo-curable copolymer, photo-curable resin composition comprising the same, and anti-fingerprint film made therefrom |
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