JPH0195439A - Manufacture of shadow mask - Google Patents
Manufacture of shadow maskInfo
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- JPH0195439A JPH0195439A JP62252111A JP25211187A JPH0195439A JP H0195439 A JPH0195439 A JP H0195439A JP 62252111 A JP62252111 A JP 62252111A JP 25211187 A JP25211187 A JP 25211187A JP H0195439 A JPH0195439 A JP H0195439A
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- Japan
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- dark reaction
- shadow mask
- photosensitive film
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、シャドウマスクの製造方法に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a method for manufacturing a shadow mask.
(従来の技術)
一般に、シャドウマスクの製造は、フォトエツチングと
呼ばれる方法にて行なわれる。これは、通常、金属薄板
であるシャドウマスクの両面に一定の厚みの感光膜を形
成し、それに目的とする電子ビーム通過孔パターンを光
にて焼付け、現像・乾燥・バーニングを施した後、シャ
ドウマスク素材が露出した面をエツチング液で化学的に
腐蝕し、目的とする寸法の多数の電子ビーム通過孔を有
するシャドウマスクを製作する方法である。(Prior Art) Shadow masks are generally manufactured by a method called photoetching. This is usually done by forming a photoresist film of a certain thickness on both sides of a shadow mask, which is a thin metal plate, and then printing the desired electron beam passage hole pattern on it with light, developing, drying, and burning it. In this method, the exposed surface of the mask material is chemically etched with an etching solution to produce a shadow mask having a large number of electron beam passage holes of a desired size.
ところで、感光膜の形成方法は種々提案されているが、
−殻内には2つの方法に区分される。第1の方法は、第
3図に示すように、シャドウマスク材である連続帯状金
属薄板10を床に直角に横方向に移動させ、この金属薄
板10の上部から感光液11を垂れ流すことにより、金
属薄板10の両面に感光液11を塗布し、乾燥炉12を
通過せしめて感光膜を形成するものである。By the way, various methods for forming photoresist films have been proposed;
- Inside the shell is divided into two ways. The first method, as shown in FIG. 3, is to move a continuous strip-shaped metal thin plate 10, which is a shadow mask material, laterally at right angles to the floor, and to drip a photosensitive liquid 11 from the top of this metal thin plate 10. A photosensitive liquid 11 is applied to both sides of a thin metal plate 10, and the photosensitive liquid 11 is passed through a drying oven 12 to form a photosensitive film.
第2の方法は、第4図に示すように、床と平行に移動す
るシャドウマスク材である連続帯状金属薄板13をター
ンローラー14を介して上方向に引上げ、感光液を有す
る塗布槽15を通すことにより金属薄板13の両面に感
光液を塗布し、乾燥炉16を通過せしめて感光膜を形成
するもので、公知例としては特公昭61−33633号
公報や特公昭61−45512号公報が挙げられる。In the second method, as shown in FIG. 4, a continuous thin metal plate 13 serving as a shadow mask material moving parallel to the floor is pulled upward via a turn roller 14, and a coating tank 15 containing a photosensitive liquid is filled. A photosensitive liquid is applied to both sides of the thin metal plate 13 by passing it through the metal plate 13, and a photosensitive film is formed by passing it through a drying oven 16.Known examples include Japanese Patent Publication No. 61-33633 and Japanese Patent Publication No. 61-45512. Can be mentioned.
(発明が解決しようとする問題点)
感光膜の品位は、シャドウマスク品位を決定する重要な
要素の一つで、特に膜厚の均−性及び熱による暗反応の
進行(熱カブリ)の無いことが望まれる。感光膜は、一
般にポリビニルアルコール十重クロム酸アンモニウム又
は牛乳カゼイン十重クロム酸アンモニウムが用いられる
が、これは紫外線照射にて重クロム酸アンモニウムの6
価のクロムが3価のクロムに還元され、樹脂と手を結ぶ
ことにより水に不溶な状態になる。(Problems to be Solved by the Invention) The quality of the photoresist film is one of the important factors that determines the quality of the shadow mask, especially the uniformity of the film thickness and the absence of dark reaction due to heat (thermal fog). It is hoped that The photosensitive film is generally made of polyvinyl alcohol ammonium decachromate or milk casein ammonium decachromate;
Valent chromium is reduced to trivalent chromium, which becomes insoluble in water by combining with resin.
しかし、この現象は紫外線のみならず、一定温度以上の
熱にても同様の現象を呈し、この結果、現像にて洗い落
とされねばならぬ電子ビーム通過孔相当部に、感光膜が
残存することにより、孔寸法及び孔形状にバラツキが生
じ、シャドウマスク品位を著しく低下せしめる。However, this phenomenon occurs not only with ultraviolet rays, but also with heat above a certain temperature, and as a result, the photoresist film remains in the area corresponding to the electron beam passage hole, which must be washed away during development. This causes variations in hole size and hole shape, significantly reducing the quality of the shadow mask.
従って、この熱による暗反応を抑制し、均一な膜厚の感
光膜を得ることは、非常に重要である。Therefore, it is very important to suppress this heat-induced dark reaction and obtain a photoresist film with a uniform thickness.
第1の方法は、感光液11が垂れ流しのため、上部が薄
く下部が厚く、上下での膜厚差が生じる欠点がある。又
、乾燥時、水平に設置された乾燥炉12の上部は、下部
に比較して温度が高くなく、膜厚の薄い上部が暗反応を
起こし易い。このため、上下でヒーター温度を変えて温
度差を緩和する工夫を施されるのが一般的であるが、均
一な温度分布を得ることは非常に困難である。The first method has the drawback that the photosensitive liquid 11 is dripped, so the upper part is thinner and the lower part is thicker, resulting in a difference in film thickness between the upper and lower parts. Further, during drying, the temperature of the upper part of the drying oven 12, which is installed horizontally, is not higher than that of the lower part, and the upper part, where the film is thin, is more likely to cause a dark reaction. For this reason, it is common to try to reduce the temperature difference by changing the heater temperature between the top and bottom, but it is very difficult to obtain a uniform temperature distribution.
特に昨今の生産性向上の点から、炉の長さを長くしない
で乾燥温度を上げ、感光膜形成速度を早める場合、均一
な温度分布を得ることは更に困難になることと併せ、熱
による暗反応が起こり易い状態になり、炉温のコントロ
ールが難しい欠点を有している。In particular, in order to improve productivity in recent years, if the drying temperature is increased without increasing the length of the furnace to speed up the formation of a photoresist film, it becomes more difficult to obtain a uniform temperature distribution. The disadvantage is that reactions are likely to occur and it is difficult to control the furnace temperature.
第2の方法は、均一な膜厚を形成出来る利点を有するが
、乾燥炉16が垂直なため煙突効果にて熱せられた空気
が上昇していく。この結果、上部に熱が籠り且つ乾燥終
了後も感光膜が高温の雰囲気に晒されるため、熱による
暗反応が起こり易い欠点を有している。更に、第1の方
法と同様に生産性向上の点から、炉の長さを長くしない
で乾燥温度を上げた場合、結果として温度制御が難しく
なり、暗反応が進行し易い欠点を有している。The second method has the advantage of being able to form a uniform film thickness, but since the drying oven 16 is vertical, the heated air rises due to the chimney effect. As a result, heat is trapped in the upper part and the photoresist film is exposed to a high temperature atmosphere even after drying, resulting in a drawback that dark reactions due to heat are likely to occur. Furthermore, as with the first method, if the drying temperature is increased without increasing the length of the furnace in order to improve productivity, it will result in difficulty in controlling the temperature, which has the disadvantage that dark reactions are likely to proceed. There is.
乾燥炉の一般的な温度管理は、炉内に差し込まれた熱電
対にて炉温を測定し、この温度が設定値より高くなった
場合、ヒーター電源が切れ、低くなった場合は電源が入
ることにより行なわれている。熱電対は感光膜と接触し
た場合、膜面に傷を付けるので、金属薄板通過時の揺ら
ぎも考慮し、感光膜より成る程度離れた距離に設置され
ている。The general temperature control of a drying oven is to measure the oven temperature with a thermocouple inserted into the oven, and if this temperature becomes higher than the set value, the heater power is turned off, and if it becomes lower, the power is turned on. This is done by If the thermocouple comes into contact with the photoresist film, it will damage the film surface, so taking into consideration the fluctuations caused by the passage of the thin metal plate, the thermocouple is installed at a distance equivalent to the length of the photoresist film.
従って、炉内の雰囲気温度を検出している訳けで、設定
温度は得られるマスク品位から経験的に求められた値と
なり、感光膜それ自体の許容上限温度を示すものではな
い。言い換えれば、感光膜の熱による暗反応を考慮した
温度管理を行なってぃない。Therefore, since the ambient temperature in the furnace is detected, the set temperature is a value determined empirically from the quality of the mask obtained, and does not indicate the allowable upper limit temperature of the photoresist film itself. In other words, temperature control is not performed in consideration of the heat-induced dark reaction of the photoresist film.
又、炉内の温度雰囲気は、炉外から吸込み空気の温湿度
及び量が変化した場合に敏感に反応し乱される。製造条
件的には、感光膜の乾燥不足にて製造ラインに設けられ
た金属薄板の押さえローラー等へ感光膜が付着し、汚れ
不良が発生するのを防止するため、温度を高目に持って
いき、感光膜を完全に乾燥させる方向に持っていくのが
一般的である。この結果、総合的に熱による暗反応が起
り易い欠点を有している。Further, the temperature atmosphere inside the furnace reacts sensitively to changes in the temperature, humidity, and amount of air sucked in from outside the furnace and is disturbed. In terms of manufacturing conditions, the temperature is kept high to prevent the photosensitive film from adhering to the thin metal plate holding rollers installed in the production line due to insufficient drying and causing stain defects. Generally, the photoresist film is dried completely. As a result, the overall disadvantage is that dark reactions due to heat tend to occur.
この発明は、熱による感光膜の暗反応進行を抑制したシ
ャドウマスクの製造方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a shadow mask that suppresses the progress of dark reaction in a photoresist film due to heat.
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
この発明は、連続帯状金属薄板の両主面を脱脂水洗後、
感光性樹脂液を塗布して乾燥させ、所望の厚みを有する
感光膜を形成する工程において、感光膜の暗反応進行量
を検することにより、得られた信号を乾燥炉の温度調節
部にフィードバッりし、暗反応の進行を抑制するように
したシャドウマスクの製造方法である。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) This invention provides a method of degreasing both main surfaces of a continuous strip-shaped thin metal plate and washing them with water.
In the process of applying and drying a photosensitive resin liquid to form a photosensitive film with a desired thickness, the amount of dark reaction progressed on the photosensitive film is detected, and the obtained signal is fed to the temperature control section of the drying oven. This is a method for manufacturing a shadow mask that suppresses the progress of dark reactions.
(作用)
この発明によれば、シャドウマスク材である連続帯状金
属薄板の両生面に感光膜を形成する工程において、熱に
よる感光膜の暗反応進行を抑制しているので、後の感光
膜現像工程で、エツチングにより電子ビーム通過孔を穿
設する部分に相当するシャドウマスク素材が露出した部
分の寸法バラツキがなく、且つ感光膜が完全に除去され
るため、高品位のシャドウマスクを製造することが可能
である。(Function) According to the present invention, in the step of forming a photoresist film on both sides of a continuous strip-shaped thin metal plate that is a shadow mask material, the progress of dark reaction of the photoresist film due to heat is suppressed, so that the subsequent development of the photoresist film is prevented. In the process, there is no dimensional variation in the exposed part of the shadow mask material corresponding to the part where the electron beam passage hole is made by etching, and the photoresist film is completely removed, so a high-quality shadow mask can be manufactured. is possible.
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
この発明によるシャドウマスクの製造方法は、第1図に
示すように構成され、先ずシャドウマスク材である鉄か
らなる連続帯状金属薄板1を、脱脂チャンバー2内で8
0℃以上の高温アルカリ液をスプレーし、表面に塗布さ
れた防錆油を脱脂する。The method for manufacturing a shadow mask according to the present invention is constructed as shown in FIG.
Spray a high-temperature alkaline solution at 0°C or higher to degrease the rust preventive oil applied to the surface.
その後、水洗チャンバー3で水洗し、連続帯状金属薄板
1の表面を清浄にする。Thereafter, it is washed with water in a water washing chamber 3 to clean the surface of the continuous strip-shaped thin metal plate 1.
次に、牛乳カゼインと重クロム酸アンモニウムとからな
る感光液の入った塗布槽4に浸漬しながら引上げる。Next, it is pulled up while being immersed in a coating tank 4 containing a photosensitive solution consisting of milk casein and ammonium dichromate.
次いで、シーズヒータとインフラスタインヒーター5と
を熱源とする乾燥炉6を通すことにより成膜させ、5〜
8μmの厚みを有する感光膜を連続帯状金属薄板1の両
面に形成する。Next, a film is formed by passing it through a drying oven 6 using a sheathed heater and an infrastein heater 5 as heat sources.
A photoresist film having a thickness of 8 μm is formed on both sides of a continuous strip-shaped thin metal plate 1.
その後、ターンローラー7を介して巻取機9に導かれる
途中に設置された暗反応測定器8にて感光膜の暗反応進
行量を測定検出し、許容量以下になるように乾燥炉熱源
制御部へ温度を下げるべき信号をフィードバックする。After that, a dark reaction measuring device 8 installed on the way to the winding machine 9 via the turn roller 7 measures and detects the progress of the dark reaction of the photoresist film, and controls the heat source of the drying oven so that the amount is below the allowable amount. A signal to lower the temperature is fed back to the unit.
この暗反応測定器8は、赤外線照射部と反射した赤外線
の強度を測定する検出部及び演算回路や信号発生回路等
から構成されており、得られる反射スペクトルは凹凸を
有している。The dark reaction measuring device 8 is composed of an infrared irradiation section, a detection section for measuring the intensity of the reflected infrared rays, an arithmetic circuit, a signal generation circuit, etc., and the obtained reflection spectrum has irregularities.
ところで、暗反応が進行していない感光膜にて得られた
反射スペクトルを照合スペクトルとし、製造ラインで乾
燥後に実測された反射スペクトルとを比較する。赤外線
反射スペクトルは、種々の化学種の存在を示唆するもの
であるが、重クロム酸アンモニウムを使用した場合、6
価のクロムが紫外線照射にて3価のクロムに還元され、
感光膜が水に不溶になると同じく熱にても同様の変化が
起るため、Cr6+→Cr3+に相当する波長でのスペ
クトル強度を、乾燥後の感光膜で測定すれば良い。具体
的には、935cm−1近辺と890m−1の波長でク
ロム還元によるスペクトル変化が現われるが、感度の点
での波長が良い。Incidentally, the reflection spectrum obtained from the photoresist film in which the dark reaction has not progressed is used as a reference spectrum, and is compared with the reflection spectrum actually measured after drying on the production line. Infrared reflectance spectra suggest the presence of various chemical species, but when using ammonium dichromate, 6
The valent chromium is reduced to trivalent chromium by ultraviolet irradiation,
When a photoresist film becomes insoluble in water, a similar change occurs under heat, so the spectral intensity at a wavelength corresponding to Cr6+→Cr3+ can be measured on the photoresist film after drying. Specifically, spectral changes due to chromium reduction appear at wavelengths around 935 cm-1 and 890 m-1, but these wavelengths are good in terms of sensitivity.
第2図(a) 、(b)に示すように、製造ラインで実
測されたスペクトルの基線からの相対強度をIcとし、
暗反応の進行のない未露光の感光膜で得られた相対強度
をI「とし、暗反応進行量(Δd)は両者の強度比(I
c/Ir)とする。As shown in FIGS. 2(a) and (b), the relative intensity from the baseline of the spectrum actually measured on the production line is Ic,
The relative intensity obtained with an unexposed photoresist film in which no dark reaction has progressed is I', and the amount of dark reaction progress (Δd) is the intensity ratio of the two (I
c/Ir).
一方、測定毎に基線が動き誤差を生じ易い場合、935
cm−1より短波長の第1の山の基線からの強度をIO
として、I C−1c / I ’o及びIR−1r
/ I □を求め、暗反応進行量Δd−IC/IRとし
て求めても良い。Ir又はIRは事前に求められ、演算
回路内のメモリーに保管出来るようになっている。On the other hand, if the baseline tends to have movement errors for each measurement, 935
The intensity from the baseline of the first peak at a wavelength shorter than cm-1 is IO
As, I C-1c/I'o and IR-1r
/ I □ may be obtained and the dark reaction progress amount Δd-IC/IR may be obtained. Ir or IR can be determined in advance and stored in memory within the arithmetic circuit.
製造ラインで実測した値は、この演算回路に入り照合ス
ペクトルとのズレ量を算出され、得られたアナログ信号
をA−D変換器を通してディジタル信号に変えられる。The values actually measured on the manufacturing line enter this arithmetic circuit to calculate the amount of deviation from the reference spectrum, and the obtained analog signal is converted into a digital signal through an AD converter.
最終的に、この信号は乾燥炉のヒーター温度を調整する
制御部に送られ、電圧又は電流を可変する。つまり、ヒ
ーターの温度は、暗反応が進行しない又は許容量内の状
態で制御される。乾燥炉内のヒーターは、各ブロック毎
に分けられているが、この暗反応制御のための制御は乾
燥炉の最終ヒーターブロック部で行なう方が良い。又、
暗反応は高温に晒されている時間が長い程、進行量が多
く、乾燥炉上部に空冷ゾーンが設けられている炉構造の
場合には、冷風の温度又は風量を制御することも本方式
を用いて可能である。Finally, this signal is sent to a controller that adjusts the heater temperature of the drying oven, varying the voltage or current. That is, the temperature of the heater is controlled so that the dark reaction does not proceed or is within an allowable amount. The heaters in the drying oven are divided into blocks, but it is better to control this dark reaction in the final heater block of the drying oven. or,
The longer the dark reaction is exposed to high temperatures, the more it progresses.In the case of a furnace structure with an air cooling zone at the top of the drying furnace, this method can also be used to control the temperature or volume of cold air. It is possible using
尚、上記実施例では、連続帯状金属薄板1を垂直方向に
引き上げて感光膜を形成する方法への適用を例にあげた
が、従来例(第3図)の場合にも、適用出来る。In the above embodiment, the method of forming a photoresist film by vertically pulling up the continuous strip metal sheet 1 was given as an example, but the present invention can also be applied to the conventional example (FIG. 3).
又、表裏の暗反応量をチエツクし、個々に温度制御を行
なっても良いことは勿論である。Of course, it is also possible to check the amount of dark reaction on the front and back sides and control the temperature individually.
[発明の効果]
この発明によれば、シャドウマスク材である連続帯状金
属薄板の両生面に感光膜を形成する工程において、熱に
よる感光膜の暗反応進行を抑制しているので、後の感光
膜現像工程で、エツチングにより電子ビーム通過孔を穿
設する部分に相当するシャドウマスク素材が露出した部
分の寸法バラツキがなく、且つ感光膜が完全に除去され
るため、高品位のシャドウマスクを製造することが可能
である。[Effects of the Invention] According to the present invention, in the step of forming a photoresist film on both sides of a continuous strip-shaped thin metal plate that is a shadow mask material, progress of dark reaction of the photoresist film due to heat is suppressed, so that subsequent exposure to light is prevented. In the film development process, there is no dimensional variation in the exposed part of the shadow mask material corresponding to the part where the electron beam passage holes are made by etching, and the photoresist film is completely removed, producing a high-quality shadow mask. It is possible to do so.
第1図はこの発明の一実施例に係るシャドウマスクの製
造方法を示す概略構成図、第2図(a)、(b)はこの
発明における暗反応を測定する際の赤外線反射スペクト
ル図、第3図及び第4図は従来のシャドウマスクの製造
方法を示す概略構成図である。 1・・・連続帯状金属
薄板、2・・・脱脂チャンバー、3・・・水洗チャンバ
ー、4・・・塗布槽、5・・・シーズヒーターとインフ
ラスタインヒーター、6・・・乾燥炉、7・・・ターン
ローラー、8・・・暗反応測定器、9・・・巻取機。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Rス
第1図
第4図
液長(C酢1)
(a)
Δd=Ic/Ir orΔd=
第
F背反jごアリ
ヌ(1((辷、yl)
(b)
:IC/IR
2図FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a method for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention, FIGS. 3 and 4 are schematic configuration diagrams showing a conventional shadow mask manufacturing method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Continuous strip metal thin plate, 2... Degreasing chamber, 3... Washing chamber, 4... Coating tank, 5... Sheath heater and Infrastein heater, 6... Drying oven, 7... ... Turn roller, 8... Dark reaction measuring device, 9... Winding machine. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue RS Figure 1 Figure 4 Liquid length (C vinegar 1) (a) Δd=Ic/Ir or Δd= No. :IC/IR Figure 2
Claims (2)
洗後、感光性樹脂液を塗布して乾燥させることにより感
光性樹脂層を形成する工程を具備するシャドウマスクの
製造方法において、 上記感光性樹脂層を形成する際、熱による感光膜の暗反
応進行量を測定検出することにより、得られた信号を乾
燥炉の温度調節部にフィードバックし、暗反応の進行を
抑制するようにしたことを特徴とするシャドウマスクの
製造方法。(1) A method for manufacturing a shadow mask, which comprises at least the step of forming a photosensitive resin layer by applying a photosensitive resin liquid and drying both principal surfaces of a continuous strip-shaped thin metal plate after degreasing and washing with water. When forming a photoresist layer, the progress of the dark reaction in the photosensitive film due to heat is measured and detected, and the obtained signal is fed back to the temperature control section of the drying oven to suppress the progress of the dark reaction. A method for producing a shadow mask characterized by:
ルにて行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のシャドウマスクの製造方法。(2) The method for manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the measurement of the progress of the dark reaction is performed using an infrared reflection spectrum.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252111A JPH0195439A (en) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | Manufacture of shadow mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252111A JPH0195439A (en) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | Manufacture of shadow mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195439A true JPH0195439A (en) | 1989-04-13 |
Family
ID=17232637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62252111A Pending JPH0195439A (en) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | Manufacture of shadow mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0195439A (en) |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62252111A patent/JPH0195439A/en active Pending
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