JPH0195574A - 常電導量子効果素子 - Google Patents
常電導量子効果素子Info
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- JPH0195574A JPH0195574A JP62253018A JP25301887A JPH0195574A JP H0195574 A JPH0195574 A JP H0195574A JP 62253018 A JP62253018 A JP 62253018A JP 25301887 A JP25301887 A JP 25301887A JP H0195574 A JPH0195574 A JP H0195574A
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は常電導体によるジョセフソン効果型のトンネル
効果素子の構造に関する。
効果素子の構造に関する。
従来、ジョセフソン効果型のトンネル効果素子は、マイ
クロブリッジ部にはクーパー・ペアである２つの電子の
トンネル効果を用いるために超電導体を用いるのが通例
であった。
クロブリッジ部にはクーパー・ペアである２つの電子の
トンネル効果を用いるために超電導体を用いるのが通例
であった。
しかし、上記従来技術によると、超電導材を用いるため
に、冷却を要すると云う問題点があり、又、たとえ常温
での超電導材を用いたとしても、特性が不安定である等
の問題点があった。
に、冷却を要すると云う問題点があり、又、たとえ常温
での超電導材を用いたとしても、特性が不安定である等
の問題点があった。
本発明は−かかる従来技術の問題点をなくし、常温での
通常の導電体による１つの電子のトンネル現象によるジ
ョセフソン効果型トンネル素子を安定に生産できる素子
構造を提供する事を目的とする。
通常の導電体による１つの電子のトンネル現象によるジ
ョセフソン効果型トンネル素子を安定に生産できる素子
構造を提供する事を目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は常電導量子効果
素子に関し、シリコン基板上には絶縁膜を介して２０ｎ
ｍ径程度以上のピンホール部が形成され、該ピンホール
部には常電導体が埋め込まれて弱結合マイクロブリッジ
部を形成する手段とする。
素子に関し、シリコン基板上には絶縁膜を介して２０ｎ
ｍ径程度以上のピンホール部が形成され、該ピンホール
部には常電導体が埋め込まれて弱結合マイクロブリッジ
部を形成する手段とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示ず常電導量子効果素子の
断面図である。すなわち、Ｐ型またはＮ型、（１００）
結晶方位の単結晶から成るＳｉ基板１の表面には、熱酸
化等によりＳｉＯ□膜３が形成され、該ＳｉＯ□膜３に
は、２０ｎｍ程度のピンホールがイオンビーム露光ある
いは電子ビーム露光により形成され、該ピンホール部を
通して、あるいは予めイオン打込み等により形成された
拡散膜２上を下地配線層とすると共に、該拡散膜２上の
ピンホール部に、エピタキシャル法により形成した拡散
膜２と同一導電型の８１単結晶膜かあるいはＣＶＤ法等
で形成したＷＳｉ、ＴｉＳｉ等のシリサイドか、ＴｉＮ
型の窒化膜あるいはＴＩＷ等の合金膜、あるいはＷ等の
金属膜等の常電導膜によりマイクロブリッジ部４を形成
すると共に、該マイクロブリッジ部４の表面に接して、
前記常電導膜を形成するかあるいはｋｌ、ＡｎＳＣｕ等
の金属膜を形成して電極配線５となす。
断面図である。すなわち、Ｐ型またはＮ型、（１００）
結晶方位の単結晶から成るＳｉ基板１の表面には、熱酸
化等によりＳｉＯ□膜３が形成され、該ＳｉＯ□膜３に
は、２０ｎｍ程度のピンホールがイオンビーム露光ある
いは電子ビーム露光により形成され、該ピンホール部を
通して、あるいは予めイオン打込み等により形成された
拡散膜２上を下地配線層とすると共に、該拡散膜２上の
ピンホール部に、エピタキシャル法により形成した拡散
膜２と同一導電型の８１単結晶膜かあるいはＣＶＤ法等
で形成したＷＳｉ、ＴｉＳｉ等のシリサイドか、ＴｉＮ
型の窒化膜あるいはＴＩＷ等の合金膜、あるいはＷ等の
金属膜等の常電導膜によりマイクロブリッジ部４を形成
すると共に、該マイクロブリッジ部４の表面に接して、
前記常電導膜を形成するかあるいはｋｌ、ＡｎＳＣｕ等
の金属膜を形成して電極配線５となす。
第２図は本発明の他の実施例を示す常電導量子効果素子
の断面図である。すなわち、単結晶サファイヤ、あるい
は不変基板１１の表面に単結晶Ｓｉ膜１２を形成後、Ｓ
ｉｎ！膜１５等の絶縁膜をＣＶＤ法等により形成し、該
ＳｌＯ□膜１３にピンホールを開け、マイクロブリッジ
部１４を常電導体で形成し、その表面に接して、電極配
線１５を形成したものであり、本構造は第１図における
３次元素子配置にも適用てきるものである。
の断面図である。すなわち、単結晶サファイヤ、あるい
は不変基板１１の表面に単結晶Ｓｉ膜１２を形成後、Ｓ
ｉｎ！膜１５等の絶縁膜をＣＶＤ法等により形成し、該
ＳｌＯ□膜１３にピンホールを開け、マイクロブリッジ
部１４を常電導体で形成し、その表面に接して、電極配
線１５を形成したものであり、本構造は第１図における
３次元素子配置にも適用てきるものである。
本発明により、常温で安定に動作するジョセフソン効果
型のトンネル効果素子を量産的に生産できる効果がある
と共に、集積回路化を容易にする効果もある。
型のトンネル効果素子を量産的に生産できる効果がある
と共に、集積回路化を容易にする効果もある。
第１図及び第２図は、本発明の実施例を示す常電導量子
効果素子の断面図である。 １・・・・・・Ｓｌ基板 １１・・・・・・サファイヤ又は石英基板２・・・・・
・拡散層 １２・・・・・・Ｓｉ膜 ３．１３・・・・・・ＳｉＯ□膜 ４．１４・旧・・マイクロブリッジ部 ５．１５・・・・・・電極配線。 以上 １１図 客２図
効果素子の断面図である。 １・・・・・・Ｓｌ基板 １１・・・・・・サファイヤ又は石英基板２・・・・・
・拡散層 １２・・・・・・Ｓｉ膜 ３．１３・・・・・・ＳｉＯ□膜 ４．１４・旧・・マイクロブリッジ部 ５．１５・・・・・・電極配線。 以上 １１図 客２図
Claims (1)
- シリコン基板上には絶縁膜を介して２０ｎｍ径程度以
下のピンホール部が形成され、該ピンホール部には常電
導体が埋め込まれて弱結合マイクロブリッジ部が形成さ
れて成る事を特徴とする常電導量子効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253018A JPH0195574A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 常電導量子効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253018A JPH0195574A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 常電導量子効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195574A true JPH0195574A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17245340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62253018A Pending JPH0195574A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 常電導量子効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0195574A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008029180A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Toyota Motor Corp | 電源バックアップシステム |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62253018A patent/JPH0195574A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008029180A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Toyota Motor Corp | 電源バックアップシステム |
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