JPH0196385A - 無電解メツキの制御方法 - Google Patents

無電解メツキの制御方法

Info

Publication number
JPH0196385A
JPH0196385A JP63212667A JP21266788A JPH0196385A JP H0196385 A JPH0196385 A JP H0196385A JP 63212667 A JP63212667 A JP 63212667A JP 21266788 A JP21266788 A JP 21266788A JP H0196385 A JPH0196385 A JP H0196385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
time
substrate
true
bath
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63212667A
Other languages
English (en)
Inventor
Cherng-Dean Wu
チェルング−ディーン　ウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Magnetic Peripherals Inc
Original Assignee
Magnetic Peripherals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Magnetic Peripherals Inc filed Critical Magnetic Peripherals Inc
Publication of JPH0196385A publication Critical patent/JPH0196385A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/82—Disk carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般にメッキ及びメッキ過程の品質を制御す
る方法に関し、特に磁性メッキ膜の無電解付着を制御す
る方法に関するが、それに限定されるものではない。
〔従来の技術〕
−ｉにメモリーディスクのためのメッキ方法は二つの範
鴫に分けることができる：即ち電解メッキ（電気メッキ
）及び無電解メッキである。無電解メッキは、付着過程
で電流が含まれていない点で、電気メッキとは異なって
いる。反応のための駆動力は、溶液中の還元剤によって
供給される。
化学的に還元される反応は、もし温度が活性化エネルギ
ー障壁を越えるのに充分高ければ、全キツス自由エネル
ギーが低下する方向にだけ、自然的に進行する。従って
、無電解メッキの速度の従来の調節は、温度を一定に維
持することによって達成される０反応の速度は、温度の
変動によって起こされる問題のために、正確には観察及
び制御することはできない。これに対し、電気メッキ装
置へ入る電流は、どんな希望の水準にでも調節すること
ができる。
メッキは、メッキされる基材の表面状態に極めて影響を
受は易いことが知られている。清浄さ、粗さ等の如きデ
ィスク基材の変動は、磁気的付着のイールド分布（ｙｉ
ｅｌｄ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）に対し、決定的な
重要性をもつ。従って、ディスク基村上に無電解メッキ
されたコバルト薄膜の磁気的性質のイールド分布の制御
は、磁性ディスクの製造で大きな関心事である。
そのような磁性ディスクに関し、化学的に付着されたＣ
ｏ−ＰＭは、高密度記憶のための磁性層の一つとして以
前から認識されてきた。屡々用いられている付着方法は
、基本的には基材とメッキ溶液との間の界面で次亜燐酸
塩イオンによるＣｏ（Ｉｔ）の還元を含む無電解メッキ
である。この現象は、不均一系の性質をもち、メッキさ
れる膜のメッキ反応速度及び性質は、基材の表面状態及
び界面を横切る二重層の構造によって影響される。得ら
れるＣｏ−Ｐ膜の磁気的性質は燐含有量、結晶子の大き
さ及び厚さの複雑な関数であり、それらは今度はメッキ
条件、主に浴の配合、ｐＨ及び温度によって制御される
。
界面の性質は、溶液全体の性質によって著しく変化する
ので、メッキ過程、従って、磁気的性質を正確に制御す
ることは困難である。全体的に系を反映し、−層よい工
程制御を行うなめに容易に観察される因子を見付けるこ
とが極めて望ましい。
〔本発明の要約〕
本発明は、定常状態の表面電位に到達するのに必要な時
間を測定することにより浴の活性化時間を決定し、選択
されたメッキ用基材を、活性化時間に続いて起きること
が決定された真のメッキ時間にかける諸工程からなる無
電解メッキ方法の磁性メッキの改良されたイールド制御
を与える。
即ち、表面電位を測定することにより、Ｃｏ−Ｐ膜が付
着される無電解メッキ浴で、電位過渡現象が止まる時、
及び定常状態電位が起きる時を決定することができる。
−度び、定常状態電位に到達したならば、この電位の飛
躍は、真のメッキが始まったことを示すものである。活
性化時間より短い全メッキ時間である真のメッキ時間に
基づく選択された基材のためのメッキ時間を決定するこ
とにより、付着された基材の一層大きなイールド制御が
達成される。
従って、本発明の目的は、磁性膜の無電解付着をＭ７１
４する改良された方法を与えることである。
更に別の目的は、上述の目的を達成しながら、磁気的メ
ッキの一層大きなイールド制御のために容易に測定し、
観察される無電解メッキ因子を与えることである。
本発明の他の目的、特徴及び利点は、付図に関連して次
の記載を読むことにより明らかになるであろう。
〔本発明についての詳細な記述〕
本発明は、無電解付着方法で達成される磁気的性質の品
質に対する種々の因子の影響を研究するために行われた
研究の結果得られたものである。
これらの発見についての検討は本発明の利点を一層よく
理解するのに役立つと考えられるが、それは以下に記載
するやり方でメッキ時間を調節することにより、磁性膜
の一層狭いイールド分布を達成するために表面電位過渡
現象を測定することを含んでいる。　　− Ｃｏ−Ｐの磁性薄膜（約２ミクロインチ厚）を、アルミ
ニウムを基にしたＮ１−Ｐディスク基材上に次のＣｏ−
Ｐ磁性浴組成物を用いて無電解メッキにより形成した。
硼酸塩、　Ｎａ２Ｂ４０ｔ・１ＯＨ２０３１，９１０，
０８４クエン酸塩。
Ｎａ：＋Ｃ＋、ＨｓＯｔ・２Ｈ２０３９，９９０，１３
８コバルト、　ＣｏＳ　Ｏ＝　・７　Ｈ２０１２，７４
０，０４５次亜燐酸塩、　Ｎ　ａ　Ｈ２ＰＯ２−Ｈ２０
８，７５０，０８３（適切な性能を達成するために有効
な量の燐酸塩Ｎａ２ＨＰＯ＜・７Ｈ２０と共に） メッキ反応速度及び膜の性質は、基材の表面状態及び界
面を横切る二重層の構造の関数であることが知られてい
る。更に、Ｃｏ−Ｐ膜の磁性的性質は、燐含有量、結晶
子の大きさ及び厚さの複雑な関数であり、それらは今度
はメッキ条件、主に浴配合、ｐＨ及び温度によって制御
されることが知られている。メッキ中の基材の表面電位
は、界面の性質によって直接決定され、全体的に系を反
映する。この研究では、無電解Ｃｏ−Ｐメッキの表面電
位は、メッキ時間の関数として測定された。電位計はＮ
１−Ｐ基材及び参照電極に直接接続された６それは、無
電解メッキ過程では電流は流れていないので、基本的に
は開回路電位である。反応はＮ１−Ｐ基材上で起きるの
で、この電位は変化する。
溶液中の電位（ＩＲ）低下を最小にするため、参照電ｆ
ｌ！（Ａｇ−ＡｇＣＩ）は基材に近く配置し、距離は全
ての行われた測定に対し同じであった。
実施例１ 次の手順を用いてＮ１−Ｐ基材上にメッキを行った：（
１）３％Ｉ−（Ｎ　Ｏ、前処理１５秒；（２）エンボン
ド（Ｅ　ｎｂｏｎｄ）　Ｎ　５−３５アル力リ性クリー
ナー３分；　（３）コバルトメッキ９０秒；　（４）メ
ッキ浴のｐＨをＮ　ａ　ＯＨ／　Ｈ２Ｓ　Ｏ４を添加す
ることにより８．０５に調節した＝（５）実験の温度は
８℃〜８３℃の間で変えた。各前処理工程の間で脱イオ
ン水をスプレーすることによるすすぎを行った。特に記
述しない限り、磁性メッキを上記手順に従って行った。
メッキされた膜の磁気的性質、保磁力Ｈｅ及び残留歪み
・厚さ積（ｒｅｍａｎｅｎｃｅ−ｔｂｉｃｋｎｅｓｓｐ
ｒｏｄｕｃｔ）　Ｂ　ｒ−ｔを振動試料磁力計（ＶＳＭ
）で測定した。データーの結果を第一図に示すが、第一
図の殆どの結果は、二つの独立した実験の最小値を表し
、プロットを行うために平均値をとった。
無電解Ｃｏ−Ｐのための表面電位をＡｇ−ＡｇＣ１電極
を参照電極として用い、磁性メッキ中測定した。
異なった温度での表面電位過渡現象は、第１図に表わさ
れている。７４℃では、表面電位は成る時間の後、最終
的定常値へ飛躍することがわかった。
同じことは、もっと高い温度に対しても当てはまるが、
表面電位の飛躍はもっと早く起きる。最終的定常状態の
表面電位は同じ−０，８５Ｖで、表面電位が上昇した後
にだけ膜が磁性を示すことが認められることは興味のあ
ることである。表面電位が上昇するのに必要な時間は、
ここでは付着物の活性化時間又は核生成時間（ｔａｃｔ
）として定義し、後の記載から明らかになるように、基
体の表面状態によって影響される。
実施例２ 磁性メッキ実験を実施例１に記載した如く行った。但し
メッキ浴の温度は、７２°Ｃに保ち、基材試料の前処理
を次の間で変えた。
ａ、３％ＨＮＯ，−１５秒 エンボンドＮ５−３５　−　３分 ３０％ＨＣＩ　　　　　−３分 す、３％ＨＮ○、−１５秒 エンボンドＮ５−３５　−　３分 ＩＭ　　ＮａＯＨ−３分 ｃ、３％ＨＮＯ，−１５秒 エンボンドＮ５−３５　−　３分 各前処理工程の間で脱イオン水のスプレー°によるすす
ぎを行った。結果を第２図に示す。前処理を変えた効果
は明らかである。メッキ浴の温度は、各実験に対し７２
℃であった。データーはＨＣＩ前処理（曲線ａ）が他の
前処理（曲線す及びＣ）よりも−層早く活性化したこと
を物語っている。
第２図に反映した活性化時間は、がなり変化している。
ＭＣＩ前処理（曲線ａ）の場合、活性化時間（ｔａｃｔ
）は約５５秒であり、ＮａＯＨ前処理（曲線ｂ）の場合
、ｔａｃｔは約６５秒であり、通常のＨＮ○、／エンボ
ンド前処理の場合、ｔ、−は約７５秒であった。
実施例３ 上述の実施例１に記載した如く、磁性メッキ実験を行っ
た。但しメッキ浴のｐＨを、８５℃の温度のメッキ浴に
ついて変化させた。
データーは、活性化時間が約１８〜２８秒の間の非常に
狭い時間帯に入り、研究した一定の温度でのｐＨ調節の
影響を幾らか受けにくいことを示している。しかしｐＨ
値の増大は、表面電位を第３図の負の縦軸で上方へ移動
させる傾向がある（負の電位で絶対値が大きくなる）。
逆に見れば最終定常状態電位はｐＨ４が減少するにつれ
て正の方向へ変化する。
温度は、活性化時間に大きな影響を与えるが、最終定常
状態電位には影響を与えず、溶液のｐＨは定常状態電位
をかなり変化させるが、活性化時間はそうではないこと
が認められることは興味のあることである。
この例で磁気的性質のｐＨに対する依存性は第４図に示
されている。溶液のｐＨが７．０から増大するに従って
保持力（ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ）は増大し始め、ｐ　Ｈ
が８．１に到達した後、Ｈｃは急速に低下し始める。核
生成及び成長過程は、低いｐＨと高いｐＨでは非常に異
なっていることが知られている。粒径はｐＨが増大する
につれて減少し、これは最終的に非常に小さな粒径で超
常磁性範囲に近付くまで続く。
実施例４ 上記実施例１に記載した如く、磁性メッキを行なった。
但しメッキ浴の撹拌を変えた。メッキ浴の温度は、一定
の８３℃であった。
第５図は、メッキ浴を超音波撹拌の効果を、撹拌を行わ
なかった場合に得られた結果に対して示している。用い
られた超音波装置は、プランソニック・ウルトラソニッ
ク・クリーナー（ｂｒａｎｓｏｎ　ｉｃ旧ｔｒａｓｏｎ
ｉｃ　Ｃ１ｅａｎｅｒ）　Ｎｏ、２２０で５０／６０Ｈ
ｚ、１１７■、１２５Ｗであった。
第５゛図の曲線ａは、超音波撹拌を行わなかった浴でと
られたデーターを表す。曲線すは超音波撹拌を行った同
じ浴を示す。
撹拌は、金属のメッキでは、普通に用いられている。そ
れは濃度分極（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　ｐｏｌａ
ｒｉｚｎｔｉｏｎ）を減少させるために用いられてきて
おり、−層高いメッキ速度で一層細かい粒子の付着物を
もたらす。撹拌は、溶液の層状化及び気泡による筋を防
ぐのにも有用である。他の利点の中で付着物の円滑性及
び均一性を改善することも重要である。無電解メッキに
対する超音波撹拌の影響が基本的及び実際的目的のため
に研究された。メッキ工程中超音波エネルギーを適用す
ると、Ｎ　ｉ−Ｐ付着物の微細構造に大きな変化を与え
ることが文献に報告されているように、固さを得るのに
有用であることが知られている。亦、超音波撹拌で形成
されたＮ　ｉ−Ｐ付着物は、燐含有量が低い。
曲線ｂ（超音波撹拌を用いたもの）によって形成された
９０秒のメッキでメッキされた膜を、曲線ａのメッキさ
れた膜の如く分析し、−層高いＢ、−ｔ。
及び−層低いＨｃが撹拌された浴で経験されることが見
いだされた。−層正確には、Ｂ、−ｔの約６１％の増加
（１６７２５から２６９８４ガウス−ミクロインチ）は
、撹拌による一層早いメッキ反応速度に起因する。しか
しＨｃの約６７％（６５３から２１６０ｅ）の減少は、
微細構造の変化又はメッキされた膜中の燐が少ないこと
によると考えられる。
実施例５ ｐＨとメッキ温度の設定を除き、実施例１と同じメッキ
浴及び前処理を用いて磁気的メッキ実験を行った。Ｂ　
ｒ−を測定の結果を全（又は見掛けの）メッキ時間及び
次式から計算された真のメッキ時間の両方の関数として
分析した： （１）　　１１．＝１１−１．ｃ。
（式中、ｔｔｒは真のメッキ時間、ｔｔは全（又は見掛
けの）メッキ時間、Ｌａｅｔは活性化時間である）デー
ターは、見掛けのメッキ時間及び真のメッキ時間の関数
としてｎ　ｒ−を値と共に分析された。
結果は第６Ａ図及び第６Ｂ図に示されている。これらの
図は、真のメッキ時間だけが、Ｃｏ−Ｐ付着膜の磁性メ
ッキの制御に考慮される必要があることを示している。
要約すると、Ｎ１−Ｐ基材上の無電解Ｃｏ−Ｐメッキの
ための表面電位がＡ、−ＡｇＣ１参照電極を用いて磁性
メッキ中測定された。無電解Ｃｏ−Ｐメッキ過程の過渡
的電位は、ある時間（活性化時間）の後最終的定常値へ
飛躍し、膜はこの電位の飛躍の後にのみ、磁気的品質を
示した。このように電位の飛躍についての時間は表面電
位を観察することにより得ることができる。真の磁性メ
ッキ時間（１１、）は、実際の時間（ｔｔｒ　）−活性
化時間（ｔａｃｔ）に等しく、活性化時間は表面状態に
対し敏感である。
更に、第６Ａ図及び第６Ｂ図に与えらけなデーターは、
第６Ａ図のＢ　、−を領分布より狭いＢ　、−Ｌ領分布
が第６Ｂ図で得られたことを示している。第６Ｂ図のメ
ッキ実験は、表面電位の飛躍が起きる時間から真のメッ
キ時間を決定することにより制御された。
実施例７ 表１に示したメッキ洛中に６種類の基材を用いて磁性実
験を行った。メッキされる全てのディスクの電位は、全
てのディスクがメッキ中−緒に結合されていたので同じ
であったと考えられる。全ての基材が電気的に並列相互
結合で接続されるか又は分離できるように特別な保持器
を作った。基材のための前処理は、次の通りであった。
（ａ）　　３％ＨＮＯ１，１５秒 （ｂ）　３％Ｉ（ＮＯ３，１分 （ｃ）　３％ＨＮＯ１，１５秒士 アルカリ性Ｎ　５−３５．３０秒 （ｄ）　　３％ＨＮＯ，，１５秒＋ ７ルカリ性Ｎ　５−３５．１分 （ｅ）３０％ＬＩ　Ｃｌ浸漬 （ｆ）　　なし 同じメッキ実験を、基材の組について、第一に電気的に
相互結合して、第二に互いに離して並置して行った。こ
れらの実験の結果を第７Ａ図（基材はメッキ中電気的に
相互結合された）及び第７Ｂ図（基材は結合されなかっ
た）に示されている。
グラフはＶＳＭによって測定されたＢ−Ｈループからと
られた残留磁気−厚さ積に対する分極分布を反映してい
る。
個々の表面条件は異なっているが、表面電位の伝導性の
影響は、全ての表面について同じにされた。群内の狭い
イールド分布が、単にそれらディスクを接続しく第７Ａ
図）、電位飛躍を観察して真のメッキ時間を調べること
により得られた。
上記実施例は、本発明の重要な発見を例示している。即
ち、無電解磁性メッキで、もしメッキ時間を活性化時間
だけ別にし、真のメッキ時間だけに依存することにより
、狭いイールド分布が得られる。イールドの制御の困難
性は、基材表面状態で遭遇する大きな変動によるもので
あることが知られている。過渡的電位を測定し、真のメ
ッキ時間によって磁性メッキ過程を制御することにより
、これらの影響を最小にすることができる。
本発明は、表面電位を観察することによる無電解メッキ
浴の工程制御に関し、特に付着した磁性膜ガイールド分
布を狭くすることに関する。この電位過渡現像は、無電
解メッキの独特な現像であり、今まで考慮されていなか
った。本発明は、諸口的を達成し、ここで言及した最終
目的及び利点及び本発明に固有なそれらを達成するのに
充分適用されることは明らかである。本開示のために本
発明の現在好ましい態様を記載してきたが、当業者に容
易に示唆され、特許請求の範囲に規定された如く、ここ
に開示した本発明の範囲以内に入る数多くの変更を行う
ことができるであろう。
【図面の簡単な説明】
第１図は、無電解Ｃｏ−Ｐメッキの表面電位をメッキ時
間及び浴温度の関数として描いたグラフである。 第２図は、Ｃｏ−Ｐメッキの表面電位をメッキ時間及び
前処理の変化の関数として描いたグラフである。 第３図は、Ｃｏ−Ｐメッキの表面電位をメッキ時間及び
メッキ浴のｐ　ｔｒの変ｆヒの関数として描いたグラフ
である。 第４図は、Ｃｏ−ＰメッキについてＨｃとＢ　ｒ−ｔの
相互関係ををメッキ浴のｐＨの関数として描いたグラフ
である。 第５図は、無電解Ｃｏ−Ｐメッキの表面電位を、（ａ）
超音波を用いない場合、（ｂ）超音波撹拌を用いた場合
、について描いたグラフである。 第６Ａ図は、無電解メッキのＢ　ｒ−ｔを無電解Ｃｏ−
Ｐメッキの全時間の関数として描いたグラフであり、第
６Ｂ図は真のメッキ時間の関数として描いた同様なグラ
フである。 第７Ａ図は、電気的に相互結合され、同時にメッキした
６つの試料の無電解Ｃｏ−Ｐメッキについて極性分布対
残留磁気−厚さ積を描いた分布図であり、第７Ｂ図は、
試料の相互結合を行わなかった場合の同様な分布図であ
る。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）選択された基材上に付着した膜の磁気的品質を制
    御するため無電解メッキ浴を制御するための改良された
    方法において、 （ａ）メッキ基材の表面電位を測定し、 （ｂ）電位の増大のための活性化時間を決定し、そして （ｃ）前記基材を、式：ｔ＿ｔ＿ｒ＝ｔ＿ｔ−ｔ＿ａ＿
    ｃ＿ｔ（式中ｔ＿ｔ＿ｒは真のメッキ時間、ｔ＿ｔは全
    メッキ時間、ｔ＿ａ＿ｃ＿ｔは活性化時間である）によ
    つて計算された真のメッキ時間にかける、 諸工程からなる無電解メッキ制御方法。
  2. （２）無電解メッキ浴が、選択されたＣｏ−Ｐ付着膜を
    付着する浴である請求項１に記載の方法。
  3. （３）複数の基材を同時にメッキし、それら基材を電気
    的に相互に結合する請求項２に記載の方法。
  4. （４）活性化時間が予め決定され、次に基材を、 （ｄ）メッキ過程を観察して表面電位が飛躍した時を決
    定し、そして （ｅ）基材を真のメッキ時間メッキにかける、 諸工程によりメッキする請求項３に記載の方法。
  5. （５）基材上に磁性フィルムを付着させる無電解メッキ
    において、 過渡的に電位が減少し、定常状態の表面電位が生ずるメ
    ッキ活性化時間を決定し、そして前記活性化時間を越え
    て継続する、測定された予め定められた真のメッキ時間
    に基材をかける、ことからなる方法によってイールド分
    布を制御する改良方法。
JP63212667A 1987-09-23 1988-08-29 無電解メツキの制御方法 Pending JPH0196385A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US100317 1979-12-05
US07/100,317 US4810520A (en) 1987-09-23 1987-09-23 Method for controlling electroless magnetic plating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0196385A true JPH0196385A (ja) 1989-04-14

Family

ID=22279173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63212667A Pending JPH0196385A (ja) 1987-09-23 1988-08-29 無電解メツキの制御方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4810520A (ja)
EP (1) EP0309080A1 (ja)
JP (1) JPH0196385A (ja)
KR (1) KR890005666A (ja)
AU (1) AU2029788A (ja)

Families Citing this family (186)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2638283B2 (ja) * 1990-10-17 1997-08-06 日立化成工業株式会社 無電解めっき析出速度測定装置
US6410104B1 (en) * 1998-07-27 2002-06-25 Seagate Technology Llc Electroless nickel-phosphorous coatings with high thermal stability
US20030124256A1 (en) * 2000-04-10 2003-07-03 Omnishield, Inc. Omnishield process and product
US6645550B1 (en) * 2000-06-22 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Method of treating a substrate
US7138014B2 (en) 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US6824666B2 (en) * 2002-01-28 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method over sub-micron apertures
US6905622B2 (en) * 2002-04-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
US6899816B2 (en) * 2002-04-03 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
US20030207206A1 (en) * 2002-04-22 2003-11-06 General Electric Company Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon
US6821909B2 (en) * 2002-10-30 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Post rinse to improve selective deposition of electroless cobalt on copper for ULSI application
US7827930B2 (en) * 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7064065B2 (en) * 2003-10-15 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Silver under-layers for electroless cobalt alloys
US20070111519A1 (en) * 2003-10-15 2007-05-17 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US7465358B2 (en) * 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
WO2005038084A2 (en) * 2003-10-17 2005-04-28 Applied Materials, Inc. Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys
US20050095830A1 (en) * 2003-10-17 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys
US7205233B2 (en) * 2003-11-07 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Method for forming CoWRe alloys by electroless deposition
US20060003570A1 (en) * 2003-12-02 2006-01-05 Arulkumar Shanmugasundram Method and apparatus for electroless capping with vapor drying
US20050170650A1 (en) * 2004-01-26 2005-08-04 Hongbin Fang Electroless palladium nitrate activation prior to cobalt-alloy deposition
US20050181226A1 (en) * 2004-01-26 2005-08-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for selectively changing thin film composition during electroless deposition in a single chamber
US20060033678A1 (en) * 2004-01-26 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US20050161338A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Applied Materials, Inc. Electroless cobalt alloy deposition process
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US20050253268A1 (en) * 2004-04-22 2005-11-17 Shao-Ta Hsu Method and structure for improving adhesion between intermetal dielectric layer and cap layer
US7714441B2 (en) * 2004-08-09 2010-05-11 Lam Research Barrier layer configurations and methods for processing microelectronic topographies having barrier layers
US20060240187A1 (en) * 2005-01-27 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Deposition of an intermediate catalytic layer on a barrier layer for copper metallization
US20060246699A1 (en) * 2005-03-18 2006-11-02 Weidman Timothy W Process for electroless copper deposition on a ruthenium seed
WO2006102318A2 (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Applied Materials, Inc. Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide
US20060252252A1 (en) * 2005-03-18 2006-11-09 Zhize Zhu Electroless deposition processes and compositions for forming interconnects
US7651934B2 (en) 2005-03-18 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Process for electroless copper deposition
WO2007035880A2 (en) * 2005-09-21 2007-03-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming device features in an integrated electroless deposition system
US20070099806A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
US20070099422A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Kapila Wijekoon Process for electroless copper deposition
US20080079530A1 (en) * 2006-10-02 2008-04-03 Weidman Timothy W Integrated magnetic features
US7867900B2 (en) * 2007-09-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Aluminum contact integration on cobalt silicide junction
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2584816A (en) * 1948-08-17 1952-02-05 Matthew L Sands Electroplating control system
US4108739A (en) * 1973-09-04 1978-08-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Plating method for memory elements
US3950234A (en) * 1974-10-29 1976-04-13 Burroughs Corporation Method for electrodeposition of ferromagnetic alloys and article made thereby
US4132605A (en) * 1976-12-27 1979-01-02 Rockwell International Corporation Method for evaluating the quality of electroplating baths
US4310389A (en) * 1980-06-16 1982-01-12 Chrysler Corporation Method for simultaneous determination of thickness and electrochemical potential in multilayer plated deposits
US4472248A (en) * 1982-12-20 1984-09-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making thin-film magnetic recording medium having perpendicular anisotropy
DE3668915D1 (de) * 1985-02-28 1990-03-15 Uemura Kogyo Kk Verfahren und vorrichtung zum feststellen des beginns des stromlosen plattierungsvorgangs.
US4631116A (en) * 1985-06-05 1986-12-23 Hughes Aircraft Company Method of monitoring trace constituents in plating baths

Also Published As

Publication number Publication date
KR890005666A (ko) 1989-05-16
US4810520A (en) 1989-03-07
AU2029788A (en) 1989-03-23
EP0309080A1 (en) 1989-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4810520A (en) Method for controlling electroless magnetic plating
US6197364B1 (en) Production of electroless Co(P) with designed coercivity
CN102965719B (zh) 薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻
US4102756A (en) Nickel-iron (80:20) alloy thin film electroplating method and electrochemical treatment and plating apparatus
US4279707A (en) Electroplating of nickel-iron alloys for uniformity of nickel/iron ratio using a low density plating current
US3385725A (en) Nickel-iron-phosphorus alloy coatings formed by electroless deposition
Judge et al. Magnetic Properties and Corrosion Behavior of Thin Electroless Co‐P Deposits
Moradi et al. Electroless plating of Sn/Cu/Zn triple layer on AA6082 aluminum alloy
Paunovic et al. Fundamental considerations
US5141778A (en) Method of preparing aluminum memory disks having a smooth metal plated finish
US20170229533A1 (en) High resistivity iron-based, thermally stable magnetic material for on-chip integrated inductors
Gong et al. Composition gradients and magnetic properties of 5–100 nm thin CoNiFe films obtained by electrodeposition
CN101016650A (zh) 高矩形比磁性一维纳米线阵列的制备方法
JP2009538003A (ja) 軟磁性を有するフィルム
Brankovic et al. Critical parameters of solution design for electrodeposition of 2.4 T CoFe alloys
JP3826323B2 (ja) めっき磁性薄膜の製造方法
Sundararajan et al. Hydrogen mapping across crevices
Kolk et al. Magnetic Properties of 97 Fe‐3 Ni Thin Film Electroplate
Gao et al. Electrodeposition and characterization of magnetic Ni‐Fe thin films on InP (100) surfaces
JPH0515790B2 (ja)
Richards et al. Topography control of plated wire memory elements
JPH01211213A (ja) 磁気記録媒体
EP0025220A1 (en) Additive-free hard gold electroplating and resulting product
Radisic et al. Direct copper plating
US5182009A (en) Plating process