JPH0196517A - レーザビーム位置検出器 - Google Patents
レーザビーム位置検出器Info
- Publication number
- JPH0196517A JPH0196517A JP63208497A JP20849788A JPH0196517A JP H0196517 A JPH0196517 A JP H0196517A JP 63208497 A JP63208497 A JP 63208497A JP 20849788 A JP20849788 A JP 20849788A JP H0196517 A JPH0196517 A JP H0196517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- laser beam
- sector
- laser
- thermally
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
- B23K26/042—Automatically aligning the laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
免帆立宜遣
本発明は、レーザビームの位置合わせもしくは整列(ア
ラインメント)で用いられる検出器に関するものである
。特に、本発明は、高出力のレーザビームを整列するた
めの正確且つ廉価な熱線検出器の使用に関係している。
ラインメント)で用いられる検出器に関するものである
。特に、本発明は、高出力のレーザビームを整列するた
めの正確且つ廉価な熱線検出器の使用に関係している。
レーザの産業上の利用分野においては、時として、数フ
ィートにも達する大きな距離に亙りレーザビームを搬送
することが必要となる。レーザビームの搬送は、所望の
ビーム路に沿って適切にアラインメント即ち整列されて
いる幾つかのミラーその他の光学素子によりレーザビー
ムを偏向することによって達成することができる。この
ような機能を果たすためには、レーザビームを各光学素
子と適切に整列しなければならない、レーザビームが可
視光である場合、各光学素子の整列は、当該光学素子の
下流側に配置されている目標上のビーム位置を観察して
可視レーザビームが目標上の位置になるまで光学素子を
調整することにより遂行することができる。幾つかの事
例では、可視光でないレーザビームの整列もしくはアラ
インメントは、追跡ビームとして、典型的には、ヘリウ
ム−ネオン(HeNe)レーザのよな可視レーザビーム
を用いて達成されている。かかる事例では、HeNeレ
ーザビームを先ず、当業者には周知の技術を用いて主レ
ーザビームと整列する。しかる後、上記可視光追跡ビー
ム及び上述の標的照準技術を用いて光学素子を整列する
ことができる。
ィートにも達する大きな距離に亙りレーザビームを搬送
することが必要となる。レーザビームの搬送は、所望の
ビーム路に沿って適切にアラインメント即ち整列されて
いる幾つかのミラーその他の光学素子によりレーザビー
ムを偏向することによって達成することができる。この
ような機能を果たすためには、レーザビームを各光学素
子と適切に整列しなければならない、レーザビームが可
視光である場合、各光学素子の整列は、当該光学素子の
下流側に配置されている目標上のビーム位置を観察して
可視レーザビームが目標上の位置になるまで光学素子を
調整することにより遂行することができる。幾つかの事
例では、可視光でないレーザビームの整列もしくはアラ
インメントは、追跡ビームとして、典型的には、ヘリウ
ム−ネオン(HeNe)レーザのよな可視レーザビーム
を用いて達成されている。かかる事例では、HeNeレ
ーザビームを先ず、当業者には周知の技術を用いて主レ
ーザビームと整列する。しかる後、上記可視光追跡ビー
ム及び上述の標的照準技術を用いて光学素子を整列する
ことができる。
蒸気発生器における欠陥のある熱交換管内に補修用スリ
ーブをレーザ溶接する際に用いるレーザビーム搬送系の
開発においては、高出力の002レーザビームの位置を
監視するための検出器系を設けることが必要とされる。
ーブをレーザ溶接する際に用いるレーザビーム搬送系の
開発においては、高出力の002レーザビームの位置を
監視するための検出器系を設けることが必要とされる。
このようなレーザビームの整列もしくはアラインメント
を容易にするのに使用することができる種々の検出器が
開発されている。これ等の検出器には、光電検知デバイ
ス、熱検知デバイス、パイロ電気デバイスその他のデバ
イスが含まれる。検出器は、広範囲のレーザ波長及び出
力レベルに応答するが、高出力レーザに対する適用には
、それほど良好には適していない。
を容易にするのに使用することができる種々の検出器が
開発されている。これ等の検出器には、光電検知デバイ
ス、熱検知デバイス、パイロ電気デバイスその他のデバ
イスが含まれる。検出器は、広範囲のレーザ波長及び出
力レベルに応答するが、高出力レーザに対する適用には
、それほど良好には適していない。
このようなデバイスの内の幾つかのものは、単一の検知
素子から構成されており、従って、充分な精度でレーザ
ビームを整列するのには好適ではない。他の検出器とし
て、光電検知素子の線形アレイ或は二次元アレイからな
るものがあるが、この種の検出器は、複雑な分析回路を
必要とし得る。
素子から構成されており、従って、充分な精度でレーザ
ビームを整列するのには好適ではない。他の検出器とし
て、光電検知素子の線形アレイ或は二次元アレイからな
るものがあるが、この種の検出器は、複雑な分析回路を
必要とし得る。
また、光電検知型検出器は、破損し易く、本発明が企図
しているような適用例において出合う高出力レーザに対
し満足な仕方で応答することはできない。更に、光電検
知型検出器は、企図せる適用例に要求される形状及び寸
法に実現することができない。
しているような適用例において出合う高出力レーザに対
し満足な仕方で応答することはできない。更に、光電検
知型検出器は、企図せる適用例に要求される形状及び寸
法に実現することができない。
l帆立見1
本発明は、高出力CO□レーザを整列(アラインメント
)するのに適している比較的単純で低費用の感熱検出器
を提案するものである。また、この感熱検出器は、光学
系が不整列状態になったりレーザビームが所望のビーム
路から変動もしくはドリフトした場合に、レーザを停止
するll711信号を発生するのに使用することができ
るドリフト検出器として構成することもできる。本検出
器は、幾つかの素子へのレーザビームの入射により生ザ
しぬられる該素子の温度上昇を感知する複素子感熱デバ
イスである。
)するのに適している比較的単純で低費用の感熱検出器
を提案するものである。また、この感熱検出器は、光学
系が不整列状態になったりレーザビームが所望のビーム
路から変動もしくはドリフトした場合に、レーザを停止
するll711信号を発生するのに使用することができ
るドリフト検出器として構成することもできる。本検出
器は、幾つかの素子へのレーザビームの入射により生ザ
しぬられる該素子の温度上昇を感知する複素子感熱デバ
イスである。
更に、詳しく述べると、本検出器は、絶縁基板と、該基
板に取り付けられた熱伝導性の平面板とを備えている。
板に取り付けられた熱伝導性の平面板とを備えている。
この平面板は、それぞれ同じ形状及び面積を有する複数
の熱的に分離された扇型部分即ちセクタに分割される゛
。各セクタ毎に対応の感熱手段即ち感熱デバイスが設け
られる。各セクタは、対応の感熱デバイスと熱的接触関
係に置かれ、各感熱デバイスは、関連のセクタに入射す
るレーザエネルギーの量に比例する応答信号を発生し、
それにより、所′望ビーム路に対するレーザビームの不
整列の表示を発生する。
の熱的に分離された扇型部分即ちセクタに分割される゛
。各セクタ毎に対応の感熱手段即ち感熱デバイスが設け
られる。各セクタは、対応の感熱デバイスと熱的接触関
係に置かれ、各感熱デバイスは、関連のセクタに入射す
るレーザエネルギーの量に比例する応答信号を発生し、
それにより、所′望ビーム路に対するレーザビームの不
整列の表示を発生する。
t の;I
第1図は、高出力レーザビームB(破線で直円筒体の形
態で示しである)を位置合せもしくは整列するのに有用
である本発明の円板型位置検出器10の一実施例を示す
。この検出器10は、4つの同一の象限部分もしくはセ
クタSに分割されている。
態で示しである)を位置合せもしくは整列するのに有用
である本発明の円板型位置検出器10の一実施例を示す
。この検出器10は、4つの同一の象限部分もしくはセ
クタSに分割されている。
勿論、検出器10の4分割より少ないか又は多い分割も
可能であり、このような装置も本発明の範囲に包含され
るものと思われる。しかし、ここでは、図示及び説明の
目的で、検出器10は4つの象限部分もしくはセクタS
に分割されているものとする。
可能であり、このような装置も本発明の範囲に包含され
るものと思われる。しかし、ここでは、図示及び説明の
目的で、検出器10は4つの象限部分もしくはセクタS
に分割されているものとする。
第1図及び第2図に示しである検出器10は、その形状
が円形もしくは円板形状であるが、検出器10の機能は
必ずしもこのような形状に依存するものではない。例え
ば、正方形、長方形成は非対称形状のような形態でも機
能し得る。従って、このような形態の検出器も同様に本
発明の範囲に包含される・ものと考える。
が円形もしくは円板形状であるが、検出器10の機能は
必ずしもこのような形状に依存するものではない。例え
ば、正方形、長方形成は非対称形状のような形態でも機
能し得る。従って、このような形態の検出器も同様に本
発明の範囲に包含される・ものと考える。
第1図に示しである検出器10は、絶縁基板16に貼着
された熱伝導J112の積層板から構成されている。熱
伝導層12は、露出された前面14と、基板16に面す
る背面14′とを有している。第1図の実施例において
は、熱伝導層12は、約0.01〜0.015in(0
,254〜0.381mm)の間の公称厚さを有する薄
い金属箔であり、一方、基板16は、熱的及び電気的に
絶縁性の材料から形成されている。図示の実施例におい
ては、任意選択的に、露出した背面17を有する第2の
熱伝導層もしくは金属箔15を、基板16の背面16′
に貼着することもできる。
された熱伝導J112の積層板から構成されている。熱
伝導層12は、露出された前面14と、基板16に面す
る背面14′とを有している。第1図の実施例において
は、熱伝導層12は、約0.01〜0.015in(0
,254〜0.381mm)の間の公称厚さを有する薄
い金属箔であり、一方、基板16は、熱的及び電気的に
絶縁性の材料から形成されている。図示の実施例におい
ては、任意選択的に、露出した背面17を有する第2の
熱伝導層もしくは金属箔15を、基板16の背面16′
に貼着することもできる。
検出器10の幾何学的中心C6を横切って熱伝導層12
には直交スロット18が形成されており、それにより熱
伝導層12は4つの同一のセクタSに分割されている。
には直交スロット18が形成されており、それにより熱
伝導層12は4つの同一のセクタSに分割されている。
スロット18は、比較的狭幅であり、典型例においては
約0.01in(0,254m+*)の幅を有すると共
に、図示のように、熱伝導層12を分断してセクタSが
互いに熱的に分離されるように基板16に達する充分な
深さを有する。約0.045in(1,143mm)の
公称直径をそれぞれ有する4つの比較的小径の孔20(
第1図には1つの孔だけを示すに留とめた)が、第2の
熱伝導層15の背面17から基板16を貫通して、検出
器10に形成されている。これ等の孔20は、平坦な底
部24を有しており、好ましくは熱伝導層12の背面1
4′が露出する深さまで穿孔されている。尚、この穿孔
の際には、熱伝導層12が損傷されないように注意を払
わなければならない。孔20は、それぞれ、関連のセク
タSの幾何学的中心C1近傍に整列した位置で設けられ
ている。
約0.01in(0,254m+*)の幅を有すると共
に、図示のように、熱伝導層12を分断してセクタSが
互いに熱的に分離されるように基板16に達する充分な
深さを有する。約0.045in(1,143mm)の
公称直径をそれぞれ有する4つの比較的小径の孔20(
第1図には1つの孔だけを示すに留とめた)が、第2の
熱伝導層15の背面17から基板16を貫通して、検出
器10に形成されている。これ等の孔20は、平坦な底
部24を有しており、好ましくは熱伝導層12の背面1
4′が露出する深さまで穿孔されている。尚、この穿孔
の際には、熱伝導層12が損傷されないように注意を払
わなければならない。孔20は、それぞれ、関連のセク
タSの幾何学的中心C1近傍に整列した位置で設けられ
ている。
第1図及び第2図に示した検出器10においては、4つ
の感熱デバイス(感熱デバイス)26が、それぞれ孔2
0に1つずつ配設されて用いられている。これ等の感熱
デバイス26は、熱伝導性のエポキシ樹脂28により、
熱伝導層12の背面14°に貼着されている。本発明に
おいて有用である例示的な感熱デバイス26は、温度に
比例して変化する抵抗特性を有する周知のサーミスタで
ある。尚、“感熱デバイス”及び“サーミスタ”という
用語は互換的に用いることができ、適当である限りにお
いて、同じ参照数字で示しである。
の感熱デバイス(感熱デバイス)26が、それぞれ孔2
0に1つずつ配設されて用いられている。これ等の感熱
デバイス26は、熱伝導性のエポキシ樹脂28により、
熱伝導層12の背面14°に貼着されている。本発明に
おいて有用である例示的な感熱デバイス26は、温度に
比例して変化する抵抗特性を有する周知のサーミスタで
ある。尚、“感熱デバイス”及び“サーミスタ”という
用語は互換的に用いることができ、適当である限りにお
いて、同じ参照数字で示しである。
次に、第1図及び第2図を参照し本発明の検出器の動作
原理について説明する。光軸A−A’を有する破線で示
した円筒体で表されているレーザビームBは、検出器1
0の前面14に入射し、該レーザビームの幾分かは吸収
されて熱に変換され、その結果、個々のセクタSの温度
が上昇する。レーザビームBが円筒対称であって、図示
のように、円板型検出器10上1の幾何学的中心C6に
心出しされている場合には、セクタSの各々は、等量の
レーザビームを受は同じ温度増加を示す筈である。しか
し、レーザビームBが心出しされていない場合には、セ
クタSの内の幾つかは、他のセクタよりも大きいレーザ
ビームを受けることになり、従って、個々のセクタSの
温度は互いに異なってくる。
原理について説明する。光軸A−A’を有する破線で示
した円筒体で表されているレーザビームBは、検出器1
0の前面14に入射し、該レーザビームの幾分かは吸収
されて熱に変換され、その結果、個々のセクタSの温度
が上昇する。レーザビームBが円筒対称であって、図示
のように、円板型検出器10上1の幾何学的中心C6に
心出しされている場合には、セクタSの各々は、等量の
レーザビームを受は同じ温度増加を示す筈である。しか
し、レーザビームBが心出しされていない場合には、セ
クタSの内の幾つかは、他のセクタよりも大きいレーザ
ビームを受けることになり、従って、個々のセクタSの
温度は互いに異なってくる。
熱伝導層12の背面14゛と接触状態にあるサーミスタ
26は、それぞれ個別に当該サーミスタが取り付けられ
ている対応のセクタSの温度に応答する。
26は、それぞれ個別に当該サーミスタが取り付けられ
ている対応のセクタSの温度に応答する。
これ等のサーミスタ26の可変抵抗を検知する回路手段
(第9図を参照し追って詳述する)は、検出器10の幾
何学的中心C4に対するレーザビームBの位置を決定す
るのに利用することができる出力を発生する。例えば、
サーミスタ26の出力を比較してこれ等の出力が互いに
等しくなるまでレーザビームBを変位することにより、
該レーザビームBを円板型検出器10上に心出しするの
に移動しなければならない方向を決定することができる
。
(第9図を参照し追って詳述する)は、検出器10の幾
何学的中心C4に対するレーザビームBの位置を決定す
るのに利用することができる出力を発生する。例えば、
サーミスタ26の出力を比較してこれ等の出力が互いに
等しくなるまでレーザビームBを変位することにより、
該レーザビームBを円板型検出器10上に心出しするの
に移動しなければならない方向を決定することができる
。
動作において、第1図に示した検出器10は、その幾何
学的中心C6がレーザビームBの所望光路もしくはビー
ム路に位置するように配置される。該光路は、レーザビ
ームBの中心線もしくは中心軸線A−A’により表され
ている。レーザビームBが検出器10に対して正確に整
列している場合には、レーザビームBの光路A−A’は
、検出器10の幾何学的中心C6を通り、各セクタSが
等量のレーザエネルギーを受けることになる。検出器1
0に入射するレーザビームは、第1図において、l1f
flけした領域22a〜22dから形成される四半分円
として示しである。領域22a〜22dが互いに等しい
場合には、レーザビームBは適切に整列されていること
になる。
学的中心C6がレーザビームBの所望光路もしくはビー
ム路に位置するように配置される。該光路は、レーザビ
ームBの中心線もしくは中心軸線A−A’により表され
ている。レーザビームBが検出器10に対して正確に整
列している場合には、レーザビームBの光路A−A’は
、検出器10の幾何学的中心C6を通り、各セクタSが
等量のレーザエネルギーを受けることになる。検出器1
0に入射するレーザビームは、第1図において、l1f
flけした領域22a〜22dから形成される四半分円
として示しである。領域22a〜22dが互いに等しい
場合には、レーザビームBは適切に整列されていること
になる。
特定の1つのセクタSに入射するレーザビームBのエネ
ルギーは、熱伝導層12により当該セクタSに取り付け
られている特定の感熱デバイス26に伝達される。各感
熱デバイス26の応答信号は、各セクタSによって遮ら
れるレーザビームBの対応の領域もしくは面積22&〜
22dに比例し、従って該応答信号は、対応のセクタに
より吸収されるエネルギーに直接比例する。
ルギーは、熱伝導層12により当該セクタSに取り付け
られている特定の感熱デバイス26に伝達される。各感
熱デバイス26の応答信号は、各セクタSによって遮ら
れるレーザビームBの対応の領域もしくは面積22&〜
22dに比例し、従って該応答信号は、対応のセクタに
より吸収されるエネルギーに直接比例する。
第3図は、予め整列されているレーザビームBの不整列
を検出するための警報装置として使用することができる
リング型検出器40の形態にある本発明の別の実施例を
示す、尚、第3図においても、第1図及び第2図に示し
た対応の素子を表すのに同じ参照数字が用いられている
。検出器40は、該検出器40に比較的大きい中心開口
42が形成されている点を除けば、最も本質的な点に関
しては、第1図及び第2図に示した構成と同じである。
を検出するための警報装置として使用することができる
リング型検出器40の形態にある本発明の別の実施例を
示す、尚、第3図においても、第1図及び第2図に示し
た対応の素子を表すのに同じ参照数字が用いられている
。検出器40は、該検出器40に比較的大きい中心開口
42が形成されている点を除けば、最も本質的な点に関
しては、第1図及び第2図に示した構成と同じである。
開口42は、レーザビームBの半径R,よりも若干大き
い半径Rdを有している。差(R,−Rb)は、開口4
2に対するレーザビームBの許容し得るクリアランスC
4もしくはドリフトを表す。レーザビームBの光路A−
A’が、検出器40の中心C6と整列している時には、
レーザビームは、妨害されることなく開口42を通過す
る。レーザビームBがクリアランスC4より大きい量だ
け何れかの方向にドリフトすると、1つ又は2つ以上の
セクタSがレーザビームBを遮って加熱され、それによ
り、1つ又は2つ以上の感熱デバイス26に変化を生ぜ
しぬる。このように、レーザビームBがドリフトすると
、検出器40は検出可能な応答信号を発生し、それによ
り、補正処置を請することができる。
い半径Rdを有している。差(R,−Rb)は、開口4
2に対するレーザビームBの許容し得るクリアランスC
4もしくはドリフトを表す。レーザビームBの光路A−
A’が、検出器40の中心C6と整列している時には、
レーザビームは、妨害されることなく開口42を通過す
る。レーザビームBがクリアランスC4より大きい量だ
け何れかの方向にドリフトすると、1つ又は2つ以上の
セクタSがレーザビームBを遮って加熱され、それによ
り、1つ又は2つ以上の感熱デバイス26に変化を生ぜ
しぬる。このように、レーザビームBがドリフトすると
、検出器40は検出可能な応答信号を発生し、それによ
り、補正処置を請することができる。
通常、第1図に示しである円板型検出器10の動作にお
いては、レーザは、パルスレーザモードで作動するのが
望ましい。レーザの連続作動により、検出器10が、感
熱デバイス26の線形動作範囲を超えて加熱される恐れ
があり、実際、検出器10は損傷を受ける温度点まで加
熱される可能性がある。
いては、レーザは、パルスレーザモードで作動するのが
望ましい。レーザの連続作動により、検出器10が、感
熱デバイス26の線形動作範囲を超えて加熱される恐れ
があり、実際、検出器10は損傷を受ける温度点まで加
熱される可能性がある。
パルスレーザモードでの作動は、レーザ放出をパルス化
するか或はそれが不可能であれば、レーザビームの光路
に機械的なチョッパ(図示せず)を使用することにより
達成することができる。これ等の2つの技術は、レーザ
及び光学技術における専門家には良く知られているとこ
ろである。
するか或はそれが不可能であれば、レーザビームの光路
に機械的なチョッパ(図示せず)を使用することにより
達成することができる。これ等の2つの技術は、レーザ
及び光学技術における専門家には良く知られているとこ
ろである。
第3図に示したリング型検出器40の作動においては、
パルス動作は通常必要とされない。と言うのは、リング
型検出器40は、レーザビームがドリフトした後にのみ
生ずる温度上昇を検出するように企図されているからで
ある。温度が所与の限界を超えて上昇した時には、レー
ザを単に停止するだけでよい、第1図〜第3図に示した
実施例(並びに後述する第6図及び第8図に示した実施
例)に示しである熱伝導層12は、高い熱伝導率を有し
、しかも各セクタSの迅速な等温化を容易にする金属か
ら製造するのが好ましい」レーザパルスに対する検出器
の高速応答によれば、各セクタSの感度が該セクタに入
射するレーザビームエネルギーの分布に比較的に依存し
ないことが保証される。
パルス動作は通常必要とされない。と言うのは、リング
型検出器40は、レーザビームがドリフトした後にのみ
生ずる温度上昇を検出するように企図されているからで
ある。温度が所与の限界を超えて上昇した時には、レー
ザを単に停止するだけでよい、第1図〜第3図に示した
実施例(並びに後述する第6図及び第8図に示した実施
例)に示しである熱伝導層12は、高い熱伝導率を有し
、しかも各セクタSの迅速な等温化を容易にする金属か
ら製造するのが好ましい」レーザパルスに対する検出器
の高速応答によれば、各セクタSの感度が該セクタに入
射するレーザビームエネルギーの分布に比較的に依存し
ないことが保証される。
言い換えるならば、感熱デバイスの出力は、セクタSに
おいてレーザビームBが入射する箇所に依存すべきでは
ない。このような要件を満足する時間応答を有する金属
としては銅が挙げられる。この銅は、比較的廉価であり
、耐久性がり、しかも市販品として入手可能な印刷回路
(PC)板構造の一部分として種々の形態で容易に入手
可能である。
おいてレーザビームBが入射する箇所に依存すべきでは
ない。このような要件を満足する時間応答を有する金属
としては銅が挙げられる。この銅は、比較的廉価であり
、耐久性がり、しかも市販品として入手可能な印刷回路
(PC)板構造の一部分として種々の形態で容易に入手
可能である。
CO□レーザは、10.6ミクロンの光を放出する。
銅は熱エネルギーの良好な伝導体であるが、CO□レー
ザによって発生される10.6ミクロンの放射に対して
は非常に良好な反射体となる。従って、熱伝導層12と
して銅を用いると、該熱伝導[12の前面14に入射す
るレーザエネルギーの相当部分は反射によって損失され
、それにより感度も相応に低くなり得る1種々の吸収性
コーティングを付着することにより表面14の吸収率を
高める(反射率を減少する)べく試みたが、レーザビー
ムの強度が低下する傾向があるため、銅の吸収率に満足
な上昇は得られなかった。従って、このようなコーティ
ングは有効でないことが判明した。
ザによって発生される10.6ミクロンの放射に対して
は非常に良好な反射体となる。従って、熱伝導層12と
して銅を用いると、該熱伝導[12の前面14に入射す
るレーザエネルギーの相当部分は反射によって損失され
、それにより感度も相応に低くなり得る1種々の吸収性
コーティングを付着することにより表面14の吸収率を
高める(反射率を減少する)べく試みたが、レーザビー
ムの強度が低下する傾向があるため、銅の吸収率に満足
な上昇は得られなかった。従って、このようなコーティ
ングは有効でないことが判明した。
本発明においては、前面14の吸収性もしくは吸収率は
、熱伝導Jl!112にV字形の?11Gを設けること
により改良されることが判明した。第4A図〜第4B図
は、種々の溝の形態例を示す図である。溝Gは、以下に
述べるように、例として示す異なった夾角で傾いている
壁Wを有する。即ち第4八図の例においては、A=70
”、第4B図の例においては、A=60°、第4C図の
例においては、A=40”、そして第4D図の例ではA
=30°である。入射レーザビームB、は、各消と相互
作用して壁Wから、n回、レーザビームBrl Br
nとして反射される。明らかなように、入射レーザビー
ムB、が、n番目の反射ビームBreとして前面14か
ら反射される前に反射される回数nは、?lIGの壁W
間の夾角Aが減少するに伴い増加する。このような各反
射毎に、レーザエネルギーの幾分かが吸収される。nが
増加すると、前面14の吸収率、従って検出器の感度は
増加する。
、熱伝導Jl!112にV字形の?11Gを設けること
により改良されることが判明した。第4A図〜第4B図
は、種々の溝の形態例を示す図である。溝Gは、以下に
述べるように、例として示す異なった夾角で傾いている
壁Wを有する。即ち第4八図の例においては、A=70
”、第4B図の例においては、A=60°、第4C図の
例においては、A=40”、そして第4D図の例ではA
=30°である。入射レーザビームB、は、各消と相互
作用して壁Wから、n回、レーザビームBrl Br
nとして反射される。明らかなように、入射レーザビー
ムB、が、n番目の反射ビームBreとして前面14か
ら反射される前に反射される回数nは、?lIGの壁W
間の夾角Aが減少するに伴い増加する。このような各反
射毎に、レーザエネルギーの幾分かが吸収される。nが
増加すると、前面14の吸収率、従って検出器の感度は
増加する。
従って、溝Gの角度Aを小さくするのが望ましい。
本発明によれば、熱伝導層12の前面14に容易に研削
加工することができる溝には、実際上、限界が存在する
と考えられる。実際に試験した装置においては、約30
°の夾角Aを用いた(第4D図参照)。
加工することができる溝には、実際上、限界が存在する
と考えられる。実際に試験した装置においては、約30
°の夾角Aを用いた(第4D図参照)。
この溝Gの幅れは約0.02in(約0.51mm)で
あり、また、深さDlは約0.004in(約0.10
1611N)である。溝Gは、熱伝導層12の前面14
上に蓄音機レコードの形態に類似する螺旋状パターンで
研削されている(第6B図参照〉0本発明の範囲内で他
の渭パターンを採用することも可能である1本明細書の
末尾に添付された参考写真は、例示的な検出器の前面に
おけるfiGを示すm微鏡写真を示している。
あり、また、深さDlは約0.004in(約0.10
1611N)である。溝Gは、熱伝導層12の前面14
上に蓄音機レコードの形態に類似する螺旋状パターンで
研削されている(第6B図参照〉0本発明の範囲内で他
の渭パターンを採用することも可能である1本明細書の
末尾に添付された参考写真は、例示的な検出器の前面に
おけるfiGを示すm微鏡写真を示している。
第5八図〜第5C図には、本発明の検出器60の別の実
施例が示しである。尚、第1図に示したものと対応の要
素を表す参照数字は、第1図に用いられている参照数字
と同じである。第5^図〜第5C図に示した検出器60
は、印刷回路(PC)板材料から形成されている。検出
器60は、基板16と、該基板16に接着された銅から
なる第1の層もしくは下層12a及び該下層12aにろ
う付けされた銅からなる第2の層もしくは上層12tか
ら形成されている積層伝導層12を備えている。上層1
2tは、伝導層12内の熱伝達を改良する。銅からなる
第2の層もしくは背N15が、周知の仕方で基板16の
背面16゛に付着されている。上層12tは、その露出
面もしくは前面に形成された30’の溝Gを有する(第
4D図)。伝導層12には直交スロット18が形成され
ていて、それにより4つの個別のセクタSが画成されて
いる。
施例が示しである。尚、第1図に示したものと対応の要
素を表す参照数字は、第1図に用いられている参照数字
と同じである。第5^図〜第5C図に示した検出器60
は、印刷回路(PC)板材料から形成されている。検出
器60は、基板16と、該基板16に接着された銅から
なる第1の層もしくは下層12a及び該下層12aにろ
う付けされた銅からなる第2の層もしくは上層12tか
ら形成されている積層伝導層12を備えている。上層1
2tは、伝導層12内の熱伝達を改良する。銅からなる
第2の層もしくは背N15が、周知の仕方で基板16の
背面16゛に付着されている。上層12tは、その露出
面もしくは前面に形成された30’の溝Gを有する(第
4D図)。伝導層12には直交スロット18が形成され
ていて、それにより4つの個別のセクタSが画成されて
いる。
背層15は、直径方向に延びるスロット64と円形のス
ロット66とにより8つの内側のセクタ62i及び8つ
の外側のセクタ62oに分割されている。背側17から
背層15を貫通し且つ基板16を貫通して穿孔された孔
20は、第5B図に示すように、下層12uの背側面1
2u′に当接する平坦な底部24で終端している。細い
出力リード!68を有する感熱デバイス、例えば、サー
ミスタ26は、熱伝導層12と熱伝達接触関係で各孔2
0内に配設されている。サーミスタ26は、第5八図〜
第5C図には示されていない検出回路に接続されている
(第8図参照)6サーミスタ26からの細いリード線は
、第5B図〜第5C図に示すように、それぞれ1つずつ
隣接の内側セクタ62iにろう付けされている。出力リ
ード線70は、第5C図示すように、内側のセクタ62
iにろう付けすることによりサーミスタのリード線68
に選択的に接続れる。このようにして、内側セクタ62
iは、サーミスタ26を外部回路に取り付けるための歪
み発生防止接触点としての働きをする。他のセクタ62
0も、所望ならば同じ目的に使用することができよう。
ロット66とにより8つの内側のセクタ62i及び8つ
の外側のセクタ62oに分割されている。背側17から
背層15を貫通し且つ基板16を貫通して穿孔された孔
20は、第5B図に示すように、下層12uの背側面1
2u′に当接する平坦な底部24で終端している。細い
出力リード!68を有する感熱デバイス、例えば、サー
ミスタ26は、熱伝導層12と熱伝達接触関係で各孔2
0内に配設されている。サーミスタ26は、第5八図〜
第5C図には示されていない検出回路に接続されている
(第8図参照)6サーミスタ26からの細いリード線は
、第5B図〜第5C図に示すように、それぞれ1つずつ
隣接の内側セクタ62iにろう付けされている。出力リ
ード線70は、第5C図示すように、内側のセクタ62
iにろう付けすることによりサーミスタのリード線68
に選択的に接続れる。このようにして、内側セクタ62
iは、サーミスタ26を外部回路に取り付けるための歪
み発生防止接触点としての働きをする。他のセクタ62
0も、所望ならば同じ目的に使用することができよう。
第6図は、周囲温度補償サーミスタ72(1つだけ示す
)が設けられている点を除いて、第5八図〜第5C図に
示した検出器60と同じ構造の検出器60″示す、この
検出器60”(第6図)においては、サーミスタ26は
、該検出器60′の個々のセクタSの温度変化を監視す
る。各サーミスタ26は、上述のように基板材料に穿孔
された孔20内に埋設されている。各サーミスタ26は
、レーザビームの吸収によって生ずる対応のセクタSに
おける温度変化を検出するばかりではなく、更に、周囲
温度における変動に対しても感度を有する。周囲温度に
対するこの感度は望ましくない、と言うのは、各サーミ
スタ26の抵抗値レベルに殆ど連続的な変動が生じ、入
射レーザビームにより誘起される温度信号の解読を困難
にするからである。この問題を克服するために、周囲温
度補償サーミスタ72(以下、補償サーミスタ72と称
する)が各セクタS毎に設けられている(第6図参照)
、尚、第6図には、1つの補償サーミスタと1つのセク
タSだけを示すに留とめた。補償サーミスタ72は、例
えば、各対応のセクタSの背側で、検出器60′の背層
15に形成されている1つの外側セクタ62oと接触関
係で各セフタSに1つずつ設けられる。このようにして
、各補償サーミスタ、72は、それぞれの各セクタSの
周囲温度の変化に個別に応答する。適当な検出回路(第
8図参照)に接続することにより、周囲温度変化の作用
を無視することができる。周囲温度の変動が、検出器6
0゛の出力に対して殆ど或は全く影響を有しないので、
長期間に亙り検出器60°の安定した動作を達成するこ
とができる。
)が設けられている点を除いて、第5八図〜第5C図に
示した検出器60と同じ構造の検出器60″示す、この
検出器60”(第6図)においては、サーミスタ26は
、該検出器60′の個々のセクタSの温度変化を監視す
る。各サーミスタ26は、上述のように基板材料に穿孔
された孔20内に埋設されている。各サーミスタ26は
、レーザビームの吸収によって生ずる対応のセクタSに
おける温度変化を検出するばかりではなく、更に、周囲
温度における変動に対しても感度を有する。周囲温度に
対するこの感度は望ましくない、と言うのは、各サーミ
スタ26の抵抗値レベルに殆ど連続的な変動が生じ、入
射レーザビームにより誘起される温度信号の解読を困難
にするからである。この問題を克服するために、周囲温
度補償サーミスタ72(以下、補償サーミスタ72と称
する)が各セクタS毎に設けられている(第6図参照)
、尚、第6図には、1つの補償サーミスタと1つのセク
タSだけを示すに留とめた。補償サーミスタ72は、例
えば、各対応のセクタSの背側で、検出器60′の背層
15に形成されている1つの外側セクタ62oと接触関
係で各セフタSに1つずつ設けられる。このようにして
、各補償サーミスタ、72は、それぞれの各セクタSの
周囲温度の変化に個別に応答する。適当な検出回路(第
8図参照)に接続することにより、周囲温度変化の作用
を無視することができる。周囲温度の変動が、検出器6
0゛の出力に対して殆ど或は全く影響を有しないので、
長期間に亙り検出器60°の安定した動作を達成するこ
とができる。
本発明の教示に従って製造された検出器の各セクタSに
2つ以上の感熱デバイス26を使用するのが有用もしく
は望ましいような用途例があり得る。
2つ以上の感熱デバイス26を使用するのが有用もしく
は望ましいような用途例があり得る。
この種の事例においては、既述のように、基板16に形
成された適当に設けられている開口或は孔20内に複数
個の並列に接続した感熱デバイス26を配設することが
可能である。このような多重感熱デバイス26の配役は
、セクタSの中心C1の回りに対称的に設けることもで
きるし、或は、例えば開口42(第3図)の周縁近傍に
設けることもできよう。
成された適当に設けられている開口或は孔20内に複数
個の並列に接続した感熱デバイス26を配設することが
可能である。このような多重感熱デバイス26の配役は
、セクタSの中心C1の回りに対称的に設けることもで
きるし、或は、例えば開口42(第3図)の周縁近傍に
設けることもできよう。
従って、上述のように個々のセクタSに対し複数個の感
熱デバイス26を設けることも、本発明の教示するとこ
ろである。
熱デバイス26を設けることも、本発明の教示するとこ
ろである。
第7図の展開斜視図には、円板型検出器60°を保持す
るためのプラスチック製ハウジング80の一例が示しで
ある。該ハウジング80は、検出器60゛の上部外縁8
6に係合するように設計された内孔84を有する保持リ
ング82を備えている。ハウジング82の本体部分88
は、検出器60′の前面14が本体部分8日の前面92
と同面関係になるように検出器60゜を受けるために、
前面92に形成された段状開口もしくは座部90を有し
ている。本体部分88には出力導体70及びコネクタも
しくは多重配線プラグ98を収容するための内部室94
が形成されている。プラグ98は本体部分88に設けら
れている側部開口100内に嵌着することができる。プ
ラグ98と接続するプラグ104 のリード線102
は、検出器60’を回路手段(第7図には図示せず)に
接続する。内部室94は背部カバー106により閉ざさ
れる。保持リング84及び背部カバー106 は、図
示のようにねじ108により本体部分88に固定されて
いる。
るためのプラスチック製ハウジング80の一例が示しで
ある。該ハウジング80は、検出器60゛の上部外縁8
6に係合するように設計された内孔84を有する保持リ
ング82を備えている。ハウジング82の本体部分88
は、検出器60′の前面14が本体部分8日の前面92
と同面関係になるように検出器60゜を受けるために、
前面92に形成された段状開口もしくは座部90を有し
ている。本体部分88には出力導体70及びコネクタも
しくは多重配線プラグ98を収容するための内部室94
が形成されている。プラグ98は本体部分88に設けら
れている側部開口100内に嵌着することができる。プ
ラグ98と接続するプラグ104 のリード線102
は、検出器60’を回路手段(第7図には図示せず)に
接続する。内部室94は背部カバー106により閉ざさ
れる。保持リング84及び背部カバー106 は、図
示のようにねじ108により本体部分88に固定されて
いる。
本発明による検出器の種々の実施例にとって有用である
回路手段もしくは電気制御回路を構成するのには種々の
態様がある。使用される特定の回路手段は、用いられる
検出器の形式と該検出器が遂行すべき機能とに依存する
。しかし、このような回路は、電子設計技術分野におけ
る専門家には良く知られている回路である。本明細書に
開示した構成、特に、第6図に示した周囲温度補償検出
器60°と共に使用するのに有用である回路110
の−例が第8図に簡略なブロック形態で示しである。
回路手段もしくは電気制御回路を構成するのには種々の
態様がある。使用される特定の回路手段は、用いられる
検出器の形式と該検出器が遂行すべき機能とに依存する
。しかし、このような回路は、電子設計技術分野におけ
る専門家には良く知られている回路である。本明細書に
開示した構成、特に、第6図に示した周囲温度補償検出
器60°と共に使用するのに有用である回路110
の−例が第8図に簡略なブロック形態で示しである。
この回路110は、それぞれ、検出器60の1つの対応
のセクタSに応答する4つのブリッジ回路112を備え
ている。各ブリッジ回路112は、2つの固定基準イン
ピーダンス114と可変インピーダンス116及び11
8とを有する。
のセクタSに応答する4つのブリッジ回路112を備え
ている。各ブリッジ回路112は、2つの固定基準イン
ピーダンス114と可変インピーダンス116及び11
8とを有する。
可変インピーダンス116は、(抵抗を表す記号を取り
巻く点線で示しである)サーミスタ26の可変抵抗を表
す、各サーミスタ26は、個別に、それぞれ対応のセフ
、りSの熱伝導層12における温度変化を検知する、ま
た、可変インピーダンス118は、(抵抗を表す記号を
取囲む点線で表されてる)補償サーミスタ72のインピ
ーダンスを表す、各補償サーミスタ72は、それぞれ対
応のセクタSの周囲温度を検知する。
巻く点線で示しである)サーミスタ26の可変抵抗を表
す、各サーミスタ26は、個別に、それぞれ対応のセフ
、りSの熱伝導層12における温度変化を検知する、ま
た、可変インピーダンス118は、(抵抗を表す記号を
取囲む点線で表されてる)補償サーミスタ72のインピ
ーダンスを表す、各補償サーミスタ72は、それぞれ対
応のセクタSの周囲温度を検知する。
各ブリッジ112には、入力電圧vlが供給されて、各
ブリッジ112 は、可変インピーダンス116及び
118の値における変化もしくは変動に応答して対応の
出力電圧Vo、−Voaを発生する1周囲もしくは環境
条件下で、可変インピーダンス116.118の抵抗値
は、互いに、周囲温度の変化に追従する。レーザビーム
が1つ又は2つ以上のセクタSに入射すると、対応のサ
ーミスタ26の可変インピーダンス116は、対応の補
償サーミスタ72の可変インピーダンス118とは異な
った速度で変化し、それにより、対応のブリッジ112
は不平衡になり、対応の出力Vo、VOaを変化せしめ
る。しかし、サーミスタ26及び補償サーミスタ72は
双方共に周囲温度に対して感度を有するので、対応のセ
クタSの温度変化によって生ぜしめられるブリッジ11
2の不平衡状態は、周囲温度における変動により影響を
受けない。従って、出力電圧Vo、−Voaの変化の大
きさは、特定のセクタSに入射するレーザビーム量だけ
を表す尺度となり、レーザビームBの相対的不整列の測
定量となる。レーザビームBが整列している時には、出
力信号Vow−Voaにおける相対的変化は、各ブリッ
ジ112に対して同一である。
ブリッジ112 は、可変インピーダンス116及び
118の値における変化もしくは変動に応答して対応の
出力電圧Vo、−Voaを発生する1周囲もしくは環境
条件下で、可変インピーダンス116.118の抵抗値
は、互いに、周囲温度の変化に追従する。レーザビーム
が1つ又は2つ以上のセクタSに入射すると、対応のサ
ーミスタ26の可変インピーダンス116は、対応の補
償サーミスタ72の可変インピーダンス118とは異な
った速度で変化し、それにより、対応のブリッジ112
は不平衡になり、対応の出力Vo、VOaを変化せしめ
る。しかし、サーミスタ26及び補償サーミスタ72は
双方共に周囲温度に対して感度を有するので、対応のセ
クタSの温度変化によって生ぜしめられるブリッジ11
2の不平衡状態は、周囲温度における変動により影響を
受けない。従って、出力電圧Vo、−Voaの変化の大
きさは、特定のセクタSに入射するレーザビーム量だけ
を表す尺度となり、レーザビームBの相対的不整列の測
定量となる。レーザビームBが整列している時には、出
力信号Vow−Voaにおける相対的変化は、各ブリッ
ジ112に対して同一である。
各ブリッジ112の出力端は、インピーダンス整合回路
及び増幅回路(図示を省略しているが当業者には周知の
回路である)を備えている調整回路(CR)120に接
続されている。該調整回路120は、それぞれの調整さ
れた出力V、−V、を発生し、これ等の出力は、例えば
、コンピュータ制御部(CPU)122、ディジタル電
圧計(DVt4) 124及び光学的バー表示袋M12
6を含む種々の出力装置の1つ又は2つ以上の装置に供
給することができる。更に、各セクタの温度の最大変化
を検出し監視することができるように、各調整出力Vo
*−Voaのピーク値(波高値)を検出し保持するため
のピーク検出器(PD) 128を各調整回路120毎
に設けることができる。ピーク検出回路128の出力は
、スイッチ(図示せず)によりコンピュータ制御部12
2、ディジタル電圧計124及び光学的バー表示装置1
26と回路を形成するように接続することができる。こ
れにより、システムを運転している観察者は、各セクタ
Sのピーク温度値を観察し、それによりレーザビームの
整列状態を相応に調整することができる。自動制御が望
まれる場合には、コンピュータ122の出力130を用
いて自動調整装置(図示せず)を駆動することが可能で
あろう。
及び増幅回路(図示を省略しているが当業者には周知の
回路である)を備えている調整回路(CR)120に接
続されている。該調整回路120は、それぞれの調整さ
れた出力V、−V、を発生し、これ等の出力は、例えば
、コンピュータ制御部(CPU)122、ディジタル電
圧計(DVt4) 124及び光学的バー表示袋M12
6を含む種々の出力装置の1つ又は2つ以上の装置に供
給することができる。更に、各セクタの温度の最大変化
を検出し監視することができるように、各調整出力Vo
*−Voaのピーク値(波高値)を検出し保持するため
のピーク検出器(PD) 128を各調整回路120毎
に設けることができる。ピーク検出回路128の出力は
、スイッチ(図示せず)によりコンピュータ制御部12
2、ディジタル電圧計124及び光学的バー表示装置1
26と回路を形成するように接続することができる。こ
れにより、システムを運転している観察者は、各セクタ
Sのピーク温度値を観察し、それによりレーザビームの
整列状態を相応に調整することができる。自動制御が望
まれる場合には、コンピュータ122の出力130を用
いて自動調整装置(図示せず)を駆動することが可能で
あろう。
また、第3図に示しであるドリフト検出器40を設けて
、時間の関数としてレーザビームBの位置を監視するた
めに、第8図と関連して説明した回路に入力V、を供給
することができる。第8図に示した回路110にはリセ
ット、零点復帰及び校正回路を設けることができる。そ
のための手段は、当業者には良く知られているところで
あるのでここでは詳述しない。
、時間の関数としてレーザビームBの位置を監視するた
めに、第8図と関連して説明した回路に入力V、を供給
することができる。第8図に示した回路110にはリセ
ット、零点復帰及び校正回路を設けることができる。そ
のための手段は、当業者には良く知られているところで
あるのでここでは詳述しない。
上述のピーク検出回路128は、その種々の実施形態に
おいて、本発明の検出器が、入射レーザビームの存在或
は不存在に対して迅速に応答し、それにより、各検出セ
クタの信号出力は最初に最大値に上昇し、次いでレーザ
パルスの終末で迅速に減衰する。各セクタの温度が周囲
温度に戻ると、対応のピーク検出回路128は、各セク
タ毎に対応の出力V、−V、の最大値を保持する。それ
により、取扱者は、ディジタル電圧計124又は光学的
バー表示装置126における読み量を観察することによ
り各セクタの温度の最大変化を認識してビーム整列状態
を調整することができる。また、各セクタS゛の出力の
瞬時記録を観察し、所望ならば、適当な手段(図示せず
、例えばペン記録装置)により記録することができよう
。
おいて、本発明の検出器が、入射レーザビームの存在或
は不存在に対して迅速に応答し、それにより、各検出セ
クタの信号出力は最初に最大値に上昇し、次いでレーザ
パルスの終末で迅速に減衰する。各セクタの温度が周囲
温度に戻ると、対応のピーク検出回路128は、各セク
タ毎に対応の出力V、−V、の最大値を保持する。それ
により、取扱者は、ディジタル電圧計124又は光学的
バー表示装置126における読み量を観察することによ
り各セクタの温度の最大変化を認識してビーム整列状態
を調整することができる。また、各セクタS゛の出力の
瞬時記録を観察し、所望ならば、適当な手段(図示せず
、例えばペン記録装置)により記録することができよう
。
本発明の検出器の内の任意の検出器の中心に対するレー
ザビームBの再位置付けもしくは再整列に必要とする情
報を取扱者に与えるのに、各セクタS毎の出力V、−V
、を相関するのに有用である数学的解決は種々ある。第
9図は、X軸を表す水平線が第1図に示すスロット18
のような水平のスロットに対応し、Y軸又は垂直線が第
1図に示す垂直スロット18を表し、検出器10をそれ
ぞれQ、、Q2、Q、及びq、で示した4つのセクタS
に分割した直角座標系が示しである。各セクタSは、そ
れと熱伝達接触関係で対応の感熱デバイス26を備えて
おり、各感熱デバイス26の出力は第8図に示しである
回路によって検出されて、各″A整回路120がら出力
V、〜v6として発生されるものと仮定する。Qlで示
したセクタSは、出力v1に関連する。同様にして、Q
2で示したセクタSから出力vbが得られ、Q、で示し
たセクタSから出力V、が得られ、そしてQ4で示した
セクタSから出力v6が得られる。B1で示したレーザ
ビームが中心C6に正確に心出しされた位置にある時に
は、出力■、〜v6は互いに相等しい。レーザビームの
X軸セントロイド(X軸中心)は、次式により求めるこ
とができる。
ザビームBの再位置付けもしくは再整列に必要とする情
報を取扱者に与えるのに、各セクタS毎の出力V、−V
、を相関するのに有用である数学的解決は種々ある。第
9図は、X軸を表す水平線が第1図に示すスロット18
のような水平のスロットに対応し、Y軸又は垂直線が第
1図に示す垂直スロット18を表し、検出器10をそれ
ぞれQ、、Q2、Q、及びq、で示した4つのセクタS
に分割した直角座標系が示しである。各セクタSは、そ
れと熱伝達接触関係で対応の感熱デバイス26を備えて
おり、各感熱デバイス26の出力は第8図に示しである
回路によって検出されて、各″A整回路120がら出力
V、〜v6として発生されるものと仮定する。Qlで示
したセクタSは、出力v1に関連する。同様にして、Q
2で示したセクタSから出力vbが得られ、Q、で示し
たセクタSから出力V、が得られ、そしてQ4で示した
セクタSから出力v6が得られる。B1で示したレーザ
ビームが中心C6に正確に心出しされた位置にある時に
は、出力■、〜v6は互いに相等しい。レーザビームの
X軸セントロイド(X軸中心)は、次式により求めるこ
とができる。
第9図においては、上式はビームB1に対しX−0にな
る。
る。
Y軸中心もしくはセントロイドは、次式により求めるこ
とができる6 レーザビームが8.で示した位置にある時には、上式は
Y=Oとなる。レーザビームが、B、で示した位置、即
ち全体的にY軸の右側に位置する場合には、Xは、0よ
り大きい値を有し、Yは値0をとる。この場合、式(1
)及び(2)を用いてレーザビームB2のセントロイド
〈図心)は、X=1及びY=0に分解される0位置B3
では、セントロイドはX=−1及びY=Oで表される。
とができる6 レーザビームが8.で示した位置にある時には、上式は
Y=Oとなる。レーザビームが、B、で示した位置、即
ち全体的にY軸の右側に位置する場合には、Xは、0よ
り大きい値を有し、Yは値0をとる。この場合、式(1
)及び(2)を用いてレーザビームB2のセントロイド
〈図心)は、X=1及びY=0に分解される0位置B3
では、セントロイドはX=−1及びY=Oで表される。
レーザビームが位置B、にある時には、X=O且つY=
Oで、位置B。
Oで、位置B。
においては、X=0及びY−−1である。同様にして、
レーザビームが位置B、にある時には、セントロイドは
X=1及びY=1で表される。レーザビームが位置B?
に在る時には、そのセントロイドはX=−1、Y=−1
に位置する。他の位置に対しても、式(1)及び(2)
を用いてレーザビームの位置を求めることが可能である
。このようなセントロイドに関する情報をCPU 1
22又は取扱者が判断してレーザビームを比較的容易に
再位置付けもしくは位置調整することができる。また、
X及びYセントロイドの少数値を求めることも可能であ
る0例えば、位置B、におけるビームは、単なる例では
あるが、値X=−,9、Y=+、75を有し得る。
レーザビームが位置B、にある時には、セントロイドは
X=1及びY=1で表される。レーザビームが位置B?
に在る時には、そのセントロイドはX=−1、Y=−1
に位置する。他の位置に対しても、式(1)及び(2)
を用いてレーザビームの位置を求めることが可能である
。このようなセントロイドに関する情報をCPU 1
22又は取扱者が判断してレーザビームを比較的容易に
再位置付けもしくは位置調整することができる。また、
X及びYセントロイドの少数値を求めることも可能であ
る0例えば、位置B、におけるビームは、単なる例では
あるが、値X=−,9、Y=+、75を有し得る。
何れにせよ、CPt1 122のソフトウェアで比較的
単純なアルゴリズムを用いてセントロイドの情報を得る
ことができ、それにより、レーザビームBの再位置付け
もしくは位置調整を容易にすることが可能である。更に
別法として、加算及び割り算を行うハードウェア回路を
用いてアナログ電圧の形態で必要な情報を発生し、この
情報を判断してレーザビームの再位置付けに利用するこ
とができる。
単純なアルゴリズムを用いてセントロイドの情報を得る
ことができ、それにより、レーザビームBの再位置付け
もしくは位置調整を容易にすることが可能である。更に
別法として、加算及び割り算を行うハードウェア回路を
用いてアナログ電圧の形態で必要な情報を発生し、この
情報を判断してレーザビームの再位置付けに利用するこ
とができる。
尚、このような構成は当該技術分野の専門家には知られ
ているところである。
ているところである。
市販品として入手可能な印刷回路(pc)板材料は、種
々の形態で本発明の検出器を製造する上で使用するのに
理想的に適している。このような材料としては、種々の
厚さの金属箔、典型的には銅箔及び種々の厚さの基板材
料のものが入手可能であろう。0.057in(約1.
448+++m)の絶縁基板に結合された0、003i
n(約0.076m5)厚さの前面及び背面熱伝導銅層
を有するPC板材料を用いて直径が約1 in (2,
54cll+)の実験用検出器を製造した。しかる後、
前面層に0.010in(0,254111m)の銅箔
の上層をろう付けした。本明細書に開示した各種デバイ
スの動作は製造に用いられる材料に厳密に依存するもの
ではなく、また、このようなデバイスの動作も、用いら
れる各種材料の特定の寸法に厳密に依存するものではな
い、従って、本発明の範囲には広範囲の材料及び寸法が
含まれる。
々の形態で本発明の検出器を製造する上で使用するのに
理想的に適している。このような材料としては、種々の
厚さの金属箔、典型的には銅箔及び種々の厚さの基板材
料のものが入手可能であろう。0.057in(約1.
448+++m)の絶縁基板に結合された0、003i
n(約0.076m5)厚さの前面及び背面熱伝導銅層
を有するPC板材料を用いて直径が約1 in (2,
54cll+)の実験用検出器を製造した。しかる後、
前面層に0.010in(0,254111m)の銅箔
の上層をろう付けした。本明細書に開示した各種デバイ
スの動作は製造に用いられる材料に厳密に依存するもの
ではなく、また、このようなデバイスの動作も、用いら
れる各種材料の特定の寸法に厳密に依存するものではな
い、従って、本発明の範囲には広範囲の材料及び寸法が
含まれる。
上述の構成において、個々の感熱デバイス26のための
孔20は、機械的に安定で種々な形態で入手可・能な印
刷回路(PC)板材料に直接機械加工することができよ
う、検出器が製造される精度は、主に、PC板材料の機
械加工もしくは研削に依存する。検出器の幾何学的形態
及び多数の検知要素は、種々の用途の必要性に適合する
ように容易に変更可能である。
孔20は、機械的に安定で種々な形態で入手可・能な印
刷回路(PC)板材料に直接機械加工することができよ
う、検出器が製造される精度は、主に、PC板材料の機
械加工もしくは研削に依存する。検出器の幾何学的形態
及び多数の検知要素は、種々の用途の必要性に適合する
ように容易に変更可能である。
第8図に示した回路110は、検出器とは別個に収容す
ることができ、第7図に示しである扁平ワイヤケーブル
102のようなケーブルにより検出器に接続することが
できる。しかし、本発明の検出器の各種実施例は、部分
的に、上述のPC板材料から形成することができるよう
に企図されているので、回路110の総てもしくは一部
分を直接、検出器と一体のPC板材料に取り付けること
が可能である。この構成においては、回路素子は、補償
サーミスタ72が検出器60’の伝導層15に取り付け
られる構成に類似の仕方で背側部17に取り付けること
ができよう、尚、図示は省略しであるが、回路素子を支
持するための縁部又は枠領域を有する一体の検出器を収
容するのに充分な面積を有するPC板を用いることも可
能である。このような構成は、当該技術分野の専門家に
は容易に理解し得るところであり、本発明の教示に包摂
されるものであると理解されたい。
ることができ、第7図に示しである扁平ワイヤケーブル
102のようなケーブルにより検出器に接続することが
できる。しかし、本発明の検出器の各種実施例は、部分
的に、上述のPC板材料から形成することができるよう
に企図されているので、回路110の総てもしくは一部
分を直接、検出器と一体のPC板材料に取り付けること
が可能である。この構成においては、回路素子は、補償
サーミスタ72が検出器60’の伝導層15に取り付け
られる構成に類似の仕方で背側部17に取り付けること
ができよう、尚、図示は省略しであるが、回路素子を支
持するための縁部又は枠領域を有する一体の検出器を収
容するのに充分な面積を有するPC板を用いることも可
能である。このような構成は、当該技術分野の専門家に
は容易に理解し得るところであり、本発明の教示に包摂
されるものであると理解されたい。
以上、明らかなように、高出力レーザと共に用いられる
光学系のアラインメントもしくは位置合わせに使用する
のに適している検出器が提案された。この検出器は、レ
ーザビームが入射する際に吸収されるエネルギーによっ
て生ぜしめられる素子のアレイにおける温度上昇を監視
する感熱デバイスである。検出装置は、標準のPC(印
刷回路)板材料及び該PC板材料に取り付けられている
市販品として入手可能なサーミスタを含め、容易に入手
可能な構成要素を用いて比較的簡単に実現することがで
きる。検出器は、レーザビーム及び該レーザビームのド
リフトを検出するための開口付き検出器を整列するため
、円板形状のデバイスを含め種々な必要性もしくは要件
に適するように広範に亙る各種寸法及び形状で製作する
ことができよう。
光学系のアラインメントもしくは位置合わせに使用する
のに適している検出器が提案された。この検出器は、レ
ーザビームが入射する際に吸収されるエネルギーによっ
て生ぜしめられる素子のアレイにおける温度上昇を監視
する感熱デバイスである。検出装置は、標準のPC(印
刷回路)板材料及び該PC板材料に取り付けられている
市販品として入手可能なサーミスタを含め、容易に入手
可能な構成要素を用いて比較的簡単に実現することがで
きる。検出器は、レーザビーム及び該レーザビームのド
リフトを検出するための開口付き検出器を整列するため
、円板形状のデバイスを含め種々な必要性もしくは要件
に適するように広範に亙る各種寸法及び形状で製作する
ことができよう。
以上、本発明をその特定の実施例と関連して説明したが
、本発明においては更に他の変更が可能であることは理
解されるであろう0本発明は、当該技術分野の公知並び
に通常行われている慣行に該当する限りにおいてここに
開示した内容から逸脱する構成を含め、一般に本発明の
原理に従う変形例、使用或は適応例を包含することを意
図するものであると理解されたい。
、本発明においては更に他の変更が可能であることは理
解されるであろう0本発明は、当該技術分野の公知並び
に通常行われている慣行に該当する限りにおいてここに
開示した内容から逸脱する構成を含め、一般に本発明の
原理に従う変形例、使用或は適応例を包含することを意
図するものであると理解されたい。
第1図は、本発明の1つの様相に従いレーザビームを整
列するのに適した円板型検出器を一部切除して拡大して
簡略に示す前部斜視図、第2図は、第1図に示した検出
器の略背部斜視図、第3図は、本発明の他の様相に従い
所望光路からのレーザビームのドリフトを検知するのに
適しているリング型の検出器を一部切除して示す略前部
斜視図、第4A図〜第4D図は、レーザビームを捕捉す
るのに適した種々な角度で配置されている壁を有する検
出器の前面の一部分に形成されている類似形層の講を示
す図、第5八図は、本発明の他の実施例による検出器の
頂面図、第5B図は、第5八図のVB−VB線に沿う検
出器の拡大部分側断面図、第5C図は、第5八図及び第
5B図に示した検出器の底面図、第6図は、第5八図〜
第5C図に示した検出器の変形例の部分断面図、第7図
は、検出器及び該検出器のハウジングの展開斜視図、第
8図は、第7図の検出器の出力を検知するための電気回
路例を簡略に示す回路図、第9図は、検出器の中心に対
するレーザビームの位置を記述するための座標系の一例
を示す図である。 B・・・レーザビーム A−A’・・・レーザビームの所望ビーム路S、62i
、62 o−・セクタ 10.40.60.60′・・・検出器26・・・感熱
手段(感熱デバイス) 72・・・感熱手段(周囲温度補償サーミスタ)出願人
ウェスチングハウス・エレクFIG、 4A
LBi FIG、 5C IVコ I FIG、 6 FIG、 7 FIG、 9
列するのに適した円板型検出器を一部切除して拡大して
簡略に示す前部斜視図、第2図は、第1図に示した検出
器の略背部斜視図、第3図は、本発明の他の様相に従い
所望光路からのレーザビームのドリフトを検知するのに
適しているリング型の検出器を一部切除して示す略前部
斜視図、第4A図〜第4D図は、レーザビームを捕捉す
るのに適した種々な角度で配置されている壁を有する検
出器の前面の一部分に形成されている類似形層の講を示
す図、第5八図は、本発明の他の実施例による検出器の
頂面図、第5B図は、第5八図のVB−VB線に沿う検
出器の拡大部分側断面図、第5C図は、第5八図及び第
5B図に示した検出器の底面図、第6図は、第5八図〜
第5C図に示した検出器の変形例の部分断面図、第7図
は、検出器及び該検出器のハウジングの展開斜視図、第
8図は、第7図の検出器の出力を検知するための電気回
路例を簡略に示す回路図、第9図は、検出器の中心に対
するレーザビームの位置を記述するための座標系の一例
を示す図である。 B・・・レーザビーム A−A’・・・レーザビームの所望ビーム路S、62i
、62 o−・セクタ 10.40.60.60′・・・検出器26・・・感熱
手段(感熱デバイス) 72・・・感熱手段(周囲温度補償サーミスタ)出願人
ウェスチングハウス・エレクFIG、 4A
LBi FIG、 5C IVコ I FIG、 6 FIG、 7 FIG、 9
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザビームの所望ビーム路に対する該レーザビームの
位置を検知するための検出器であって、入射するレーザ
エネルギーを吸収して、該レーザエネルギーの一部分を
熱に変換すべく、前記検出器の中心に対し対称的に配設
された、複数の熱的に分離されたセクタと、 前記セクタの各々に入射して吸収されたレーザエネルギ
ーの熱を検知するために、各セクタと熱的接触関係で各
セクタ毎に設けられた複数の感熱手段であって、該感熱
手段の各々は、その対応のセクタに入射するレーザエネ
ルギーの量を表す応答信号を発生し、各セクタに入射す
るレーザエネルギーの量に対する前記感熱手段の応答信
号の相対的な差で、前記所望ビーム路に対するレーザビ
ームの相対的不整列を表す、前記感熱手段と、を備える
レーザビームの位置検出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/090,639 US4793715A (en) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | Detector for aligning high power lasers |
| US090,639 | 1987-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196517A true JPH0196517A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=22223638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208497A Pending JPH0196517A (ja) | 1987-08-28 | 1988-08-24 | レーザビーム位置検出器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4793715A (ja) |
| EP (1) | EP0304664B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0196517A (ja) |
| KR (1) | KR890004155A (ja) |
| ES (1) | ES2028204T3 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0617923B2 (ja) * | 1987-12-16 | 1994-03-09 | 株式会社フジクラ | 光ファイバの加熱測定法 |
| DE3840278A1 (de) * | 1988-11-30 | 1990-05-31 | Diehl Gmbh & Co | Einrichtung zur erfassung eines laserstrahls |
| US4964735A (en) * | 1989-04-07 | 1990-10-23 | Coherent, Inc. | Apparatus for indicating the power and position of a laser beam |
| DE3919571A1 (de) * | 1989-06-15 | 1990-12-20 | Diehl Gmbh & Co | Vorrichtung zur messung des intensitaetsprofils eines laserstrahls |
| US5160917A (en) * | 1990-06-14 | 1992-11-03 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Energy beam position detector |
| US5141330A (en) * | 1991-02-05 | 1992-08-25 | The Board Of Governors For Higher Education, State Of Rhode Island And Providence Plantations | Thin-film quadrant temperature sensor for use in a system to control the alignment of a CO2 laser beam |
| DE19753884A1 (de) * | 1997-12-05 | 1999-06-10 | Behr Gmbh & Co | Sensor zur Erfassung der Sonneneinstrahlung |
| GB2357835A (en) * | 1999-09-13 | 2001-07-04 | Michael P Geissler | Detecting the incident angle of an optical light beam |
| JP2006500579A (ja) * | 2002-09-27 | 2006-01-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光素子、そのような素子を製作する方法、及び光線とそのような素子の位置を揃える方法 |
| DE10325906B4 (de) * | 2003-06-05 | 2007-03-15 | Erwin Martin Heberer | Vorrichtung zur Abschirmung von kohärenter elektromagnetischer Strahlung sowie Laserkabine mit einer solchen Vorrichtung |
| EP1529592A1 (de) * | 2003-11-08 | 2005-05-11 | TRUMPF Laser GmbH + Co. KG | Ausrichtvorrichtung und -anordnung für einen Laserstrahl sowie zugehöriges Teach-Verfahren |
| WO2005083462A1 (de) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Daimlerchrysler Ag | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten eines senders |
| JP2007175744A (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Yamazaki Mazak Corp | レーザ加工機における光路軸の調整装置 |
| US20090061752A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Current Energy Controls, Lp | Autonomous Ventilation System |
| JP4916535B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2012-04-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源、デバイス製造方法、およびリソグラフィ装置 |
| EP2175701B1 (en) * | 2008-10-10 | 2014-01-22 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| WO2010065793A1 (en) | 2008-12-03 | 2010-06-10 | Oy Halton Group Ltd. | Exhaust flow control system and method |
| US9042694B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-05-26 | Raytheon Company | Energy target system |
| DE102011005775B4 (de) | 2011-03-18 | 2012-11-15 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Detektor und Verfahren zum Erfassen einer Ausrichtung eines Laserstrahls in einer Laserbearbeitungsmaschine sowie Laserbearbeitungsmaschine |
| EP3142823B1 (de) * | 2014-05-13 | 2020-07-29 | Trumpf Laser- und Systemtechnik GmbH | Einrichtung zur überwachung der ausrichtung eines laserstrahls und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit |
| DE102014016889A1 (de) | 2014-11-15 | 2016-05-19 | Mbda Deutschland Gmbh | Überwachungsvorrichtung für einen Laserstrahl |
| KR102029875B1 (ko) | 2017-08-30 | 2019-10-08 | 한국생산기술연구원 | 다종가스 동시 측정 tdlas 정렬 시스템 |
| KR102056920B1 (ko) | 2017-10-31 | 2020-01-22 | 한국생산기술연구원 | 다종가스 동시 측정 tdlas 회절 정렬 시스템 |
| KR102056794B1 (ko) | 2017-10-31 | 2019-12-18 | 한국생산기술연구원 | 미세 광경로를 이용한 다종가스 동시 측정 tdlas 정렬 시스템 |
| KR102056799B1 (ko) | 2017-10-31 | 2019-12-18 | 한국생산기술연구원 | 다종가스 동시 측정 tdlas 자동 정렬 시스템 |
| DE102024107916B3 (de) * | 2024-03-20 | 2025-07-17 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln eines Strahlparameterprodukts oder einer Randleistung eines Laserstrahls |
| CN119958822B (zh) * | 2025-04-10 | 2025-11-04 | 华天慧创科技(西安)有限公司 | 一种透镜性能测试装置 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3208447A (en) * | 1961-11-13 | 1965-09-28 | Avco Corp | Apparatus for trapping radiant energy and particles |
| US4107530A (en) * | 1966-01-26 | 1978-08-15 | Lockheed Aircraft Corporation | Infrared acquisition device |
| US3435232A (en) * | 1966-03-03 | 1969-03-25 | Hewlett Packard Co | Beam position detector |
| US3489008A (en) * | 1966-12-01 | 1970-01-13 | Industrial Nucleonics Corp | Radiation temperature sensor |
| JPS4821363B1 (ja) * | 1967-12-31 | 1973-06-28 | ||
| GB1259453A (ja) * | 1968-01-25 | 1972-01-05 | ||
| US3480777A (en) * | 1969-02-28 | 1969-11-25 | Barnes Eng Co | Pyroelectric radiation detection system with extended frequency range and reduced capacitance |
| US3723013A (en) * | 1970-10-23 | 1973-03-27 | Atomic Energy Commission | Alignment system |
| GB1393527A (en) * | 1971-05-10 | 1975-05-07 | Newcastel Regional Hospital Bo | Radiometer |
| US3819419A (en) * | 1972-11-17 | 1974-06-25 | Nasa | Steady state thermal radiometers |
| GB1462618A (en) * | 1973-05-10 | 1977-01-26 | Secretary Industry Brit | Reducing the reflectance of surfaces to radiation |
| US3972593A (en) * | 1974-07-01 | 1976-08-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Louvered echelon lens |
| US4126032A (en) * | 1976-03-23 | 1978-11-21 | Kabushiki Kaisha Daini Seikosha | Method and apparatus for determining photo-chemical reaction heat |
| US4121245A (en) * | 1977-04-11 | 1978-10-17 | Teknekron, Inc. | Image registration system for video camera |
| US4307338A (en) * | 1977-12-22 | 1981-12-22 | National Semiconductor Corporation | Laser alignment detector |
| US4321824A (en) * | 1980-07-21 | 1982-03-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High energy laser target board |
| US4401104A (en) * | 1981-02-19 | 1983-08-30 | Kuzdrall James A | Thermal gain sensor |
| US4522511A (en) * | 1982-09-13 | 1985-06-11 | Scientech, Inc. | Method and apparatus for measuring radiant energy |
| US4593456A (en) * | 1983-04-25 | 1986-06-10 | Rockwell International Corporation | Pyroelectric thermal detector array |
| US4553852A (en) * | 1983-12-07 | 1985-11-19 | W. R. Grace & Co. | Apparatus and method for heat flow measurement |
| US4596461A (en) * | 1984-02-16 | 1986-06-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | In-line, concurrent electromagnetic beam analyzer |
| DE3536133A1 (de) * | 1985-10-10 | 1987-04-16 | Bosch Gmbh Robert | Waermestrahlungssensor |
| US4692623A (en) * | 1986-02-13 | 1987-09-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Precision laser beam positioner and spatially resolved laser beam sampling meter |
-
1987
- 1987-08-28 US US07/090,639 patent/US4793715A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-29 EP EP88112287A patent/EP0304664B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-29 ES ES198888112287T patent/ES2028204T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-24 JP JP63208497A patent/JPH0196517A/ja active Pending
- 1988-08-26 KR KR1019880010900A patent/KR890004155A/ko not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0304664A3 (en) | 1989-10-18 |
| EP0304664B1 (en) | 1991-11-27 |
| ES2028204T3 (es) | 1992-07-01 |
| EP0304664A2 (en) | 1989-03-01 |
| US4793715A (en) | 1988-12-27 |
| KR890004155A (ko) | 1989-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0196517A (ja) | レーザビーム位置検出器 | |
| US3939706A (en) | High energy sensor | |
| JP5832007B2 (ja) | 赤外線センサ及びその製造方法 | |
| US5695283A (en) | Compensating infrared thermopile detector | |
| KR940009998B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| US4964735A (en) | Apparatus for indicating the power and position of a laser beam | |
| JPS5852514A (ja) | 光源−観測面間距離測定装置 | |
| CA1147860A (en) | Focus detector | |
| US4443107A (en) | Optical displacement sensor | |
| US4772772A (en) | Process for the supervision of the machining process using a high-power energy source, in particular a laser, and machining optical system for carrying out the same | |
| US5705810A (en) | Laser optical torquemeter | |
| US4484069A (en) | Apparatus and method for sensing distance | |
| US20100026994A1 (en) | Reflection optical sensor for determining the angular position of a rotating element | |
| US3742223A (en) | Wide angle lateral photo-detector means | |
| JPH10318829A (ja) | 赤外線センサ | |
| US4810871A (en) | Electronically adjustable position-sensitive radiation detector and optical systems using same | |
| US6204502B1 (en) | Heat radiation detection device and presence detection apparatus using same | |
| US5141330A (en) | Thin-film quadrant temperature sensor for use in a system to control the alignment of a CO2 laser beam | |
| US4061917A (en) | Bolometer | |
| JPH09264792A (ja) | 非接触温度センサ | |
| RU2227905C1 (ru) | Тепловой приемник излучения | |
| US4513201A (en) | Thermocouple detector | |
| JP5672686B2 (ja) | 赤外線温度センサ | |
| US4987461A (en) | High position resolution sensor with rectifying contacts | |
| US5260633A (en) | Shaft rotational status indicator |