JPH0196930A - 転写装置 - Google Patents

転写装置

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JPH0196930A
JPH0196930A JP62254469A JP25446987A JPH0196930A JP H0196930 A JPH0196930 A JP H0196930A JP 62254469 A JP62254469 A JP 62254469A JP 25446987 A JP25446987 A JP 25446987A JP H0196930 A JPH0196930 A JP H0196930A
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JP
Japan
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chamber
observation
mask
optical system
optical path
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Pending
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JP62254469A
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English (en)
Inventor
Tetsutsugu Hanazaki
哲嗣 花崎
Takeshi Naraki
剛 楢木
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Publication of JPH0196930A publication Critical patent/JPH0196930A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマスクのパターンを対象物に転写する転写装置
に関し、特に特殊な雰囲気中を通って転写用のtMI線
エネルギー(例えば軟X線等)がマスク(又は対象物)
に照射される方式の転写装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体素子の微細化、高密度化の要求に応じて従来の光
露光方式に代る転写装置としてXvA露光装置が注目さ
れている。X線露光装置の線源は、ターゲットに電子線
をあてて特性X線を得る方式、放電によりガスをプラズ
マ状態にし、パルスX線を得る方式、又はシンクロトロ
ン軌道放射光(SOR)から得る方式等が知られており
、半導体リソグラフィに使われるものは波長1Å以上(
通常5〜50人)の軟X線である。軟X線は大気中では
著しく減衰を受けるため、線源からマスク又は半導体ウ
ェハまでの機械的な空間をチャンバーで密封し、減衰の
少ないヘリウム、水素等のガスに置換して露光を行なう
ことが知られている。
この場合、マスクとウェハとは対向配置されるため、マ
スクと線源との間の空間に、マスク、ウェハを観測して
相対的位置合わせ(アライメント)を行なうための観測
光学系が設けられる。すなわちヘリウム等のガスが満さ
れたチャンバー内に観測光学系の一部が進入した構造が
採用される。
この構造においては、観測光学系の全体は金物で保持さ
れ、外側はチャンバー内のヘリウムが大気へリークしな
いようにほぼ密封構造の部材でおおわれている。さらに
観測光学系の全体構造体はチャンバー外壁の一部を貫通
してチャンバー内に進入しているため、その貫通部分に
はベローズ構造の密封シールが設けられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の構成では、観測光学系のうち少なくとも第1対物
レンズ系と反射ミラー等の部分かへリウムチャンバー内
に進入するようになっている。このため、観測光学系内
にヘリウムガスが徐々に入り込み、初期の光学特性(特
に焦点位置)が大きく狂ってくるといった問題が生じる
。特に第1対物レンズ系等は、それ自体鏡筒内に組み込
まれ、その内部に留った空気は、ヘリウムガスに置換さ
れにくい構造であった。
そこでヘリウムガスにさらされる観測光学系の外壁をす
べて密封構造とし、第1対物レンズ系も油浸レンズ等を
採用して気密性を高めることが考えられる。しかしなが
らヘリウムガスに対する気密構造はやっかいな点が多く
、チャンバー内の圧力が観測光学系内の圧力よりも陽圧
になった場合には、徐々にリークが進行してしまう。こ
のため装置を立上げる際はさほど影響がなくても、長期
間使用していくうちに観測光学系の特性が徐々に狂って
しまうといった問題は同様に生ずる。
〔問題点を解決する為の手段〕
そこで本発明では、ヘリウム等の気体を満したチャンバ
ー内に一部が進入する観測手段の対物光学系(第1対物
レンズ系等)を含む観測光路の一部を、チャンバー内と
連通させるための開口部と、その観測光路の一部に満さ
れた気体がチャンバー外の空間、あるいは観測手段の対
物光学系以降の光学系が収納された空間にリークしない
ようにするシール部とを観測手段に設けるようにした。
〔作用〕
本発明においては、チャンバー内に進入している観測光
学系の一部の光路空間を、常にチャンバー内の気体で満
されるように構成することにより、装置立上げ時にチャ
ンバー内を空気からヘリウムガスに置換する際、光路の
一部もすみやかにヘリウムガスに置換される。このため
、観測光学系の光学特性を極めて短時間に安定させるこ
とができ、装置稼動率を飛躍的に高めることが可能とな
る。
〔実施例〕
第1図は本発明の第1の実施例による転写装置の構成を
示し、全体的な配置は従来のものと同様である。高真空
のX線発生装置6内の線源OXからのX線は、ベリリウ
等の第1取出し窓7を介して転写光軸lに沿ってチャン
バー11内を進み、ポリイミド等の第2取出し窓8を介
してマスク9に照射され、マスク9と一定の間隔で、離
されるか又は密着されたウェハ10にマスク9のパター
ンが転写される。
チャンバー11の外壁には観測光学系本体3の対物光学
系部分が進入するための開口が設けられ、観測系本体3
は図中矢印Bのように可動とされ、第2取出し窓8を通
してマスク9、又はウェハlOのアライメントマークを
観測するためにチャンバー11内に繰り出され、転写時
はマスク9のパターン領域に達するX線を遮へいしない
ように退避する。
チャンバー11内にはヘリウム(He)ガスカ満される
が、このガスは観測系本体3の一部に設けられた流入口
に配管5を介して外部のヘリウム供給源から供給される
。ヘリウムガスは観測系本体3の内部に充満されるとと
もに、排出口4からチャンバー11内に流れ出す、チャ
ンバー11内のヘリウムガスはチャンバー11の下部に
設けられた配管12を介してチャンバー外へ排気される
不図示ではあるが、チャンバー内のヘリウムガスの濃度
(又は酸素濃度)や圧力は適当なセンサーで逐次モニタ
ーされ、常に所定の圧力となるようにヘリウムガスの供
給、排気が強制的に制御されている。このようにチャン
バー11内がヘリウムガスで満されるため、観測系本体
3とチャンバー外壁との間には、気密性のベローズシー
ル2が設けられる。また観測系本体3内にもヘリウムガ
スが満されるため、本体3内の適当な位置に気密性のシ
ール部材1が設けられ、第1図中の斜線部のみがヘリウ
ムガスで満されるように制限される。
さて、第1図において観測系本体3は左右2ケ所にしか
図示していないが、実際は3ケ所又は4ケ所に設けられ
、それら全てにヘリウムガスの流入口と排出口4とが設
けられている。また観測系本体3の内部にはアライメン
トや焦点(ギャップ)合わせのための対物レンズ系や反
射ミラー等が設けられるが、それらの光軸AXはマスク
9やウェハ10に対しては垂直になるように設けられ、
チャンバー11から外部へ突出する部分では水平になる
ように設けられる。尚、第1図における観測系本体3の
位置は転写時の退避位置を示す。
さて、第2図は観測系本体3内の具体的な光学系の配置
を示す、第2図において第1図の部材と同じものには同
一の符号をつけである。観測光学系本体3内には、マス
ク9のアライメントマークMθ(又はMY)を観測する
第1ミラー2o、斜めの第1対物レンズ系21.第2ミ
ラー23、第3ミラー24及び第2対物レンズ系26が
代表的に配置されている。観測光学系の光軸AXは、マ
スク9に対しては垂直になり、第1ミラー20と第2ミ
ラー23の間では斜めになり、第2ミラー23と第3ミ
ラー240間では再び垂直になり、第3ミラー24以降
では水平になる。先にも述べたように観測系本体3の全
体は矢印Bのように水平移動してアライメントマークM
θ(又はMY)の位置に対応する。さらに第1ミラー2
0、第1対物レンズ系21、及び第2ミラー23は一体
となって、矢印Aの如く上下動(マスク9の面と垂直な
方向の可動)可能に構成されている。これはマスク9(
又はウェハ10)に対する焦点合わせのためである。こ
のような焦点合わせを可能とするため、第1対物レンズ
系21から第2対物レンズ系26までの間の観測光路は
アフォーカル系になるように設計されている。
第1図にも示したように、観測系本体3内の一部の光路
中にはヘリウムガスを満すため、本実施例では、第1対
物レンズ系21の鏡筒に開口部21a、21bを設け、
例えばレンズ素子22a。
22b間の空気間隔が速やかにヘリウムガスに置換され
るように構成される。そして第1ミラー20から第3ミ
ラー24までの光路中がヘリウムガスで満されるように
、第3ミラー24と第2対物レンズ系26との間に、光
学ガラスによるシール部材lを、0リング等のバッキン
グ部材25a。
25bを介して観測系本体3の内壁部に固定する。
これにより、ヘリウムガスは、観測系本体3内の第2対
物レンズ系26の後方空間(大気)にリークすることな
くシールされる。シール部材1は、光学ガラスを平行平
板にしたものであり、系のアフォーカルな位置に設けら
れるため、アライメントマーク等の観測時に像質を劣化
させることはない。
以上のような構成により、配管5からのヘリウムガスは
、観測系本体3内の第1ミラー2oからシール部材1ま
での観測光路中の密封された空間に強制的に供給され、
第1対物レンズ系21の鏡筒内に充満される。そして排
気口4を介してヘリウムガスはチャンバー内に供給され
る。
本実施例では、シール部材1は第3ミラー24と第2対
物レンズ系26との間に設けたが、その他第2ミラー2
3と第3ミラー24の間、又は第1対物レンズ系21と
第2ミラー23の間等に設けても同様の効果が得られる
。ただし本実施例のように第1ミラー20から第2ミラ
ー23までが一体となって上下動する構造の場合は、第
2図に示した位置(上下動しない構造部分)にシール部
材1を設けた方が簡単である。それは第1ミラー20か
ら第2ミラー23までの可動構造体と、それ以降の構造
体(固定)との間をベローズ等のシール体で密封する必
要があるからである。
第3図は本発明の第2の実施例による転写装置の構成を
示し、先の第1実施例と異なる点は、ヘリウムチャンバ
ー11の第2取出し窓8がマスク9で兼用されたことで
ある。すなわちチャンバー11の下部開口をマスク9で
密閉するような構成とし、マスク9の上面までヘリウム
ガスが満されるようにしたものである。このような構成
の転写装置の場合は、マスク9を交換するたびに、チャ
ンバー11内に空気が入り込むため、新たなマスクをセ
ットした後はただちにヘリウムガスへの置換を行なわな
ければならない、このため第2図に示したような観測光
学系本体3を同様に設け、チャンバー11内をヘリウム
に置換すれば、置換完了後は観測光学系の光学特性が安
定したものになっているので、ただちにアライメント動
作、転写動作に移ることができる。もし従来のような不
完全に密封された対物レンズ系等を用いると、チャンバ
ー内のヘリウム置換が完了した後、観測光学系の光学特
性が徐々に狂ってくるため、装置をしばらく使っていく
うちにアライメント動作、特に焦点合わせやギャップ設
定動作に不都合が生じることになる。しかしながら、本
実施例のような構成とすれば、ヘリウム置換後は光学特
性の変動が生じないので、上記の如き不都合は生じない
さらに、第1、第2の実施例において、ヘリウムガスの
供給は観測光学系本体3から強制的に行なったが、観測
系本体3、及び内部の第1対物レンズ系21の鏡筒には
単に開口部のみを設けておき、ヘリウムガスの供給はチ
ャンバー11の外壁から行なうようにしてもよい。もち
ろんチャンバー11内に直接ヘリウムガスを供給する系
(チャンバー用)と、観測系本体3内の密封空間内に直
接ヘリウムガスを供給する系(観測系用)との2系統を
設けてもよい。そして装置立ち上げ時、又はマスク交換
時にはチャンバー用と観測系用の2系統を同時に使って
速かにヘリウム置換を行ない、置換完了後はどちらか一
方の系統、例えば観測系用のヘリウム供給系を用いて、
チャンバー内圧力の安定化のためにわずかな量のヘリウ
ムガスをフローさせるようにしてもよい、また、観測系
本体3内のシール部材1の近傍等にヘリウム濃度(又は
酸素濃度)をモニターするセンサーを設け、置換の程度
を確認することもできる。また、その他、ヘリウムチャ
ンバー内にマスクとウェハの両方を密封してしまう方式
の転写装置で、そのチャンバー内に観測光学系の一部が
入り込む構成の場合でも、本発明は全く同様に適用でき
る。
〔発明の効果〕
以上本発明によれば、転写用のマスクに照射される電磁
波エネルギー(軟X線等)が通る特殊な雰囲気中で、マ
スク、又は転写対象物(ウェハ等)を光学的に観測する
際、観測光学系の一部の光路がその雰囲気中の気体成分
で満されているため、常に安定な観測が可能となる。ま
た対物光学系そのものでシールするのではなく、シール
部材を別に設けるから、観測光学系本体内のシールし易
い場所が適宜選べるといった利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例による転写装置の構成を
示す図、 第2図は第1図中の観測光学系の一部の光学配置を示す
図、 第3図は第2の実施例による転写装置の構成を示す図で
ある。 (主要部分の符号の説明) 1・・・シール部材 3・・・観測光学系本体 4・・・排出口 5.12・・・ヘリウム配管 6・・・X線発生装置 9・・・マスク lO・・・ウェハ 11・・・ヘリウムチャンバー 20.23.24・・・ミラー 21・・・第1対物レンズ系 21a、2 l b ・・・開口部 26・・・第2対物レンズ系

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、電磁波エネルギーをマスクに照射し、該マスク
    のパターンを対象物に転写するにあたって、少なくとも
    前記電磁波エネルギーの発生部から前記マスクまでの空
    間を大気とは異なる気体成分で満したチャンバーを設け
    た転写装置において、前記チャンバー内に一部が進入し
    、前記マスク又は対象物を観測するための対物光学系を
    内部に備えた観測手段を有し、 該観測手段は、前記チャンバー内の気体が前記対物光学
    系を含む観測光路の一部に流入可能な開口部と、該観測
    光路の一部に満された気体が前記チャンバー外の空間に
    リークすることを防止するシール部とを有することを特
    徴とする転写装置。
  2. (2)、前記観測手段のほぼ密封された観測光路の一部
    に、前記開口部を介して外部供給源より前記気体成分を
    流入させ、該観測光路の一部から前記チャンバー内に流
    出させ、さらに該チャンバーから外部へ流出させる流路
    を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    装置。
  3. (3)、前記対物光学系は、前記マスク又は対象物への
    焦点合わせのために前記観測手段本体に対して可動に構
    成され、前記シール部材は該可動部以外の観測光路中に
    ほぼ密封構造で固定された光学ガラスであることを特徴
    とする特許請求の範囲第2項記載の装置。
JP62254469A 1987-10-08 1987-10-08 転写装置 Pending JPH0196930A (ja)

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