JPH0197843A - 全反射蛍光ｘ線構造解析装置 - Google Patents
全反射蛍光ｘ線構造解析装置Info
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- JPH0197843A JPH0197843A JP62253816A JP25381687A JPH0197843A JP H0197843 A JPH0197843 A JP H0197843A JP 62253816 A JP62253816 A JP 62253816A JP 25381687 A JP25381687 A JP 25381687A JP H0197843 A JPH0197843 A JP H0197843A
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- JP
- Japan
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- ray
- sample
- incident
- vacuum
- vacuum container
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体素子など電子装置を構成する薄
膜を積層して形成される積層膜について積層状態のまま
各薄膜と各界面の原子配列を解析する評価装置に好適な
全反射蛍光Ｘ線構造解析装置に関する。
膜を積層して形成される積層膜について積層状態のまま
各薄膜と各界面の原子配列を解析する評価装置に好適な
全反射蛍光Ｘ線構造解析装置に関する。
従来の装置はフォトン・ファクトリ−・アクティビティ
・レポート１９８２／８３年、Ｖ−２８頁（Ｐｈｏｔｏ
ｎ Ｆａｃｔｏｒｙ Ａｃｔｉｖｉｔｙ Ｒｅｐｏｒｔ
１９８２／８３゜Ｖ −２８）に記載のあるような、
被測定試料に入射Ｘ線全てを吸収させ蛍光Ｘ線を発生さ
せるが、大気中で試料表面上の全反射を生じさせ、試料
から発生する蛍光Ｘ線と全反射Ｘ線強度を測定する装置
となっていた。
・レポート１９８２／８３年、Ｖ−２８頁（Ｐｈｏｔｏ
ｎ Ｆａｃｔｏｒｙ Ａｃｔｉｖｉｔｙ Ｒｅｐｏｒｔ
１９８２／８３゜Ｖ −２８）に記載のあるような、
被測定試料に入射Ｘ線全てを吸収させ蛍光Ｘ線を発生さ
せるが、大気中で試料表面上の全反射を生じさせ、試料
から発生する蛍光Ｘ線と全反射Ｘ線強度を測定する装置
となっていた。
上記従来技術は大気中で計測を行う装置であったため空
気によるＸ線の吸収や散乱の影響を受は入射Ｘ線光子エ
ネルギーを低く設定し、例えば硅素の蛍光Ｘ線や二次電
子を測定することによる硅不可能であるとともに、半導
体装置に用いられている多層の膜を表面から深さ方向に
数ｎｍずつ削除して薄膜の深さ方向の原子配列構造の変
化や、膜界面付近の構造変化に関するデータの取得に対
する配慮がなされておらず、多層の薄膜の全体の評価が
充分に行なえないという問題点があった。
気によるＸ線の吸収や散乱の影響を受は入射Ｘ線光子エ
ネルギーを低く設定し、例えば硅素の蛍光Ｘ線や二次電
子を測定することによる硅不可能であるとともに、半導
体装置に用いられている多層の膜を表面から深さ方向に
数ｎｍずつ削除して薄膜の深さ方向の原子配列構造の変
化や、膜界面付近の構造変化に関するデータの取得に対
する配慮がなされておらず、多層の薄膜の全体の評価が
充分に行なえないという問題点があった。
本発明の目的は入射Ｘ線光子エネルギーを低く設定して
も、例えば硅素化合物薄膜の原子配列構造をも解析可能
とし、且つ多層の薄膜の深さ方向の三次元的原子配列構
造の変化をも解析可能な全反射蛍光Ｘ線構造解析装置を
提供することにある。
も、例えば硅素化合物薄膜の原子配列構造をも解析可能
とし、且つ多層の薄膜の深さ方向の三次元的原子配列構
造の変化をも解析可能な全反射蛍光Ｘ線構造解析装置を
提供することにある。
、 〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、入射Ｘ線強度、蛍光Ｘ線強度、二次電子強
度、全反射Ｘ線強度を測定する各々の検出器及び所望に
より試料表面の削除（エツチング）を可能とするイオン
銃を真空容器内に設置し、入射Ｘ線が試料表面で全反射
するよう入射Ｘ線ビームの軸に対する試料表面の傾き角
を微調整し、且つ入射Ｘ線ビームの軸に対する試料表面
の位置を微調整可能な直線移動と入射Ｘ線の偏光方向に
合わせて試料を回転できる機構を備□え真空度を低下さ
せないような真空容器外からの回転駆動導入機構を用い
て制御することにより達成される。更に詳しく以下に本
発明装置の特徴点を述べる。
度、全反射Ｘ線強度を測定する各々の検出器及び所望に
より試料表面の削除（エツチング）を可能とするイオン
銃を真空容器内に設置し、入射Ｘ線が試料表面で全反射
するよう入射Ｘ線ビームの軸に対する試料表面の傾き角
を微調整し、且つ入射Ｘ線ビームの軸に対する試料表面
の位置を微調整可能な直線移動と入射Ｘ線の偏光方向に
合わせて試料を回転できる機構を備□え真空度を低下さ
せないような真空容器外からの回転駆動導入機構を用い
て制御することにより達成される。更に詳しく以下に本
発明装置の特徴点を述べる。
（１）入射Ｘ線の強度検出手段と蛍光Ｘ線検出手段と二
次電子検出手段と測定試料の載置された試料台とを内蔵
した真空容器に、Ｘ線入射手段と真空排気手段とを設け
ると共に前記試料台が少なくとも前記Ｘ線入射手段によ
り入射するＸ線ビームを全反射させることができるよう
に任意の角度□で前記Ｘ線ビーム軸に対し傾斜する手段
と前記入射Ｘ線ビーム軸方向に移動する手段と前記Ｘ線
ビーム軸中心に回転移動できる手段と上、下へ移動でき
る昇降手段とを有し、これら一連の試料台を傾斜、移動
させる操作を前記真空容器内の真空度を維持しつつ、前
記真空容器外から操作できる機構を備えたこと。
次電子検出手段と測定試料の載置された試料台とを内蔵
した真空容器に、Ｘ線入射手段と真空排気手段とを設け
ると共に前記試料台が少なくとも前記Ｘ線入射手段によ
り入射するＸ線ビームを全反射させることができるよう
に任意の角度□で前記Ｘ線ビーム軸に対し傾斜する手段
と前記入射Ｘ線ビーム軸方向に移動する手段と前記Ｘ線
ビーム軸中心に回転移動できる手段と上、下へ移動でき
る昇降手段とを有し、これら一連の試料台を傾斜、移動
させる操作を前記真空容器内の真空度を維持しつつ、前
記真空容器外から操作できる機構を備えたこと。
（２）前記真空容器の中に更に集束イオンビーム照射手
段を設け、前記試料表面をエツチングし得るようになし
たこと。
段を設け、前記試料表面をエツチングし得るようになし
たこと。
さらにまた、本発明装装置の測定原理についで、以下図
面を引用して詳述する。 ′第１図は試料表面
でのＸ線ビームの全反射の様子を示した模式図である。
面を引用して詳述する。 ′第１図は試料表面
でのＸ線ビームの全反射の様子を示した模式図である。
同図において、□入射Ｘ線ビーム軸ｉは試料１の表面Ｓ
で反射角θで全反□射される。入射Ｘ線は表面から深さ
ｄまで侵入し、この範囲内で全反射が生じ、Ｘｉとほぼ
同等なＸ線強度をもつ全反射ビームＸｒが出射される。
で反射角θで全反□射される。入射Ｘ線は表面から深さ
ｄまで侵入し、この範囲内で全反射が生じ、Ｘｉとほぼ
同等なＸ線強度をもつ全反射ビームＸｒが出射される。
このとき、入射Ｘ線ビームの侵入深さｄが試料となる薄
膜層２（第−層）の厚さｄａより小さければ。
膜層２（第−層）の厚さｄａより小さければ。
Ｘｒは表面第一層のみによる。なお、２１は第二層目の
薄膜を示す。
薄膜を示す。
第２図にＳｉＯ□を試料として、入射Ｘ ＠ Ｘ ｉの
光子エネルギーＥと試料・入射Ｘ線ビーム間の全反射角
θとＸ線の侵入深さｄとの関係を示す、侵入深さｄは試
料の密度ρ、Ｘ線吸収係数等の関数であり、試料を構成
する元素により、特定のＥで急激な変化を示す。
光子エネルギーＥと試料・入射Ｘ線ビーム間の全反射角
θとＸ線の侵入深さｄとの関係を示す、侵入深さｄは試
料の密度ρ、Ｘ線吸収係数等の関数であり、試料を構成
する元素により、特定のＥで急激な変化を示す。
試料がＸ線を全反射できる最大のエネルギーは全反射臨
界エネルギーＥｃと呼ばれ、（１）式で示され、Ｅｃよ
り小さなＸ線エネルギーに対して全反射を生ずる。
界エネルギーＥｃと呼ばれ、（１）式で示され、Ｅｃよ
り小さなＸ線エネルギーに対して全反射を生ずる。
Ｅｃ＝１１４０ｆＴ７θ ・・・・・・（１）ＳｉＯ
□を試料として、構造解析に必要なＥＸＡＦＳ領域を測
定するためにはθを０．５°とする必要があることが第
２図より判る。このときのＸ線の侵入深さは、ｄ＝６〜
１０ｎｍである。
□を試料として、構造解析に必要なＥＸＡＦＳ領域を測
定するためにはθを０．５°とする必要があることが第
２図より判る。このときのＸ線の侵入深さは、ｄ＝６〜
１０ｎｍである。
半導体用の膜として積層される薄膜は厚さが、２０〜１
１００ｎ程度であり、ｄ４１０ｎｍであれば、積層状態
の最上層の原子配列構造のみを得ることが可能である。
１００ｎ程度であり、ｄ４１０ｎｍであれば、積層状態
の最上層の原子配列構造のみを得ることが可能である。
本発明では、入射Ｘ線ビームに対する試料の全反射条件
の設定を高真空に排気された容器の中に設置された試料
ステージで行ない、試料ステージの制御を真空度に悪影
響を与えない真空容器外からの回転導入を介して行なう
。また、Ｘ線強度を測定するための検出器も高真空に排
気された真空容器内に設定しており、空気によるＸ線の
吸収や散乱が皆無である。
の設定を高真空に排気された容器の中に設置された試料
ステージで行ない、試料ステージの制御を真空度に悪影
響を与えない真空容器外からの回転導入を介して行なう
。また、Ｘ線強度を測定するための検出器も高真空に排
気された真空容器内に設定しており、空気によるＸ線の
吸収や散乱が皆無である。
それによって、硅素の蛍光Ｘｉのような低エネルギーの
ｘＢ強度や試料表面から放出される二次電子の強度が、
全反射条件の下で精度高く測定可能であり、試料表面の
原子配列構造の解析ができる。また、イオン銃を用いて
集束イオンビームを試料表面に照射すれば、照射条件（
イオンビームの電流及び照射時間）により、任意の幅と
深さの加工（エツチング）ができ、これにより得られた
新たな試料表面についての原子配列構造の情報を得るこ
とができる。
ｘＢ強度や試料表面から放出される二次電子の強度が、
全反射条件の下で精度高く測定可能であり、試料表面の
原子配列構造の解析ができる。また、イオン銃を用いて
集束イオンビームを試料表面に照射すれば、照射条件（
イオンビームの電流及び照射時間）により、任意の幅と
深さの加工（エツチング）ができ、これにより得られた
新たな試料表面についての原子配列構造の情報を得るこ
とができる。
次に本発明の実施例を図面に従って説明する。
第３図に本発明装置の実施例を示す。同図は本発明実施
例装置の要部を示したもので、この中に、試料台３８の
上に載置された試料３１があり、これが下記に述べる種
々の機構により、入射Ｘ線ビームＸ１の軸を中心とした
回転移動及び試料台の高さの昇降移動ができるようにな
っていると共に上記入射Ｘ線Ｘｉに対して試料を全反射
可能な角度に傾斜できるようになっている。しかも、こ
れらの操作はいずれも高真空状態を維持したまま、真空
容器３０の外部から行なえる。それでは、真空容器
３０内に設けられた上記試料台３８の動作機構と構成
を主体に以下具体的に説明する。
例装置の要部を示したもので、この中に、試料台３８の
上に載置された試料３１があり、これが下記に述べる種
々の機構により、入射Ｘ線ビームＸ１の軸を中心とした
回転移動及び試料台の高さの昇降移動ができるようにな
っていると共に上記入射Ｘ線Ｘｉに対して試料を全反射
可能な角度に傾斜できるようになっている。しかも、こ
れらの操作はいずれも高真空状態を維持したまま、真空
容器３０の外部から行なえる。それでは、真空容器
３０内に設けられた上記試料台３８の動作機構と構成
を主体に以下具体的に説明する。
図において、ウオーム・ギヤ３３と３４は試料３１の回
転用ウオーム・ギヤで、試料台３８に載置された試料３
１を入射Ｘ線Ｘｉの軸を中心に回転させることのできる
機構となっている。ウオーム・ギヤ３３と３４の回転の
差はベベル・ギヤ３５．３６の噛み合わせを通してネジ
３７（全反射角設定用ネジ）を回転させ、その結果とし
て試料台３８は支点３２を中心に上下に移動可能となり
入Ｊ）ｔ Ｘ ＩＩＡ Ｘ ｉに対して微小角度でＸ線
の全反射が得られる角度に設定可能な機構となっている
。なお、バネ４３は試料台３８をベース４４から安定に
押付けておくためのものである。
転用ウオーム・ギヤで、試料台３８に載置された試料３
１を入射Ｘ線Ｘｉの軸を中心に回転させることのできる
機構となっている。ウオーム・ギヤ３３と３４の回転の
差はベベル・ギヤ３５．３６の噛み合わせを通してネジ
３７（全反射角設定用ネジ）を回転させ、その結果とし
て試料台３８は支点３２を中心に上下に移動可能となり
入Ｊ）ｔ Ｘ ＩＩＡ Ｘ ｉに対して微小角度でＸ線
の全反射が得られる角度に設定可能な機構となっている
。なお、バネ４３は試料台３８をベース４４から安定に
押付けておくためのものである。
平ギヤ３９，４０はそれぞれ、ウオーム・ギア３３．３
４に対して回転を伝達する。平ギヤ４１は試料ステージ
全体を上下させる機能をもつ、平ギア３９．４０゜４１
はいずれも超高真空用回転導入機構４２により駆動され
る。図中、平ギヤ３９．４０に対応する超高真空用回転
導入機構は省略している。全反射条件の達成の成否は窓
４５に塗布された蛍光体の発光により確認することがで
きる。
４に対して回転を伝達する。平ギヤ４１は試料ステージ
全体を上下させる機能をもつ、平ギア３９．４０゜４１
はいずれも超高真空用回転導入機構４２により駆動され
る。図中、平ギヤ３９．４０に対応する超高真空用回転
導入機構は省略している。全反射条件の達成の成否は窓
４５に塗布された蛍光体の発光により確認することがで
きる。
次に第４図を用いて、本実施例装置の真空系及び試料表
面の集束イオンビームによるエツチング時の動作につい
て具体的に説明する。
面の集束イオンビームによるエツチング時の動作につい
て具体的に説明する。
第４図は、入射Ｘ線Ｘｉの入射方向側から見た本実施例
装置を示している。本実施例装置では、シンクロトロン
放射光のような偏光Ｘ線源を用いることを前提として、
蛍光Ｘ線検出器４６ａ、４６ｂを互いに直交する位置関
係に設置している。このとき、試料は回転機構により３
１ａ、３１ｂの位置にそれぞれ設定される。試料表面を
エツチングする場合はイオン銃４７に対し、試料は３１
ｃの位置に設定される。真空容器３０には真空排気装置
４８が取付けてあり、内部を高真空に保っている。真空
容器３０にはゲートバルブ４９を介して、予備排気室５
０が取り付けられており、真空排気装置１５１により、
真空容器３０の真空度を低下させることなく、試料交換
レバー５６の操作で試料交換が可能である。
装置を示している。本実施例装置では、シンクロトロン
放射光のような偏光Ｘ線源を用いることを前提として、
蛍光Ｘ線検出器４６ａ、４６ｂを互いに直交する位置関
係に設置している。このとき、試料は回転機構により３
１ａ、３１ｂの位置にそれぞれ設定される。試料表面を
エツチングする場合はイオン銃４７に対し、試料は３１
ｃの位置に設定される。真空容器３０には真空排気装置
４８が取付けてあり、内部を高真空に保っている。真空
容器３０にはゲートバルブ４９を介して、予備排気室５
０が取り付けられており、真空排気装置１５１により、
真空容器３０の真空度を低下させることなく、試料交換
レバー５６の操作で試料交換が可能である。
次に第５図を用いて本実施例装置の全体について説明す
る。
る。
図に於て、真空容器３０は載置台５８の上に載置される
。真空容器３０のＸ線源側には入射Ｘ ＠ Ｘ ｉの強
度測定用検出器５３、試料へ入射するＸ線の形状を整え
るための四極スリット５５及びＸ線源と接続するための
インターフェース５７が接続される。真空容器３０には
、反射Ｘ線強度検出器５４が蛍光体を塗布した窓４５と
交換して取付けられ、二次電子検出器５２ａ、５２ｂが
取付けられている。載置台５８は上下微動が可能な装置
架台５９に、傾斜調整用リンク６０を通して結合され、
入射Ｘ線Ｘｉの軸と装置全体の光軸が一致するように調
整設定される。
。真空容器３０のＸ線源側には入射Ｘ ＠ Ｘ ｉの強
度測定用検出器５３、試料へ入射するＸ線の形状を整え
るための四極スリット５５及びＸ線源と接続するための
インターフェース５７が接続される。真空容器３０には
、反射Ｘ線強度検出器５４が蛍光体を塗布した窓４５と
交換して取付けられ、二次電子検出器５２ａ、５２ｂが
取付けられている。載置台５８は上下微動が可能な装置
架台５９に、傾斜調整用リンク６０を通して結合され、
入射Ｘ線Ｘｉの軸と装置全体の光軸が一致するように調
整設定される。
上記のように、本発明によれば、高真空の容器内にＸ線
検出器及び二次電子検出器を設置するとともに、試料表
面での全反射条件に設定可能な試料ステージを設置した
ため、蛍光Ｘ線強度の小さい硅素化合物においても厚さ
１０ｎｍ程度の原子配列構造の情報を収得できるという
効果がある。
検出器及び二次電子検出器を設置するとともに、試料表
面での全反射条件に設定可能な試料ステージを設置した
ため、蛍光Ｘ線強度の小さい硅素化合物においても厚さ
１０ｎｍ程度の原子配列構造の情報を収得できるという
効果がある。
第１図及び第２図は１本発明の原理説明のための試料表
面でのＸ線全反射の模式図及びＸ線エネルギーとＸ線侵
入深さとの関係を示した曲線図。 第３図は本発明装置の主として真空容器内及び外部周辺
の要部を示した一部断面の正面図、第４図は、入射Ｘ
＠ Ｘ ｉの入射方向から見た本発明装置の要部説明図
、第５図は１本発明装置の全体構成を示す正面図である
。 図において、 １．３１・・・試料 ２・・・表面薄ＩＩＩ層 ３０・・・真空容器 ３１ａ、３１ｂ、３１ｃｍ試料設定位置３２・・・支点 ３３、３４・・・ウオーム・ギヤ ３５、３６・・・ベベルギヤ ３７・・・全反射設定用ネジ ３８・・・試料台 ３９、４０．４１・・・平ギヤ ４２・・・回転導入機構 ４３・・・バネ ４４・・・ベース − ４５・・・窓 ４６ａ、 ４６ｂ、・・・蛍光Ｘ線検出器４７・・・イ
オン銃 ４８、５１・・・真空排気装置 ５０・・・予備排気室 ５２ａ、 ５２ｂ・・・二次電子検出器５３・・・入射
Ｘ線強度測定用検出器 ５４・・・反射Ｘ線強度検出器 ５５・・・四極スリット ５６・・・試料交換レバー ５７・・・インターフェース ５８・・・載置台 ５９・・・装置架台 ６０・・・傾斜調整リンク 代理人弁理士 中 村 純之助 ０４に及射ｎ喜エネルギー Ｘ線光子エネルギー ＜ｈｅｖ）（Ｅ）執゛判表面で／
）Ｘ疎優入際さ 第４図
面でのＸ線全反射の模式図及びＸ線エネルギーとＸ線侵
入深さとの関係を示した曲線図。 第３図は本発明装置の主として真空容器内及び外部周辺
の要部を示した一部断面の正面図、第４図は、入射Ｘ
＠ Ｘ ｉの入射方向から見た本発明装置の要部説明図
、第５図は１本発明装置の全体構成を示す正面図である
。 図において、 １．３１・・・試料 ２・・・表面薄ＩＩＩ層 ３０・・・真空容器 ３１ａ、３１ｂ、３１ｃｍ試料設定位置３２・・・支点 ３３、３４・・・ウオーム・ギヤ ３５、３６・・・ベベルギヤ ３７・・・全反射設定用ネジ ３８・・・試料台 ３９、４０．４１・・・平ギヤ ４２・・・回転導入機構 ４３・・・バネ ４４・・・ベース − ４５・・・窓 ４６ａ、 ４６ｂ、・・・蛍光Ｘ線検出器４７・・・イ
オン銃 ４８、５１・・・真空排気装置 ５０・・・予備排気室 ５２ａ、 ５２ｂ・・・二次電子検出器５３・・・入射
Ｘ線強度測定用検出器 ５４・・・反射Ｘ線強度検出器 ５５・・・四極スリット ５６・・・試料交換レバー ５７・・・インターフェース ５８・・・載置台 ５９・・・装置架台 ６０・・・傾斜調整リンク 代理人弁理士 中 村 純之助 ０４に及射ｎ喜エネルギー Ｘ線光子エネルギー ＜ｈｅｖ）（Ｅ）執゛判表面で／
）Ｘ疎優入際さ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入射Ｘ線の強度検出手段と蛍光Ｘ線検出手段と二次
電子検出手段と測定試料の載置された試料台とを内蔵し
た真空容器に、Ｘ線入射手段と真空排気手段とを設ける
と共に前記試料台が少なくとも前記Ｘ線入射手段により
入射するＸ線ビームを全反射させることができるように
任意の角度で前記Ｘ線ビーム軸に対し傾斜する手段と前
記入射Ｘ線ビーム軸方向に移動する手段と前記Ｘ線ビー
ム軸中心に回転移動できる手段と上、下へ移動できる昇
降手段とを有し、これら一連の試料台を傾斜、移動させ
る操作を前記真空容器内の真空度を維持しつつ、前記真
空容器外から操作できる機構を備えたことを特徴とする
全反射蛍光Ｘ線構造解析装置。 ２、前記真空容器の中に更に集束イオンビーム照射手段
を設け、前記試料表面をエッチングし得るようになした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の全反射蛍
光Ｘ線構造解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253816A JPH0197843A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 全反射蛍光ｘ線構造解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253816A JPH0197843A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 全反射蛍光ｘ線構造解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197843A true JPH0197843A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17256534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62253816A Pending JPH0197843A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 全反射蛍光ｘ線構造解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0197843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03202760A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全反射螢光ｘ線分折装置 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62253816A patent/JPH0197843A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03202760A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全反射螢光ｘ線分折装置 |
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