JPH0199004A - ビームスプリッター - Google Patents
ビームスプリッターInfo
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- JPH0199004A JPH0199004A JP25803087A JP25803087A JPH0199004A JP H0199004 A JPH0199004 A JP H0199004A JP 25803087 A JP25803087 A JP 25803087A JP 25803087 A JP25803087 A JP 25803087A JP H0199004 A JPH0199004 A JP H0199004A
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- beam splitter
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビームスプリッタ−に関する。
従来技術および問題点
一般に、干渉を利用した多層膜において、偏光のない光
が多層膜に斜入射すると、その界面において透過光と反
射光とに分割され、それぞれに含まれる偏光のＰ成分と
Ｓ成分との差が大きくなることは知られている。これを
積極的に利用して、Ｐ成分とＳ成分とを分離させるよう
にしたビームスプリッタ−があり、すでに光デイスク光
学系中で実用化されている。これを詳しく説明すると、
第１１図図示のように、光源の出力を安定にするために
レーザー発振器（１）を使用するとともに、Ｐ成分を１
００％透過し、かつＳ成分を１００％反射する多層膜（
３゛）を有するプリズムはり合わせ式のビームスプリッ
タ−（３）が用いられる。そして、レーザー発振器（＋
）から発せられたＰ成分の光はコリメータレンズ（２）
で平行光束とされてビームスプリッタ−（３）を透過し
、１／４波長板（３”）を更に透過してコンデンサレン
ズ（４）で集光されて光ディスク（５′）に照射される
。そして、光ディスク（５）からの反射光は上記１／４
波長板（３”）によってＳ成分に変換され、ビームスプ
リッタ−（３）で反射されて光センサ（６）に入射され
て、光ディスク（５）上の情報が読み取られる。このよ
うに構成することによって、レーザー発振器（１）への
バックトークを防止することができるとともに、光ディ
スク（５）からの反射光を有効に利用することができる
。
が多層膜に斜入射すると、その界面において透過光と反
射光とに分割され、それぞれに含まれる偏光のＰ成分と
Ｓ成分との差が大きくなることは知られている。これを
積極的に利用して、Ｐ成分とＳ成分とを分離させるよう
にしたビームスプリッタ−があり、すでに光デイスク光
学系中で実用化されている。これを詳しく説明すると、
第１１図図示のように、光源の出力を安定にするために
レーザー発振器（１）を使用するとともに、Ｐ成分を１
００％透過し、かつＳ成分を１００％反射する多層膜（
３゛）を有するプリズムはり合わせ式のビームスプリッ
タ−（３）が用いられる。そして、レーザー発振器（＋
）から発せられたＰ成分の光はコリメータレンズ（２）
で平行光束とされてビームスプリッタ−（３）を透過し
、１／４波長板（３”）を更に透過してコンデンサレン
ズ（４）で集光されて光ディスク（５′）に照射される
。そして、光ディスク（５）からの反射光は上記１／４
波長板（３”）によってＳ成分に変換され、ビームスプ
リッタ−（３）で反射されて光センサ（６）に入射され
て、光ディスク（５）上の情報が読み取られる。このよ
うに構成することによって、レーザー発振器（１）への
バックトークを防止することができるとともに、光ディ
スク（５）からの反射光を有効に利用することができる
。
しかし、近年ではレーザー発振器の改善によりバックト
ークの問題がなくなり、光デイスク用光学系の光源とし
てＰ成分もＳ成分も混在する光を発するものが提案され
ている。そして、このような光学系のために、Ｐ成分及
びＳ成分の偏光成分依存性の少ないハーフミラ−が要求
されるようになった。更に、光ディスク等の情報の読み
取りを目的とする有限光学系に用いられるべきビームス
プリッタ−もしくはハーフミラ−は、ある程度の拡がり
を有する光束が入射してもその特性を維持する必要があ
るので、Ｐ成分及びＳ成分の透過光・反射光に対して入
射角依存性が小さい方か望ましい。
ークの問題がなくなり、光デイスク用光学系の光源とし
てＰ成分もＳ成分も混在する光を発するものが提案され
ている。そして、このような光学系のために、Ｐ成分及
びＳ成分の偏光成分依存性の少ないハーフミラ−が要求
されるようになった。更に、光ディスク等の情報の読み
取りを目的とする有限光学系に用いられるべきビームス
プリッタ−もしくはハーフミラ−は、ある程度の拡がり
を有する光束が入射してもその特性を維持する必要があ
るので、Ｐ成分及びＳ成分の透過光・反射光に対して入
射角依存性が小さい方か望ましい。
そこで、米国特許第４，６２７，６８８号明細書におい
ては、空気側から透明基板側へ順に、透明基板よりも高
い屈折率を有する物質からなる第１層と、第１層よりも
更に高い屈折率を有する物質からなる第２層とからなる
ハーフミラ−が提案されている。しかし、このような構
成において、反射率を高くするために第２層に非常に屈
折率の高い物質が必要となり、実用化が困難である。
ては、空気側から透明基板側へ順に、透明基板よりも高
い屈折率を有する物質からなる第１層と、第１層よりも
更に高い屈折率を有する物質からなる第２層とからなる
ハーフミラ−が提案されている。しかし、このような構
成において、反射率を高くするために第２層に非常に屈
折率の高い物質が必要となり、実用化が困難である。
本発明は、このような従来例の欠点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、Ｐ成分及びＳ成分の偏光成分依
存性が少ないとともに入射角依存性も少なく、かつ実用
化して適したビームスプリッタ−を提供することにある
。
のであり、その目的は、Ｐ成分及びＳ成分の偏光成分依
存性が少ないとともに入射角依存性も少なく、かつ実用
化して適したビームスプリッタ−を提供することにある
。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明は、第１図図示のよ
うに、空気側から透明基板（１５）側へ順に、第１層（
１１）、第２層（１２）、第３層（１３）および第４層
（１４）からなるビームスプリッタ−において、以下の
条件を満足することを特徴とする。
うに、空気側から透明基板（１５）側へ順に、第１層（
１１）、第２層（１２）、第３層（１３）および第４層
（１４）からなるビームスプリッタ−において、以下の
条件を満足することを特徴とする。
（１） ｎ４＞ｎｓ＞ｎ１
（２） ｎ２＞ｎ＋＞ｎｓ＞ｎ。
但し、ここで、ｎ、は第１層（１１）の屈折率、ｎ２は
第２層（１２）の屈折率、ｎ３は第３層（１３）の屈折
率、ｎ４は第４層（１４）の屈折率、ｎｓは透明基板（
１５）の屈折率である。
第２層（１２）の屈折率、ｎ３は第３層（１３）の屈折
率、ｎ４は第４層（１４）の屈折率、ｎｓは透明基板（
１５）の屈折率である。
本発明ビームスプリッタ−は反射光（Ｒ）と透過光（Ｔ
）の比率かは＼′１：ｌであって、反射光中のＰ偏光成
分（Ｒｐ）とＳ偏光成分（Ｒｓ）および透過光中のＰ偏
光成分（Ｔｐ）とＳ偏光成分（Ｔｓ）の比率がはＸ゛等
しく、かつＲｐ／Ｒ８比およびＴｐ／Ｔｓ比が比較的広
い範囲の入射角（θ）に対して一定値を維持すると云う
極めて優れた性質を有している。
）の比率かは＼′１：ｌであって、反射光中のＰ偏光成
分（Ｒｐ）とＳ偏光成分（Ｒｓ）および透過光中のＰ偏
光成分（Ｔｐ）とＳ偏光成分（Ｔｓ）の比率がはＸ゛等
しく、かつＲｐ／Ｒ８比およびＴｐ／Ｔｓ比が比較的広
い範囲の入射角（θ）に対して一定値を維持すると云う
極めて優れた性質を有している。
本発明にかかるビームスプリッタ−を第１図に従って更
に詳しく説明する。第１図において、透明基板（１５）
は光学的に透明な物質からなり、その屈折率ｎｓは１．
４６〜１．８２であり、特に化学的に安定であり、かつ
安価なりＫ−７（ｎｓ−１，５７）が良く用いられる。
に詳しく説明する。第１図において、透明基板（１５）
は光学的に透明な物質からなり、その屈折率ｎｓは１．
４６〜１．８２であり、特に化学的に安定であり、かつ
安価なりＫ−７（ｎｓ−１，５７）が良く用いられる。
この透明基板（１５）上に、互いに屈折率の異なる第４
層（１４）、第３層（１３）、第２層（１２）及び第１
層（１１）を順次積層する。ここで、上記条件（ＩＯ２
）をとも（こ満足することが必要である。
層（１４）、第３層（１３）、第２層（１２）及び第１
層（１１）を順次積層する。ここで、上記条件（ＩＯ２
）をとも（こ満足することが必要である。
条件（１Ｍ２）を満足しないと、Ｐ偏光成分とＳ偏光成
分との光量比が著しく異なってくる。
分との光量比が著しく異なってくる。
本発明においては、各層の屈折率及び透明基板の屈折率
は以下の条件を満足することが望ましい。
は以下の条件を満足することが望ましい。
（３） １．４６＜ｎｓ＜１．８２
（４） ３ 、０ ＜ｎ、＜ ４ 、０（５）
１．８４ ＜ｎ３＜ ２．７０（６） ３．０＜ｎ
ｚ＜４．０ （７） １．３５＜ｒ＋、＜ １．８０更に各層の光
学的膜厚は、以下の条件を満足することが望ましい。
１．８４ ＜ｎ３＜ ２．７０（６） ３．０＜ｎ
ｚ＜４．０ （７） １．３５＜ｒ＋、＜ １．８０更に各層の光
学的膜厚は、以下の条件を満足することが望ましい。
（８） ０．２５λ。≦ｎ１ｄｌ≦０３０λ。
（９）ｎ２ｄ２＝ｏ、２５λ。。
（１０） ０．２５λ。≦ｎＪｓ≦０，３０λ。
（１１）、 ｎ４ｄ４＝ ０ 、２５λ。
但し、ここで、ｎ＋ｄ＋は第１層（１１）の光学的膜厚
、ｎ２ｄｚは第２層（Ｉ２）の光学的膜厚、ｎ３ｄ３は
第３層（１３）の光学的膜厚、ｎ４ｄ４は第４層（１４
）の光学的膜厚、λ。は設計主波長である。
、ｎ２ｄｚは第２層（Ｉ２）の光学的膜厚、ｎ３ｄ３は
第３層（１３）の光学的膜厚、ｎ４ｄ４は第４層（１４
）の光学的膜厚、λ。は設計主波長である。
第４層（１４）及び第２層（１２）に適用可能で」二記
条件（４Ｘ６ ）を満足する物質はＳｌてあり、この光
学的膜厚ｎ２ｄ２もしくはｎ４ｄｔが０．２５λ。を著
しくはずれると、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との光景比に
大きく差が出るので好ましくない。
条件（４Ｘ６ ）を満足する物質はＳｌてあり、この光
学的膜厚ｎ２ｄ２もしくはｎ４ｄｔが０．２５λ。を著
しくはずれると、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との光景比に
大きく差が出るので好ましくない。
第３層（１３）は、好ましくはＴ ｉ Ｏ２、Ｚ ｒ
Ｏ２、ＨＦＯ２、Ｃｅ Ｏｔまたはそれらの混合物から
なり、その光学的膜厚ｎ３ｄ３が上記条件（１０）を外
れるとＰ偏光成分とＳ偏光成分との光量比に大きく差が
出るので好ましくない。
Ｏ２、ＨＦＯ２、Ｃｅ Ｏｔまたはそれらの混合物から
なり、その光学的膜厚ｎ３ｄ３が上記条件（１０）を外
れるとＰ偏光成分とＳ偏光成分との光量比に大きく差が
出るので好ましくない。
第１層（ＩＩ）は、好ましくはＭｇＦｔ、Ｓ ｉｏ ２
またはＡｌ２Ｏ３からなり、その光学的膜厚ｎ１ｌＪ＋
が上記条件（８）を外れるとＰ偏光成分とＳ偏光成分と
の光量比に大きく差が出るので好ましくない。
またはＡｌ２Ｏ３からなり、その光学的膜厚ｎ１ｌＪ＋
が上記条件（８）を外れるとＰ偏光成分とＳ偏光成分と
の光量比に大きく差が出るので好ましくない。
透明基板（１５）上の各層（１４８１３８１２Ｘ１１）
は、それぞれ各物質を所定の光学的膜厚となるまで真空
蒸着法により積層することによって製造される。
は、それぞれ各物質を所定の光学的膜厚となるまで真空
蒸着法により積層することによって製造される。
本発明ビームスプリッタ−は、入射光として波長（λ）
８００ｎｍの光を入射角（θ）４５°で照射したとき反
射率（Ｒ）４５〜６５％および透過率（Ｔ）５５〜３５
％が得られるよう設計できる。その際、広範囲の波長領
域に亘って、反射光のＰ／Ｓ比を１近辺に保持すること
ができるため、入射光に対する許容ｌ］を広くとること
ができる。
８００ｎｍの光を入射角（θ）４５°で照射したとき反
射率（Ｒ）４５〜６５％および透過率（Ｔ）５５〜３５
％が得られるよう設計できる。その際、広範囲の波長領
域に亘って、反射光のＰ／Ｓ比を１近辺に保持すること
ができるため、入射光に対する許容ｌ］を広くとること
ができる。
さらに本発明ビームスプリッターは、入射光の反射率お
よび反射光中のＰ／Ｓ比に及ぼず入射角の影響が小さく
、例えば８００ｎｍの入射光の入射角４５°を中心に±
ｌＯ°ずらした場合でも反射率および反射光中のＰ／Ｓ
比に殆ど変化がみられない。
よび反射光中のＰ／Ｓ比に及ぼず入射角の影響が小さく
、例えば８００ｎｍの入射光の入射角４５°を中心に±
ｌＯ°ずらした場合でも反射率および反射光中のＰ／Ｓ
比に殆ど変化がみられない。
以下、本発明を実施例をあげて説明する。
実施例１ ′
透明基盤としてＢＫ−７（屈折率１．５１７）Ｊ二に、
屈折率３．２０のＳｉを光学的膜厚（ｎ２ｄ４） −〇
、２５λ。（λ。−８２０ｎｍ）積層し、次いでＴ ｉ
Ｏ２（屈折率２３５）を光学的膜厚（ｎ３ｄ３）−〇
、 ２７５λ。、Ｓｉ（屈折率３．２０）を光学的膜
厚（ｎ２ｄｐ）−〇 ２５λ。および５ｉＯｐ（屈折率
１．４．６）を光学的膜厚（ｎ２ｄＩ）＝ ０ 、２７
５λ。となるように積層してビームスプリッタ−を得た
。このビームスプリッタ−に空気側から第２図に示すご
とくレーザービームで６００〜１１０００ｎの光を入射
角（θ）−４５゛で照射した。
屈折率３．２０のＳｉを光学的膜厚（ｎ２ｄ４） −〇
、２５λ。（λ。−８２０ｎｍ）積層し、次いでＴ ｉ
Ｏ２（屈折率２３５）を光学的膜厚（ｎ３ｄ３）−〇
、 ２７５λ。、Ｓｉ（屈折率３．２０）を光学的膜
厚（ｎ２ｄｐ）−〇 ２５λ。および５ｉＯｐ（屈折率
１．４．６）を光学的膜厚（ｎ２ｄＩ）＝ ０ 、２７
５λ。となるように積層してビームスプリッタ−を得た
。このビームスプリッタ−に空気側から第２図に示すご
とくレーザービームで６００〜１１０００ｎの光を入射
角（θ）−４５゛で照射した。
このときの、ビームスプリッタ−を透過する光（Ｔ）お
よび反射する光（Ｒ）の分光透過率および分光反射率を
第３図に示す。
よび反射する光（Ｒ）の分光透過率および分光反射率を
第３図に示す。
図中、Ｔｐ、ＴｓＳＲｐおよびＲｓはそれぞれ透過光中
のＰ偏光成分、透過光中のＳ偏光成分、反射光中のＰ偏
光成分および反射光中のＳ偏光成分を示す。
のＰ偏光成分、透過光中のＳ偏光成分、反射光中のＰ偏
光成分および反射光中のＳ偏光成分を示す。
実施例１のビームスプリッタ−の構成を以下に示す。
成分 屈折率 光学的膜厚
入射媒質 空気 １ 〇 −第１層 ５
１０２ １．４６ ０．２７５λ。
１０２ １．４６ ０．２７５λ。
第２層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５λ０第３
層 Ｔｒｏｔ ２．３５ ０．２７５λ。
層 Ｔｒｏｔ ２．３５ ０．２７５λ。
第４層 Ｓｉ ３．２ ０．２５λ。
透明基板 ＢＫ−７１，５１７一
実施例２
第１層のＳ １０ 、に代えて、ＭｇＦ２（屈折率１．
３８５）を用いる以外、実施例１と同様にしてビームス
プリッタ−を得、実施例１と同様にＴｐ％ Ｔｓ。
３８５）を用いる以外、実施例１と同様にしてビームス
プリッタ−を得、実施例１と同様にＴｐ％ Ｔｓ。
ＲｐおよびＲｓを測定した。結果を第４図に示ず。
実施例２のビームスプリッタ−の構成を以下に示す。
成分 屈折率 光学的膜厚
入射媒質 空気 １ 〇 −第１層 Ｍ
ｇＦ２１．３８５ ０．２７５λ。
ｇＦ２１．３８５ ０．２７５λ。
第２層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５λ。
第３層 Ｔｉ０２２，３５ ０．２７５λ。
第４層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５λ。
透明基板 ＢＫ−７１，５１７−
（θ−４５° 、λ。−８２０ｎｍ）
実施例３
第２層および第４層として屈折率３．７２のＳｉを用い
る以外、実施例１と同様に試験した。結果を第５図に示
す。ビームスプリッタ−の構成を以下に要約する。
る以外、実施例１と同様に試験した。結果を第５図に示
す。ビームスプリッタ−の構成を以下に要約する。
成分 屈折率 光学的膜厚
入射媒質 空気 １０ −
第１層 Ｓ＋０２１．４６ ０．２７５λ。
第２層 Ｓｉ ３．７２ ０．２５λ。
第３層 ＴｉＯ２２，３５０，２７５λ。
第４層 Ｓｉ ３．７２ ０．２５０ｉ。
透明基板 ＢＫ−７１，５１７−
（θ−４５°；λ。−８２０ｎｍ）
実施例４
第２層および第４層として屈折率３７２の８１、第１層
としてＭｇＦ、を用いる以外、実施例Ｉと同様に試験し
た。結果を第６図に示す。
としてＭｇＦ、を用いる以外、実施例Ｉと同様に試験し
た。結果を第６図に示す。
ビームスプリッタ−の構成を以下に要約する。
成分 屈折率 光学的膜厚
入射媒質 空気 １．０ ＝第１層 Ｍ
ｇＦ、 １．４６ ０．２７５λ。
ｇＦ、 １．４６ ０．２７５λ。
第２層 Ｓｉ ３．７２ ０．２５λ０第３層
ＴｉＯ２２，３５０，２７５λ。
ＴｉＯ２２，３５０，２７５λ。
第４層 Ｓｉ ３．７５ ０．２５λ０透明
基板 ＢＫ−７１，５１７− （θ−４５°、λ。−８２０ｎｍ） 実施例５ 成分 屈折率 光学的膜厚 入射媒質 空気 １．０ ＝第１層 ５
１０２ １．４６ ０．２７５λ。
基板 ＢＫ−７１，５１７− （θ−４５°、λ。−８２０ｎｍ） 実施例５ 成分 屈折率 光学的膜厚 入射媒質 空気 １．０ ＝第１層 ５
１０２ １．４６ ０．２７５λ。
第２層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５λ。
第３層 Ｚ Ｏ２と ２．１５ ０．２７５λ０Ｔ
ｉ Ｏ２混合物 第４層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５２．。
ｉ Ｏ２混合物 第４層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５２．。
出射媒質 ＢＫ−７１，５＋７ −（θ−４５°
： λ。＝８２０ｎｍ）実施例６ 成分 屈折率 光学的膜厚 入射媒質 空気 １．０ −第１層 ５
Ｉ０２ １．４６ ０．２７５λ。
： λ。＝８２０ｎｍ）実施例６ 成分 屈折率 光学的膜厚 入射媒質 空気 １．０ −第１層 ５
Ｉ０２ １．４６ ０．２７５λ。
第２層 Ｓｉ ３．７２ ０．２５λ。
第３層 Ｚ０２ ２．１５ ０．２７５λ。
とＴ ｉ Ｏ２混合物
第４層 Ｓｉ ３．７２ ０．２５λ。
透明基板 ＢＫ−７１，５１７−
（θ−４５° 、λ。−８２０ｎｍ）
実施例７
成分 屈折率 光学的膜厚
入射媒質 空気 １．０ −第１層 Ａｌ
２０３１．６２ ０．２７５λ。
２０３１．６２ ０．２７５λ。
第２層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５λ。
第３層 Ｚ０２ ２．＋５ ０．２７５λ。
Ｔ ｉｏ ２混合物
第４層 Ｓｉ ３．２０ ０．２５λ。
出射媒質 Ｓｒ’−３１，７４−
（θ−４５° ： λ。−８２０ｎｍ）実施例８およｆ
ｆ９一 実施例１および２て得られたビームスプリッターを用い
これにλ−８００ｎｍの光を入射角３５〜７５５°て照
射し、反射光中のＳ偏光成分（Ｒｓ）とＰ偏光成分（Ｒ
ｐ）を測定した。結果をそれぞれ第１Ｏ図と第１＋図に
示す。
ｆ９一 実施例１および２て得られたビームスプリッターを用い
これにλ−８００ｎｍの光を入射角３５〜７５５°て照
射し、反射光中のＳ偏光成分（Ｒｓ）とＰ偏光成分（Ｒ
ｐ）を測定した。結果をそれぞれ第１Ｏ図と第１＋図に
示す。
発明の効果−
本発明ビームスプリッタ−は広い入射角範囲で反射率お
よび反射光中のＰ／Ｓ比をは＼Ｉにすることがてき、か
つ適用波長領域が広いため、応用範囲および許容巾が広
い。また製造が容易であって、実用性が高い。
よび反射光中のＰ／Ｓ比をは＼Ｉにすることがてき、か
つ適用波長領域が広いため、応用範囲および許容巾が広
い。また製造が容易であって、実用性が高い。
第１図は本発明ビームスプリッターの概略横断面図、
第２図は、ビームスプリッタ−に光を照射したときの状
態図、 第３図〜第９図は本発明実施例１〜７の入射光波長に対
する反射光（Ｒ）と透過光（Ｔ）の比率およびＰ偏光と
Ｓ偏光の比率を示すグラフ、第１０図〜第１１図は実施
例８．９の入射角に対する反射率とそのＰ偏光とＳ偏光
を示す図、および、 第１２図はビームスプリッタ−を用いた情報再生装置を
それぞれ示ず。 （１）：発振器 （２）：コリメータレンズ（３）
・ビームスプリッタ−（３′）・多層膜（３”）：Ｉ／
４波長板 （４）、コンデンサレンズ（５）：光ディス
ク （６）：光センサ（１１）：第１層 （１
２）：第２層（１３）・第３層 （＋４）：第４層
（１５）・透明基板 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社
態図、 第３図〜第９図は本発明実施例１〜７の入射光波長に対
する反射光（Ｒ）と透過光（Ｔ）の比率およびＰ偏光と
Ｓ偏光の比率を示すグラフ、第１０図〜第１１図は実施
例８．９の入射角に対する反射率とそのＰ偏光とＳ偏光
を示す図、および、 第１２図はビームスプリッタ−を用いた情報再生装置を
それぞれ示ず。 （１）：発振器 （２）：コリメータレンズ（３）
・ビームスプリッタ−（３′）・多層膜（３”）：Ｉ／
４波長板 （４）、コンデンサレンズ（５）：光ディス
ク （６）：光センサ（１１）：第１層 （１
２）：第２層（１３）・第３層 （＋４）：第４層
（１５）・透明基板 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、空気側から透明基板側へ順に、第１層、第２層、第
３層および第４層からなるビームスプリッターにおいて
、以下の条件を満足することを特徴とするビームスプリ
ッター： ｎ＿４＞ｎ＿３＞ｎｓ＞ｎ＿１ ｎ＿２＞ｎ＿３＞ｎｓ＞ｎ＿１ 但し、ここで、 ｎ＿１：第１層の屈折率、 ｎ＿２：第２層の屈折率、 ｎ＿３：第３層の屈折率、 ｎ＿４：第４層の屈折率、 ｎｓ：透明基板の屈折率、 である。 ２、更に以下の条件を満足することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のビームスプリッター。 １．４６＜ｎｓ＜１．８２ ３．０＜ｎ＿４＜４．０ １．８４＜ｎ＿３＜２．７０ ３．０＜ｎ＿２＜４．０ １．３５＜ｎ＿１＜１．８０ ３、透明基板がガラスからなり、第１層がＭｇＦ＿２、
ＳｉＯ＿２またはＡｌ＿２Ｏ＿３からなり、第２層及び
第４層がＳｉからなり、第３層がＴｉＯ＿２、ＺｒＯ＿
２、ＨｆＯ＿２、ＣｅＯ＿２またはそれらの混合物から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のビー
ムスプリッター。 ４、更に以下の条件を満足することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のビームスプリッター。 ０．２５λ＿０≦ｎ＿１ｄ＿１≦０．３０λ＿０ｎ＿２
ｄ＿２＝０．２５λ＿０ ０．２５λ＿０≦ｎ＿３ｄ＿３≦０．３０λ＿０ｎ＿４
ｄ＿４＝０．２５λ＿０ 但し、ここで、 ｎ＿１ｄ＿１：第１層の光学的膜厚、 ｎ＿２ｄ＿２：第２層の光学的膜厚、 ｎ＿３ｄ＿３：第３層の光学的膜厚、 ｎ＿４ｄ＿４：第４層の光学的膜厚、 λ＿０：設計主波長、 である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25803087A JPH0199004A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | ビームスプリッター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25803087A JPH0199004A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | ビームスプリッター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199004A true JPH0199004A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17314559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25803087A Pending JPH0199004A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | ビームスプリッター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0199004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994000782A1 (fr) * | 1992-06-19 | 1994-01-06 | Fujitsu Limited | Photocoupleur |
| US5808798A (en) * | 1996-03-27 | 1998-09-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Nonpolarizing beamsplitter |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP25803087A patent/JPH0199004A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994000782A1 (fr) * | 1992-06-19 | 1994-01-06 | Fujitsu Limited | Photocoupleur |
| US5699187A (en) * | 1992-06-19 | 1997-12-16 | Fujitsu Limited | Optical coupler |
| US5808798A (en) * | 1996-03-27 | 1998-09-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Nonpolarizing beamsplitter |
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