JPH0199277A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH0199277A JPH0199277A JP25863087A JP25863087A JPH0199277A JP H0199277 A JPH0199277 A JP H0199277A JP 25863087 A JP25863087 A JP 25863087A JP 25863087 A JP25863087 A JP 25863087A JP H0199277 A JPH0199277 A JP H0199277A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- conductivity type
- current blocking
- photodiode
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は光半導体装置６：関するものである。
〔従来の技術］
第２図は従来の半導体レーザ装置を示す説明図である０
図において％（１）はｎ−電極、（２）はｎ −ＧａＡ
ａコンタクト層、（３）はｏ−ＡｌＧａＡｓ上クラツド
層り（４）はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、（５）はｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ下クラッド層、（６）はｎ−ＧａＡａブロッ
ク層、σ）はｐ−ＧａＡａ基板、（８）はｐ−電極であ
る。
図において％（１）はｎ−電極、（２）はｎ −ＧａＡ
ａコンタクト層、（３）はｏ−ＡｌＧａＡｓ上クラツド
層り（４）はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、（５）はｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ下クラッド層、（６）はｎ−ＧａＡａブロッ
ク層、σ）はｐ−ＧａＡａ基板、（８）はｐ−電極であ
る。
次に動作Ｃニついて説明する。Ｉｎ−ＡＩＧａＡａ上ク
ラツド層り３）及びｐ−ＡＸｊａＡｓ活性層（４）、ｐ
−島一下りフッド層（５）でダブ〃ヘテロ接合を構成し
、ヘテ四接合と垂直な方向の光の閉じ込めを行ない、又
、コー辿ブロック層（６）で電流阻止層を形成し、電流
は凹溝に集中されペテロ接・合面と水チな方向の光の閉
じ込めが行なわれ、安定した基本横モードにて発振する
。
ラツド層り３）及びｐ−ＡＸｊａＡｓ活性層（４）、ｐ
−島一下りフッド層（５）でダブ〃ヘテロ接合を構成し
、ヘテ四接合と垂直な方向の光の閉じ込めを行ない、又
、コー辿ブロック層（６）で電流阻止層を形成し、電流
は凹溝に集中されペテロ接・合面と水チな方向の光の閉
じ込めが行なわれ、安定した基本横モードにて発振する
。
〔発明が解決しようとする問題点Ｊ
従来の半導体レーザ装置ではレーザダイオードの裏面に
モニタ用フォトダイオードを組立て、裏面光をフォトダ
イオードで受光し、レーザダイオ−ドの前面光出力をフ
ィードバックしている構成Ｃ二なっていたので、モニタ
用フォトダイオードを別工程ζ二で組立てなければなら
ず、又、レーザダイオードの発光点から離れて組立てら
れていたので、レーザダイオードの光出力をモニタする
場合に、モニタ出力電流がばらつくなどの問題点がめっ
た。
モニタ用フォトダイオードを組立て、裏面光をフォトダ
イオードで受光し、レーザダイオ−ドの前面光出力をフ
ィードバックしている構成Ｃ二なっていたので、モニタ
用フォトダイオードを別工程ζ二で組立てなければなら
ず、又、レーザダイオードの発光点から離れて組立てら
れていたので、レーザダイオードの光出力をモニタする
場合に、モニタ出力電流がばらつくなどの問題点がめっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消する丸め（二なさ
れ九もので、フォトダイオードとレーザダイオードをモ
ノリシックＣ二構成することにより。
れ九もので、フォトダイオードとレーザダイオードをモ
ノリシックＣ二構成することにより。
単体で構成することができるとともにモニタ出力電流が
ばらつかない光半導体装置を得ることを目的とする。
ばらつかない光半導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決する丸めの手段１
この発明に係る光半導体装置は、従来のｐ −ＧａＡａ
基板内部ストフイデレーザの後端面をＲＩＥ（Ｒｅａｃ
ｔｉｕｅ工Ｏｆ） Ｅｔｃｈｉｎｇ ）もしくはＲより
Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃ
：Ｌｉｎｇ）でｎ−ＧａＡｓブロック層（６）までエツ
チングし、晒されたｐ−ｎ接合部とフアブリベロ型半導
体レーザをモノリシックに構、成したものである。
基板内部ストフイデレーザの後端面をＲＩＥ（Ｒｅａｃ
ｔｉｕｅ工Ｏｆ） Ｅｔｃｈｉｎｇ ）もしくはＲより
Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃ
：Ｌｉｎｇ）でｎ−ＧａＡｓブロック層（６）までエツ
チングし、晒されたｐ−ｎ接合部とフアブリベロ型半導
体レーザをモノリシックに構、成したものである。
〔作用Ｊ
この発明感；おけるエツチングＣ；より晒されたｐ−ｎ
接合は太陽電池とし、レーザ光の裏面光をモニタするモ
ニタ用フォトダイオードとして作用する。
接合は太陽電池とし、レーザ光の裏面光をモニタするモ
ニタ用フォトダイオードとして作用する。
〔発明の実施例］
以下、この発明を図を用いて説明する。
第１図はこの発明の一実施例による光半導体装置を示す
説明図である０図砿二おいて、（１）はｎ−電極、（２
）はｎ−ＧａＡｓコンタクト層、（３）はり−ＡＩＧａ
Ａａ上クヲツド層、（り）はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、
（５）はｐ−ＡＩＧａＡａ下クラッド層、（６）はｎ−
ＧａＡａ電流阻止層、（７）はｐ−ＧａＡｓ基板、（８
）はｐ−電極である。
説明図である０図砿二おいて、（１）はｎ−電極、（２
）はｎ−ＧａＡｓコンタクト層、（３）はり−ＡＩＧａ
Ａａ上クヲツド層、（り）はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、
（５）はｐ−ＡＩＧａＡａ下クラッド層、（６）はｎ−
ＧａＡａ電流阻止層、（７）はｐ−ＧａＡｓ基板、（８
）はｐ−電極である。
まず、結晶成長においては、従来のｐ−ＧａＡｓ基板を
用いた内部ストライプレーザと同一の結晶ｅ、長を行な
う、次いで、チップのＭ振器をエツチングする幅だけ長
くする。そして後端面をＲＩＥもしくは、ＲＩＢＥでり
−ＧａＡｓブロック層までエツチングする。この際、発
光端面は、フアブリベロ反射鏡として光増幅に用いる。
用いた内部ストライプレーザと同一の結晶ｅ、長を行な
う、次いで、チップのＭ振器をエツチングする幅だけ長
くする。そして後端面をＲＩＥもしくは、ＲＩＢＥでり
−ＧａＡｓブロック層までエツチングする。この際、発
光端面は、フアブリベロ反射鏡として光増幅に用いる。
又、エツチングによ抄晒され構成されたｐ−ｎ接合を太
陽電池として、レーザ光のモニタ用フォトダイオードと
して使用する。
陽電池として、レーザ光のモニタ用フォトダイオードと
して使用する。
上記太陽電池部分と上記レーザダイオード部分を電気的
に遮断するために第１図に示す溝を堀っておく。
に遮断するために第１図に示す溝を堀っておく。
〔発明の効果］
以上のようシ：、この発明によれば、レーザダイオード
とフォトダイオードをモノリＶツク目二ａｔ成したので
、モニタ用フォトダイオードを別工程で組立てる必要が
なく、又、モニタ出力電流のばらつきの少ないものが得
られる効果がある。
とフォトダイオードをモノリＶツク目二ａｔ成したので
、モニタ用フォトダイオードを別工程で組立てる必要が
なく、又、モニタ出力電流のばらつきの少ないものが得
られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による光半導体装置を示す
説明図、第２図は従来の半導体レーザ装置を示す説明図
である。 図において、（１）はｎ−電極、（２） ハＤ−ＧａＡ
ｓ ：ｌンタクト層、（３）はＴ３１町山上クラツド層
、（４）はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、（５）はｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ下クラツド層り（６）はり−ＧａＡｓブロック
層、（７）はｐ−Ｇａ１ｕｓ基板、（８）はｐ−電極で
ある。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
説明図、第２図は従来の半導体レーザ装置を示す説明図
である。 図において、（１）はｎ−電極、（２） ハＤ−ＧａＡ
ｓ ：ｌンタクト層、（３）はＴ３１町山上クラツド層
、（４）はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、（５）はｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ下クラツド層り（６）はり−ＧａＡｓブロック
層、（７）はｐ−Ｇａ１ｕｓ基板、（８）はｐ−電極で
ある。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 第１の導電型のＧａＡｓ基板上に設けられたＧａＡｓ基
板にまで達するストライプ状の溝を有する第２の導電型
のＧａＡｓ電流阻止層と、該電流阻止層上に設けられた
第１の導電型のＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラ
ツド層と、該第１クラツド層上に設けられた第１もしく
は、第２もしくは真性の導電型のＡｌ＿ｙＧａ＿１＿−
＿ｙＡｓ活性層と、該活性層上に設けられた第２の導電
型のＡｌ＿ｘＧａ＿−＿ｘＡｓ第２クラツド層により形
成されるフアブリベロ型内部ストライプ型半導体レーザ
装置において、レーザの後端面部を第２の導電型のＧａ
Ａｓ電流阻止層までエッチングし、このエッチングで晒
されたｐ−ｎ接合を太陽電池としモノリシツクにレーザ
ダイオードとフォトダイオードを構成したことを特徴と
する光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25863087A JPH0199277A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25863087A JPH0199277A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199277A true JPH0199277A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17322943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25863087A Pending JPH0199277A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0199277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009522805A (ja) * | 2006-01-05 | 2009-06-11 | ビノプティクス・コーポレイション | 集積フォトニックデバイス用のモニタ光検出器 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP25863087A patent/JPH0199277A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009522805A (ja) * | 2006-01-05 | 2009-06-11 | ビノプティクス・コーポレイション | 集積フォトニックデバイス用のモニタ光検出器 |
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