JPH02101437A - 光波長変換素子および短波長レーザ光源 - Google Patents
光波長変換素子および短波長レーザ光源Info
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- JPH02101437A JPH02101437A JP63255111A JP25511188A JPH02101437A JP H02101437 A JPH02101437 A JP H02101437A JP 63255111 A JP63255111 A JP 63255111A JP 25511188 A JP25511188 A JP 25511188A JP H02101437 A JPH02101437 A JP H02101437A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コヒーレント光を利用する光情報処理分野、
あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子
および短波長レーザ光源に関するものである。
あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子
および短波長レーザ光源に関するものである。
従来の技術
第５図に従来の光波長変換素子の構成図を示す。
第５図（ａ）は光波長変換素子の上面図、 （ｂ）は側
断面図である。以下０．８４μｍの波長の基本波に対す
る高調波発生（波長０．４２μｍ）について図を用いて
詳しく述べる。 ［Ｔ、 Ｔａｎ１ｕｃｈｌ ａｎｄ
Ｋ、 Ｙａｍａ＋ｎｏｔｏ 、”５ｅｃｏｎｄ ｈａｒ
ｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｃｈｅｒｅ
ｎｋｏｖ ｒａｄｌａｔｌｏｎ Ｉｎ ｐｒｏｔｏｎ−
ｅｘｃｈａｎｇｅｄ ＬｉＮｂＯ２゜ｐｔｌｃａｌ ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ”、シーエルイーオ（ＣＬＥＯ） ’
８Ｇ、 ＷＲ３，１９８８年、参照］、 光波長変換
素子にはＬＩＮｂ０３基板目こプロトン交換法により埋
め込み型の光導波路２が形成されている。光導波路２の
入射面に基本波Ｐｉを入射すると、基本波の導波モード
の実効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折率Ｎ２が等しくな
るような条件が満足されるとき、光導波路２からＬＩＮ
ｂ０３基板ｌ内に高調波Ｐ３が効率良く放射され、光波
長変換素子として動作する。
断面図である。以下０．８４μｍの波長の基本波に対す
る高調波発生（波長０．４２μｍ）について図を用いて
詳しく述べる。 ［Ｔ、 Ｔａｎ１ｕｃｈｌ ａｎｄ
Ｋ、 Ｙａｍａ＋ｎｏｔｏ 、”５ｅｃｏｎｄ ｈａｒ
ｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｃｈｅｒｅ
ｎｋｏｖ ｒａｄｌａｔｌｏｎ Ｉｎ ｐｒｏｔｏｎ−
ｅｘｃｈａｎｇｅｄ ＬｉＮｂＯ２゜ｐｔｌｃａｌ ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ”、シーエルイーオ（ＣＬＥＯ） ’
８Ｇ、 ＷＲ３，１９８８年、参照］、 光波長変換
素子にはＬＩＮｂ０３基板目こプロトン交換法により埋
め込み型の光導波路２が形成されている。光導波路２の
入射面に基本波Ｐｉを入射すると、基本波の導波モード
の実効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折率Ｎ２が等しくな
るような条件が満足されるとき、光導波路２からＬＩＮ
ｂ０３基板ｌ内に高調波Ｐ３が効率良く放射され、光波
長変換素子として動作する。
上記従来の光波長変換素子は波長０．８４μｍの基本波
Ｐ１に対して導波路の厚み０．５μｍで最大変換効率を
示し、導波路の長さを８ ｍ ｍ１Ｐ １ ＝ ４０ｍ
ＷにしたときＰ２＝０．４ｍＷの高調波が得られていた
。この場合の変換効率Ｐｉ／Ｐ２は１％である。
Ｐ１に対して導波路の厚み０．５μｍで最大変換効率を
示し、導波路の長さを８ ｍ ｍ１Ｐ １ ＝ ４０ｍ
ＷにしたときＰ２＝０．４ｍＷの高調波が得られていた
。この場合の変換効率Ｐｉ／Ｐ２は１％である。
発明が解決しようとする課題
各種信号処理、情報処理に使用しているレーザ光の出力
は小さいものが多く基本波Ｐ１として４０ｍＷを得るの
が困難である。このような場合変換効率は基本波出力の
二乗に比例するためわずかの高周波しか得られない。例
えば信号光として１０ｍＷのものから得られる高調波は
４０ｍＷのものを使用した場合の１６分の１となり２０
μＷ程度しか得られないという問題がおあった。
は小さいものが多く基本波Ｐ１として４０ｍＷを得るの
が困難である。このような場合変換効率は基本波出力の
二乗に比例するためわずかの高周波しか得られない。例
えば信号光として１０ｍＷのものから得られる高調波は
４０ｍＷのものを使用した場合の１６分の１となり２０
μＷ程度しか得られないという問題がおあった。
また、コンパクトな短波長レーザ光源を得ようとした場
合、半導体レーザの高調波発生が有利である。半導体レ
ーザの高調波を利用した場合、０゜８μｍ帯の半導体レ
ーザより青色レーザ光をそして１．３μｍ帯の半導体レ
ーザより赤色レーザ光を取り出すことができるが、１．
１μｍ帯の半導体レーザの作製は困難であり高調波を利
用しての緑色レーザ光の発生が難しかった。
合、半導体レーザの高調波発生が有利である。半導体レ
ーザの高調波を利用した場合、０゜８μｍ帯の半導体レ
ーザより青色レーザ光をそして１．３μｍ帯の半導体レ
ーザより赤色レーザ光を取り出すことができるが、１．
１μｍ帯の半導体レーザの作製は困難であり高調波を利
用しての緑色レーザ光の発生が難しかった。
課題を解決するための手段
本発明は、光導波路を基本とした光波長変換素子の構成
に新たな工夫を加えることにより大幅な変換効率の向上
を可能とするものである。そのため本発明の光導波路波
長変換素子は非線形光学効果を有する基板とポンピング
光を発生する半導体レーザを備えなおかつ前記非線形光
学効果を有する基板には波長変換機能を有する光導波路
と信号光の入射部と前記ポンピング光の入射部が形成さ
れており、前記信号光および前記ポンピング光が前記光
導波路を伝搬する構成を用いるものである。
に新たな工夫を加えることにより大幅な変換効率の向上
を可能とするものである。そのため本発明の光導波路波
長変換素子は非線形光学効果を有する基板とポンピング
光を発生する半導体レーザを備えなおかつ前記非線形光
学効果を有する基板には波長変換機能を有する光導波路
と信号光の入射部と前記ポンピング光の入射部が形成さ
れており、前記信号光および前記ポンピング光が前記光
導波路を伝搬する構成を用いるものである。
作用
上記手段に示されるように光波長変換素子にポンピング
用の大パワー半導体レーザを付加し、このポンピング光
と信号光との和周波を発生させることにより変換光の変
換効率を大幅に増加することができ信号光から得られる
短波長光の出力を太き（することが可能である。また、
０．８μｍの半導体レーザと１．３μｍの半導体レーザ
を組み合わせることにより従来では得られなかったコン
パクトな緑色レーザ光を発生する短波長レーザ光源を得
ることが可能である。
用の大パワー半導体レーザを付加し、このポンピング光
と信号光との和周波を発生させることにより変換光の変
換効率を大幅に増加することができ信号光から得られる
短波長光の出力を太き（することが可能である。また、
０．８μｍの半導体レーザと１．３μｍの半導体レーザ
を組み合わせることにより従来では得られなかったコン
パクトな緑色レーザ光を発生する短波長レーザ光源を得
ることが可能である。
実施例
実施例の一つとして光波長変換素子の構成を図を用いて
説明する。
説明する。
本発明の光波長変換素子の構成図を第１図に示す。この
実施例では光波長変換素子としてＬｉＮｂａ３基板上に
作製した光導波路を用いたもので、第１図は光波長変換
素子の斜視図である。第１図で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直
に切り出された基板の＋側）のＬｉＮｂ０ａ基板、２は
燐酸中でのプロトン交換処理により形成された光導波路
、３はポンピング光の入射部、４は信号光Ｐ１の入射部
である。また半導体レーザ５がレンズを介して組み込ま
れている。ボンピング光源となる半導体レーザ５から出
射されたポンピング光Ｐ２はレンズ６ａｚ６ｂおよび半
波長板７を通して集光されポンピング光の入射部３に入
る。入射したポンピング光Ｐ２は方向性結合部８により
光導波路２に導入されている。光波長変換素子に信号光
Ｐ１を入射部４より入射すると、光導波路２の部分で非
線形相互作用が起りポンピング光Ｐ２と信号光Ｐ１との
和周波Ｐ３がＬｉＮｂＯ３内へ放射される。ここで用い
た位相整合法はチェレンコフ放射法である。ここで和周
波Ｐ３の波長λ３はポンピング光Ｐ２の波長λ２と信号
光Ｐ１の波長λ１により以下の式で決定される。
実施例では光波長変換素子としてＬｉＮｂａ３基板上に
作製した光導波路を用いたもので、第１図は光波長変換
素子の斜視図である。第１図で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直
に切り出された基板の＋側）のＬｉＮｂ０ａ基板、２は
燐酸中でのプロトン交換処理により形成された光導波路
、３はポンピング光の入射部、４は信号光Ｐ１の入射部
である。また半導体レーザ５がレンズを介して組み込ま
れている。ボンピング光源となる半導体レーザ５から出
射されたポンピング光Ｐ２はレンズ６ａｚ６ｂおよび半
波長板７を通して集光されポンピング光の入射部３に入
る。入射したポンピング光Ｐ２は方向性結合部８により
光導波路２に導入されている。光波長変換素子に信号光
Ｐ１を入射部４より入射すると、光導波路２の部分で非
線形相互作用が起りポンピング光Ｐ２と信号光Ｐ１との
和周波Ｐ３がＬｉＮｂＯ３内へ放射される。ここで用い
た位相整合法はチェレンコフ放射法である。ここで和周
波Ｐ３の波長λ３はポンピング光Ｐ２の波長λ２と信号
光Ｐ１の波長λ１により以下の式で決定される。
λ３＝λ、λ２／（λ、＋λ２）
次にこの光波長変換素子の製造方法について図を使って
説明する。
説明する。
第２図に本発明の光波長変換素子の製造工程図を示す。
同図（ａ）においてＬｉＮｂＯ３基板１」二にＴａによ
る保護マスク１１を電子ビーム蒸着により３００Ａ蒸着
を行った。次に同図（ｂ）で上記Ｔａ上に通常のフォト
プロセスにより厚み０．５μｍのフォトレジスト１２を
パターン化した後、ドライエツチングにより保護マスク
１１のバターニングを行った。次に同図（Ｃ）でＬｉＮ
ｂＯ３基板１に燐酸の一種であるピロ燐酸中で２３０℃
、５分間熱処理（プロトン交換処理）を行い厚み０．３
７μｍの高屈折率層１３を形成した。この高屈折率層１
３が光導波路２、入射部３，４となる。プロトン交換光
導波路は閉じ込めが良く和周波への変換効率が高まる。
る保護マスク１１を電子ビーム蒸着により３００Ａ蒸着
を行った。次に同図（ｂ）で上記Ｔａ上に通常のフォト
プロセスにより厚み０．５μｍのフォトレジスト１２を
パターン化した後、ドライエツチングにより保護マスク
１１のバターニングを行った。次に同図（Ｃ）でＬｉＮ
ｂＯ３基板１に燐酸の一種であるピロ燐酸中で２３０℃
、５分間熱処理（プロトン交換処理）を行い厚み０．３
７μｍの高屈折率層１３を形成した。この高屈折率層１
３が光導波路２、入射部３，４となる。プロトン交換光
導波路は閉じ込めが良く和周波への変換効率が高まる。
次にＴａによる保護マスク１１を除去した後、入射部３
，４および出射部９に垂直な面を光学研磨し素子が作製
される。作製された素子の長さは８ｍｍであり、このう
ち波長変換に寄与する光導波路２の長さは８ｍｍである
。第１図で信号光Ｐ１として半導体レーザ光（波長０．
７８μｍ）を入射部４より導波させたところシングル
モード伝搬し、波長０．４１μｍの和周波Ｐ３が出射部
９よりに取り出された。ボンピング用半導体レーザ（波
長０．８８μｍ）５より１２０ｍＷの光を取り出しこの
うち８０ｍＷが光導波路２を導波し波長変換に寄与した
。また信号光Ｐ１は１０ｍＷで得られた和周波Ｐ３は１
６０μＷであった。これは信号光Ｐ１のみを用いた場合
に得られる高周波２０μＷの８倍である。この実施例の
ように信号光Ｐ１の出力が小さいときに特に本波長変換
素子は仔効である。なお信号光に対してマルチモード伝
搬では和周波の出力が不安定で実用的ではない。
，４および出射部９に垂直な面を光学研磨し素子が作製
される。作製された素子の長さは８ｍｍであり、このう
ち波長変換に寄与する光導波路２の長さは８ｍｍである
。第１図で信号光Ｐ１として半導体レーザ光（波長０．
７８μｍ）を入射部４より導波させたところシングル
モード伝搬し、波長０．４１μｍの和周波Ｐ３が出射部
９よりに取り出された。ボンピング用半導体レーザ（波
長０．８８μｍ）５より１２０ｍＷの光を取り出しこの
うち８０ｍＷが光導波路２を導波し波長変換に寄与した
。また信号光Ｐ１は１０ｍＷで得られた和周波Ｐ３は１
６０μＷであった。これは信号光Ｐ１のみを用いた場合
に得られる高周波２０μＷの８倍である。この実施例の
ように信号光Ｐ１の出力が小さいときに特に本波長変換
素子は仔効である。なお信号光に対してマルチモード伝
搬では和周波の出力が不安定で実用的ではない。
次に本発明の青色レーザを発生する短波長レーザ光源の
実施例について図を用いて説明する。第３図（ａ）に短
波長レーザ光源の上面図、 （ｂ）に短波長レーザ光源
の光導波路の中心で切った断面図を示す。
実施例について図を用いて説明する。第３図（ａ）に短
波長レーザ光源の上面図、 （ｂ）に短波長レーザ光源
の光導波路の中心で切った断面図を示す。
基板１としてＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯｔを用い
た。第３図（ａ）でポンピング光Ｐ２を発生する半導体
レーザ５および信号光Ｐ１を発生する半導体レーザ２１
はＬＩＮｂＯａ基板１に直接光が入射するように直接結
合されておりこれ全体で短波長レーザ光源を構成してい
る。この実施例のように半導体レーザを直接結合すると
部品点数が少なくなるうえに位置ずれにも強くなる。こ
の短波長レーザ光源ではポンピング光源として０６８４
μｍの半導体レーザ、信号光として０．７８μｍのＤＦ
Ｂレーザを用いに０ ポンピング光Ｐ２は１００ｍＷ
であり、また信号光Ｐ１が３０ｍＷ入力のときに１ｍＷ
の和周波が得られた。第３図（ｂ）において入射部４よ
り入射した基本波は光導波路２で和周波Ｐ３へと変換さ
れＬｉＮｂＯ３基板１内へ放射される。発生した和周波
Ｐ２のフヒーレンス性は主にＤＦＢレーザにより決定さ
れ、単一スペクトルの良好な縦モードであった。またＭ
ｇＯがドーピングされている基板を用いると短波長の光
に対しても光損傷が防止でき和周波の出力変動がない。
た。第３図（ａ）でポンピング光Ｐ２を発生する半導体
レーザ５および信号光Ｐ１を発生する半導体レーザ２１
はＬＩＮｂＯａ基板１に直接光が入射するように直接結
合されておりこれ全体で短波長レーザ光源を構成してい
る。この実施例のように半導体レーザを直接結合すると
部品点数が少なくなるうえに位置ずれにも強くなる。こ
の短波長レーザ光源ではポンピング光源として０６８４
μｍの半導体レーザ、信号光として０．７８μｍのＤＦ
Ｂレーザを用いに０ ポンピング光Ｐ２は１００ｍＷ
であり、また信号光Ｐ１が３０ｍＷ入力のときに１ｍＷ
の和周波が得られた。第３図（ｂ）において入射部４よ
り入射した基本波は光導波路２で和周波Ｐ３へと変換さ
れＬｉＮｂＯ３基板１内へ放射される。発生した和周波
Ｐ２のフヒーレンス性は主にＤＦＢレーザにより決定さ
れ、単一スペクトルの良好な縦モードであった。またＭ
ｇＯがドーピングされている基板を用いると短波長の光
に対しても光損傷が防止でき和周波の出力変動がない。
また、基本波の入射部に反射防止膜を設けると光導波路
との結合効率があがり和周波の出力が増加する。
との結合効率があがり和周波の出力が増加する。
次に第３の実施例として緑色レーザ光を発生する短波長
レーザ光源について図を用いて説明する。
レーザ光源について図を用いて説明する。
図４に本実施例の短波長レーザ光源の上面図を示す。基
板としてＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ３基板を用い
た。また、半導体レーザとして波長０゜８６μｍのもの
と波長１．３０μｍのものを用いまた合波にはＹ分岐８
′を用いた。光導波路２はプロトン交換法により形成し
た。半導体レーザから出射された基本波Ｐ１およびＰ２
はレンズおよび半波長板を通して光導波路に結合される
。ここで用いた半波長板は光導波路の偏光方向と半導体
レーザの偏光方向を一致させるために用いた。次に入射
部より導波した基本波Ｐ１６およびＰ２はＹ分岐８′で
合波され光導゛波路２に入る。この光導波路２の厚みが
０．５５μｍのときに最も効率良く和周波Ｐ３が発生し
た。発生する和周波は０゜５２μｍの緑色レーザ光であ
った。本短波長レーザ光源によりコンパクトな素子より
緑色レーザ光が発生可能となり他の青色レーザ、赤色レ
ーザ光を発生する短波長レーザとの組合せでＲＧＢの３
色が発生できる。
板としてＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ３基板を用い
た。また、半導体レーザとして波長０゜８６μｍのもの
と波長１．３０μｍのものを用いまた合波にはＹ分岐８
′を用いた。光導波路２はプロトン交換法により形成し
た。半導体レーザから出射された基本波Ｐ１およびＰ２
はレンズおよび半波長板を通して光導波路に結合される
。ここで用いた半波長板は光導波路の偏光方向と半導体
レーザの偏光方向を一致させるために用いた。次に入射
部より導波した基本波Ｐ１６およびＰ２はＹ分岐８′で
合波され光導゛波路２に入る。この光導波路２の厚みが
０．５５μｍのときに最も効率良く和周波Ｐ３が発生し
た。発生する和周波は０゜５２μｍの緑色レーザ光であ
った。本短波長レーザ光源によりコンパクトな素子より
緑色レーザ光が発生可能となり他の青色レーザ、赤色レ
ーザ光を発生する短波長レーザとの組合せでＲＧＢの３
色が発生できる。
また光導波路２１の厚みを０． ６μｍとした時和周波
のみでなく０．８６μｍの半導体レーザおよび１． ３
μｍの半導体レーザの高調波も発生した。
のみでなく０．８６μｍの半導体レーザおよび１． ３
μｍの半導体レーザの高調波も発生した。
つまり光導波路の厚みを最適化することてせ赤。
青、緑の３色のレーザ光を当時に発せいすることもでき
る。
る。
なお、０．６５〜１．６μｍの波長の基本波を用いて本
光波長変換素子による和周波発生を確認した。
光波長変換素子による和周波発生を確認した。
次に第４の実施例として本発明の短波長レーザ光源を光
ディスクの読み取りに応用した例について説明する。短
波長レーザ光源より発生した和周波Ｐ３をシリンドリカ
ルレンズにより発散光側を平行光になるようにビーム整
形を行い、両側ともに平行光とする。このビームがレン
ズにより集光され光デイスク上に０．６μｍのスポット
を結ぶ。
ディスクの読み取りに応用した例について説明する。短
波長レーザ光源より発生した和周波Ｐ３をシリンドリカ
ルレンズにより発散光側を平行光になるようにビーム整
形を行い、両側ともに平行光とする。このビームがレン
ズにより集光され光デイスク上に０．６μｍのスポット
を結ぶ。
この反射信号は再び偏光ビームスプリッタを通過後、受
光器に入射する。波長０．８４μｍ、ポンピング光とし
て出力８０ｍＷの半導体レーザを用い信号光Ｐ１として
５０ｍＷを光導波路２内へ結合させた。また、信号光と
して０．８６μｍの半導体レーザ１００ｍＷを用いた。
光器に入射する。波長０．８４μｍ、ポンピング光とし
て出力８０ｍＷの半導体レーザを用い信号光Ｐ１として
５０ｍＷを光導波路２内へ結合させた。また、信号光と
して０．８６μｍの半導体レーザ１００ｍＷを用いた。
これにより１．４ｍＷの和周波Ｐ３が放射され、これが
光ディスクの読み取りに使用された。
光ディスクの読み取りに使用された。
このように本発明の青色レーザ光を発生する短波長レー
ザ光源を用いることで従来使用していた０、８μｍ帯の
半導体レーザを用いた光ディスクの読み取り系に比べて
半分のスポットに絞ることができ光ディスクの記録密度
を４倍に向上することができる。
ザ光源を用いることで従来使用していた０、８μｍ帯の
半導体レーザを用いた光ディスクの読み取り系に比べて
半分のスポットに絞ることができ光ディスクの記録密度
を４倍に向上することができる。
なお実施例として非線形光学定数の大きなＬｉＮ ｂ
Ｏａを用いたが他にＬ ｉ Ｔ ａ Ｏａ＋ Ｋ Ｎ
ｂ Ｏｓ＋ＫＴＰなどの強誘電体、ＭＮＡなどの有機
物質を用いることもできる。また光導波路としてプロト
ン交換光導波路を用いたが他に拡散、イオン注入光導波
路でもよい。また、和周波を発生させるための位相整合
はうとしてチェレンコフ放射法を用いたが、温度チュウ
ニング法、角度チューニング法でもよい。
Ｏａを用いたが他にＬ ｉ Ｔ ａ Ｏａ＋ Ｋ Ｎ
ｂ Ｏｓ＋ＫＴＰなどの強誘電体、ＭＮＡなどの有機
物質を用いることもできる。また光導波路としてプロト
ン交換光導波路を用いたが他に拡散、イオン注入光導波
路でもよい。また、和周波を発生させるための位相整合
はうとしてチェレンコフ放射法を用いたが、温度チュウ
ニング法、角度チューニング法でもよい。
発明の詳細
な説明したように本発明の光波環、変換素子によれば、
大パワー出射が可能な半導体レーザをポンピング光源と
して光波長変換素子に組み込むことにより光波長変換素
子による信号光の短波長レーザ光への変換効率が大幅に
向上する。特に本発明の光波長変換素子は信号光が４０
ｍＷ以下の低出力のときに大きな変換効率の向上を図る
ことができる。また０、 ８μｍ帯の半導体レーザお
よび１．３μｍ帯の半導体レーザを組み込んだ短波長レ
ーザ光源として用いることにより大出力の緑色レーザが
コンパクトな素子より得られ、光情報処理または光計７
１ｉ１１制御などの分野で有効な光源となる。
大パワー出射が可能な半導体レーザをポンピング光源と
して光波長変換素子に組み込むことにより光波長変換素
子による信号光の短波長レーザ光への変換効率が大幅に
向上する。特に本発明の光波長変換素子は信号光が４０
ｍＷ以下の低出力のときに大きな変換効率の向上を図る
ことができる。また０、 ８μｍ帯の半導体レーザお
よび１．３μｍ帯の半導体レーザを組み込んだ短波長レ
ーザ光源として用いることにより大出力の緑色レーザが
コンパクトな素子より得られ、光情報処理または光計７
１ｉ１１制御などの分野で有効な光源となる。
第１図は本発明の一実施例の光波長変換素子の構成斜視
図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光波長変換素子の
製造方法を用いた第１の実施例の図は本発明の短波長レ
ーザ光源の第三の実施例の１・・・ＬＩＮｂＣ１ａ基板
、２・・・光導波路、３・・・入射部、４・・・出射部
、５・・・半導体レーザ。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか１名 第 図 （ｂ） （（ジ Ｐ３−一一犯朋シ叉 （Ｃ２］ ＜ｂ２ 第 図 第 図 ／
図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光波長変換素子の
製造方法を用いた第１の実施例の図は本発明の短波長レ
ーザ光源の第三の実施例の１・・・ＬＩＮｂＣ１ａ基板
、２・・・光導波路、３・・・入射部、４・・・出射部
、５・・・半導体レーザ。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか１名 第 図 （ｂ） （（ジ Ｐ３−一一犯朋シ叉 （Ｃ２］ ＜ｂ２ 第 図 第 図 ／
Claims (10)
- （１）非線形光学効果を有する基板とポンピング光を発
生する半導体レーザを備え、前記非線形光学効果を有す
る基板には波長変換機能を有する光導波路と信号光の入
射部と前記ポンピング光の入射部が形成されており、前
記信号光および前記ポンピング光が前記光導波路を伝搬
することを特徴とする光波長変換素子。 - （２）非線形光学効果を有する基板とポンピング光を発
生する第１の半導体レーザ、および信号光を発生する第
２の半導体レーザを備え、前記非線形光学効果を有する
基板には波長変換機能を有する光導波路と信号光の入射
部と前記ポンピング光の入射部が形成されており、前記
信号光および前記ポンピング光が前記光導波路を伝搬す
ることを特徴とする短波長レーザ光源。 - （３）非線形光学効果を有する基板と波長０．７５〜０
．９μｍの第１の半導体レーザと波長１．２〜１．４μ
ｍの第２の半導体レーザを備え、前記非線形光学効果を
有する基板には波長変換機能を有する光導波路と前記第
１の半導体レーザよりの光の入射部と前記第２の半導体
レーザよりの光の入射部が形成されており、前記第１の
半導体レーザよりの光および前記第２の半導体レーザの
光が前記光導波路を伝搬することを特徴とする短波長レ
ーザ光源。 - （４）非線形光学効果を有する基板としてＬｉＮｂ＿Ｘ
Ｔａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦１）基板を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換
素子または第２項・第３項記載の短波長レーザ光源。 - （５）非線形光学効果を有する基板としてＭｇＯがドー
ピングされたＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０
≦Ｘ≦１）基板を使用したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光波長変換素子または第２項・第３項
記載の短波長レーザ光源。 - （６）光導波路としてプロトン交換光導波路を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項の光波長変換素子
または第２項・第３項記載の短波長レーザ光源。 - （７）プロトン交換光導波路上に保護膜が形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長
変換素子または第２項・第３項記載の短波長レーザ光源
。 - （８）光導波路と半導体レーザが直接結合されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換
素子または第２項・第３項記載の短波長レーザ光源。 - （９）基本波の入射部に反射防止膜が形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換
素子または第２項・第３項記載の短波長レーザ光源。 - （１０）信号光を発生する半導体レーザとしてＤＦＢレ
ーザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の短波長レーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255111A JPH02101437A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光波長変換素子および短波長レーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255111A JPH02101437A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光波長変換素子および短波長レーザ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101437A true JPH02101437A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17274256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63255111A Pending JPH02101437A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光波長変換素子および短波長レーザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101437A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155662A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 複写機の制御装置 |
| JPS6172222A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換器 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63255111A patent/JPH02101437A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155662A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 複写機の制御装置 |
| JPS6172222A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換器 |
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