JPH02101461A - 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成材料およびパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02101461A JPH02101461A JP63255116A JP25511688A JPH02101461A JP H02101461 A JPH02101461 A JP H02101461A JP 63255116 A JP63255116 A JP 63255116A JP 25511688 A JP25511688 A JP 25511688A JP H02101461 A JPH02101461 A JP H02101461A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- film
- polymer
- pattern
- electron beam
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子や集積回路を荷電ビームを用いて
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
従来の技術
従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の製造においては、紫外線を用
いだホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ている。素子の微細化に伴ない、ステッパーレンズの高
ＮＡ化、短波長光源の使用等がすすめられているが、そ
れによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。また
、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、ムＳＩＣの製造
等にともない、電子ビームリソグラフィーが用いられる
ようになってきている。この電子ビームリソグラフィー
による微細パターン形成にはポジ型電子線レジストは欠
くことのできないものである。その中でポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭム）は最も解像性の良いものとして
知られているが、低感度であることが欠点である。それ
故、近年ポジ型電子線レジストの感度を高める多くの報
告が行なワしており、例えばポリメタクリル酸ブチル、
メタクリル酸メチルとメタクリ酸との共重合体、メタク
リル酸とアクリロニトリルとの共重合体、メタクリル酸
メチルとイソブチレンとの共重合体、ポリブテン−１−
スルホン、ポリイソプロペニルケトン、含フツ素ポリメ
タクリレート等のポジ型電子線レジストが発表されてい
る。これらのレジストはいづれも、側鎖に電子吸引性基
を導入、または主鎖に分解しやすい結合を導入すること
によって、電子ビームによる主鎖切断が容易におこるよ
うにしたレジストであシ、高感度化をねらったものであ
るが、解像度と感度の両方を十分に満たしたものである
とはいえない。
いだホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ている。素子の微細化に伴ない、ステッパーレンズの高
ＮＡ化、短波長光源の使用等がすすめられているが、そ
れによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。また
、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、ムＳＩＣの製造
等にともない、電子ビームリソグラフィーが用いられる
ようになってきている。この電子ビームリソグラフィー
による微細パターン形成にはポジ型電子線レジストは欠
くことのできないものである。その中でポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭム）は最も解像性の良いものとして
知られているが、低感度であることが欠点である。それ
故、近年ポジ型電子線レジストの感度を高める多くの報
告が行なワしており、例えばポリメタクリル酸ブチル、
メタクリル酸メチルとメタクリ酸との共重合体、メタク
リル酸とアクリロニトリルとの共重合体、メタクリル酸
メチルとイソブチレンとの共重合体、ポリブテン−１−
スルホン、ポリイソプロペニルケトン、含フツ素ポリメ
タクリレート等のポジ型電子線レジストが発表されてい
る。これらのレジストはいづれも、側鎖に電子吸引性基
を導入、または主鎖に分解しやすい結合を導入すること
によって、電子ビームによる主鎖切断が容易におこるよ
うにしたレジストであシ、高感度化をねらったものであ
るが、解像度と感度の両方を十分に満たしたものである
とはいえない。
また、電子ビームリソグラフィーにおいては、電子ビー
ムレジストの耐ドライエツチ性の悪さ、電子の前方散乱
、後方散乱のだめの近接効果によるパターン精度への影
響、また、露光電子のチャージ・アップによるパターン
描画への影響等の欠点がある。これらの欠点をおぎなう
ために、レジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた
多層レジスト法は非常に有効な方法である。第３図は電
子ビームリソグラフィーにおける多層レジストプロセス
を説明する図である。近接効果をおさえるために下層膜
として有機膜を２〜３μｍ厚塗布し、中間層として８ｉ
０２等の無機膜あるいは５ｏＧ（スピン オン グラス
）等の無機膜を塗布し、上層に電子線レジストを塗布し
、その上にチャージ・アップを防止するためにアルｉを
約１００人蒸着する（第３図ａ）。露光後、アルカリ水
溶液でアルミ層を除去し、その後現像する（第３図ｂ）
。
ムレジストの耐ドライエツチ性の悪さ、電子の前方散乱
、後方散乱のだめの近接効果によるパターン精度への影
響、また、露光電子のチャージ・アップによるパターン
描画への影響等の欠点がある。これらの欠点をおぎなう
ために、レジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた
多層レジスト法は非常に有効な方法である。第３図は電
子ビームリソグラフィーにおける多層レジストプロセス
を説明する図である。近接効果をおさえるために下層膜
として有機膜を２〜３μｍ厚塗布し、中間層として８ｉ
０２等の無機膜あるいは５ｏＧ（スピン オン グラス
）等の無機膜を塗布し、上層に電子線レジストを塗布し
、その上にチャージ・アップを防止するためにアルｉを
約１００人蒸着する（第３図ａ）。露光後、アルカリ水
溶液でアルミ層を除去し、その後現像する（第３図ｂ）
。
次にこのレジストパターンをマスクとして中間層のドラ
イエツチングを行ない（第３図Ｃ）、次に、中間層をマ
スクとして下層のドライエツチングを行なう（第３図ｄ
）。以上のような多層レジストプロセスを用いることに
より、微細なパターンを高アスペクト比で形成すること
ができる。
イエツチングを行ない（第３図Ｃ）、次に、中間層をマ
スクとして下層のドライエツチングを行なう（第３図ｄ
）。以上のような多層レジストプロセスを用いることに
より、微細なパターンを高アスペクト比で形成すること
ができる。
しかし、アルミ層を蒸着する多層レジストでは工程がよ
り複雑となシ、また、コンタミネーション等の問題があ
シ、実用的であるとはいえない。
り複雑となシ、また、コンタミネーション等の問題があ
シ、実用的であるとはいえない。
発明が解決しようとする課題
上記のように、アルミ層つきの多層レジストプロセスは
有効な方法であるが、複雑な工程、アルばのコンタミネ
ーション等の課題がある。また、アルミ層をとりのぞい
た多層レジストプロセスではチャージ、アップの問題が
ある。チャージ・アップとは露光電子が絶縁体であるレ
ジスト、中間層または下層にたまる現象である。このチ
ャージ・アップ効果によシ、電子ビームリソグラフィー
において、フィールドバッティング、合わせ精度の劣化
等、大きな課題が生じる。また、単層レジストでもこの
チャージ・アップ現象は見られ、三層レジストと同様に
フィールドバッティング、合わせ精度の劣化をまねく。
有効な方法であるが、複雑な工程、アルばのコンタミネ
ーション等の課題がある。また、アルミ層をとりのぞい
た多層レジストプロセスではチャージ、アップの問題が
ある。チャージ・アップとは露光電子が絶縁体であるレ
ジスト、中間層または下層にたまる現象である。このチ
ャージ・アップ効果によシ、電子ビームリソグラフィー
において、フィールドバッティング、合わせ精度の劣化
等、大きな課題が生じる。また、単層レジストでもこの
チャージ・アップ現象は見られ、三層レジストと同様に
フィールドバッティング、合わせ精度の劣化をまねく。
すなわち、電子ビームリソグラフィーにおいて、露光さ
れた電子はレジスト中を散乱するが、一部がレジスト中
で止り、その領域でチャージがたまってしまう。このた
まったチャージにより電子ビームが曲げられ、フィール
ドバッティング、合わせ精度の劣化をひきおこすと考え
た。
れた電子はレジスト中を散乱するが、一部がレジスト中
で止り、その領域でチャージがたまってしまう。このた
まったチャージにより電子ビームが曲げられ、フィール
ドバッティング、合わせ精度の劣化をひきおこすと考え
た。
本発明者らはこの現象を解決するために、導電性電子線
レジスト、また、それらを用いた微細パターン形成方法
を完成した。
レジスト、また、それらを用いた微細パターン形成方法
を完成した。
課題を解決するだめの手段
すなわち、本発明は、荷電ビームを照射することによっ
て重合または分解がおこる高分子物質に、導電性高分子
を混合したものを電子線レジストとして使用することに
よって、上記のような課題を解消しようというものであ
る。この電子線レジストは高い導電率を示すようになる
ので、露光時における電子のチャージ・アンプを防止す
ることができる。このレジスト材料は、荷電ビームによ
って分解または重合がおこる感光性高分子と、露光時の
チャージを取りのぞく導電性高分子の２相から成ってお
り、電子ビームに対して高い感度を示す導電性電子線レ
ジストになりうる。また、導電性高分子も電子ビームと
反応してもよく、その時は導電性高分子は、現像時の溶
解阻止剤としても働く。
て重合または分解がおこる高分子物質に、導電性高分子
を混合したものを電子線レジストとして使用することに
よって、上記のような課題を解消しようというものであ
る。この電子線レジストは高い導電率を示すようになる
ので、露光時における電子のチャージ・アンプを防止す
ることができる。このレジスト材料は、荷電ビームによ
って分解または重合がおこる感光性高分子と、露光時の
チャージを取りのぞく導電性高分子の２相から成ってお
り、電子ビームに対して高い感度を示す導電性電子線レ
ジストになりうる。また、導電性高分子も電子ビームと
反応してもよく、その時は導電性高分子は、現像時の溶
解阻止剤としても働く。
導電性高分子としてシリコン含有導電性高分子を使用す
ることによって、耐ドライエツチ性の高い、二層レジス
ト用のシリコン含有導電性レジストになりうる。
ることによって、耐ドライエツチ性の高い、二層レジス
ト用のシリコン含有導電性レジストになりうる。
これらの導電性高分子物質を多層レジストの上層レジス
トに用いることによって、アルミ層をつけずに多層レジ
ストを容易に形成することができ、チャージアップによ
るバッティングエラー、アライメントずれのない正確な
微細レジストパターンを形成することができる。
トに用いることによって、アルミ層をつけずに多層レジ
ストを容易に形成することができ、チャージアップによ
るバッティングエラー、アライメントずれのない正確な
微細レジストパターンを形成することができる。
作用
本発明は前記した導電性電子線レジスト、および、それ
を用いたレジストプロセスによす、容易に、チャーハア
ップのおこらない正確な微細パターンを形成することが
できる。特に、アルミ層を蒸着する必要がなく、コンタ
ミネーシコンの問題もなく、また、工程も簡略化するこ
とができ、電子によるチャージ・ア多プを防止して、正
確な微細パターンを形成することができる。従って、本
発明を用いることによって、正確な高解像度な微細パタ
ーン形成に有効に作用する。
を用いたレジストプロセスによす、容易に、チャーハア
ップのおこらない正確な微細パターンを形成することが
できる。特に、アルミ層を蒸着する必要がなく、コンタ
ミネーシコンの問題もなく、また、工程も簡略化するこ
とができ、電子によるチャージ・ア多プを防止して、正
確な微細パターンを形成することができる。従って、本
発明を用いることによって、正確な高解像度な微細パタ
ーン形成に有効に作用する。
実施例
（実施例１）
分子量約２０万のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ人
）０１ ｆをメチルイソブチルケトン１０Ｃ，Ｃ，に溶
解させた後、分子量約１０万のポリジブチルチオフェン
０．１ｙを加えて、不溶分をろ別しレジスト溶液とした
。このレジスト溶液を半導体基板上に滴下し２００ Ｏ
ｒｐｍでスピンコードし１５′０℃、３０分間のベーキ
ングを行ない、１２μｍ厚のレジスト膜を得ることがで
きだ。次に、加速電圧２０ＫＶ、照射量１．ＯＸ １０
’ ｃ／ＣＸＰテ電子線露光を行なった後、メチルイ
ンブチルケトン（ＭＩＢＫ）とイソプロピルアルコール
（ＩＦム）の混合液で現像を行なった所、チャージアッ
プによるフィールドバッティングエラーのない、正確な
ポジ型レジストパターンを得ることができた。
）０１ ｆをメチルイソブチルケトン１０Ｃ，Ｃ，に溶
解させた後、分子量約１０万のポリジブチルチオフェン
０．１ｙを加えて、不溶分をろ別しレジスト溶液とした
。このレジスト溶液を半導体基板上に滴下し２００ Ｏ
ｒｐｍでスピンコードし１５′０℃、３０分間のベーキ
ングを行ない、１２μｍ厚のレジスト膜を得ることがで
きだ。次に、加速電圧２０ＫＶ、照射量１．ＯＸ １０
’ ｃ／ＣＸＰテ電子線露光を行なった後、メチルイ
ンブチルケトン（ＭＩＢＫ）とイソプロピルアルコール
（ＩＦム）の混合液で現像を行なった所、チャージアッ
プによるフィールドバッティングエラーのない、正確な
ポジ型レジストパターンを得ることができた。
まだ、末照射部の膜減りはほとんどなかった。
（実施例２）
分子量約１０万の含フツ素ポリメタクリレート０１ｙを
ＭＩＢＫｌｏｃｃに溶解させた後、分子量約１万のラダ
ー型ジメチルポリシラン０．１ｙを加えて、不溶分をろ
別しレジスト溶液とした。このレジスト溶液を半導体基
板上に滴下し２００Ｏｒｐｍでスピンコードし、１５０
’Ｃ，３０分間のベーキングを行ない、１２μｍ厚のレ
ジスト膜を得ることができた。次に、加速電圧２０ＫＶ
、照射量１０ Ｘ １０−６ｃ／（がで電子線露光を行
なった後、ＩＰ人で現像を行なった所、チャージ・アン
プによるフィールドバッティングエラーのない、正確な
ポジ型レジストパターンを得ることができた。
ＭＩＢＫｌｏｃｃに溶解させた後、分子量約１万のラダ
ー型ジメチルポリシラン０．１ｙを加えて、不溶分をろ
別しレジスト溶液とした。このレジスト溶液を半導体基
板上に滴下し２００Ｏｒｐｍでスピンコードし、１５０
’Ｃ，３０分間のベーキングを行ない、１２μｍ厚のレ
ジスト膜を得ることができた。次に、加速電圧２０ＫＶ
、照射量１０ Ｘ １０−６ｃ／（がで電子線露光を行
なった後、ＩＰ人で現像を行なった所、チャージ・アン
プによるフィールドバッティングエラーのない、正確な
ポジ型レジストパターンを得ることができた。
また、末照射部の膜減りはほとんどなかった。
（実施例３）
実施例２においてラダー型ジメチルポリシランのかわり
に、パーシラポリアセチレンを加えることによってレジ
スト膜を形成した。このレジスト膜に加速電圧２０ＫＶ
、照射量１ｘ１ｏ−６ｃ／ｉがで電子線露光を行なった
後、ＩＰ人で現像を行なった所、チャージアップによる
フィールドバッティングエラーのない、正確なポジ型レ
ジストパターンを得ることができた。
に、パーシラポリアセチレンを加えることによってレジ
スト膜を形成した。このレジスト膜に加速電圧２０ＫＶ
、照射量１ｘ１ｏ−６ｃ／ｉがで電子線露光を行なった
後、ＩＰ人で現像を行なった所、チャージアップによる
フィールドバッティングエラーのない、正確なポジ型レ
ジストパターンを得ることができた。
（実施例４）
本発明の第４の実施例を第１図に示す。半導体基板１上
に下層膜２として高分子有機膜を塗布し、２２０’Ｃ，
２０分間ベーキングを行なう。この上に中間層３として
ＳＯＧをスピンコードし、２００℃。
に下層膜２として高分子有機膜を塗布し、２２０’Ｃ，
２０分間ベーキングを行なう。この上に中間層３として
ＳＯＧをスピンコードし、２００℃。
２ｏ分間ベーキングを行なう。この上に実施例１で得ら
れた混合物を電子線レジスト４として塗布し、１５０℃
、２０分間のベーキングを行ない、０６μｍ厚のレジス
ト膜を形成した。（第１図ａ）次に、加速電圧２０ＫＶ
、照射量１×１ｏ Ｃ／ａｆで電子線５の露光を行ない
、ＩＰムで現像を行なった所、正確な微細レジストパタ
ーン４Ｐが得られた。（第１図ｂ）導電性が良いのでチ
ャージアップによるフィールドパッティングエラーは全
く見られなかった。このレジストパターン４Ｐ″Ｉｒ：
？スフとして中間層５ＯＧ３のエツチングを行なった。
れた混合物を電子線レジスト４として塗布し、１５０℃
、２０分間のベーキングを行ない、０６μｍ厚のレジス
ト膜を形成した。（第１図ａ）次に、加速電圧２０ＫＶ
、照射量１×１ｏ Ｃ／ａｆで電子線５の露光を行ない
、ＩＰムで現像を行なった所、正確な微細レジストパタ
ーン４Ｐが得られた。（第１図ｂ）導電性が良いのでチ
ャージアップによるフィールドパッティングエラーは全
く見られなかった。このレジストパターン４Ｐ″Ｉｒ：
？スフとして中間層５ＯＧ３のエツチングを行なった。
（第１図Ｃ）そして中間層をマスクとして下層膜２のエ
ツチングを行ない、正確で垂直な微細レジストパターン
２Ｐを得ることができた。（第１図ｄ）（実施例６） 本発明の第５の実施例を第２図に示す。半導体基板１上
に下層膜１２として高分子有機膜を塗布し、２２０℃、
２０分間ベベーキング行なう。この上に、実施例２で得
られた混合物を電子線レジスト１３として塗布し、１５
０’Ｃ，２０分間のベーキングを行ない、０．６μｍ厚
のレジスト膜を形成した。（第２図ａ）次に、加速電圧
２０ＫＶ、照射量１ｘ １ｏ−’ ｃ／ｃｒで電子線１
４で露光を行ない、ＩＰムで現像すると、正確な微細レ
ジストパター７１３Ｐが得られた。（第２図ｂ）導電性
が良いのでチャージアップによるフィールドパッティン
グエラーは全く見られなかった。このレジストパターン
１３Ｐをマスクとして下層膜１２のエツチングを行ない
、正確で垂直な微細レジストパターン１２Ｐを得ること
ができた。（第２図Ｃ）なお、電子線レジスト１３とし
て実施例３で得られた混合物を使用してもよい。
ツチングを行ない、正確で垂直な微細レジストパターン
２Ｐを得ることができた。（第１図ｄ）（実施例６） 本発明の第５の実施例を第２図に示す。半導体基板１上
に下層膜１２として高分子有機膜を塗布し、２２０℃、
２０分間ベベーキング行なう。この上に、実施例２で得
られた混合物を電子線レジスト１３として塗布し、１５
０’Ｃ，２０分間のベーキングを行ない、０．６μｍ厚
のレジスト膜を形成した。（第２図ａ）次に、加速電圧
２０ＫＶ、照射量１ｘ １ｏ−’ ｃ／ｃｒで電子線１
４で露光を行ない、ＩＰムで現像すると、正確な微細レ
ジストパター７１３Ｐが得られた。（第２図ｂ）導電性
が良いのでチャージアップによるフィールドパッティン
グエラーは全く見られなかった。このレジストパターン
１３Ｐをマスクとして下層膜１２のエツチングを行ない
、正確で垂直な微細レジストパターン１２Ｐを得ること
ができた。（第２図Ｃ）なお、電子線レジスト１３とし
て実施例３で得られた混合物を使用してもよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、荷電ビーム照射に
よって重合または分解する高分子物質と導電性高分子と
の混合物を電子線レジストとして使用すると、高感度で
高解像度のレジストパターンを形成することができる。
よって重合または分解する高分子物質と導電性高分子と
の混合物を電子線レジストとして使用すると、高感度で
高解像度のレジストパターンを形成することができる。
これらのレジストを使用することによって露光電子によ
るチャージアップの影響はなくなり、フィールドパッテ
ィング、合わせ精度を向上させることができる。また、
導電性高分子として、シリコン含有導電性高分子を使用
することによって、二層レジストの上層レジストとして
使用でき、容易にチャージアップを防止することができ
、正確で垂直な微細レジストパターンを形成することが
でき、超高密度集積回路の製造に大きく寄与することが
できる。
るチャージアップの影響はなくなり、フィールドパッテ
ィング、合わせ精度を向上させることができる。また、
導電性高分子として、シリコン含有導電性高分子を使用
することによって、二層レジストの上層レジストとして
使用でき、容易にチャージアップを防止することができ
、正確で垂直な微細レジストパターンを形成することが
でき、超高密度集積回路の製造に大きく寄与することが
できる。
第１図は本発明における一実施例の工程断面図、第２図
は同他の実施例の工程断面図、第３図は従来の多層レジ
スト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・下層膜、３
・・・・・・中間層、４・・・・・・電子線レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名菓
ｌｒ！Ａ 箔 図
は同他の実施例の工程断面図、第３図は従来の多層レジ
スト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・下層膜、３
・・・・・・中間層、４・・・・・・電子線レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名菓
ｌｒ！Ａ 箔 図
Claims (4)
- （１）荷電ビームが照射されることによって分解または
重合をおこす高分子物質と、導電性高分子との混合物よ
り成ることを特徴とする微細パターン形成材料。 - （２）荷電ビームが照射されることによって分解または
重合をおこす高分子物質と、シリコン含有導電性高分子
との混合物より成ることを特徴とする微細パターン形成
材料。 - （３）半導体基板上に、有機高分子膜を塗布し熱処理し
た後、上記有機高分子膜上に無機膜を塗布し熱処理する
工程と、上記無機膜上に、導電性高分子と感光性高分子
物質との混合物をレジスト膜として塗布し熱処理する工
程と、上記レジスト膜にパターンを描画し現像する工程
と、上記レジストパターンをマスクとして上記無機膜お
よび高分子有機膜をエッチングする工程とを備えて成る
ことを特徴とする微細パターン形成方法。 - （４）半導体基板上に、有機高分子膜を塗布し熱処理す
る工程と、上記有機高分子膜上に、感光性高分子物質と
シリコン含有導電性高分子との混合物をレジスト膜とし
て塗布し熱処理する工程と、上記レジスト膜にパターン
を描画し現像する工程と、上記レジストパターンをマス
クとして高分子有機膜をエッチングする工程とを備えて
成ることを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255116A JPH02101461A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255116A JPH02101461A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101461A true JPH02101461A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17274319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63255116A Pending JPH02101461A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101461A (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH04204848A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| US5527662A (en) * | 1990-05-24 | 1996-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for forming fine pattern |
| US5783363A (en) * | 1992-05-28 | 1998-07-21 | National Semiconductor Corporation | Method of performing charged-particle lithography |
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| JPS5993441A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Hitachi Ltd | レジスト |
| JPS59107347A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成材料 |
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-
1988
- 1988-10-11 JP JP63255116A patent/JPH02101461A/ja active Pending
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