JPH02102531A - 窒化シリコン・ホウ素層の製造方法 - Google Patents
窒化シリコン・ホウ素層の製造方法Info
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- JPH02102531A JPH02102531A JP1207765A JP20776589A JPH02102531A JP H02102531 A JPH02102531 A JP H02102531A JP 1207765 A JP1207765 A JP 1207765A JP 20776589 A JP20776589 A JP 20776589A JP H02102531 A JPH02102531 A JP H02102531A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、特に半導体集積回路用の交番電磁場中の気
相成長により４ε■以下の誘電率の窒化シリコン・ホウ
素層の形成方法に関するものである。
相成長により４ε■以下の誘電率の窒化シリコン・ホウ
素層の形成方法に関するものである。
［従来の技術］
超高密度集積半導体回路用の中間金属化層と終端表面安
定化層に対しては、誘電率が低く、絶縁分離性と阻止性
が高く耐電圧も高い誘電層が要求される。これらの層は
更にその下に置かれた層の縁端をできるだけ相似形を保
って被覆するものであり、又吸湿性でないことが必要で
ある。
定化層に対しては、誘電率が低く、絶縁分離性と阻止性
が高く耐電圧も高い誘電層が要求される。これらの層は
更にその下に置かれた層の縁端をできるだけ相似形を保
って被覆するものであり、又吸湿性でないことが必要で
ある。
近年ＰＥＣＶＤ法と呼ばれる交番電磁場中のプラズマ増
強気相成長によって析出した窒化シリコンが、吸湿性の
高いリン・ケイ酸塩ガラスに代わって使用されるように
なった。これによって絶縁分離特性が良く湿気とアルカ
リイオンに対する阻止性が高い層が得られる。この外に
窒化シリコン層は縁端被覆性が良く高い耐電圧性を示す
、この層はこれらの利点を示すにもかかわらず、その誘
電率がｔ＝７ｅａであってリン・ケイ酸塩又は酸化シリ
コン（ｇ−４ｅｏ）に比べて高い、その結果寄生的漏れ
電流が大きくなり、個々のデバイス間の転送時間が比較
的長くなる。これについては文献「ジャーナル・オプ・
アプライド・フィツクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ）Ｊ ＶＯｌ、 ５３
（１９８２年）６８５２頁以下、および「ソリッド・ス
テート・テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ。
強気相成長によって析出した窒化シリコンが、吸湿性の
高いリン・ケイ酸塩ガラスに代わって使用されるように
なった。これによって絶縁分離特性が良く湿気とアルカ
リイオンに対する阻止性が高い層が得られる。この外に
窒化シリコン層は縁端被覆性が良く高い耐電圧性を示す
、この層はこれらの利点を示すにもかかわらず、その誘
電率がｔ＝７ｅａであってリン・ケイ酸塩又は酸化シリ
コン（ｇ−４ｅｏ）に比べて高い、その結果寄生的漏れ
電流が大きくなり、個々のデバイス間の転送時間が比較
的長くなる。これについては文献「ジャーナル・オプ・
アプライド・フィツクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ）Ｊ ＶＯｌ、 ５３
（１９８２年）６８５２頁以下、および「ソリッド・ス
テート・テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ。
ｇｙ） Ｊ Ｖｏｌ、 ２３、（１９８０年）１３７頁
以下に詳細な説明がある。
以下に詳細な説明がある。
ＡＰＣＶＤ （大気圧気相成長）法によって作られた窒
化ホウ素層は化学的に不活性であり、温度に対して安定
である外に誘電率が低い（ε−２，７ε■）、シかし大
気中の湿気に対して特にホウ素を多く含んだフィルムの
場合不安定であることが認められた。窒化ホウ素層のＡ
ＰＣＶＤ法による成長に関しては文献「ジャーナル・オ
ブ・ジ・ニレクロケミカル・ソサイエティ（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ ｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｓｉｃａｌ
５ｏｃｉｅｔｙ） Ｊ Ｖｏｌ、 １１５ （１９６８
年）４２３頁以下およびＶｏｌ、 １２３、（１９７６
年）１７２１頁以下により公知である。
化ホウ素層は化学的に不活性であり、温度に対して安定
である外に誘電率が低い（ε−２，７ε■）、シかし大
気中の湿気に対して特にホウ素を多く含んだフィルムの
場合不安定であることが認められた。窒化ホウ素層のＡ
ＰＣＶＤ法による成長に関しては文献「ジャーナル・オ
ブ・ジ・ニレクロケミカル・ソサイエティ（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ ｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｓｉｃａｌ
５ｏｃｉｅｔｙ） Ｊ Ｖｏｌ、 １１５ （１９６８
年）４２３頁以下およびＶｏｌ、 １２３、（１９７６
年）１７２１頁以下により公知である。
出発物質としては環式分子Ｂ、Ｎ、Ｈ，（文献「日本特
許抄（Ｐａｔｅｎｔｓ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ Ｊ
ａｐａｎ） Ｊ Ｖｏｌ。
許抄（Ｐａｔｅｎｔｓ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ Ｊ
ａｐａｎ） Ｊ Ｖｏｌ。
９、漱１２６Ｅ３１８ （１９８５年）参照）あるいは
環式分子Ｂ ｓ Ｎ ｓ Ｈｓ （ＣＨ２） ｓ （
文献「ソリッド・ステート・エレクトロニクス（Ｓｏｌ
ｉｄ ５ｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ） Ｊ Ｖ
ｏｌ、 ２６、ｋｌｏ（１９８３年）９３１頁以下参照
）を使用することができる。
環式分子Ｂ ｓ Ｎ ｓ Ｈｓ （ＣＨ２） ｓ （
文献「ソリッド・ステート・エレクトロニクス（Ｓｏｌ
ｉｄ ５ｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ） Ｊ Ｖ
ｏｌ、 ２６、ｋｌｏ（１９８３年）９３１頁以下参照
）を使用することができる。
このフィルムの耐湿性の改善に対しては窒化シリコン・
ホウ素（ＳＩＢＮ）から成る混合窒化物がＩＨされてい
るＣ文献「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィツクス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ５ｐｐｌｔｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） Ｊ Ｖｏｌ、
２６、裡５（１９８７年）６６０−６６５頁参照）、
この非晶質シリコン・ホウ素窒化物は平行板ＰＥＣＶＤ
反応器内においてＳ ｉ Ｈ，、ＢＡＨ，、ＮＨ３およ
びＡｒの混合ガスから成長する。この方法はガス導管の
布設を必要とすることから複雑な構成となり、混合ガス
の組成の設定も困難である。
ホウ素（ＳＩＢＮ）から成る混合窒化物がＩＨされてい
るＣ文献「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィツクス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ５ｐｐｌｔｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） Ｊ Ｖｏｌ、
２６、裡５（１９８７年）６６０−６６５頁参照）、
この非晶質シリコン・ホウ素窒化物は平行板ＰＥＣＶＤ
反応器内においてＳ ｉ Ｈ，、ＢＡＨ，、ＮＨ３およ
びＡｒの混合ガスから成長する。この方法はガス導管の
布設を必要とすることから複雑な構成となり、混合ガス
の組成の設定も困難である。
この発明の課題は、所定の要求を満たす窒化シリコン・
ホウ素層の形成方法を提供することである。この発明の
方法では制御が簡単であり複雑な設備構成を必要としな
いものでなければならない。
ホウ素層の形成方法を提供することである。この発明の
方法では制御が簡単であり複雑な設備構成を必要としな
いものでなければならない。
この課題は冒頭に挙げた窒化シリコン・ホウ素層の形成
方法において、この発明によりホウ素と窒素を含む少な
くとも１種類の低分子量液状出発化合物を使用してキャ
リヤガスによって反応室に導き、ガス状化合物５ｉＨ＝
とＳ ｉ ｚ Ｈ−の少なくとも一方を付加的に反応室
に導くか、あるいはホウ素、窒素およびシリコンを含む
少なくとも１種類の低分子量液状出発化合物を使用して
キャリヤガスによって反応室に導く ことによって解決される。
方法において、この発明によりホウ素と窒素を含む少な
くとも１種類の低分子量液状出発化合物を使用してキャ
リヤガスによって反応室に導き、ガス状化合物５ｉＨ＝
とＳ ｉ ｚ Ｈ−の少なくとも一方を付加的に反応室
に導くか、あるいはホウ素、窒素およびシリコンを含む
少なくとも１種類の低分子量液状出発化合物を使用して
キャリヤガスによって反応室に導く ことによって解決される。
この発明の有利な実施態様とその展開は特許請求の範囲
の請求項３以下に示され、更に実施例の説明によって明
らかにされる。
の請求項３以下に示され、更に実施例の説明によって明
らかにされる。
窒化シリコン・ホウ素層が交番電磁場中の気相成長（Ｐ
ＥＣＶＤ）によって作られるこの発明の方法では、析出
過程が表面コントロールされた化学反応によるので超高
密度集積回路の緻密構造内に窒化シリコン・ホウ素層を
形成させることに好適である。
ＥＣＶＤ）によって作られるこの発明の方法では、析出
過程が表面コントロールされた化学反応によるので超高
密度集積回路の緻密構造内に窒化シリコン・ホウ素層を
形成させることに好適である。
次に３種類の実施例を説明する。これらは図面に示した
ＰＥＣＶＤ装置で実施可能なものであり、それらのプロ
セス・パラメータは次表にまとめて示す。
ＰＥＣＶＤ装置で実施可能なものであり、それらのプロ
セス・パラメータは次表にまとめて示す。
図面は交番電磁場中の気相成長（ＰＥＣＶＤ）を実施す
る装置の概要を示す０反応室１８内において処理すべき
半導体板１がガス導入区域６とサスセプタ２の間で半導
体板リフト３上に置かれる。
る装置の概要を示す０反応室１８内において処理すべき
半導体板１がガス導入区域６とサスセプタ２の間で半導
体板リフト３上に置かれる。
リフト３の動きは二重矢印で示されている０反応室の排
気のため２台の真空ポンプ９が設けられ、バタフライバ
ルブ８を通して接続される。交番電磁場の発生にはＲＦ
発振器が設けられ、反応室１８の各区域は絶縁体４によ
って遮蔽される。流体の流出導管はキャリヤガス１４と
してのヘリウム又は窒素が導入される蒸発槽１２に始ま
る。窒素とシリコンの量の調整には別のガス導管１５．
１６．１７がＮ８ （例えば中空陰橿励起用）、ＮＨ。
気のため２台の真空ポンプ９が設けられ、バタフライバ
ルブ８を通して接続される。交番電磁場の発生にはＲＦ
発振器が設けられ、反応室１８の各区域は絶縁体４によ
って遮蔽される。流体の流出導管はキャリヤガス１４と
してのヘリウム又は窒素が導入される蒸発槽１２に始ま
る。窒素とシリコンの量の調整には別のガス導管１５．
１６．１７がＮ８ （例えば中空陰橿励起用）、ＮＨ。
およびＳ ｉ Ｈ４／Ｓ ｉ ｔＨｈ用として設けられ
る。
る。
総てのガス導管は通流量慣整器１１と空気弁ＩＯを備え
ている０反応室１８内の成長温度の調整にはランプ又は
反射モジュール１３が設けられ、反応室１８内に置かれ
たデバイスを石英窓５を通しで照射する。
ている０反応室１８内の成長温度の調整にはランプ又は
反射モジュール１３が設けられ、反応室１８内に置かれ
たデバイスを石英窓５を通しで照射する。
窒素比の調整のためＮ８かＮＨ，が加えられるのに対し
て、後者の場合ガス状窒素の添加は不必要である。
て、後者の場合ガス状窒素の添加は不必要である。
ス」１１１
液状出発化合物としてはＢｓＮ５Ｈｓ（Ｓ Ｉ Ｒ３）
３が使用される。残基Ｒは水素、ＮＨオ又はアルキルで
あって、例えばＲ＝Ｈとして次の化学式で表される。
３が使用される。残基Ｒは水素、ＮＨオ又はアルキルで
あって、例えばＲ＝Ｈとして次の化学式で表される。
液状出発化合物としては例えば化学式：で表されるＢＩ
Ｎ、Ｈ，が使用される。シリコン分はガス状の５ｉｚＨ
ｉあるいはガス状のＳｉＨｍと液状出発化合物としてＢ
ｓ Ｎ５Ｃ５ｉ Ｒｚ）ｉが使用される。ここで残基Ｒ
は水素ＮＨ３又はアルキルであり、例えばＲ−Ｈとして
次の化学式で表される。
Ｎ、Ｈ，が使用される。シリコン分はガス状の５ｉｚＨ
ｉあるいはガス状のＳｉＨｍと液状出発化合物としてＢ
ｓ Ｎ５Ｃ５ｉ Ｒｚ）ｉが使用される。ここで残基Ｒ
は水素ＮＨ３又はアルキルであり、例えばＲ−Ｈとして
次の化学式で表される。
して与えられる。前者の場合シリコン−ホウ素−５ｉＨ
ｚ ＳｉＨｓ 残ｉＲとして水素又はアルキルを含むこの種の出発化合
物を使用する際、シリコン対窒素の比はＮ！又はＮＨ，
を導入することにより調整される。ＮＨ２を残基として
含む出発化合物を使用すればガス状の窒素の導入は不必
要である。
ｚ ＳｉＨｓ 残ｉＲとして水素又はアルキルを含むこの種の出発化合
物を使用する際、シリコン対窒素の比はＮ！又はＮＨ，
を導入することにより調整される。ＮＨ２を残基として
含む出発化合物を使用すればガス状の窒素の導入は不必
要である。
この発明の総ての実施ｎ様において誘電率との債は窒化
シリコン・ホウ素層中のホウ素と窒素に対するシリコン
の比によって変えることができる。
シリコン・ホウ素層中のホウ素と窒素に対するシリコン
の比によって変えることができる。
実施例について説明したこの発明の種々の実施態様にお
いてこの比は出発化合物中のＳｔ結合残基Ｒの変化、ガ
ス状シリコン化合物（ＳｉＨｎ 、５ｉｔＨ，）の導入
およびガス状窒素化合物（Ｎ、 、ＮＨ３）の導入によ
って変えることができる。更にシリコン−ホウ素−窒素
比は析出温度蒸発器温度、プロセス圧、キャリヤガス量
、ＲＦ比出力のプロセス・・パラメータの変化によって
影響を受ける６表に示した値の範囲内にプロセス・パラ
メータを選定すれば、この発明の方法によって誘電率の
値が４８゜以下である窒化シリコン・ホウ素層が得られ
る。
いてこの比は出発化合物中のＳｔ結合残基Ｒの変化、ガ
ス状シリコン化合物（ＳｉＨｎ 、５ｉｔＨ，）の導入
およびガス状窒素化合物（Ｎ、 、ＮＨ３）の導入によ
って変えることができる。更にシリコン−ホウ素−窒素
比は析出温度蒸発器温度、プロセス圧、キャリヤガス量
、ＲＦ比出力のプロセス・・パラメータの変化によって
影響を受ける６表に示した値の範囲内にプロセス・パラ
メータを選定すれば、この発明の方法によって誘電率の
値が４８゜以下である窒化シリコン・ホウ素層が得られ
る。
この発明の方法はホウ素ならびに窒素を既に分子中に含
むか（ＢＮ化合物）ホウ素、窒素およびシリコンを分子
中に含み（ＳｉＢＮ化合物）、従って目的とする窒化シ
リコン・ホウ素層組成の一部を既に分子中に含む液状低
分子化合物の使用を利用するものである。これによって
製造された窒化シリコン・ホウ素層が特定の組成を持ち
再現性と永続する良好な特性を示すようになる。出発化
合物の分解は、交番電磁場中分子が特定の励起を受け、
その際ゆるやかな熱励起によって支持されることによっ
て起こる。この発明の方法によれば窒化シリコン・ホウ
素層を３００℃から４５０℃の温度で作ることができる
。この従来の製法に比ぺて低い温度は半導体構造にとっ
て比較的寛大な条件となる。設備構成の複雑さの最大限
の低減と取り扱いの簡略化の外に液状出発化合物の使用
はＢｔＨｉ等の危険なガスの数を低下させる。
むか（ＢＮ化合物）ホウ素、窒素およびシリコンを分子
中に含み（ＳｉＢＮ化合物）、従って目的とする窒化シ
リコン・ホウ素層組成の一部を既に分子中に含む液状低
分子化合物の使用を利用するものである。これによって
製造された窒化シリコン・ホウ素層が特定の組成を持ち
再現性と永続する良好な特性を示すようになる。出発化
合物の分解は、交番電磁場中分子が特定の励起を受け、
その際ゆるやかな熱励起によって支持されることによっ
て起こる。この発明の方法によれば窒化シリコン・ホウ
素層を３００℃から４５０℃の温度で作ることができる
。この従来の製法に比ぺて低い温度は半導体構造にとっ
て比較的寛大な条件となる。設備構成の複雑さの最大限
の低減と取り扱いの簡略化の外に液状出発化合物の使用
はＢｔＨｉ等の危険なガスの数を低下させる。
図面は交番電磁場中の気相成長を実施する装置の構成の
概略を示す。 １・・・半導体板 ３・・・半導体板リフト ９・・・真空ポンプ １２・・・薫発槽 １３・・・ランプ又は反射モジュール １８・・・反応室
概略を示す。 １・・・半導体板 ３・・・半導体板リフト ９・・・真空ポンプ １２・・・薫発槽 １３・・・ランプ又は反射モジュール １８・・・反応室
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ホウ素と窒素を含む少なくとも１種類の低分子量液
状出発化合物が使用され、この出発化合物がキャリヤガ
ス（１４）によって反応室（１８）に導かれ、ガス状化
合物ＳｉＨ＿４とＳｉ＿２Ｈ＿４の少なくとも一方が付
加的に反応室（１８）に導かれることを特徴とする交番
電磁場中の気相成長による誘電率が４ε■以下の窒化シ
リコン・ホウ素層の製造方法。 ２）ホウ素、窒素およびシリコンを含む少なくとも１種
類の低分子量液状出発化合物が使用され、この出発化合
物がキャリヤガス（１４）によって反応室（１８）に導
かれることを特徴とする交番電磁場中の気相反応による
誘電率が４ε■以下の窒化シリコン・ホウ素層の製造方
法。 ３）液状出発化合物としてＢ＿３Ｎ＿３Ｈ＿６が使用さ
れることを特徴とする請求項１記載の方法。 ４）液状出発化合物としてＢ＿３Ｎ＿３（ＳｉＲ＿３）
＿６が使用され、残基Ｒとして水素、ＮＨ＿２又はアル
キルのうち少なくとも１種が添加されることを特徴とす
る請求項２記載の方法。 ５）液状出発化合物としてＢ＿３Ｎ＿３（ＳｉＲ＿３）
＿６が使用され、残基Ｒとして水素／又はアルキルの少
なくとも一方が添加されることを特徴とする請求項２記
載の方法。 ６）液状出発化合物としてＢ＿３Ｎ＿３（ＳｉＲ＿３）
＿６が使用され、残基ＲとしてＮＨ＿２が添加されるこ
とを特徴とする請求項２記載の方法。 ７）ガス状化合物Ｎ＿２又はＮＨ＿３の少なくとも一方
が付加的に反応室（１８）に導かれることを特徴とする
請求項１ないし６の１つに記載の方法。 ８）キャリヤガスとしてヘリウム又は窒素の少なくとも
一方が使用されることを特徴とする請求項１ないし７の
１つに記載の方法。 ９）析出温度が３００ないし４５０℃、プロセス圧力が
０．１ないし１．３ｋＰａ、ＲＦ出力が３００ないし８
００Ｗ、電極間隔が０．３ないし０．６ｃｍ、キャリヤ
ガス流量が１００ないし６００ｓｃｃｍ、Ｎ＿２および
ＮＨ＿３量が０ないし１００ｓｃｃｍ、ＳｉＨ＿４量と
Ｓｉ＿２Ｈ＿６量が０ないし５００ｓｃｃｍ、蒸発温度
が２５ないし８０℃であることを特徴とする請求項１な
いし８の１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3827949.5 | 1988-08-17 | ||
| DE3827949 | 1988-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102531A true JPH02102531A (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=6361058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1207765A Pending JPH02102531A (ja) | 1988-08-17 | 1989-08-10 | 窒化シリコン・ホウ素層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4990365A (ja) |
| EP (1) | EP0355366A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02102531A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831454B2 (ja) * | 1989-04-21 | 1996-03-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2803548B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5565036A (en) * | 1994-01-19 | 1996-10-15 | Tel America, Inc. | Apparatus and method for igniting plasma in a process module |
| US5487783A (en) * | 1994-04-14 | 1996-01-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for preventing rupture and contamination of an ultra-clean APCVD reactor during shutdown |
| DE19635848C1 (de) | 1996-09-04 | 1997-04-24 | Daimler Benz Ag | Verfahren zur Beschichtung von Substraten |
| EP1017108B1 (en) * | 1998-12-25 | 2009-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
| US6891236B1 (en) | 1999-01-14 | 2005-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| DE102006013505B3 (de) * | 2006-03-23 | 2007-10-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mit SiBN beschichtete Substrate und Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
-
1989
- 1989-06-16 US US07/367,358 patent/US4990365A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-11 EP EP19890112677 patent/EP0355366A3/de not_active Withdrawn
- 1989-08-10 JP JP1207765A patent/JPH02102531A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0355366A3 (de) | 1991-03-13 |
| EP0355366A2 (de) | 1990-02-28 |
| US4990365A (en) | 1991-02-05 |
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