JPH0210324A - 光ビームアナログ変調方法 - Google Patents
光ビームアナログ変調方法Info
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- JPH0210324A JPH0210324A JP7478589A JP7478589A JPH0210324A JP H0210324 A JPH0210324 A JP H0210324A JP 7478589 A JP7478589 A JP 7478589A JP 7478589 A JP7478589 A JP 7478589A JP H0210324 A JPH0210324 A JP H0210324A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光が液晶層を通過するようにし、その層の光
学的性質を変調して行なう光のアナログ変調に関する。
学的性質を変調して行なう光のアナログ変調に関する。
従来の技術とその問題点
通過後の強度は、液晶層に入射する光を偏光させ、出て
来た光を、適宜の方向を有する偏光アナライザに通すよ
うにすることで変化させることができる。その結果前ら
れるグレイスケール応答は、例えば電気光学変調器に用
いられる。液晶層の光学的性質の変調は、同調可能ファ
プリー・ペロー型構造等の光路長の変化を必要とする応
用にも用いられうる複屈折の変調を引き起こす。
来た光を、適宜の方向を有する偏光アナライザに通すよ
うにすることで変化させることができる。その結果前ら
れるグレイスケール応答は、例えば電気光学変調器に用
いられる。液晶層の光学的性質の変調は、同調可能ファ
プリー・ペロー型構造等の光路長の変化を必要とする応
用にも用いられうる複屈折の変調を引き起こす。
叩想的な表面安定化強誘電性液晶（Ｓ ｕｒｆａｃｅＳ
ｔａｂｉｌｉｓｅｄ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ＝ＳＳＦＬＣ）装置では
、元来りよアプライド フィツクス レターズ、第３６
巻（１９８０年）、８９９−９０１頁でＮ、Ａクラーク
及びＳ、Ｔラガーウオールにより説明されている如く、
液晶ディレクタは、強［性双極子が７ツブ方向である場
合とダウン方向である場合の２つの可能な平衡傾斜状態
の間を切換えられるものとして表わされる。、２つの状
態間の切換えは、ドメイン壁の核生成及び伝播により仲
介される不連続過程と考えられる。このような事情によ
り、一定の領域に対するグレイスケールについては、グ
レイスケールがその・一定領域でアップであるドメイン
の数とダウンであるドメインの数との比で表わされるよ
うな多ドメインパターンを形成するよう領域が分割され
る必要がある。グレイスケールを実現するこの種の方法
は複雑であるという不都合があった。
ｔａｂｉｌｉｓｅｄ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ＝ＳＳＦＬＣ）装置では
、元来りよアプライド フィツクス レターズ、第３６
巻（１９８０年）、８９９−９０１頁でＮ、Ａクラーク
及びＳ、Ｔラガーウオールにより説明されている如く、
液晶ディレクタは、強［性双極子が７ツブ方向である場
合とダウン方向である場合の２つの可能な平衡傾斜状態
の間を切換えられるものとして表わされる。、２つの状
態間の切換えは、ドメイン壁の核生成及び伝播により仲
介される不連続過程と考えられる。このような事情によ
り、一定の領域に対するグレイスケールについては、グ
レイスケールがその・一定領域でアップであるドメイン
の数とダウンであるドメインの数との比で表わされるよ
うな多ドメインパターンを形成するよう領域が分割され
る必要がある。グレイスケールを実現するこの種の方法
は複雑であるという不都合があった。
本発明の主たる目的は、前記の多ドメイン分割り法に頼
ることなくグレイスケールレベルを実現するアナログ応
答を得る方法を提供するにある。
ることなくグレイスケールレベルを実現するアナログ応
答を得る方法を提供するにある。
問題点を解決するための手段
本発明によれば、光が２つの面の間に画成された液晶層
を通るように方向付けられ、前記液晶層を横断して振幅
変調振動電位が維持され、前記液晶層は平面整列をなし
傾斜スメクアイツク相である、光ビームアナログ変調方
法が提供される。
を通るように方向付けられ、前記液晶層を横断して振幅
変調振動電位が維持され、前記液晶層は平面整列をなし
傾斜スメクアイツク相である、光ビームアナログ変調方
法が提供される。
実施例
液晶層用の密閉エンベロブは、２枚のガラスシー１〜１
１及び１２と周辺シール１３とをともに固定することで
形成される。１２枚のシートの内面には、インジウム・
スズ・オキサイド製の透明な電極層１４及び１５が設け
られる。これらの電極層の各々は、周辺シールにより画
成されるデイスプレィ領域内で、分子整列のためにポリ
アミド等の薄いポリマー層により被覆される。ポリアミ
ド層は、液晶がポリアミド層に接するようになった時に
液晶分子が研摩方向に平面整列しやすくなるよう単一方
向に研摩される。セルは研摩方向が互いに平行となるよ
う組み立てられる。結果として得られるエンベロブ内に
保有される液晶層の厚さは、周辺シール厚さにより決ま
り、その精度の制御は、周辺シールにより囲まれる領域
上を周辺シールの材料を通じて分布される−様な径のポ
リマスフイア（図示せず）の光散乱により行なわれる。
１及び１２と周辺シール１３とをともに固定することで
形成される。１２枚のシートの内面には、インジウム・
スズ・オキサイド製の透明な電極層１４及び１５が設け
られる。これらの電極層の各々は、周辺シールにより画
成されるデイスプレィ領域内で、分子整列のためにポリ
アミド等の薄いポリマー層により被覆される。ポリアミ
ド層は、液晶がポリアミド層に接するようになった時に
液晶分子が研摩方向に平面整列しやすくなるよう単一方
向に研摩される。セルは研摩方向が互いに平行となるよ
う組み立てられる。結果として得られるエンベロブ内に
保有される液晶層の厚さは、周辺シール厚さにより決ま
り、その精度の制御は、周辺シールにより囲まれる領域
上を周辺シールの材料を通じて分布される−様な径のポ
リマスフイア（図示せず）の光散乱により行なわれる。
セルの充填は、周辺シールにより囲まれる領域の一方の
隅でガラスシートの一方に設けられた開口（図示せず）
から吸引を行なって対角線上反対側の隅に位置する他の
開口（図示せず）を通じて液晶媒体がセル内に入るよう
にして行なわれるのが好都合である（充填後２つの開口
は封止される）。充填は、充填材料を加熱して等吉相と
して粘１哀が適度に低い値まで下げて行なわれる。セル
の基本的構成は、例えば従来のねじれネマティックの場
合と同様であるが、勿論研摩方向に整列されること、及
び典型的には液晶層の層厚がより薄く選定されることが
異なる。−例として２μｍの厚さのセルの液晶充填材と
しては、ＢＤ）−１より５ＣＥ６という名称で市販され
ているスメクティック力イシルエス・アルが用いられた
。
隅でガラスシートの一方に設けられた開口（図示せず）
から吸引を行なって対角線上反対側の隅に位置する他の
開口（図示せず）を通じて液晶媒体がセル内に入るよう
にして行なわれるのが好都合である（充填後２つの開口
は封止される）。充填は、充填材料を加熱して等吉相と
して粘１哀が適度に低い値まで下げて行なわれる。セル
の基本的構成は、例えば従来のねじれネマティックの場
合と同様であるが、勿論研摩方向に整列されること、及
び典型的には液晶層の層厚がより薄く選定されることが
異なる。−例として２μｍの厚さのセルの液晶充填材と
しては、ＢＤ）−１より５ＣＥ６という名称で市販され
ているスメクティック力イシルエス・アルが用いられた
。
セルは充填後ネマティック及びスメクティックＡ相を介
してスメクアイツクＣ葺相まで徐冷され、た。研摩され
たポリアミド面により、液晶層の分子はネマティックに
なる際平面整列しやすく、層が後にスメクティックＡ相
になる時もこの゛整列は保存される。この段階では、ス
メクティック層は研摩方向に対し直交して延在し、従っ
て液晶層の主表面の平面に対し垂直な平面上に形成され
る。
してスメクアイツクＣ葺相まで徐冷され、た。研摩され
たポリアミド面により、液晶層の分子はネマティックに
なる際平面整列しやすく、層が後にスメクティックＡ相
になる時もこの゛整列は保存される。この段階では、ス
メクティック層は研摩方向に対し直交して延在し、従っ
て液晶層の主表面の平面に対し垂直な平面上に形成され
る。
このスメクティック層の整列は、液がスメクアイックＣ
舛相まで冷却し、スメクティック層内の分子配向がＣ枡
相となる際に変化しても、維持されるようである。
舛相まで冷却し、スメクティック層内の分子配向がＣ枡
相となる際に変化しても、維持されるようである。
第１図のセルは、それぞれポラライザ及びアナライザと
して働くよう交差する関係にある１対の直線偏光シート
１６と１７との間に介装される。
して働くよう交差する関係にある１対の直線偏光シート
１６と１７との間に介装される。
ポラライザが、θ【をセルの充填に用いられるスメクア
イックＣＩ！相材料の傾斜角として偏光面がθを傾斜す
るよう配向され、さらに液晶層の状態が、強誘電性双極
Ｔが任意にアップ方向とされた周平面と直交する特定の
方向に向くよう分子ディレクタが全て整列される状態で
ある場合、ポラライザ１６の偏光平面は、液晶の光軸と
整列する。
イックＣＩ！相材料の傾斜角として偏光面がθを傾斜す
るよう配向され、さらに液晶層の状態が、強誘電性双極
Ｔが任意にアップ方向とされた周平面と直交する特定の
方向に向くよう分子ディレクタが全て整列される状態で
ある場合、ポラライザ１６の偏光平面は、液晶の光軸と
整列する。
このような場合は、光の偏光状態（ＳＯＰ）は、液晶層
の厚さを伝播しても変化せず、従ってその前方への伝播
はアナライザ１７により阻止される。
の厚さを伝播しても変化せず、従ってその前方への伝播
はアナライザ１７により阻止される。
これに対し、液晶層の状態が、強誘電性双極ｆがダウン
方向に配向するよう分子ディレクタが全て整列される状
態である場合、光軸は２θ［回転しているからポラライ
ザは光軸とは整列しなくなる。
方向に配向するよう分子ディレクタが全て整列される状
態である場合、光軸は２θ［回転しているからポラライ
ザは光軸とは整列しなくなる。
従ってＳＯＰは、光が液晶層の厚さを伝播していくにつ
れ、変化していく。光の相当部分がアブライザ１７を通
過するような変化の俳となるよう条件を設定できる。
れ、変化していく。光の相当部分がアブライザ１７を通
過するような変化の俳となるよう条件を設定できる。
前述のアップ状態とダウン状態は、前記のクラークとラ
ガーウォールによる論文で仮定されている２つの双安定
状態である。第１図のセルについては、アップ状態のた
めの方向に電界を充分印加して、見かけの光軸が研摩方
向に対し約＋θ［の角度で確かに傾斜ゼしめ、この電界
を除去すると光軸が研摩方向に対して非常に小さい角１
！１の傾斜をなす状態に緩和することが示される。同様
にダウン状態のための方向に電界を印加する場合は、電
界を除去すると光軸は一〇ｔに近い値から同様に非常に
小さい値へ緩和する。これらの効果が見られること、及
びセルを横断するよう印加される振幅変調３０ｋＨｚＷ
ｉ送場に対する応答から、アップ状態のために印加され
た電場を除去した後の緩和状態を特″ｆｉ付ける第２図
に示される如き整列のモデルの有効性を示唆する。
ガーウォールによる論文で仮定されている２つの双安定
状態である。第１図のセルについては、アップ状態のた
めの方向に電界を充分印加して、見かけの光軸が研摩方
向に対し約＋θ［の角度で確かに傾斜ゼしめ、この電界
を除去すると光軸が研摩方向に対して非常に小さい角１
！１の傾斜をなす状態に緩和することが示される。同様
にダウン状態のための方向に電界を印加する場合は、電
界を除去すると光軸は一〇ｔに近い値から同様に非常に
小さい値へ緩和する。これらの効果が見られること、及
びセルを横断するよう印加される振幅変調３０ｋＨｚＷ
ｉ送場に対する応答から、アップ状態のために印加され
た電場を除去した後の緩和状態を特″ｆｉ付ける第２図
に示される如き整列のモデルの有効性を示唆する。
第２図では、電極層１４及び１５で被覆された研摩ポリ
マは、研摩方向が矢印２ｏ方向となるよう組み立てられ
る。スメクティック層の平面は平面２１で表わされ、液
晶層内の異なる深さにおける分子の分子ディレクタの方
向はベクトルｎで表わされる。簡単な近似では、ベクト
ルｎは全ての場所でスメクティック法線り向、つまり研
摩方向に対し真のチルト角である角度θｔの傾斜をなす
ので、ｎは円錐表面上に位置する。円錐上のｎの位置は
、液晶層平面と、スメクティック層の平面上にあって分
子ディレクタｎの先端方向へ向いたディレクタのベクト
ルＣとの間のアジマス角φにより定められる。強誘電性
双極子モーメントは、ベクトルｎに対し垂直であり円錐
に接するペクト△ ルＰｓにより表わされる。任意のアジマス角φに対し、
スメクティック層法線とベクトルｎの液晶層平面への射
影との間の角度である見かけのチルト角αがあり、また
スメクティック層法線と、スメクティック層平面及び液
晶層平面の両方に直交する平面上へのベクトルｎの射影
との間の角度である面外チルト角βがある。
マは、研摩方向が矢印２ｏ方向となるよう組み立てられ
る。スメクティック層の平面は平面２１で表わされ、液
晶層内の異なる深さにおける分子の分子ディレクタの方
向はベクトルｎで表わされる。簡単な近似では、ベクト
ルｎは全ての場所でスメクティック法線り向、つまり研
摩方向に対し真のチルト角である角度θｔの傾斜をなす
ので、ｎは円錐表面上に位置する。円錐上のｎの位置は
、液晶層平面と、スメクティック層の平面上にあって分
子ディレクタｎの先端方向へ向いたディレクタのベクト
ルＣとの間のアジマス角φにより定められる。強誘電性
双極子モーメントは、ベクトルｎに対し垂直であり円錐
に接するペクト△ ルＰｓにより表わされる。任意のアジマス角φに対し、
スメクティック層法線とベクトルｎの液晶層平面への射
影との間の角度である見かけのチルト角αがあり、また
スメクティック層法線と、スメクティック層平面及び液
晶層平面の両方に直交する平面上へのベクトルｎの射影
との間の角度である面外チルト角βがある。
アップ状態のために印加された電場が除去された後での
緩和状態においては、液晶層の中部平面においてベクト
ルｎは液晶層の平面上にあり、従って強誘電性双極子モ
ーメントｐｓは、この位置ではアップ方向を向いている
。この中部平面の位置では、アジマス角φは１口であり
、面外ヂルトはなく、みかけのチルト角αは真のチルト
角に等しい。中部平面から遠ざかるに従って、アジンス
角φは変化していき、液晶層の一方の限界面では＋φの
値となり、他方の限界面では−φの値となる。
緩和状態においては、液晶層の中部平面においてベクト
ルｎは液晶層の平面上にあり、従って強誘電性双極子モ
ーメントｐｓは、この位置ではアップ方向を向いている
。この中部平面の位置では、アジマス角φは１口であり
、面外ヂルトはなく、みかけのチルト角αは真のチルト
角に等しい。中部平面から遠ざかるに従って、アジンス
角φは変化していき、液晶層の一方の限界面では＋φの
値となり、他方の限界面では−φの値となる。
第２図のモデルは、適切な方向の電界を印加することで
引ぎ起こされる２つの完全に切換えられた状態が、それ
ぞれの電界の除去時に、真のチルト角Ｏｔより非常に小
さい角度αだけのスメクテイック層法線から対称にずれ
たみがけの光軸を有する２つの緩和状態に緩和するとい
う観察事実を説明する。観察及び誘電性及び光学上の測
定により、２つの緩和状態でのディレクタ配置は大きな
面外チルト角を有する。
引ぎ起こされる２つの完全に切換えられた状態が、それ
ぞれの電界の除去時に、真のチルト角Ｏｔより非常に小
さい角度αだけのスメクテイック層法線から対称にずれ
たみがけの光軸を有する２つの緩和状態に緩和するとい
う観察事実を説明する。観察及び誘電性及び光学上の測
定により、２つの緩和状態でのディレクタ配置は大きな
面外チルト角を有する。
第２図でのディレクタ配置は、装置の光学的性質が、強
誘電性双極子と印加された電場との相互作用により、あ
るいは誘発双極子と印加された電場との相互作用により
修正されることを示唆する。
誘電性双極子と印加された電場との相互作用により、あ
るいは誘発双極子と印加された電場との相互作用により
修正されることを示唆する。
この修正は、ディレクタの面外チルトの変化、及び従っ
て装置の複屈折の変化をもたらす。誘発双極子による双
ｎ作用は、持続的な単極印加電場で発生しやすい電気化
学的劣化の問題を避けるため交番電場を印加するように
するのが好都合である。
て装置の複屈折の変化をもたらす。誘発双極子による双
ｎ作用は、持続的な単極印加電場で発生しやすい電気化
学的劣化の問題を避けるため交番電場を印加するように
するのが好都合である。
誘発双極子との相互作用の効果は、印加される電界の極
性が逆転しても変わらないが、強誘電性双極子との相互
作用の場合はそうでない。従って、誘発双極子との相互
作用が強ｖｆｇ電性双極子との相互作用より大幅に強く
なる周波数を選択するのが一般に望ましい。前述のスメ
クチック５ＣＥ６の場合は、印加される電場として適切
な周波数は約３０ｋＨｚである。２５℃の温度に維持さ
れた第１図のセルにかかる電場を印加する場合の効果は
第３図に示されている。第３図は約１４Ｈｚの周波数で
振幅変調された３０ｋＨｚの電場を示す。
性が逆転しても変わらないが、強誘電性双極子との相互
作用の場合はそうでない。従って、誘発双極子との相互
作用が強ｖｆｇ電性双極子との相互作用より大幅に強く
なる周波数を選択するのが一般に望ましい。前述のスメ
クチック５ＣＥ６の場合は、印加される電場として適切
な周波数は約３０ｋＨｚである。２５℃の温度に維持さ
れた第１図のセルにかかる電場を印加する場合の効果は
第３図に示されている。第３図は約１４Ｈｚの周波数で
振幅変調された３０ｋＨｚの電場を示す。
第３図中印加される電場は線３０で、その包絡線は破線
３１で示されている。破線３２は、アップ状態を促進す
る定常的電場が印加される場合の光透過率を示す。この
定常的電場が除去されるとセルが緩和するに従い透過率
が上昇する。３０ｋｌ＋７゜信号が印加されると透過率
は線３３に沿って、５ＣＥ６が有する負の誘電異方性に
より電場強度が増加すると完全に切換わった状態方向へ
駆動され、電場強度が弱まると完全に緩和した状態に戻
るよう駆動される。破線３４は、ダウン状態を促進する
定常的電場が印加される場合の光透過率を示す。
３１で示されている。破線３２は、アップ状態を促進す
る定常的電場が印加される場合の光透過率を示す。この
定常的電場が除去されるとセルが緩和するに従い透過率
が上昇する。３０ｋｌ＋７゜信号が印加されると透過率
は線３３に沿って、５ＣＥ６が有する負の誘電異方性に
より電場強度が増加すると完全に切換わった状態方向へ
駆動され、電場強度が弱まると完全に緩和した状態に戻
るよう駆動される。破線３４は、ダウン状態を促進する
定常的電場が印加される場合の光透過率を示す。
定常的電場に代えて線３０の信号の交番的電場を印加す
ると透過率は線３５のように変動する。
ると透過率は線３５のように変動する。
第１図のセルのカイラルスメクティック充填材の代わり
にラセミ混合物を用いると、巨視的な強誘電性双極子と
の相互作用は生じえない。第４図は、予めダウン状態に
設定されていたセルに振幅変２１電場３０と、同一の電
場を印加した時に発生する第３図の線３５に対応する線
４ｏを示す。
にラセミ混合物を用いると、巨視的な強誘電性双極子と
の相互作用は生じえない。第４図は、予めダウン状態に
設定されていたセルに振幅変２１電場３０と、同一の電
場を印加した時に発生する第３図の線３５に対応する線
４ｏを示す。
以上を要約するに、本発明よに開示されているのは、平
面整列し傾斜スメク゛アイツク層液晶セルに、液晶層の
厚さを横断するよう振幅変調振動電位を印加することで
行なわれるアナログ光学応答である。
面整列し傾斜スメク゛アイツク層液晶セルに、液晶層の
厚さを横断するよう振幅変調振動電位を印加することで
行なわれるアナログ光学応答である。
第１図は液晶セルの概略斜視図、第２図は第１図の液晶
セルの液晶層内において液晶ディレクタの整列が如何に
して変化すると考えられるかを示す略図、第３図及び第
４図は第１図の液晶セルによる光の変調を示すグラフで
ある。 １１．１２・・・ガラスシート、１３・・・周辺シール
、１４．１５・・・電極層、１６・・・ポラライザ、１
７・・・アナライザ、２ｏ・・・研摩方向、２１・・・
スメクチック層の甲面、３０・・・印加される電場、３
１・・・包絡線。 図面の浄書（向合に変更なし） 手続判ｎ正書（自発） 補正の対象 図面。 補正の内容 事件の表示 平成元年 特許願 第７４７８５号 図面の浄書 （内容に変更なし） を別紙のとおり 補充する。 ２゜ 発明の名称 光ビームアナログ変調方法 ３゜ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー２７−ル
３エイチエ−マルトラバーズ ストリート １０昌地名
称 エステイ−シー ピーエルシー 代表者 マーク チャールズ デニス４、代理人
セルの液晶層内において液晶ディレクタの整列が如何に
して変化すると考えられるかを示す略図、第３図及び第
４図は第１図の液晶セルによる光の変調を示すグラフで
ある。 １１．１２・・・ガラスシート、１３・・・周辺シール
、１４．１５・・・電極層、１６・・・ポラライザ、１
７・・・アナライザ、２ｏ・・・研摩方向、２１・・・
スメクチック層の甲面、３０・・・印加される電場、３
１・・・包絡線。 図面の浄書（向合に変更なし） 手続判ｎ正書（自発） 補正の対象 図面。 補正の内容 事件の表示 平成元年 特許願 第７４７８５号 図面の浄書 （内容に変更なし） を別紙のとおり 補充する。 ２゜ 発明の名称 光ビームアナログ変調方法 ３゜ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー２７−ル
３エイチエ−マルトラバーズ ストリート １０昌地名
称 エステイ−シー ピーエルシー 代表者 マーク チャールズ デニス４、代理人
Claims (11)
- （１）光が２つの面の間に画成された液晶層を通るよう
方向付けられ、前記液晶層を横断して振幅変調振動電位
が維持され、前記液晶層は平面整列をなし傾斜スメクテ
ィック相である、光ビームアナログ変調方法。 - （２）液晶層はラセミ混合物であることを特徴とする請
求項１記載の光ビームアナログ変調方法。 - （３）液晶層は強誘電性であることを特徴とする請求項
１記載の光ビームアナログ変調方法。 - （４）印加される電位に対し液晶の強誘電性双極子との
相互作用から得られる液晶層の応答が液晶の誘発双極子
との相互作用から得られる応答に比べて無視しうるよう
に振動電位の周波数が振幅変調の周波数に対し充分高い
ことを特徴とする請求項３記載の光ビームアナログ変調
方法。 - （５）液晶層を画成する２つの面は研摩されたポリマ表
面であることを特徴とする請求項４記載の光ビームアナ
ログ変調方法。 - （６）液晶層はスメクティックＣ相であることを特徴と
する請求項１記載の光ビームアナログ変調方法。 - （７）液晶層はラセミ混合物であることを特徴とする請
求項６記載の光ビームアナログ変調方法。 - （８）液晶層は強誘電性であることを特徴とする請求項
６記載の光ビームアナログ変調方法。 - （９）印加される電位に対し液晶の強誘電性双極子との
相互作用から得られる液晶層の応答が液晶の誘発双極子
との相互作用から得られる応答に比べて無視しうるよう
に振動電位の周波数が振幅変調の周波数に対し充分高い
ことを特徴とする請求項８記載の光ビームアナログ変調
方法。 - （１０）液晶層を画成する２つの面は研摩されたポリマ
表面であることを特徴とする請求項９記載の光ビームア
ナログ変調方法。 - （１１）液晶層を画成する２つの面は研摩されたポリマ
表面であることを特徴とする請求項１記載の光ビームア
ナログ変調方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8807321A GB2217035A (en) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | Analogue modulation of light |
| GB8807321.8 | 1988-03-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210324A true JPH0210324A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=10634222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7478589A Pending JPH0210324A (ja) | 1988-03-28 | 1989-03-27 | 光ビームアナログ変調方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0338675A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0210324A (ja) |
| GB (1) | GB2217035A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2026689C (en) * | 1989-10-27 | 2000-03-14 | Miguel G. Tristani-Kendra | Liquid crystal device with grey scale |
| TW476422U (en) * | 1992-01-29 | 2002-02-11 | Sharp Kk | Liquid crystal display |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2590392B1 (fr) * | 1985-09-04 | 1994-07-01 | Canon Kk | Dispositif a cristaux liquides ferroelectriques |
-
1988
- 1988-03-28 GB GB8807321A patent/GB2217035A/en not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-03-16 EP EP89302587A patent/EP0338675A1/en not_active Withdrawn
- 1989-03-27 JP JP7478589A patent/JPH0210324A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2217035A (en) | 1989-10-18 |
| EP0338675A1 (en) | 1989-10-25 |
| GB8807321D0 (en) | 1988-04-27 |
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